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AP9962D

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
▼ Low On-resistance BV DSS 40V ▼ Single Drive Requirement R DS(ON)28m Ω▼ PDIP-8 Package
I D
7A
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol Units V DS V V GS
V I D @T A =25℃A I D @T A =70℃A I DM
A P D @T A =25℃W W/℃T STG ℃T J
℃
Symbol Value Unit Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient 3
Max.
62.5
℃/W
Data and specifications subject to change without notice
Thermal Data
Parameter
Storage Temperature Range
Total Power Dissipation 2-55 to 150Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
Linear Derating Factor 0.016Continuous Drain Current 3, V GS @ 10V 5.5Pulsed Drain Current 1,220Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current 3, V GS @ 10V 7Parameter
Rating Drain-Source Voltage 40201003031
AP9962D
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
±20D1
D1D2D2
S1
G1S2G2
PDIP-8
Electrical Characteristics@T j =25o C(unless otherwise specified)
Symbol Parameter
Test Conditions
Min.Typ.Max.
Units BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage V GS =0V, I D =250uA 40--V ΔB V DSS /ΔT j
Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, I D =1mA
-0.1-V/℃R DS(ON)Static Drain-Source On-Resistance 2V GS =10V, I D =7A --28m ΩV GS =4.5V, I D =5A --40m ΩV GS(th)Gate Threshold Voltage V DS =V GS , I D =250uA 1-3V g fs Forward Transconductance
V DS =10V, I D =7A -11-S I DSS Drain-Source Leakage Current (T j =25o C)V DS =40V, V GS =0V --1uA Drain-Source Leakage Current (T j =70o C)
V DS =32V ,V GS =0V --25uA I GSS Gate-Source Leakage V GS =--nA Q g Total Gate Charge 2I D =7A -1320nC Q gs Gate-Source Charge V DS =32V -4-nC Q gd Gate-Drain ("Miller") Charge V GS =4.5V -7-nC t d(on)Turn-on Delay Time 2V DS =20V -10-ns t r Rise Time
I D =1A
-8-ns t d(off)Turn-off Delay Time R G =3.3Ω,V GS =10V -26-ns t f Fall Time R D =20Ω-9-ns C iss Input Capacitance V GS =0V -11701870
pF C oss Output Capacitance
V DS =25V -180-pF C rss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
116
-pF
Source-Drain Diode
Symbol Parameter
Test Conditions
Min.Typ.Max.Units V SD
Forward On Voltage 2I S =1.7A, V GS =0V -- 1.2V t rr
Reverse Recovery Time Is=7A, V GS =0V ,-24-ns Qrr
Reverse Recovery Charge
dI/dt=100A/µs
-18
-nC
Notes:
1.Pulse width limited by Max. junction temperature.
2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.
3. Mounted on 1 in 2 copper pad of FR4 board ;90℃/W when mounted on min. copper pad.
± 20V ±100
AP9962D
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Reverse Diode Junction Temperature
Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9962D。

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晶体管参数及代换大全

晶体管参数及代换大全

各频段发射管参数大全（2）Type:P.Out:Vcc:Frq:Gain:Prices: 2SC2290100 Watt14 Volt30 MHz(=MRF454)2SC231216 Watt12 Volt30 MHz12dB2SC278280 Watt12,5 Volt175 MHz6,8 dB2SC2879100 Watt12,5 Volt28 MHz13dB2N91850mA15 Volt600 MHz2N35532,5 Watt28 Volt175 MHz10 dB2N3866 1 Watt28 Volt400 MHz10dBABH71158535 Watt13,5 Volt108 MHz10dBBF964 (n-fet)30mA20 Volt200 MHzBF966 (n-fet)30mA20 Volt800 MHzBFG90a180mW15 Volt 5 GHzBFG91300mW12 Volt 6 GHzBFQ1369 Watt14 Volt 4 GHz12,5dB25.-EU BFQ342,7 Watt15 Volt 4 GHz16,3dB17.-EU BFQ684,5 Watt14 Volt 4 GHz13dBBFR943,5 Watt25 Volt3,5 GHz10dBBFW30220mW10 Volt800 MHz 3.-EU BGY22A2,9 Watt13,8 Volt380-512 MHzBGY3322 Watt12 Volt108 MHzBGY47H 3 Watt9,6 Volt400-470 MHzBGY88724 Volt40-860 MHz21,5 dBBLF147150 Watt28 Volt108 MHz14dBBLF147Second ChoiceBLF177150 Watt50 Volt108 MHz19dB70.-EU BLF177Second ChoiceBLF24415 Watt28 Volt175 MHz>13dBBLF244Second ChoiceBLF24530 Watt28 Volt175 MHz>13dB60.-EU BLF24680 Watt28 Volt108 MHz>16dBBLF246b60 Watt28 Volt175MHz>14dBBLF248300 Watt28 Volt225 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Watt28 Volt108 MHz>10dBBLV30 2 Watt28 Volt860 MHz10dB25.-EU BLV32F10 Watt25 Volt224 MHz>16dBBLV3390 Watt28 Volt224 MHz7,5dB200.-EU BLV36100 Watt28 Volt225 MHz11dB100.-EU BLV5930 Watt25 Volt860 MHz>7dBBLV62150 Watt26 Volt860 MHz11dbBLV80/2880 Watt28 Volt175 MHz>6,5dBBLV92 4 Watt12,5 Volt900 MHz>7,5dBBLV938 Watt12,5 Volt900 MHz>6,5dBBLV9730 Watt24 Volt960 MHz>7dBBLV102BLV19312 Watt12,5 Volt900 MHz>6,5dBBLV861100 Watt28 Volt860 MHz>8,5dBBLV862150 Watt28 Volt860 MHz>8dBBLV862Second ChoiceBLV91010 Watt26 Volt960 MHz>11dBBLV950150 Watt26 Volt900 MHz>8dBBLV204760 Watt26 Volt2,4 GHz>9dBBLW3030 Watt12,5 Volt175 MHz>10dBBLW3128 Watt12,5 Volt175 MHz>10dBBLW320,5 Watt25 Volt860 MHz>11dB50.-EU BLW33 1 Watt25 Volt860 MHz>10dB Ask BLW33Second ChoiceBLW34 2 Watt25 Volt860 MHz10dB80.-EU BLW5050 Watt50 Volt30 MHz>19,5dBBLW7680 Watt28 Volt108 MHz7,9dBBLW77130 Watt28 Volt87,5 MHz7,5dBBLW78100 Watt28 Volt150 MHz>6dBBLW8110 Watt12,5 Volt470 MHz>6dB25 Watt12,5 Volt470 MHz6,2dBBLW82(=MRF644)BLW82F30 Watt36 Volt470 MHzBLW8645 Watt28 Volt175 MHz7,5dBBLW89 2 Watt28 Volt470 MHz>12dBBLW90 4 Watt28 Volt470 MHz>11dBBLW95160 Watt50 Volt30 MHz>14dBBLW96200 Watt50 Volt108 MHz6,5dBBLW96Second ChoiceBLW984,4 Watt25 Volt860 MHz7dB ASK BLW98Second Choice175 Watt50 Volt108 MHz7,4dBBLX15(=ON616)BLX15Second ChoiceBLY8312 Watt175 MHzBLY878 Watt13,5 Volt175 MHz>12dBBLY8815 Watt13,5 Volt175 MHz>8dBBLY8925 Watt13,5 Volt175 MHz>6dBBLY9050 Watt13,5 Volt175 MHz>5dBBLY918 Watt28 Volt175 MHz>12dBBLY9450 Watt28 Volt175 MHz>7dBMHW720-320 Watt12,5 Volt512 MHz21dBMRF151G300 Watt50 Volt175 MHz16 dB140.-EU MRF237 4 Watt12,5 Volt175 MHz12dBMRF24580 Watt12,5 Volt175 MHz6,4dBMRF24775 Watt12,5 Volt175MHz7dBMRF450A50 Watt13,6 Volt30 MHz11dBMRF45480 Watt12,5 Volt30 MHz12dBMRF45560 Watt12,5 Volt30 MHz13dBMRF47512 Watt13,6 Volt30 MHz10dBMRF47740 Watt12,5 Volt30 MHz15dBSD1460150 Watt28 Volt108 MHz9,2dB90.-EUHF-TransistorType:P.Out:Vcc:Frq:Gain:Prices: 2SC2290100 Watt14 Volt30 MHz(=MRF454)2SC231216 Watt12 Volt30 MHz12dB2SC278280 Watt12,5 Volt175 MHz6,8 dB2SC2879100 Watt12,5 Volt28 MHz13dB2N91850mA15 Volt600 MHz2N35532,5 Watt28 Volt175 MHz10 dB2N3866 1 Watt28 Volt400 MHz10dBABH71158535 Watt13,5 Volt108 MHz10dBBF964 (n-fet)30mA20 Volt200 MHzBF966 (n-fet)30mA20 Volt800 MHzBFG90a180mW15 Volt 5 GHzBFG91300mW12 Volt 6 GHzBFQ1369 Watt14 Volt 4 GHz12,5dB25.-EU BFQ342,7 Watt15 Volt 4 GHz16,3dB17.-EU BFQ684,5 Watt14 Volt 4 GHz13dBBFR943,5 Watt25 Volt3,5 GHz10dBBFW30220mW10 Volt800 MHz 3.-EU BGY22A2,9 Watt13,8 Volt380-512 MHzBGY3322 Watt12 Volt108 MHzBGY47H 3 Watt9,6 Volt400-470 MHzBGY88724 Volt40-860 MHz21,5 dBBLF147150 Watt28 Volt108 MHz14dBBLF147Second ChoiceBLF177150 Watt50 Volt108 MHz19dB70.-EU BLF177Second ChoiceBLF24415 Watt28 Volt175 MHz>13dBBLF244Second ChoiceBLF24530 Watt28 Volt175 MHz>13dB60.-EU BLF24680 Watt28 Volt108 MHz>16dBBLF246b60 Watt28 Volt175MHz>14dBBLF248300 Watt28 Volt225 MHz>10dBBLF278300 Watt50 Volt108 MHz>20dB135.-EU BLF34630 Watt28 Volt225 MHz16,5dBBLF346Second ChoiceBLF368300 Watt32 Volt225 MHz>12dBBLF368Second ChoiceBLF378250 Watt50 Volt225 MHz16dBBLF54310 Watt28 Volt500 MHz>12dBBLF543Second ChoiceBLF54420 Watt28 Volt500 MHz>11dBBLF548150 Watt28 Volt500 MHz10dBBLF548Second ChoiceBLF861150 Watt32 Volt860 MHz>13,5dBBLF861Second ChoiceBLF861a Second ChoiceBLF104770 Watt26 Volt 1 GHz>14dBBLF1047Second ChoiceBLF182065 Watt26 Volt2,4 GHz>11dBBLF1820-7065 Watt26 Volt2000 MHz>11dBBLF204530 Watt26 Volt2,4 GHz>10dBBLF2045Second ChoiceBLF204765 Watt26 Volt2200 MHz>10dBBLF2047L65 Watt26 Volt2000 MHz>10,5dBBLF205760 Watt26 Volt2,4 GHzBLU20/1220 Watt12,5 Volt470 MHz>6,5dBBLU30/1230 Watt12,5 Volt470 MHz>6dBBLU45/1245 Watt12,5 Volt470 MHz>4,8dB(=MRF646)BLU53 (dual)100 Watt28 Volt400 MHzBLU60/1260 Watt12,5 Volt470 MHz>4,4dBBLU60/2860 Watt28 Volt460 MHz>4,5dBBLU99 5 Watt12,5 Volt470 MHz>10,5dBBLV1115 Watt13,5 Volt175 MHz>8dBBLV2115 Watt28 Volt175 MHz>10dBBLV25175 Watt28 Volt108 MHz>10dBBLV30 2 Watt28 Volt860 MHz10dB25.-EU BLV32F10 Watt25 Volt224 MHz>16dBBLV3390 Watt28 Volt224 MHz7,5dB200.-EU BLV36100 Watt28 Volt225 MHz11dB100.-EU BLV5930 Watt25 Volt860 MHz>7dBBLV62150 Watt26 Volt860 MHz11dbBLV80/2880 Watt28 Volt175 MHz>6,5dBBLV92 4 Watt12,5 Volt900 MHz>7,5dBBLV938 Watt12,5 Volt900 MHz>6,5dBBLV9730 Watt24 Volt960 MHz>7dBBLV102BLV19312 Watt12,5 Volt900 MHz>6,5dBBLV861100 Watt28 Volt860 MHz>8,5dBBLV862150 Watt28 Volt860 MHz>8dBBLV862Second ChoiceBLV91010 Watt26 Volt960 MHz>11dBBLV950150 Watt26 Volt900 MHz>8dBBLV204760 Watt26 Volt2,4 GHz>9dBBLW3030 Watt12,5 Volt175 MHz>10dBBLW3128 Watt12,5 Volt175 MHz>10dBBLW320,5 Watt25 Volt860 MHz>11dB50.-EU BLW33 1 Watt25 Volt860 MHz>10dB Ask BLW33Second ChoiceBLW34 2 Watt25 Volt860 MHz10dB80.-EU BLW5050 Watt50 Volt30 MHz>19,5dBBLW7680 Watt28 Volt108 MHz7,9dBBLW77130 Watt28 Volt87,5 MHz7,5dBBLW78100 Watt28 Volt150 MHz>6dBBLW8110 Watt12,5 Volt470 MHz>6dBBLW8225 Watt12,5 Volt470 MHz6,2dB(=MRF644)BLW82F30 Watt36 Volt470 MHzBLW8645 Watt28 Volt175 MHz7,5dBBLW89 2 Watt28 Volt470 MHz>12dBBLW90 4 Watt28 Volt470 MHz>11dBBLW95160 Watt50 Volt30 MHz>14dBBLW96200 Watt50 Volt108 MHz6,5dBBLW96Second ChoiceBLW984,4 Watt25 Volt860 MHz7dB ASK BLW98Second Choice175 Watt50 Volt108 MHz7,4dBBLX15(=ON616)BLX15Second ChoiceBLY8312 Watt175 MHzBLY878 Watt13,5 Volt175 MHz>12dBBLY8815 Watt13,5 Volt175 MHz>8dBBLY8925 Watt13,5 Volt175 MHz>6dBBLY9050 Watt13,5 Volt175 MHz>5dBBLY918 Watt28 Volt175 MHz>12dBBLY9450 Watt28 Volt175 MHz>7dBMHW720-320 Watt12,5 Volt512 MHz21dBMRF151G300 Watt50 Volt175 MHz16 dB140.-EU MRF237 4 Watt12,5 Volt175 MHz12dBMRF24580 Watt12,5 Volt175 MHz6,4dBMRF24775 Watt12,5 Volt175MHz7dBMRF450A50 Watt13,6 Volt30 MHz11dBMRF45480 Watt12,5 Volt30 MHz12dBMRF45560 Watt12,5 Volt30 MHz13dBMRF47512 Watt13,6 Volt30 MHz10dBMRF47740 Watt12,5 Volt30 MHz15dBSD1460150 Watt28 Volt108 MHz9,2dB90.-EU。

中国电信爱WiFi网关型AP设备检测指导手册--厂家下发版

中国电信爱WiFi网关型AP设备检测指导手册--厂家下发版

中国电信集团爱WiFi网关型AP检测指导手册（2014年）中国电信集团公司采购事业部2014年12月目录序 (1)1.检测依据标准——规范 (2)2.检测项目及指标要求 (2)3.样品要求 (5)4.检测方法和检测用设备 (5)5.附件： (8)2序为规范中国电信集团爱WiFi网关型AP集采入围质量检测流程、依据、指标要求，特制定本检测指导手册。

爱WiFi网关型AP是一种IP网络接入设备，要求满足《中国电信爱WiFi网关型AP 设备技术要求》、《中国电信爱WiFi网关型AP设备与管理平台接口规范》中规定的检测项目和指标要求。

1爱WiFi网关型AP 1.检测依据标准——规范（1）中国电信爱WiFi网关型AP设备技术要求（2）中国电信爱WiFi网关型AP设备与管理平台接口规范（3）中国电信GPON设备技术要求（4）中国电信EPON设备技术要求2.检测项目及指标要求表1 检测项目及指标要求234注：上表指标要求中的条款号与附件“中国电信集团爱WiFi网关型AP测试方案(2014)”中的条款号相对应。

3.样品要求完整的外包装，带有产品使用必备的附件、产品说明书（纸版或电子媒介均可）或操作手册，样品一组。

4.检测方法和检测用设备表2 检测方法和检测用设备56注：上表指标要求中的条款号与附件“中国电信集团爱WiFi网关型AP测试方案(2014)”中的条款号相对应。

75.附件：中国电信集团爱WiFi网关型AP测试方案(2014)中国电信集团公司2014年12月8前言本标准根据中国电信爱WiFi相关规范制定，主要用于规范设备的测试内容、测试方法和测试指标。

本标准规定了中国电信爱WiFi 网关型AP的测试范围，包含基本功能测试、业务功能测试、性能测试、稳定性测试以及设备硬件要求测试等内容。

1 测试概述1.1 测试环境爱WiFi 网关型AP涉及设备物理接口、设备网络基本功能、爱WiFi业务功能及设备硬件要求等技术实现，图1所示的测试组网方案，适用于多数的测试用例，个别不使用的测试用例，会在后文中做出说明或补充。

机械制造技术基础课后部分习题及答案

机械制造技术基础课后部分习题及答案

2-2切削过程的三个变形区各有何特点？它们之间有什么关联？答：切削塑性金属材料时，刀具与工件接触的区域可分为3个变形区：①第一变形区（基本变形区）：是切削层的塑性变形区，其变形量最大，常用它来说明切削过程的变形情况；②第二变形区（摩擦变形区）：是切屑与前面摩擦的区域；③第三变形区（表面变形区）：是工件已加工表面与后面接触的区域。

它们之间的关联是：这三个变形区汇集在切削刃附近，此处的应力比较集中而且复杂，金属的被切削层就在此处与工件基体发生分离，大部分变成切屑，很小的一部分留在已加工表面上。

2-3分析积屑瘤产生的原因及其对加工的影响，生产中最有效的控制积屑瘤的手段是什么？答：在中低速切削塑性金属材料时,刀—屑接触表面由于强烈的挤压和摩擦而成为新鲜表面,两接触表面的金属原子产生强大的吸引力,使少量切屑金属粘结在前刀面上,产生了冷焊,并加工硬化,形成瘤核。

瘤核逐渐长大成为积屑瘤，且周期性地成长与脱落。

积屑瘤粘结在前刀面上，减少了刀具的磨损；积屑瘤使刀具的实际工作前角大，有利于减小切削力；积屑瘤伸出刀刃之外，使切削厚度增加，降低了工件的加工精度；积屑瘤使工件已加工表面变得较为粗糙。

由此可见：积屑瘤对粗加工有利，生产中应加以利用；而对精加工不利，应以避免。

消除措施：采用高速切削或低速切削，避免中低速切削；增大刀具前角，降低切削力；采用切削液。

2-7车削时切削合力为什么常分解为三个相互垂直的分力来分析？分力作用是什么？答：（1）车削时的切削运动为三个相互垂直的运动：主运动（切削速度）、进给运动（进给量）、切深运动（背吃刀量），为了实际应用和方便计算，在实际切削时将切削合力分解成沿三个运动方向、相互垂直的分力。

（2）各分力作用：切削力是计算车刀强度、设计机床主轴系统、确定机床功率所必须的；进给力是设计进给机构、计算车刀进给功率所必需的；背向力是计算工件挠度、机床零件和车刀强度的依据，与切削过程中的振动有关。

2-11背吃刀量和进给量对切削力和切削温度的影响是否一样？为什么？如何运用这一定律知道生产实践？答：不一样。

安桥TX-NR717及TX-NR818AV功放新品发布

安桥TX-NR717及TX-NR818AV功放新品发布

安桥TX-NR717及TX-NR818AV功放新品发布
无
【期刊名称】《实用影音技术》
【年(卷),期】2012(000)004
【摘要】正日本知名厂商安桥于近期发布了旗下最新款中端AV功放——TX-NR717和TX-NR818。

这两款功放都支持7.2声道输出,专为追求影音品质的家庭影院爱好者打造。

这两款功放都通过THXSelect 2 Plus认证,并采用了安桥专利的WRAT(宽频放大技术),使用功能配置完备。

这
【总页数】1页(P3-3)
【作者】无
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TN722.75
【相关文献】
1.关于DTS：X如何入门？安桥答案TX-NR646影院功放 [J], ;
2.更强的影音娱乐能力 ONKYO（安桥）全靳影音旗舰PR—SC5509前级和PA—MC5501后级功放 [J], 朔奕
3.安桥发布2012款11.4声道AV功放 [J], 无
4.安桥推出7.2声道前级功放TX-NR616 [J], 无
5.安桥7.2声道前级功放TX-NR616 [J], 无
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