东华理工大学模电第4章 (1)

多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
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8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－ － －－
+3 +4
－ － －－
－ － －－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ，所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
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EW
R
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(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同，这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 －
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容（结电容）
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
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19
1.2 半导体二极管
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四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，β=100，U BE=0.7V。

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电子技术基础模拟部分 第五版
第五章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第三章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第一章作业题解答
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一寸光阴不可轻
实验二 单级放大电路（二）
一、 实验目的
1． 学习测量放大器 ri、r0 的方法、观察放大器的非线性失真，了解共射极电路特 性。
2． 学习放大电路的动态性能。 二、实验仪器
1．示波器 2．信号发生器 3．万用表 4．模拟电路实验箱 三、预习要求 1． 三极管及单管放大器工作原理。 2． 放大器动态和静态的测量方法。 四、实验内容及步骤 1．输入电阻测量
本门课程实验内容的安排遵循由浅到深、由易到难的规则，考虑不同层 次的需要，既有基本测试验证性的内容，又有设计研究性的内容。为提高实 验的思想性、科学性和启发性，有些实验只提出设计要求及电路原理简图， 由学生自己完成方案的选择、实验步骤的安排和实验结果的表格记录等，充 分发挥学生的创造性和主观能动性。
参数的情况下测量 Ui 和 Uo，并将计算结果填表中。
表 2.2
给定参数
实测
实测计算 估 算
RC
RL
Ui(mv)
Uo(v)
Au
Au
5K1
5K1
5K1
2K2
2K
5K1
2K
2K2
4．保持 Ui＝5mv 不变，转动电位器以增大或减小 Rp，观察输出端 Uo 波形的变
化，并用万用表测量三极管 Vb、Vc、Ve 的值，并填入表 2.3 中。 表 2.3 (注意:如果截止失真不明显可适当增加输入信号的幅度.)
按图 1-1 接线。如图 2-1，在输入端串接一个 5.1k 电阻 Rs，测量 Us 与 Ui 即可计算 ri
ri＝Ui/Ib Ib＝(US－Ui)/RS
则 ri＝[Ui/(US-Ui)].RS 2．输出电阻测量
按图 1-1 接线。如图 2-2，测量有负载和空载时的 U0，即可计算出 r0，将上述测量 及计算结果填入表 2.1 中。