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模拟电路 第4章习题选讲

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模拟电路第四章习题解答

模拟电路第四章习题解答

用 SPICE 分析： （1） 求电路的静态工作点； （2） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 10 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
输出电压 vo1 和 vo2 的波形，并绘出 vo vo1 vo2 的波形； （3） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 100 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
vo
而同相输入端的电位为：
u
R2 R1 R2
v1
因为“虚短”，即 u u ，所以
R2 R1 R2
v2
R1 R1 R2
vo
R2 R1 R2
v1 ，整理可求得差分放大器的输入输出关系为
vo
R2 R1
(v1
v2 )
。
题目中，电路增益为-10，因此 R2 10 。 R1
设：IIB 为运放输入偏置电流，IB1，IB2 分别是运放两个输入端的输入偏置电 流，IOs 为输入失调电流。有
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
+ U1
R5 1KΩ
R2 10KΩ R3 1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
图 P4.8 解：U1 组成积分电路，U2 组成比例放大电路。
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
-
U1
+
R5 1KΩ
vo1
R2
10KΩ
R3
1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
+
M4 Vo1 vo1
-
VEE
这是一个带有密勒补偿的两级运算放大器。放大器采用 PMOS 管输入。 a、低频电压增益；

模拟电路第四章课后习题答案

模拟电路第四章课后习题答案

第四章 习题与思考题◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ,① 试估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η.解：①W W R U V P L cem CC om 563.182)16(2)(22≈⨯-=-= 如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 25.2826222=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 865.2862222≈⨯⨯=≈ππ %55.54865.2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈==V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。

◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中：① 三极管的最大功耗等于多少？② 流过三极管的最大集电极电流等于多少?③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=⨯=>② A A R V I L CC CM 75.086==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=⨯=>④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈uA ，而略小于1，故V V V U U CCcemi 24.42622≈=≈≈。

本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。

U CES ＝1V ，① 估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。

将本题的估算结果与习题4—1进行比较。

解：①W W R U V P L cem CC om 25.082)13(2)2(22=⨯-=-=如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 5625.0886822=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 716.0826222≈⨯=≈ππ %92.34716.025.0≈==V om P P η 如忽略U CES ,则%56.78716.05625.0≈==V om P P η 可见,在同样的VCC 和RL 之下，OCL 电路的Pom 比OTL 电路大得多（大约为4倍）。

模拟电子技术第4章习题答案

模拟电子技术第4章习题答案

4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。

（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。

3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。

4．图解分析法适用于 大 信号情况。

5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。

（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。

6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。

回答以下问题。

（1）这种失真是 B 失真。

（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。

（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。

R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。

（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。

（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。

扎维模拟CMOS集成电路设计第四章习题

扎维模拟CMOS集成电路设计第四章习题
(b) : Vout max VDD VSG 3 VTHP VSG 3 VTHP

I SS 1103 0.72V 4 0.383510 50 W p Cox L 3
Vout max 3 0.72 2.28V Vout , swing 2Vout max Vout min 22.28 0.673 3.214 V
Chapter 4 习题
4.11
Cox
0 ox
tox
8.851014 F / cm 3.9 7 2 3 . 835 10 F / cm 9 109 m
cm2 F 4 A nCox 350 3.835107 1 . 34225 10 V s cm2 V2 cm2 F 4 A pCox 100 3.835107 0 . 3835 10 V s cm2 V2
b. VDD 0.8V时，M 3截止，Vout 0, AV 0 VDD 0.8V时，M 3导通，M1工作在线性区，VDD ，Vout ， AV 当VDD 上升到一定值时，M1进入饱和区。
VinCM 1.2V时，满足M1工作在饱和区的最小电 源电压为 VDD min VinCM VTH 1 VGS 3 1.2 0.7 1.607 2.107V
2 I D1 VGS 1 Vod 1 VTH 1 0.7 W nCox L 1 2 0.25103 0.7 0.893 V 4 1.3422510 100
VinCM min VodSS VGS 1 0.273 0.893 1.166 V
a. VinCMmin VodSS VGS1 VinCMmax VDD VGS3 VTH1

模拟电路 第4章习题选讲

模拟电路 第4章习题选讲

IA
反。即电流IB IA为流入， IC为 流出。 故此BJT为NPN管。
IC
IB
Bb
根据电流分配关系可
Ce
知，A是集电极，B是 基极，C是发射极。
Ic
IB
2mA 0.04mA
50
4.2.2 电路如图所示，设BJT的β=80，VBE=0.6V， ICEO、VCES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、 C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，
并求出相应的集电极电流Ic。
12V
解:(1)S接通A时：
IB
(12 0.6)V 40K
0.3mA
I BS
I CS
Vcc / R c
0.038mA
500kΩ 40kΩ
B
A
S
C
20kΩ
4kΩ
T β=80
IB>IBS，∴BJT工作在饱和区
12V
Ic
Vcc Rc
12V 4K
3mA
S接通B时：
12V
(12 0.6)V IB 500K 0.023mA
五、电路静态工作点的稳定性问题 解法：分析电路的直流通路，看温度升高时电
路能否自动地适当减小基极电流IBQ即可。 若能自动减小IBQ，则静态工作点稳定。这也 就是后面要讲的所谓直流负反馈。
六、放大电路的频率响应
掌握通频带、上限截止频率、下限截止频率和由 典型表达式或波特图求通频带和上限截止频率、 下限截止频率。见图4.7.12和图4.7.14。
IBQ
Vcc VBEQ Rb
40A
ICQ IBQ 4mA
Rb
VCEQ VCC ICQ RC
12V 4mA 2k

模拟电子技术第4章负反馈放大电路

模拟电子技术第4章负反馈放大电路

rof
Ut It
It

I

t
Ut
AXid ro
1 AF ro Ut
即
rof
ro 1 AF
忽略反馈网络对It的分流
引入负反馈后的闭环输出电阻是无反馈的输出电阻的
1 1
AF
倍
35
2. 负反馈对输出电阻的影响 (P103)
(2) 电流负反馈使输出电阻增加
忽略反馈网络对Vo’的分压
6
4.1 反馈的概念
4.1.2 反馈类型及判断方法
2．正反馈与负反馈(P93) （1）定义 负反馈：使净输入信号量xid比没有引入反馈时减小了。 正反馈：使净输入信号量xid比没有引入反馈时增大了。 另一角度 正反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变大了。 负反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变小了。
常把区分反馈的正、负，称为区分反馈的极性。
7
2.负反馈与正反馈
负反馈——输入量不变时，引入反馈后使净输入量（直接加 到输入三极管B、E端或运放输入端）减小，放大倍数减小。
例：基本放大器，无反馈，净输入量Vbe=Vi，电压放大倍数为：
Au

β
R'L rbe
引入反馈后，净输入量
Vbe =Vi- Vf ， 电压放大倍数为：
电压串联负反馈
反馈信号 取自哪个 输出量
电压并联负反馈 电流串联负反馈 电流并联负反馈
反馈信号与输入 信号的连接方式
15
4.1.3 负反馈放大器的4种类型P95-98
电压串联
+
_ui
+
u_ id
A
+
uo
_
RL

模电第四章习题答案

模电第四章习题答案

模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。

第四章是模拟电子技术中的一个重要章节，主要讲解了放大器的基本原理和应用。

本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答，希望能对大家的学习有所帮助。

1. 题目：一个共射放大器的电流增益为50，负载电阻为2kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。

解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以，该共射放大器的电压增益为100。

2. 题目：一个共集放大器的电压增益为30，输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ，求其电流增益。

解答：共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以，该共集放大器的电流增益为3。

3. 题目：一个共基放大器的电流增益为50，输入电阻为1kΩ，输出电阻为10kΩ，求其电压增益。

解答：共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以，该共基放大器的电压增益为500。

4. 题目：一个共射放大器的输入电阻为1kΩ，输出电阻为2kΩ，求其电压增益和电流增益。

解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据，得到：电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以，该共射放大器的电压增益为2，电流增益为1。

模拟电路课后第四章答案

模拟电路课后第四章答案

模拟电路课后第四章答案第四章习题解答4-1 如题4-1图所⽰MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-= 4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所⽰。

设漏极电流i D的实际⽅向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际⽅向是流进还是流出？答：（a ）P-JFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。

（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。

（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。

（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。

4-3 已知N 沟道EMOSFET 的µn C ox =100µA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ；（b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ；（c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ；（d ）V GS =V DS=5V 。

解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C µµ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于⾮饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mAV V V VI V mA th GS GSLWC D D S D S x o n 7.3118.052101.02221222=-?-??=--=µ（b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 72.08.02101.02221221=-=-?=µ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于⾮饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-?-??=--=µ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212=-=-?=µ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，µn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。

(完整版)模拟电路部分习题答案

(完整版)模拟电路部分习题答案
解：
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。

电路与模拟电子学课后习题详解 第4章

电路与模拟电子学课后习题详解 第4章
华中农业大学 计算机系
编辑：徐进
2012.02
4.1
已知 uA 200cos 314tV , uB １ 00 2 cos(314t 120 )V 。求：
(1)写出它们的有效值、初相、频率和周期； (2) uA 和 uB 的相位差； (3)在同一坐标平面上画出 uA 与 uB 的波形图。 解 (1)依题意：
容易得到：
U1 40 30 V ，U2 V 2 2
所以由 U U1 U 2 ，得到
2 U U12 U 2 U1U 2 cos 90



U 50 V ， arctan 2 37 U1 2
故 u 的瞬时表达式为
u 50cos(t 37 )V
(复数计算)由题意：
iS u
R
C
电压的相量形式
U =5 20 V=5 2V
题图 4.11
故有
Z
所以解得：
U
5 (1 j) Is 2
R 5 ， C=0.1F
4.12 电路如题图 4.12 所示，已知电流表 A1 的读数为 3A ， A 2 的读数为 4A ，
求电流表 A 的读数。若此时电压表 V 的读数为 100V ，求电阻的复阻抗及负 导纳。 解 由题意，设
u
V
4
Z (6+j L)Ω
所以电压的读数为
U1 U 40 4 (6 j L)V Z 36 ( L) 2
V1
2
L

题图 4.10
故
40 36 ( L)2 4 2 36 ( L)
解得
L 8mH
相量图略。 4.11 题图 4.11 所示电路中，若 is 2 2 cos(2t 45 )A ， u 10cos 2tV ，试确

模拟电路习题配套答案

模拟电路习题配套答案

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。

( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEBbV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电路第四章课后习题答案

模拟电路第四章课后习题答案

第四章 习题与思考题◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ，① 试估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。

解：①W W R U V P L cem CC om 563.182)16(2)(22≈⨯-=-= 如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 25.2826222=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 865.2862222≈⨯⨯=≈ππ %55.54865.2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈==V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。

◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中：① 三极管的最大功耗等于多少？② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=⨯=>② A A R V I L CC CM 75.086==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=⨯=>④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈uA &，而略小于1，故V V V U U CCcemi 24.42622≈=≈≈。

本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。

◆◆ 习题 4-3 在图P4-3所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ，① 估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。

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R i vi ii rbe (1 )R e rbe R o R e || 1
-
(4)：(1)(2)两种情况都是从集电极输出，所 以其相位关系能用图b表示，即将Vs1加于 “－”端，Vs2加于“+”端。
Rc b c T e Re + VS2 （a） （b） b e + c
t
T升高时，一方面导致 解： 对图(a)， ICQ 增加，另一方面：
T R t R t || R b2 VBQ R t || R b2 VCC R t || R b2 R b1
θ Rb1 Rc
VCC
VBEQ ( VBQ V EQ ) I BQ I CQ
12V 500kΩ
B S
40kΩ
A
4kΩ
T β=80
C
20kΩ 12V
IC=βIB=80×0.023mA=1.84mA
<3mA S接通C时： BJT的发射结反偏，工作在截 止区，IC≈0
4.3.11 电路如图所示，已知BJT的β=100,VBEQ=-0.7V。(1) 估算电路的Q点；(2)画出简化的H参数小信号等效电路； (3)求电路的电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro；(4) 若Vo中的交流成分出现图题4.3.11b所示的失真现象，问 是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调整电路 中的哪个元件？如何调整？
(12 0.6)V IB 0.3mA 40K I CS Vcc / R c I BS 0.038mA
IB>IBS，∴BJT工作在饱和区
500kΩ 40kΩ B S C 20kΩ 12V A
4kΩ
T
β=80
Vcc 12V Ic 3mA R c 4K
S接通B时： (12 0.6)V IB 0.023mA 500K IB<IBS， ∴BJT工作在放大区。
图解法步骤：1、在输入特性曲线所在坐标中，画 VCC iB Rb vBE ,即iB f vBE 直流方程 ，得IBQ。 2、在输出特性曲线所在坐标中，画负载线方程
VCE VCC iC RC ，得负载线与iB＝IBQ输出特性
曲线的交点，即为Q点，三个要素即可得到。
四、放大电路的动态分析 解法：也有小信号等效电路分析法和图解法两种。 小信号等效电路分析法步骤：1、画出放大电路的 小信号等效电路；2、由工作点参数确定小信号等 效电路中的元件（rbe等）参数值；3、由小信号等 效电路求AV，Ri，RQ； 图解法步骤：
IA IC
IB
根据电流分配关系可 知，A是集电极，B是 Ic 基极，C是发射极。
Ce
Bb
IB
2mA 50 0.04mA
4.2.2 电路如图所示，设BJT的β=80，VBE=0.6V， ICEO、VCES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、 C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域， 并求出相应的集电极电流Ic。 12V 解:(1)S接通A时：
300kΩ
Cb1 RS VS
12V 4m A 2k 4V
T
RL
+
VO
-
+
-
(2)简化的H参数小信号等效电路图：
b + RS + Vi -
ib rbe
e
-12V
ic
c Rc RL
+ Vo -
Rb
300kΩ Cb
1
Rc
2kΩ
Cb
2
Rb
T RL
VS
βib
+ V
O
RS VS + -
解：（1）小信号等效电路 如图（b）所示 (2) 先求VBQ和IEQ
VBQ 10k (12V) 2.8V (10 33)k
-12V Rb1 33kΩ + Rb2 10kΩ Re1 200Ω Re2 1.3kΩ Rc 3.3kΩ T
+
VO RL 5.1kΩ -
I EQ
VEQ Re
Vs O t
-12V
Rb 300kΩ Cb1 RS t VS + -
Rc 2kΩ T RL Cb2 + VO -
Vo O
解： (1)估算Q点
I BQ
Vcc VBEQ Rb
40 A
-12V
Rb Rc 2kΩ Cb2
ICQ IBQ 4mA
VCEQ VCC I CQ RC
26mV rbe 200 (1 50) 0.97k 1.73mA
33k || 10k || [0.97k (1 50)1.3k]
R o R c 3.3k
ib
ic c βib e Re1 Rc RL + Vo Ro
+
（b）
RS VS + Vi -
T Rt Rb2
Re
即T升高引起Rt下降使得ICQ下降， 所以，该电路可以稳定Q点。
(a)
对图(b)
一方面如电阻不变：
T I CQ
VCC θ Rb1 Rc
另一方面： T R t R t || R b1
VBQ
R b2 VCC R t || R b1 R b2

(VBQ VBEQ ) Re
RS VS
+
-
(2.8 0.2)V 1.73mA (0.2 1.3)k
（a）
ib
ic c βib e Re1 Rc RL + Vo Ro
+
（b）
RS VS + Vi -
Rb1
Rb2
rbe
b
由工作点求rbe
Ri
R i R b1 || R b2 || [rbe (1 )R e1 ] 4.6k
(1)发射结正偏且集电结反偏，则工作在放大区； (2)发射结、集电结均正偏，则工作在饱和区； (3)发射结、集电结均反偏，则工作在截止区；
三、放大电路的静态分析 解法：有解析法和图解法两种。
解析法步骤：1、画出放大电路的直流通路；2、由 基极回路求IBQ或VBQ(对射极偏置电路）；3、求 ICQ和VCEQ，对射极偏置电路，则求 VEQ→IEQ→ICQ→IBQ和VCEQ；
Rb1
Rb2
rbe
b
Ri
(3)求Vo
v o v o vi A vs vs vi vs
(R c || R L ) Ri 7.9 rbe (1 )R e1 R s R i
vo Avs vs 7.9 15mV 118.5mV
4.5.5 电路如图所示，BJT的电流放大系数为β，输入电 阻为rbe，略去了偏置电路。试求下列三种情况下的电 压增益Av，输入电阻Ri和输出电阻Ro；(1)Vs2=0，从集 电极输出；(2)Vs1=0，从集电极输出；(3)Vs2=0，从发 射极输出；并指出(1)(2)两种情况的相位关系能否用图 b来表示？符号“+”表示同相输入端，而符号“-”表示 反向输入端。
掌握通频带、上限截止频率、下限截止频率和由 典型表达式或波特图求通频带和上限截止频率、 下限截止频率。见图4.7.12和图4.7.14。
解：IA=-2mA，IB=-0.04mA可 知IA 、IB的方向与实际方向相 反。即电流IB IA为流入， IC为 流出。 故此BJT为NPN管。
4.1.2 某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图 题4.1.2所示，用万用表直流电流档测得IA=-2mA， IB=-0.04mA，IC=+2.04mA，试分析A、B、C中哪个是 基极b、发射极e、集电极c，并说明此管是NPN还是 PNP管，它的 =？ A c
i
Re
e ib
βib
ic
c
v o i c R c i b R c
ie rbe+ NhomakorabeaRc
Vo
Ro
-
Rc Vo R Av Vi rbe (1 )R e
rbe Ri = Re + 1+
；
Ro Rc
(3) Vs2=0， 信号从基极输 入，从发射极 输出属共集电 极电路
由VBQ1=0V得 VEQ1=－0.7V
由VBB=6V得 VEQ2=(6－0.7)V=5.3Vvs 则 VCEQ1=VEQ2-VEQ1=[5.3-(-0.7)]V=6V
+ -
T2
T1 Io 10.2mA -15v Ce
vBB=6v
VCQ2=VCC-ICQ2RC2=(15-10.2×0.47)V≈10.2V VCEQ2=VCQ2-VEQ2=(10.2-5.3)V=4.9V
T Rt Rb2
VBEQ VBQ V EQ I BQ I CQ
Re
(b)
由此可知：T升高引起Rt下降使得ICQ增大，所以两 方面都使得ICQ增大，该电路不能稳定Q点。
4.4.4 在图中所示的放大电路中，设信号源内阻 Rs=600Ω，BJT的β=50。(1)画出该电路的小信号等效 电路；(2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)当 Vs=15mV时，求输出电压Vo。
-
(3)求Av、 Ri、 Ro BJT的输入电阻：
26(mV) 26mV rbe rbb' (1 ) 200 (1 100) 857 I EQ (mA) 4mA
Av
(R c || R L )
rbe
155.6
R i R b || rbe 857 R o R c 2k
Vs
该图中BJT为PNP管。BJT 管在负半周失真，是由于 静态工作点过低引起，即 IBQ过小，因此是截止失真。 为消除失真，则要增大 IBQ ，所以应减小Rb