负型光刻胶去膜剂

紫外负型光刻胶及配套试剂试剂所通过承担国家重点科技攻关任务而研制开发出来的紫外光刻胶及配套试剂主要用于超大规模集成电路和分立器件微细加工过程。

成果及产品的水平在国内居领先地位，其中的紫外负型光刻胶获得了国家科委颁发的国家级新产品证书。

现已形成年产紫外负型光刻胶20吨、紫外正型光刻胶5吨、配套试剂100吨的规模，并正在进行更大规模的建设。

一．BN系列紫外负型光刻胶㈠BN-302系列紫外负型光刻胶BN302-60负型光刻胶主要用于中、小规模集成电路的光刻。

该光刻胶感光速度快，工艺宽容大，对二氧化硅、多晶硅和金属层具有较好的粘附性和抗湿法腐蚀能力。

⒈特性:⑴高分辨率；⑵高感光灵敏度；⑶优良的粘附性；⑷优良的抗腐蚀性。

⒉性质:该产品为浅黄色，稍有粘性的清亮液体，易溶于苯类溶剂，在酮类，醇类中能沉淀出絮状固体。

在光和热作用下，其中的交联剂分解，生成的游离基与环化胶中的不饱和键加成形成网状结构。

⒊用途:主要用于中、小规模集成电路制作及等离子腐蚀精密仪器加工制造，采用接触、接近式等曝光方式。

本产品于10～25℃避光干燥处通风密封储存，应避免与酸或高温接触，否则会导致产品变质。

本产品有效期为一年。

㈡BN-303系列紫外负型光刻胶BN303系列紫外负型光刻胶主要用大规模集成电路及各类半导体器件芯片的光刻，该系列光刻胶分辨高、感光速度快、粘附性好、抗腐蚀性强。

对二氧化硅、多晶硅和金属层具有较好的粘附性和抗湿法腐蚀能力，在较高膜厚下使用仍具有高分辨率。

⒈特点:⑴高分辨率，高感光灵敏度;⑵优良的粘附性;⑶优良的抗腐蚀能力;⑷操作宽容度大;⑸针孔密度低。

⒉性质:该产品为浅黄色，稍有粘性的清亮液体，易溶于苯类溶剂，在酮类、醇类溶剂中能析出絮状固体。

在光和热作用下，其中交联剂分解成游离基，能与环化胶中的不饱和键加成形成网状结构，故产品应在常温避光储存。

该系列产品具有以下特点：⑴ BN303-30、BN303-45:低粘度，高固含，具有极好的分辨能力;⑵ BN303-60:具有较好的分辨能力和较高的热稳定性，在适宜的条件下可光刻出２μm线条与间距;⑶ BN303-60(H):该产品在膜厚较高时，有很好的分辨率和抗蚀性;⑷ BN303-100:具有良好的粘附性和抗蚀性，显影留膜率高，能形成较厚的涂层。

微纳练习题解答⼀、简答题1.套准精度,套准容差的定义。

⼤约关键尺⼨的多少是套准容差？套准精度是测量对准系统把版图套准到硅⽚上图形的能⼒。

套准容差描述要形成图形层和前层的最⼤相对位移,⼀般，套准容差⼤约是关键尺⼨的三分之⼀。

2.信息微系统的特点是什么？低成本，能耗低，体积⼩，重量轻，⾼可靠性和批量⽣产，可集成并实现复杂功能。

3.微加⼯技术是由什么技术发展⽽来的，⼜不完全同于这种技术。

独特的微加⼯技术包括哪些？（1）微电⼦加⼯技术；（2）表⾯微制造、体硅微制造和LIGA⼯艺。

4.微电⼦的发展规律为摩尔定律，其主要内容是什么?集成电路芯⽚的集成度每三年提⾼4倍，⽽加⼯特征尺⼨缩⼩√2倍5.单晶、多晶和⾮晶的特点各是什么？单晶：⼏乎所有的原⼦都占据着安排良好的规则的位置，即晶格位置；⾮晶：原⼦不具有长程有序，其中的化学键，键长和⽅向在⼀定的范围内变化；多晶：是彼此间随机取向的⼩单晶的聚集体，在⼯艺过程中，⼩单晶的晶胞⼤⼩和取向会时常发⽣变化，有时在电路⼯作期间也发⽣变化6.半导体是导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质；当受外界光和热作⽤时，半导体的导电能⼒明显变化；在纯净半导体中掺⼊某些杂质可以使半导体的导电能⼒发⽣数量级的变化。

7.在光滑的⾦属和空⽓界⾯，为什么不能激发表⾯等离⼦体波？对于光滑的⾦属表⾯，因为表⾯等离⼦体波的波⽮⼤于光波的波⽮，所以不能激发表⾯等离⼦体波。

8.磁控溅射镀膜⼯艺中，加磁场的主要⽬的是什么？将电⼦约束在靶材料表⾯附近，延长其在等离⼦体中运动的轨迹，提⾼与⽓体分⼦碰撞和电离的⼏率9.谐衍射光学元件的优点是什么？⾼衍射效率、优良的⾊散功能、减⼩微细加⼯的难度、独特的光学功能10.描述曝光波长与图像分辨率的关系，提⾼图像分辨率，有哪些⽅法？（1）NA = 2 r0/D, 数值孔径；K1是⼯艺因⼦：0.6～0.8（2）减⼩波长和K1，增加数值孔径11.什么是等离⼦体去胶，去胶机的⽬的是什么？氧⽓在强电场作⽤下电离产⽣的活性氧，使光刻胶氧化⽽成为可挥发的CO2、H2O 及其他⽓体⽽被带⾛；⽬的是去除光刻后残留的聚合物12.硅槽⼲法刻蚀过程中侧壁是如何被保护⽽不被横向刻蚀的？通过控制F/C的⽐例，形成聚合物，在侧壁上⽣成抗腐蚀膜13.折衍混合光学的特点是什么？折衍混杂的光学系统能突破传统光学系统的许多局限，在改善系统成像质量减⼩系统体积和质量等诸多⽅⾯表现出传统光学不可⽐拟的优势14.刻蚀⼯艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀⼯艺⼲法刻蚀：在⽓态等离⼦体中，通过发⽣物理或化学作⽤进⾏刻蚀湿法刻蚀：采⽤液体腐蚀剂，通过溶液和薄膜间得化学反应就能够将暴露得材料腐蚀掉15.微纳结构光学涉及三个理论领域，其中标量衍射理论适⽤于设计d>=10λ的微纳光学器件；⽮量衍射理论适⽤于设计d～λ的微纳光学器件；等效介质折射理论适⽤于设计d<=λ/10的微纳光学器件。

BN308紫外负性光刻胶◆用途BN308系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的阴图型光致抗蚀剂，主要用于分立器件及其它微型器件的制作。

◆产品特点涂布性能：在多种基片上均有良好的粘附性感光性能：对宽谱紫外线(高压汞灯)敏感抗蚀性能：抗湿法腐蚀性能优异◆产品规格粘度(30℃),mPa.s膜厚(μm)(转速:4000转/分)留膜率(％)单项金属杂质(ppm)水份,％BN308-150140~170 2.5-2.8≥80≤1≤0.03BN308-300280~350 4.0-4.6≥80≤1≤0.03BN308-450440~500 4.8-5.4≥80≤1≤0.03◆参考使用工艺涂胶：旋转涂布，温度20℃～25℃，湿度60%以下前烘：对流烘箱，90℃，20min曝光：高压汞灯曝光，曝光量25-95 mj/cm2显影：BN负胶显影剂，室温浸入显影2～4min漂洗：BN负胶漂洗剂，室温浸入漂洗1～2min坚膜：对流烘箱，130～140℃，30min湿法腐蚀：依用户工艺而定去胶：BN负胶去膜剂，90~110℃，10~20minBN303紫外负性光刻胶◆用途BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的阴图型光致抗蚀剂，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。

◆产品特点涂布性能：在多种基片上均有良好的粘附性 感光性能：对宽谱紫外线(高压汞灯)敏感分辨率：实用分辨率可达5μm抗蚀性能：抗湿法腐蚀性能良好◆产品规格粘度(30℃),mPa.s膜厚（μm）(转速:4000转/分)留膜率(％)单项金属杂质(ppm)水份，％BN303-3029.0±1.50.85～0.95≥60≤1≤0.02 BN303-4542.0±2.00.95~1.15≥60≤1≤0.02 BN303-6060.0±2.0 1.05～1.15≥65≤1≤0.02 BN303-60H60.0±2.0 1.3-1.5≥65≤1≤0.02 BN303-100100.0±10.0 2.0～2.3≥75≤1≤0.02 BN-303-100TS100.0±10.0 1.9~2.1≥75≤1≤0.02◆参考使用工艺涂胶：旋转涂布，温度20℃～25℃，湿度60%以下前烘：对流烘箱，80℃，20min曝光：高压汞灯曝光，曝光量15-35 mj/cm2显影：BN负胶显影剂，室温浸入显影1～2min漂洗：BN负胶漂洗剂,室温浸入漂洗1min坚膜：对流烘箱，130～140℃，30min湿法腐蚀：依用户工艺而定去胶：BN负胶去膜剂，90~110℃，10~20min。

光刻胶剥离剂分类
光刻胶剥离剂是在光刻工艺中不可或缺的一种材料。

它们能够有效地去除光刻胶，为后续工艺提供清洁的表面。

根据不同的化学成分和使用场景，光刻胶剥离剂可以分为以下几类：
1. 碱性胶剥离剂：主要成分为氢氧化钾或氢氧化钠等强碱性物质。

适用于去除酸性光刻胶和一些不含硅的有机薄膜。

2. 酸性胶剥离剂：主要成分为盐酸或硝酸等酸性物质。

适用于去除碱性光刻胶和一些含硅有机薄膜。

3. 溶剂型胶剥离剂：主要成分为有机溶剂，如丙酮、乙酸乙酯等。

适用于一些粘度较低的光刻胶或有机薄膜。

4. 酶类胶剥离剂：主要成分为酶类物质，如蛋白酶等。

适用于去除生物标记物等特殊材料。

以上是光刻胶剥离剂的主要分类方式，不同的剥离剂适用于不同的光刻胶和薄膜材料。

在使用时需要根据实际情况选择合适的胶剥离剂，以保证光刻工艺的顺利进行。

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