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spice基本语法-

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•无源器件：电阻、电感、电容1、电阻RXXX n1 n2 <mname> <R=>resistance <AC=val> 电阻值可以是表达式。

例：R1 1 2 10KRac 9 8 1 AC=1e10Rterm input gnd R=’sqrt(HERTZ) ’2、电容CXXX n1 n2 <mname> <C=>capacitance例：C1 1 2 1pF3、电感LXXX n1 n2 <L=>inductance例：L1 1 2 1nH•有源器件：Diode、BJT、JEFET、MOSFET1、Diode（二极管）DXXX N+ N- MNAME<AREA> <OFF> <IC=VD>可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，IC=VD 是瞬态初始条件注：模型中的寄生电阻串联在正极端2、BJT（双极性晶体管）QXXX NC NB NE <NS> MNAME<AREA> <OFF> <IC=VBE,VCE>NC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点，缺省时NS接地。

后面与二极管相同。

3、JFET（结型场效应晶体管）JXXX ND NG NS MNAME<AREA> <OFF> <IC=VDS,VGS>4、MOSFET（MOS场效应晶体管）MXXX ND NG NS NB MNAME <L=VAL> <W=VAL> <Other options>M为元件名称，ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。

MNAME 是模型名，L沟道长，W为沟道宽。

•子电路1、子电路定义开始语句.SUBCKT SUBNAM <node1 node2…>其中，SUBNAM为子电路名，n ode1…为子电路外部节点号，不能为零。

子电路中的节点号（除接地点），器件名，模型的说明均是局部量，可以和外部的相同。

例： .SUBCKT OPAMP 1 2 3 42、子电路终止语句.ENDS <SUBNAM>若后有子电路名，表示该子电路定义结束；若没有，表示所有子电路定义结束。

例： .ENDS OPAMP / .ENDS3、子电路调用语句X***** <node1 node2 …> SUBNAM在Spice中，调用子电路的方法是设定以字母X开头的伪元件名，其后是用来连接到子电路上的节点号，再后面是子电路名。

例：…….SUBCKT INV IN OUT wn= wp=Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=.ENDSX1 IN 1 INV WN= WP=3UX2 1 2 INV WN= WP=3UX3 2 OUT INV WN= WP=3U激励源：独力源和受控源独立源：直流源（DC Sources）交流小信号源（AC Sources）瞬态源（Transient Sources）脉冲源指数源正弦源分段线性源1、直流源（DC Sources ）VXXX N+ N- DC VALUEIXXX N+ N- DC VALUE例：V1 1 0 DC=5VI1 1 0 DC=5mA2、交流小信号源（AC Sources）VXXX N+ N- AC<ACMAG<ACPHASE>>IXXX N+ N- AC<ACMAG<ACPHASE>>其中，ACMAG和ACPHASE分别表示交流小信号源的幅度和相位。

例：V1 1 0 DC=5V AC 1V3、瞬态源（Transient Sources ）a、脉冲源（又称周期源，PULSE Sources）VXXX N+ N- PULSE (V1 V2 TD TR TF PW PER)其中，V1初始值，V2脉动值，TD延时，TR上升时间，TF下降时间，PW脉冲宽度，PER脉冲周期。

例：Vin 1 0 PULSE (0V 5V 10ns 10ns 10ns 40ns 100ns)b、分段线性源（PWL Sources）VXXX N+ N- PWL (T1 V1 <T2 V2 T3 V3 …>) <R<=repeat>> <TD=delay> R=repeat_from_what_time TD=time_delay_before_PWL_start其中,Vi是Ti时刻的值，repeat是开始重复的起始点，delay是延迟时间例：V1 1 0 PWL 60n 0V,120n 0V,130n 5V,170n 5V,180ns 0V,R 0 V2 2 0 PWL 60n 0V,120n 0V,130n 5V,170n 5V,180ns 0V,R 60nc、VXXX N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE)其中,VO偏置，VA幅度，TD延时，THETA阻尼因子，PHASE相位例：VIN 3 0 SIN (0V 1V 100MEG 2NS 5e7)d、指数源（EXP Sources）VXXX N+ N- EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2)V1是初始值，V2是峰值，TD1是上升延迟时间，TAU1是上升时间常数， TD2是下降延迟时间，TAU2是下降时间常数。

例：VIN 3 0 EXP (-4 -1 5N 30N 40N 80N)器件模型元器件需要模型语句来定义其参数值。

模型语句不同于元器件定义描述语句，它是以“.”开头的语句，由关键字.MODEL，模型名称，模型类型和一组参数组成。

无源器件定义模型参数即可。

电阻模型：.MODEL 模型名 R keyword=valueNOISE，RX: 热噪声参数，inr＝SQRT(NOISE·4KT/R)电容模型： .MODEL 模型名 C parameter=value电感模型： .MODEL 模型名 L parameter=value二极管模型.MODEL 模型名 D <LEVEL = val> <keyword = val> ...电阻、电容、电流参数例：.MODEL D D (CO=2PF, RS=1, IS=1P).MODEL DFOWLER D (LEVEL=2, TOX=100, JF=1E-10, EF=1E8).MODEL DGEO D (LEVEL=3, JS=1E-4, JSW=1E-8)BJT管模型.MODEL mname NPN <(> <pname1 = val1> ... <)>.MODEL mname PNP <pname1 = val1> ...模型参数中一般包括LEVEL，说明哪种模型，不同级的模型有不同的模型参数集。

MOS管模型.MODEL 模型名 PMOS <LEVEL=val> <parameters>.MODEL 模型名 NMOS <LEVEL=val> <parameters>LEVEL=1 常用于数字电路，精度低、速度快LEVEL=2 考虑了衬底电荷对电流的影响LEVEL=13,39,49模拟电路，精度高、速度慢二、分析类型描述语句.OP：直流工作点分析•严格来说，这不算一种仿真类型。

计算直流工作点指令，对于分析电路很有用（要会看.lis文件），会在输出文件中列出一些直流参数和各结点的工作点电压与支路电流、静态功耗。

•一般在任何其它仿真之前都需要计算直流工作点。

•.op time看某一时刻的各个器件和电源的状态。

•.op vol time某一时刻所有节点电压。

•.op cur time某一时刻所有器件和电源的电流。

•默认状态：.ac和.dc分析是初始工作点，.tran默认时间是0。

.DC：直流分析•可以对参数和独立电源扫描•.DC var1 START STOP STEP/<SWEEP var2 type np start2 stop2> 其中，type有DEC(十进位）/OCT（倍频）/LIN（线性）/DATA＝datanm/POI(列表），Np是单位范围内的点数（依type而定）•注意：1）对独立源扫描时，var为电源名，而非节点名2）仿真迟滞特性要正、负双向扫描，如： .DC Vin 0 5 .DC Vin 5 03）注意对两个量的扫描，后面的是外循环4） SWEEP后的变量可是电压、电流或温度等变量.TRAN：瞬态分析.TRAN var1 START=start1 STOP=stop1 STEP=incr1例：.TRAN 1NS 100NS 注：以1ns的步长输出到100ns.AC：交流分析.AC type np fstart fstop <SWEEP var start stop incr>or.AC type np fstart fstop <SWEEP var type np start stop>or.AC var1 START = start1 STOP = stop1 STEP = incr1例：.AC DEC 10 1K 100MEG•注：一共有4种DEC –十进制的(decade variation) OCT –八进制的(octave variation)LIN –线形的(linear variation) POI –列举的(list of points).NOISE：噪声分析用来计算各个器件的噪声对输出节点的影响并给出其均方根并输出，可完成.AC语句规定的各频率的计算，应在.AC分析之后。

.NOISE ovv srcnam interOvv－输出变量，srcnam－输入源，inter－频率间隔三、控制语句.INCLUDE语句.INCUDE语句：引用一个文件，被引用的文件置于引用文件前。

例：LNA.include “me98xxxx/“.LIB 语句：.lib ‘<filepath>filename’ entryname该语句根据文件路径和文件名来调用一个库文件，一般该文件包含器件模型。

例：.lib ‘MODELS’ cmos1MODELS文件：.MODEL CMOS1 nmos ···我们仿真中加库的语句应该是.LIB 'D:\TEST\PROCESS\ BCD ' TT.PARAM 语句.PARAM语句：定义一个变量。

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Pspice简明教程

Pspice简明教程

Pspice 教程Pspice 教程课程内容：补充说明（1 网表输出）（2 如何下载和使用新元件模型）1.直流分析2.交流分析3.参数分析4.瞬态分析5.蒙特卡洛分析6.温度分析7.噪声分析8.傅利叶分析9.静态直流工作点分析附录A: 关于Simulation Setting 的简介附录B：关于测量函数的简介附录C：关于信号源的简介使用软件的说明：CADENCE仿真可以在Capture或者HDL界面下，1Capture 的优点是界面简洁，容易学习，使用广泛。

HDL 的界面比较复杂，而且各种规则约束较多，2 他们在使用的原理图库不同，Capture的原理图以*.olb的形式存放在TOOL-capture -library中,而HDL的原理图、封装形式、以及物理信息都集成在share-library下的各自元件中；3两者的仿真模型库相同，都在TOOL-pspice中。

所以从仿真效果来看，两者没有区别。

4 HDL的好处是当完成原理图仿真后，可以直接输出网表，到APD版图中，供自动布局用。

一．直流分析直流分析：PSpice 可对大信号非线性电子电路进行直流分析。

它是针对电路中各直流偏压值因某一参数（电源、元件参数等等）改变所作的分析，直流分析也是交流分析时确定小信号线性模型参数和瞬态分析确定初始值所需的分析。

模拟计算后，可以利用Probe 功能绘出Vo-Vi 曲线，或任意输出变量相对任一元件参数的传输特性曲线。

首先我们开启DesignCapture / Capture CIS. 打开如下图所示的界面( Fig.1) 。

( Fig 1) 我们来建立一个新的工程 ( Fig.2)( Fig.2)我们来选取一个新建的工程文件! 我们可以看到以下的提示窗口。

(Fig.3)(Fig.3) 我们可以给这个工程取个名字，因为我们要做Pspice 仿真，所以我们要勾选第一个选项，在标签栏中选中!其它的选项是什么意思呢？Analog or Mixed A/D 数模混合仿真PC Board Wizard 系统级原理图设计Programmable Logic Wizard CPLD 或FPGA 设计Schematic 原理图设计接下来我们看到了Pspice 工程窗口，即我们的原理图窗口属性的选择。

spice循环函数

spice循环函数

spice循环函数
SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）常用的循环函数有以下几种：
1. Sinusoidal循环函数：SIN(Voffset + Vamplitude * SIN(2 * PI * Frequency * Time + PhaseAngle))
其中,Voffset为偏移量,Vamplitude为幅值,Frequency为频率,Time为时间,PhaseAngle为初始相位角。

2. 方波循环函数：PULSE(PulseValue, NonPulseValue, DelayTime, RiseTime, FallTime, PulseWidth, Period)
其中,PulseValue为方波高电平幅度,NonPulseValue为方波低电平幅度,DelayTime为方波延迟时间,RiseTime为上升时间,FallTime为下降时间,PulseWidth为方波宽度,Period为方波周期。

3. 方波启动循环函数：TRIANGLE(V1, V2, T1, T2, DelayTime)
其中,V1为启动电平幅度,V2为停止电平幅度,T1为启动时间,T2为停止时间,DelayTime为延迟时间。

4. 拉普拉斯循环函数：EXP(-|Time - DelayTime| / Tau)
其中,DelayTime为延迟时间,Tau为时间常数。

以上就是SPICE常用的几种循环函数。

SPICE语法基础

SPICE语法基础


．ｌｉｂ ＇ｍｉｘ０２５＿１．ｌ＇ｔｔ
．ｌｉｂ ‘ｍｉｘ０２５＿１．ｌ’ｓｓ ．ｌｉｂ ‘ｍｉｘ０２５＿１．ｌ’ｆｆ
一般使用ｔｔ，也就是ＰＭＯＳ，ＮＭＯＳ管都是ｔｙｐｉｃａｌ的参数。
集成电路专业 黑龙江大学 《数模混合集成电路设计》 卜 丹 20
ＭＯＳ管仿真：电源电压
随着ＭＯＳ尺寸按比例的缩小，其阈值电压按比例 下降，栅氧层的厚度变薄。这就需要电源电压也随之 按比例下降。电源下降可以大幅度降低动态功耗，因 为功耗与电源电压成二次反比。 对于同一种特征尺寸的工艺，一般提供两种电源 电压的ＭＯＳ管，以供不同的需要。 对于０．３５ｕｍ的工艺，典型电源电压为：５．０Ｖ， ３．３Ｖ 对于０．２５ｕｍ的工艺，典型电源电压为：３．３Ｖ， ２．５Ｖ 对于０．１８ｕｍ的工艺，典型电源电压为：２．５Ｖ， １．８Ｖ
卜
丹
4
节点命名规则：
按照电路图将节点对应到元件的端口。节点名称可以 是英文字母或数字。节点０代表接地（ｇｎｄ）
元件命名规则：
Ｒ Ｃ Ｌ Ｍ Ｄ Ｑ Ｖ Ｉ 电阻 电容 电感 ＭＯＳ管 二极管 三极管 电压源 电流源 Ｒｅｓｉｓｔｏｒ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ ＭＯＳＦＥＴ Ｄｉｏｄｅ ＢＪＴ Ｖｏｌｔａｇｅ ｓｏｕｒｃｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｏｕｒｃｅ
Demo3
1.1 v(2)
1.0
0.9
0.8
0.7
Volt间分段线性变化
0.4
0.3
0.2
0.1
-0.0
-0.1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Time (us)
集成电路专业
黑龙江大学
《数模混合集成电路设计》
卜
丹
8
元件定义语句
spice语法

spice语法

spice语法
_Spice 是一种用于对电路进行仿真的软件工具。

它由一系列的参数和模型构成，包含一个完整的数学库，用于描述和计算任何电路中发现的任何元件以及电路的作用。

Spice 能够完成复杂的仿真分析，有利于缩短设计流程和改善设计。

它通过模拟数学模型，有效地模拟电路的行为，分析信号和电压的变化情况。

由于使用的参数和模型可以调整，所以可以用Spice模拟任何一个有效的电路。

一般情况下，使用 Spice 进行仿真的电路必须使用 Spice 语言来进行编程，这使得电路设计更加容易。

Spice 中使用的语言结构相对简单，分成三个部分：声明，控制仿真和数据处理。

声明部分在仿真之前，根据设计的电路模型，用户定义电路元件和参数，定义电路模型的类型，规定信号的接口，以及传输函数的参数；控制部分由用户来定义实验信号，规定仿真所使用的时间步长，以及使用仿真参数，如噪声、失败概率、变换等；当仿真完成后，数据处理便可根据用户规定的报告要求，计算当量元和成品，输出相应的结果报表，这样用户就可以从结果中提取重要信息，做出相应的分析论断。

总结来看，Spice 语法由三个部分构成，这三部分有助于用户更好地定义电路元件及参数，控制仿真，计算出电路的仿真表现，了解电路器件的行为，可以在短时间内提升设计效率，延缓焊盘及真实元件的测试时间，促进设计的提速。