下载文档原格式
光敏电阻传感器原理光敏电阻传感器是一种利用光敏电阻元件将光信号转换为电信号的传感器，它的工作原理是基于半导体材料的光电效应。
光敏电阻是一种电阻值随入射光的强弱而改变的特殊电阻器，它在无光照射时呈高阻状态，当有光照射时，其电阻值迅速减小。
光敏电阻对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。
光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。
在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。
用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。
通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。
入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。
在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。
光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。
光敏电阻传感器的主要参数有亮电阻（RL）、暗电阻（RD）、最高工作电压（VM）、亮电流（IL）、暗电流（ID）、时间常数、温度系数灵敏度等。
亮电阻是指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。
暗电阻是指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。
最高工作电压是指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压。
亮电流是指在无光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压受到光照时所通过的电流。
暗电流是指在无光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。
时间常数是指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63%时所需的时间。
温度系数是指光敏电阻器在环境温度改变1℃时，其电阻值的相对变化。
传感器特性实验目录传感器特性实验目录 (1)一、基础型实验部分 (3)实验一金属箔式应变片单臂电桥性能实验 (3)实验二金属箔式应变片半桥性能实验 (5)实验三金属箔式应变片全桥性能实验 (6)实验四金属箔式应变片单臂、半桥、全桥性能比较 (7)实验五金属箔式应变片全桥温度影响实验 (8)实验六直流全桥的应用—电子秤实验 (9)实验七交流全桥的应用—振动测量实验 (9)实验八压阻式压力传感器压力测量实验 (11)* 实验九扩散硅压阻式压力传感器差压测量 (13)实验十差动变压器位移性能实验 (14)实验十一激励频率对差动变压器特性的影响 (16)实验十二差动变压器零点残余电压补偿实验（1、2） (17)实验十三差动变压器的应用—振动测量实验 (19)实验十四电容式位移传感器位移测量实验 (21)实验十五电容式位移传感器的动态特性实验 (23)实验十六直流激励时接触式霍尔位移传感器特性实验 (25)实验十七交流激励时霍尔式位移传感器特性实验 (26)实验十八霍尔位移传感器振动测量 (27)实验十九霍尔式位移传感器的应用―电子秤实验 (28)实验二十霍尔转速传感器测速实验 (28)实验二十一磁电式转速传感器测速实验 (29)* 实验二十二用磁电式传感器测量振动实验 (30)实验二十三压电式传感器振动测量实验 (31)实验二十四电涡流传感器位移实验 (32)实验二十五被测体材质对电涡流传感器特性影响实验 (33)实验二十六被测体面积大小对电涡流传感器的特性影响实验 (34)实验二十七电涡流传感器测量振动实验 (35)实验二十八电涡流传感器的应用―电子秤实验 (36)* 实验二十九电涡流转速传感器 (37)实验三十光纤传感器的位移特性实验 (38)实验三十一光纤传感器测量振动实验 (39)实验三十二光纤传感器测量转速实验 (40)实验三十三光电转速传感器的转速测量实验 (41)实验三十四利用光电传感器测转速的其它方案* (43)实验三十五热电偶测温性能实验 (43)实验三十六热电偶冷端温度补偿实验 (45)实验三十七热电阻测温特性实验 (46)实验三十八集成温度传感器温度特性实验 (48)实验三十九气体流量的测定实验* (51)实验四十气敏(酒精)传感器气体浓度测量实验 (52)实验四十一湿度传感器湿度测量实验 (53)实验四十二移相器实验 (53)实验四十三相敏检波器实验 (55)实验四十四SET传感器特性实验软件操作 (59)二、增强型实验部分 (65)实验一热释电远红外传感器辐射特性 (65)实验二--- 实验五、光电传感器特性实验（光敏电阻、光电池、光敏二极管、光敏三极管） (67)实验六光纤温度传感器实验 (70)实验七光纤压力传感器实验 (71)实验八光栅位移传感器（原理型）实验 (71)实验九增量型光电编码器传感器（原理型）实验 (73)实验十超声测距传感器实验 (74)* 实验十一超声波传感器的运用 (75)实验十二矩传感器原理实验 (75)* 实验十三扭矩传感器的不同形式 (77)实验十四PSD位置传感器位置测量实验 (77)实验十五PSD位置传感器微振动测量实验 (79)* 实验十六PSD位置传感器用于自动定位 (79)实验十七CCD图像传感器线（圆）径测量实验 (79)实验十八J型热电偶温度特性实验 (83)实验十九T型热电偶温度特性实验 (83)实验二十半导体热敏电阻温度特性实验 (83)实验二十一表面无损探伤实验 (83)实验二十二指纹传感器（带控制输出）认知实验 (84)* 实验二十三指纹传感器计算机图像采集实验 (88)* 实验二十四红外辐射温度传感器实验 (88)* 实验二十五颜色识别传感器颜色识别实验 (89)* 实验二十六微波传感器运用实验 (90)* 实验二十七zigbee无线传感器网络实验 (90)* 实验二十八光栅位移传感器（测量型）实验（1） (90)* 实验二十九光栅位移传感器（测量型）实验（2） (91)* 实验三十环境监测实验（另附）一、基础型实验部分实验一金属箔式应变片单臂电桥性能实验一、实验目的:了解金属箔式应变片的应变效应，单臂电桥工作原理和性能。
光敏电阻的工作原理引言概述：光敏电阻是一种特殊的电阻器件，其电阻值会随着光照强度的变化而发生改变。
它广泛应用于光控开关、光电传感器等领域。
本文将详细介绍光敏电阻的工作原理，包括光敏电阻的基本结构、光敏效应、光敏电阻的特性及其应用。
一、光敏电阻的基本结构1.1 光敏电阻的外观和尺寸：光敏电阻通常呈圆柱形状，外观类似于一般电阻。
其尺寸大小根据具体的应用需求而定，常见的直径为3mm、5mm等。
1.2 光敏电阻的内部结构：光敏电阻的内部结构主要由光敏材料和电极组成。
光敏材料通常是一种半导体材料，如硒化铟、硫化镉等。
电极则用于连接光敏材料与电路。
1.3 光敏电阻的包装形式：光敏电阻常用的包装形式有贴片式、插件式等。
贴片式光敏电阻适用于SMT 表面贴装技术，而插件式光敏电阻则适用于传统的插件式电路。
二、光敏效应2.1 光敏效应的基本原理：光敏电阻的工作原理基于光敏效应。
当光照射到光敏电阻上时，光子的能量会被光敏材料吸收，导致光敏材料的电子激发。
这些激发的电子会改变光敏材料的导电性能，从而导致电阻值的变化。
2.2 光敏效应的影响因素：光敏效应受到多种因素的影响，包括光照强度、波长、温度等。
光照强度越大，光敏电阻的电阻值越小；波长的变化也会影响光敏电阻的电阻值变化程度；温度的变化会对光敏电阻的灵敏度产生影响。
2.3 光敏效应的非线性特性：光敏电阻的光敏效应一般呈非线性特性，即光照强度与电阻值之间的关系不是简单的线性关系。
因此，在实际应用中需要根据具体需求进行校准和补偿。
三、光敏电阻的特性3.1 光敏电阻的灵敏度：光敏电阻的灵敏度是指光照强度变化时电阻值的相对变化程度。
灵敏度越高，光敏电阻对光照强度的变化越敏感。
3.2 光敏电阻的响应速度：光敏电阻的响应速度是指光照强度变化时电阻值变化的速度。
响应速度越快，光敏电阻对光照强度的变化越迅速。
3.3 光敏电阻的频率特性：光敏电阻的频率特性是指光照强度变化时电阻值变化的频率范围。
光敏电阻传感器的原理
光敏电阻传感器原理是利用光敏电阻的特性，光照强度变化会导致电阻值的变化。
光敏电阻是一种半导体材料，当光照射到它的表面时，光子能量激发了材料内电子的跃迁，使得电阻值改变。
光敏电阻的工作原理基于半导体材料在光照射下的能带结构改变。
当光子能量与半导体材料的禁带宽度相近时，光子能够激发材料内的电子从价带跃迁到导带，产生自由电子和空穴。
自由电子和空穴增加后导致材料的电导率提高，使得电阻值减小。
通过这一效应，光敏电阻能够感知光照强度的变化。
当光照强度增加时，更多的光子能量激发了材料内的电子，电阻值减小。
相反，当光照强度减小时，光子能量不足以使电子跃迁，电阻值增加。
为了测量光敏电阻的电阻值变化，通常将其连接到一个电路中，使用一个电流源和一个测量电压的电路。
电流通过光敏电阻，产生的电压信号可以用来判断光照强度的变化。
光敏电阻传感器广泛应用于各个领域，如自动控制、照相机曝光控制、光照强度监测等。
它的原理简单、成本低廉，使得它成为一种常见的光照强度传感器。
传感器原理任务书（光敏电阻、光电池）传感器原理及应用设计性实验任务书项目：光电传感器电路的设计传感器的种类繁多，千差万别，应用场合也各式各样，即便是同种类的测定量也可采用不同工作原理的传感器，因此，在掌握传感器基本原理的同时还应该对传感器的应用有所了解。
如传感器的性能、测量条件、使用方法的等等。
以下实验内容是针对传感器系统实验仪中缺少的实验内容，而应用又较多的部分传感器设计的应用性实验。
集成式传感器技术正在迅速发展，有必要对各种新型传感器做更多得了解。
一、电路的设计及实验任务在了解光电传感原理的基础上，设计一光电传感发射和接收电路，并在面包板上用实际电子元器件插接、调试电路，记录光强变化对应接收电压变化的数据结果。
①使用光敏电阻接收光信号进行设计并调试完成实验；②使用光电池接收光信号进行设计并调试完成实验；③指标要求：光强成线性变化；实验提供所有电子元器件及实验台。
二、设计提示1．工作原理1.1光敏电阻工作原理RG 入射光电源光电流光敏电阻工作原理图光敏电阻又称光导管，它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。
光敏电阻没有极性，就是电阻器件。
上图为光敏电阻结构图，RG为光敏电阻，当RG两端通有电流而无光照射，RG呈高阻态，回路中仅有微弱的暗电流通过；当光敏电阻受到一定波长范围的光照射时，因光敏电阻光导材料吸收光能而生成电子—空穴对，这时电子移向正极，空穴移向负极，它的阻值急剧减少，电流迅速增大。
光电流的大小变化控制电路中的电压电流变化。
当光照射停止时，自由电子与空穴复合，电阻又恢复原值，电路有只有微弱暗电流通过。
亮电流与暗电流的差称为光电流，通常光电流越大越好，表明光敏电阻敏感度好。
光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，其结构是在玻璃底版上涂一层对光敏感的半导体物质，两端有梳状金属电极，然后在半导体上覆盖一层漆膜。
光敏电阻结构及符号光敏电阻光照特性：光敏电阻无光照时，内部电子被原子束缚，具有很高的电阻值；光敏电阻有光照时，当光子能量E0＞Eg时，电阻值随光强增加而降低；光照停止时，自由电子与空穴复合，电阻恢复原值。
4-12 电涡流传感器常用的测量电路有哪几种？其测量原理如何？各有什么特点？1、用于电涡流传感器的测量电路主要有：调频式、调幅式电路两种。
2、测量原理（1）调频式测量原理传感器线圈接入LC振荡回路，当传感器与被测导体距离x改变时，在涡流影响下，传感器的电感变化，将导致振荡频率的变化，该变化的频率是距离x 的函数，即f=L(x), 该频率可由数字频率计直接测量，或者通过f-V变换，用数字电压表测量对应的电压。
图4-6调频式测量原理图（2）调幅式测量原理由传感器线圈L、电容器C和石英晶体组成的石英晶体振荡电路。
石英晶体振荡器起恒流源的作用，给谐振回路提供一个频率（f0）稳定的激励电流i o。
当金属导体远离或去掉时，LC并联谐振回路谐振频率即为石英振荡频率f o，回路呈现的阻抗最大，谐振回路上的输出电压也最大；当金属导体靠近传感器线圈时，线圈的等效电感L发生变化，导致回路失谐，从而使输出电压降低，L的数值随距离x的变化而变化。
因此，输出电压也随x而变化。
输出电压经放大、检波后，由指示仪表直接显示出x的大小。
图4-7调幅式测量原理图除此之外，交流电桥也是常用的测量电路。
3、特点✧调频式测量电路除结构简单、成本较低外，还具有灵敏度高、线性范围宽等优点。
✧调幅式测量电路线路较复杂，装调较困难，线性范围也不够宽。
4-13 利用电涡流式传感器测板材厚度，已知激励电源频率f =1MHz，被测材料相对磁导率μr=1，电阻率ρ=2.9×10-6ΩCm，被测板材厚度为=（1+0.2）mm。
试求：（1）计算采用高频反射法测量时，涡流透射深度h为多大？（2）能否采用低频透射法测板材厚度？若可以需采取什么措施？画出检测示意图。
【解】1、为了克服带材不够平整或运行过程中上下波动的影响，在带材的上、下两侧对称地设置了两个特性完全相同的涡流传感器S1和S2。
S1和S2与被测带材表面之间的距离分别为x1和x2。
若带材厚度不变，则被测带材上、下表面之间的距离总有x1+x2=常数的关系存在。
实训一、光敏电阻控制电路制作任务书
班级：姓名：学号：1．实训目的
1）
2）
3）
2．实训器材
3．实训步骤
1）、用万用表检测元件
①检测光敏电阻的亮阻与暗阻的阻值。
②检测继电器的触点是否接触良好：
用DC12V电源接继电器线圈，观察继电器是否动作；并用万用表检测常开常闭触点接触是否良好。
③检测点灯与发光二极管的好坏。
④检测三极管的好坏。
2）、画出光敏电阻控制电路原理图3）、画出光敏电阻控制电路元件放置图
4）、分析电路原理
5）、电路调试
①检查电源电压是否为12V；注意极性不能接错。
②在光敏电阻R2处于亮光照射时，用万用表测量T1的基极电位。
为确保此时T1、T2处于截止状态，应调节电位器W，使三极管T1基极电压V b1＜0.5V。
③用遮光物遮住光敏电阻R2，使光敏电阻R2处于暗光状态，此时，三极管T1、T2应处于完全导通状态，T1基极电压V b1＞1.2V；可用电位器W进行微调。
4、参数的测量
1）、光敏电阻的亮阻= ，暗阻的阻值= 。
2）、当电路的L灯亮时，测量R1两端的电压值= ，R2两端的电压值= ；流过R1的电流= 。
Q1三极管的基极对地电压= 。
当电路的L灯不亮时，测量R1两端的电压值= ，R2两端的电压值= 。
流过R1的电流= 。
Q1三极管的基极对地电压= 。
3）、测量二极管D的正向电阻阻值= ，其的反向电阻阻值= 。
4）、当电路正常工作时，断开电位器测量其阻值= 。
5）、检测三极管的步骤？
5、实训收获与提高
.。
传感器原理及应用设计性实验任务书
项目：光电传感器电路的设计
传感器的种类繁多，千差万别，应用场合也各式各样，即便是同种类的测定量也可采用不同工作原理的传感器，因此，在掌握传感器基本原理的同时还应该对传感器的应用有所了解。
如传感器的性能、测量条件、使用方法的等等。
以下实验内容是针对传感器系统实验仪中缺少的实验内容，而应用又较多的部分传感器设计的应用性实验。
集成式传感器技术正在迅速发展，有必要对各种新型传感器做更多得了解。
文档收集自网络，仅用于个人学习
一、电路的设计及实验任务
在了解光电传感原理的基础上，设计一光电传感发射和接收电路，并在面包板上用实际电子元器件插接、调试电路，记录光强变化对应接收电压变化的数据结果。
文档收集自网络，仅用于个人学习
①使用光敏电阻接收光信号进行设计并调试完成实验；
②使用光电池接收光信号进行设计并调试完成实验；
③指标要求：光强成线性变化；
实验提供所有电子元器件及实验台。
二、设计提示
1．工作原理
1.1光敏电阻工作原理
RG 入射光
电源
光电流
光敏电阻工作原理图
光敏电阻又称光导管，它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。
光敏电阻没有极性，就是电阻器件。
上图为光敏电阻结构图，RG为光敏电阻，当RG两端通有电流而无光照射，RG呈高阻态，回路中仅有微弱的暗电流通过；当光敏电阻受到一定波长范围的光照射时，因光敏电阻光导材料吸收光能而生成电子—空穴对，这时电子移向正极，空穴移向负极，它的阻值急剧减少，电流迅速增大。
光电流的大小变化控制电路中的电压电流变化。
当光照射停止时，自由电子与空穴复合，电阻又恢复原值，电路有只有微弱暗电流通过。
亮电流与暗电流的差称为光电流，通常光电流越大越好，表明光敏电阻敏感度好。
文档收集自网络，仅用于个人学习
光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，其结构是在玻璃底版上涂一层对光敏感的半导体物质，两端有梳状金属电极，然后在半导体上覆盖一层漆膜。
文档收集自网络，仅用于个人学习
光敏电阻结构及符号
光敏电阻光照特性：
∙光敏电阻无光照时，内部电子被原子束缚，具有很高的电阻值；
∙光敏电阻有光照时，当光子能量E0＞Eg时，电阻值随光强增加而降低；
∙光照停止时，自由电子与空穴复合，电阻恢复原值。
光敏电阻主要参数：
∙暗电阻——无光照时的电阻为暗电阻；
∙暗电流——无光照时的电流，在给定工作电压流过暗电阻时的电流；
∙亮电阻、亮电流——受光照时的阻值，电流称亮电流；
∙光电流——亮电流与暗电流之差称光电流。
基本特性：
∙伏安特性
∙给定偏压，光照越大光电流越大；
∙给定光照度，电压越大光电流越大；
∙光敏电阻的伏安特性曲线不弯曲无饱和，但受最大功耗限制。
光敏电阻伏安特性
光谱特性
∙光敏电阻灵敏度与入射波长有关，不同波长光敏电阻灵敏度不同；
∙光敏电阻灵敏度与半导体掺杂的材料有关，不同材料灵敏度不同，例如
材料相对灵敏度峰值位置波长（λ）
硫化镉（CdS）0.3～0.8(μm)
硫化铅（PbS）1.0～3.5(μm)
锑化铟（InSb）1.0～7.3(μm)
光敏电阻光谱特性
温度特性
温度变化影响光敏电阻的灵敏度、暗电流和光谱响应。
光敏电阻温度特性
1.2光电池工作原理
光电池（有源器件）
光电池工作原理也是基于光生伏特效应，是可直接将光能转换成电能的器件。
有光线作用时就是电源，如光电池。
广泛用于宇航电源，另一类用于检测和自动控制等。
文档收集自网络，仅用于个人学习
光电池种类很多，有硒光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓、氧化铜等等，其中硒光电池转换效率较高，价格低廉寿命长，是使用较广泛的一种光电池；砷化镓光电池光谱响应与太阳光谱吻合，耐高温，耐宇宙射线，是宇航光电池首选材料。
文档收集自网络，仅用于个人学习
结构原理：光电池实质是一个大面积PN结，结构如下图所示，上电极为栅状受光电极，栅状电极下涂有抗反射膜，用以增加透光，减小反射，下电极是一层衬底铝。
当光照射PN 结的一个面时，电子空穴对迅速扩散，在结电场作用下建立一个与光照强度有关的电动势，一般可产生0.2V～0.6V电压，50mA电流。
光照硅光电池的P区时，在P区产生电子-空穴对，硅光电池表面的光子多，电子-空穴对也越多。
在内电场的作用下，电子向内扩散，在
复合前到达P-N结过渡区，内电场的作用将这些电子推向N区。
于是光照产生的电子-空穴对中的电子流向N区；空穴则留在P区，导致P区带正电，N区带负电，形成电位差。
文档收集自网络，仅用于个人学习
光电池结构图光电池工作原理图
光电池符号
∙光照特性
∙开路电压———光生电动势U OC与照度E V之间关系称开路电压曲线；
开路电压与光照度关系是非线性关系，在照度位2000lx下趋于饱和。
∙短路电流———短路电流I SC与照度E V之间关系称短路电流曲线；短路电流是指，外接负载RL相对内阻很小时的光电流，实验证明：负载电阻R L越小，曲线线性越好，线性范围越宽；R L≈100Ω以下为好。
短路电流曲线在很大范围内与光照度成线性关系，因此光电池作为测量元件使用时，一般不作电压源使用，而作为电流源的形式应用。
文档收集自网络，仅用于个人学习
光电池光照特性图光电池光照与负载的关系
∙光谱特性
光电池对不同波长的光灵敏度不同，下图为硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线。
由图可见，不同材料的光电池，光谱响应的最大灵敏度峰值所对应的入射波长不同，硅光电池的
光谱响应峰值在0.8μm附近，波长范围0.4～1.2μm,硒光电池光谱响应峰值在0.5μm附近, 波长范围0.38～0.75μm。
硅光电池可以在很宽的波长范围内应用。
文档收集自网络，仅用于个人学习
光电池光谱特性图硅、硒光电池的频率特性
频率特性
频率特性指光电池相对输出电流与光的调制频率之间关系。
从上图中得知，硅、硒光电池的频率特性不同，硅光电池有较好的频率响应，硒光电池较差。
在一些测量系统中，光电池作为接受器件，测量调制光（明暗变化）的输入信号，所以高速计数器的转换一般采用硅光电池作为传感器元件。
文档收集自网络，仅用于个人学习
电路连接
∙光电池作为控制元件时通常接非线性负载（晶体管）。
锗管发射结导通电压降为0.2V～0.3V，硅光电池开路电压可达0.5V，可直接将光电池接入基极，控制晶体管工作。
光照度变化时，引起基极电流IB变化，集电极电流（IC=βIB）发生β倍的变化。
电流IC与光照近似线性关系。
文档收集自网络，仅用于个人学习硅管的发射结导通电压为0.6V～0.7V，这时光电池的0.5V电压无法起到控制作用，可以将两个光电池串联后接入基极，或者用偏压电阻和二极管产生附加电压。
文档收集自网络，仅用于个人学习
∙光电池作为电源使用时，根据使用要求进行连接。
需要高电压时应将光电池串联使用；
需要大电流时应将光电池并联使用。
光电池电路连接
2．实验目的和任务
了解光敏电阻、光电池的工作原理和应用，认识光敏元器件；设计、联接和调试电路；测量、记录实验数据。
根据具体给出的器件设计一光照强度显示电路，当光敏元件受到一定强度光照时，显示器给出对应的数据，获得光照强度与光电元件输出信号的对应关系曲线。
文档收集自网络，仅用于个人学习
3．实验步骤
（1）根据给出的器件设计电路，在面包板上插接电路。
（2）用直流稳压电源（用实验台电源）接通电路板（5V），对插接电路进行调试，观察光照时的电路状态。
调节激光二极管的输入电源电压，用仪表测量光照度。
（3）测量光照度不同时光敏电阻的阻值变化，光电池的输出电压。
（4）变化光照度，测出测量电路输出电压。
（5）针对测量电路输出电压，测出放大电路的输出电压值；调节放大电路的相关电阻，再测放大电路的输出电压值，直至在显示范围内。
文档收集自网络，仅用于个人学习
（6）编写实验报告，内容包括：目的、任务；实验框图及电路设计；调试过程遇到的问题及解决的方法；测量数据的记录（激光二极管输入电压，激光二极管光照度值、光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电池开路电压、测量电路、调理电路输入输出电压，对应电阻参数）。
文档收集自网络，仅用于个人学习
4．实验器件：光敏电阻cds（硫化镉）一只；光电池一只；激光二极管一只，
面包板一块、传感器实验台一台。
5．激光发射、接收电路（参考电路）
LM358引脚图
三、实验报告内容
（1）激光二极管光端电压与光敏电阻接收电路输出电压的关系；（2）发光二极管端电压与光敏电阻接收电路输出电压的关系；（3）对测试值结果的分析。
（4）。
