晶振电容的选择

一、概述12.5pf负载电容是一个在晶振电路设计中常见的参数，它对晶振的性能以及整个电路的稳定性起着至关重要的作用。

借助适当的外接电容，我们可以有效地调节晶振的振荡频率，保证其在指定范围内稳定工作。

本文将重点探讨12.5pf负载电容晶振的外接电容设计，并对其原理和注意事项进行深入分析。

二、12.5pf负载电容的作用12.5pf负载电容在晶振电路中的作用主要有两个方面：1. 调节晶振的振荡频率：晶振在工作时需要和外部电路形成谐振，而12.5pf负载电容则可以影响晶振的谐振频率。

适当调节12.5pf负载电容的数值，可以使晶振的振荡频率在设计要求的范围内稳定工作。

2. 提高电路的稳定性：通过12.5pf负载电容的加入，可以有效抑制晶振的共振峰值，使得整个电路在外部环境变化等因素的影响下保持较好的稳定性。

三、12.5pf负载电容的外接原理为了充分发挥12.5pf负载电容的作用，我们需要合理选择外接电容的数值。

一般来说，外接电容的数值可以通过以下公式计算得到：Cp = (CL - Ci - Cstray) / 2其中，Cp为外接电容的数值，CL为晶振的额定负载电容，Ci为晶振自带电容，Cstray为电路布线与晶振之间的杂散电容。

通过以上公式，我们可以根据实际情况计算得到12.5pf负载电容晶振的外接电容数值，并进行合理的选取和设计。

四、12.5pf负载电容外接设计的注意事项在进行12.5pf负载电容的外接设计时，需要注意以下几个方面：1. 充分考虑布线电容：电路布线可能会带来一定的杂散电容，这些电容会对外接电容的选择产生影响。

在设计时需要充分考虑电路布线的影响，进行合理的校正和补偿。

2. 注意电容的精度和稳定性：外接电容的精度和稳定性对晶振电路的性能有着重要的影响。

选择高精度、稳定性好的外接电容可以提高电路的稳定性和可靠性。

3. 避免共振和串扰：在进行外接电容设计时，需要避免电路出现共振或者串扰等问题。

因此需要根据实际情况进行电路的布线和外接电容的合理安排，以减小电路的干扰和噪声。

25m晶振匹配电容摘要：1.晶振与电容的基本概念2.25MHz 晶振的特点3.匹配电容的作用4.25MHz 晶振匹配电容的选择与计算5.实际应用中25MHz 晶振与匹配电容的注意事项正文：在电子电路设计中，晶振与电容的搭配是非常重要的，它们共同组成了电路中的谐振回路。

本文将详细介绍25MHz 晶振匹配电容的相关知识，包括晶振与电容的基本概念、25MHz 晶振的特点、匹配电容的作用、25MHz 晶振匹配电容的选择与计算以及实际应用中25MHz 晶振与匹配电容的注意事项。

首先，我们需要了解晶振与电容的基本概念。

晶振是一种能够产生稳定频率振荡的电子元件，它将电能转化为机械能，再将机械能转化为电能。

而电容是一种能够储存电荷的电子元件，具有筛选信号、滤波等功能。

在电路中，晶振与电容共同组成谐振回路，晶振产生的振荡信号经过电容滤波后，输出稳定的振荡信号。

接下来，我们来了解25MHz 晶振的特点。

25MHz 晶振，即频率为25MHz 的晶体振荡器，具有较高的频率稳定性。

在通信、遥控、导航等领域有着广泛的应用。

由于25MHz 晶振的谐振特性，其与匹配电容的搭配至关重要。

那么，匹配电容的作用是什么呢？匹配电容主要是为了使晶振的输出信号能够更好地传输到下一个电路元件，它的选取要与晶振的特性相匹配，以达到最佳的传输效果。

匹配电容的选择与计算需要根据晶振的谐振频率、工作电压、负载电容等参数来确定。

在实际应用中，25MHz 晶振与匹配电容的搭配需要注意以下几点：1.选择合适的匹配电容值，使晶振的输出信号能够有效地传输到下一个电路元件。

2.确保匹配电容的稳定性，避免由于电容变化导致的频率漂移。

3.在布局和安装时，注意将晶振与电容尽可能靠近，以减小传输线效应和噪声影响。

总之，25MHz 晶振匹配电容的选择与计算以及实际应用中的注意事项对于保证电路性能至关重要。

有源晶振电容什么是有源晶体振荡器电容？有源晶体振荡器电容是指在有源晶体振荡器（Active Crystal Oscillator，ACO）中使用的一种特殊类型的电容器。

有源晶体振荡器是一种基于晶体振荡器的电路，可以产生高频稳定的振荡信号。

而在这种电路中，电容器扮演着非常重要的角色，它的选择和设计可以直接影响到有源晶体振荡器电路的性能和稳定性。

在有源晶体振荡器电路中，电容器通常被用来起到频率稳定的作用。

而且，电容器的选择也非常重要，因为它的参数和特性可以直接影响到整个振荡器电路的性能。

通常情况下，有源晶体振荡器电容使用的是高精度、低失真的电容器。

有源晶体振荡器电容的性能指标对于有源晶体振荡器电容来说，它的性能指标主要包括以下几个方面：1. 温度稳定性：有源晶体振荡器电容的温度稳定性是非常重要的，因为在工作过程中，温度的变化会对电路的频率稳定性产生非常大的影响。

2. 精度和失真度：有源晶体振荡器电容的精度和失真度也是非常关键的，因为这直接关系到振荡器电路的输出信号的稳定性和准确性。

3. 长期稳定性：在工作过程中，有源晶体振荡器电路的长期稳定性也是非常重要的，因为它可以直接决定振荡器电路的寿命和可靠性。

有源晶体振荡器电容的应用领域有源晶体振荡器电容主要用于高频振荡电路中，比如：无线通信系统、雷达系统、卫星通信系统、导航系统等。

它的高频稳定性和频率准确性使得有源晶体振荡器电路在这些领域中有非常广泛的应用。

而且，有源晶体振荡器电容也可以用于高精度的测试和测量设备中，比如：频谱分析仪、网络分析仪、数字示波器等。

它能够提供高频稳定的振荡信号和频率准确的输出，使得这些设备的性能和精度得到了极大的提升。

有源晶体振荡器电容的设计与选择设计与选择有源晶体振荡器电容需要考虑到几个关键因素，包括：1. 负载容量：有源晶体振荡器电容的选择需要考虑到电路的负载容量，这样才能保证电容器的工作性能和稳定性。

2. 频率范围：不同的有源晶体振荡器电路对电容器的频率范围有不同的要求，需要根据实际的应用情况选择合适的电容器。

有源晶振电容大小选取规则概述说明以及解释1. 引言1.1 概述本文旨在探讨有源晶振电容大小选取规则，并对其进行概述和说明。

有源晶振是一种常见的电子元器件，广泛应用于各种电路中。

而电容作为有源晶振中重要的组成部分，其大小的选取对有源晶振的性能至关重要。

1.2 文章结构本文分为四个主要部分：引言、正文、有源晶振电容大小选取规则和结论。

引言部分将介绍本文的目的和主要内容，正文部分将深入探讨相关理论知识。

而在有源晶振电容大小选取规则部分，我们将详细解释电容大小的作用，并列举一些常见的选取规则，同时考虑实际因素及应用场景。

最后，在结论部分，我们将总结全文并提出未来研究方向。

1.3 目的本文的目标是帮助读者更好地理解有源晶振电容大小选取规则，并提供一些实用指导。

通过阐述不同情况下选择合适大小的电容可以提升有源晶振性能，并减少可能出现的问题。

同时，我们也希望激发读者对有源晶振电容大小的更深入研究，并为未来相关领域的发展提供一些建议。

以上是文章“1. 引言”部分的详细内容，希望对您有所帮助！2. 正文在设计电路板时，选择合适的有源晶振电容大小至关重要。

有源晶振电容的大小直接影响到晶振的稳定性、频率精度和启动时间等方面。

本节将详细探讨有源晶振电容大小的选取规则。

在确定有源晶振电容大小之前，首先需要了解晶振所处的应用场景和系统要求。

不同的应用场景和系统对于有源晶振电容大小可能会有不同的要求。

一般来说，较大的电容可以提高晶振的稳定性，并降低由温度变化、供电波动和负载变化引起的频率误差。

然而，选择过大的电容也可能导致启动时间延长和功耗增加。

为了确定合适的有源晶振电容大小，可以考虑以下几个因素：首先是工作频率范围。

根据实际需求选择相应频率范围内的有源晶振，并参考其数据手册中给出的推荐电容范围。

其次是系统要求对频率精度及稳定性的要求。

如果系统对频率精度和稳定性要求较高，则可以选择较大的电容值。

此外，还需要考虑晶振的启动时间和功耗。

按晶振规格的Load Capacitance (CL)
选择C1 C2 以符合以下公式
CL = Cstray + (C1 C2)/(C1+C2)
Cstray: 实际电路上的杂散电容
今天要做晶振的second source，把晶振焊上去后发现普遍比较低，要求是25M +/-20ppm，就是说偏差不超过500Hz，但是测量三片，只有一片合格，其他两片均偏小几百赫兹。

查了数据手册得知实际频率和标称频率之间的关系：
Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2);
而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容，通常大家取值相等，它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.
具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，
我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。

原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,33pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联，则电容为15.95pF。

电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。

结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率，不过如果你测了几片晶振，频率有大有小，而且偏移较大，那么这个晶振就是不合格的。

晶振谐振电容晶振谐振电容是指在晶体振荡电路中用于谐振的电容元件。

晶振谐振电容在电子设备中起到重要的作用，它能够使晶体振荡器以稳定的频率工作，从而保证设备的正常运行。

晶振谐振电容的选择对于晶体振荡器的性能有着直接的影响。

首先，晶振谐振电容的数值应该与晶振器的谐振频率相匹配。

通常，晶振谐振电容的数值比晶振器的额定电容稍大一些，这样可以提高晶振器的稳定性。

其次，晶振谐振电容的精度也是非常重要的，精度越高，晶振器的频率稳定性越好。

因此，在选用晶振谐振电容时，需要考虑到晶振器的要求和实际应用环境。

晶振谐振电容的种类繁多，常见的有陶瓷电容、瓷介电容和有机电解电容等。

这些电容元件具有不同的特点和适用范围。

陶瓷电容是一种常用的晶振谐振电容，它具有体积小、价格低廉、耐高温等特点，在一些低频振荡电路中应用广泛。

瓷介电容是一种高频电容元件，具有低损耗、高稳定性等特点，适用于高频振荡电路。

有机电解电容则具有体积小、容量大、工作稳定等特点，适用于一些对容量要求较高的振荡电路。

在实际应用中，选择适合的晶振谐振电容不仅要考虑电容元件本身的性能，还需要考虑晶振器的工作环境。

例如，如果晶振器需要在高温环境下工作，就需要选择耐高温的电容元件。

另外，晶振谐振电容的引线长度和布局也会对振荡器的性能产生影响，因此需要合理设计电路布局。

晶振谐振电容是晶体振荡电路中不可或缺的元件之一，它能够保证晶振器稳定工作，从而保证设备的正常运行。

在选择晶振谐振电容时，需要考虑晶振器的要求和实际应用环境，选择合适的电容元件。

通过合理布局电路和选用合适的电容元件，可以提高晶振器的性能和稳定性，从而提高整个电子设备的可靠性和性能。

tc397 晶振内部电容配置
TC397晶振是一种高精度、高稳定性的晶振，被广泛应用于数字电路、计算机、通信设备等领域。

在TC397晶振内部，存在着一定量的电容，这些电容对于晶振的稳定性和精确性有着至关重要的作用。

晶振内部电容配置主要包括两部分，一部分是晶片内部的电容，另一部分是晶片与外部电路之间的电容。

晶片内部的电容主要由晶片的晶体结构决定，而晶片与外部电路之间的电容则可以通过外部电路的设计和布局来进行控制。

晶片内部的电容主要包括晶片内部的载流子电容和晶片的结电容。

其中，载流子电容是指晶片中自由载流子和掺杂离子之间的电容，是晶体振荡器的主要电容之一。

而结电容是指PN结两侧的电容，也是晶体振荡器中的一个重要电容。

晶片与外部电路之间的电容则主要包括引脚电容和PCB布局电容。

引脚电容是指晶振引脚与外部电路之间的电容，可以通过引脚的设计和排列来进行控制。

而PCB布局电容则是指晶振引脚与周围PCB 布局之间的电容，可以通过PCB的设计和布局来进行控制。

在晶振的设计和选型过程中，晶振内部电容配置的选择需要考虑多方面因素。

首先需要考虑晶振的应用场景和要求，选择合适的晶振型号和内部电容配置。

其次需要考虑晶振引脚的设计和排列，以及PCB的布局和设计，从而控制晶片与外部电路之间的电容。

还需要
考虑晶片的工艺和制造工艺，以确保晶振的稳定性和精确性。

晶振内部电容配置在晶振的稳定性和精确性方面起着至关重要的作用。

在晶振的设计和选型过程中，需要充分考虑晶振内部电容配置的影响因素，从而选择合适的晶振型号和内部电容配置，并进行合理的引脚设计和PCB布局。

晶振匹配电容晶振是一种非常常见的电子元件，它在电路中起到产生稳定的时钟信号的作用。

而匹配电容则是在晶振电路中常用的元件之一，它的作用是调整晶振的频率，使其能够工作在预期的频率范围内。

本文将从晶振的工作原理、匹配电容的选择和调试等方面进行介绍，帮助读者更好地理解和应用晶振和匹配电容。

一、晶振的工作原理晶振是一种利用晶体的谐振特性产生稳定时钟信号的元件。

晶体的晶格结构具有谐振频率，当施加外加电场时，晶体会发生压电效应，从而使晶体发生机械振动。

而晶体的机械振动又会产生电场效应，使晶体产生电压信号。

当外加电场的频率等于晶体的谐振频率时，晶体会产生最大的电压信号，这就是晶振的工作原理。

二、匹配电容的选择匹配电容是用来调整晶振的频率的元件，它的值决定了晶振的谐振频率。

匹配电容的选择需要根据晶振的规格参数来确定。

通常晶振的规格参数中会标明所需的匹配电容范围。

在选择匹配电容时，应该优先选择与晶振规格参数相匹配的电容值，以确保晶振能够正常工作。

三、匹配电容的调试当晶振电路中的匹配电容选择好之后，还需要进行调试。

调试过程中，可以通过改变匹配电容的值来调整晶振的频率，以满足实际应用的需要。

调试时可以采用示波器等测量工具来观察晶振的输出信号，并根据实际需求来调整匹配电容的值。

调试时应该逐步调整，每次调整后都观察输出信号的变化，直到满足要求为止。

四、晶振和匹配电容的应用晶振广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、手机、电视等。

在这些设备中，晶振起到产生稳定的时钟信号的作用，确保设备能够正常工作。

匹配电容则是晶振电路中的重要组成部分，它的选择和调试对于晶振的性能和稳定性至关重要。

总结：晶振是一种产生稳定时钟信号的元件，而匹配电容则是晶振电路中常用的元件之一，它的作用是调整晶振的频率。

本文从晶振的工作原理、匹配电容的选择和调试等方面进行了介绍。

希望通过本文的阐述，读者能够更好地理解和应用晶振和匹配电容，为电子设备的设计和维修提供帮助。

无源晶振的负载电容
无源晶振是无源元件之一，常用于电子产品的时基电路中，如时钟电路、计数器等。

它由晶体振荡器和放大器组成，能够产生稳定的振荡信号。

在使用无源晶振时，需要给它加上适当的负载电容，以使晶振能够发挥出最佳的性能。

负载电容的大小直接影响晶振的频率稳定性和起振能力。

一般来说，无源晶振的负载电容应该根据晶振的频率来选择。

若负载电容过大，则会降低晶振的起振能力，使其难以启动；而负载电容过小，则会使晶振的频率稳定性变差。

在选择负载电容时，还需考虑晶振的负载电容范围。

一般来说，晶振的负载电容范围是在它的额定负载电容值的基础上，加上或减去一定的容差范围。

若负载电容超出了这个范围，则会影响晶振的性能。

总之，选择适当的负载电容对于无源晶振的正常工作至关重要，需要根据晶振的频率和负载电容范围来进行选择。

- 1 -。

晶体负载电容的选取主要考虑以下几个因素：
1.晶体的规格：晶体的规格中有一个负载电容的参数Cl，它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容
（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率。

负载电容变大，晶体震荡的频率变小；负载电容变小，晶体震荡频率变大。

2.晶体的负载电容与晶振外部两端连接的电容参数的匹配：如果匹配不正确，很容易造成频率偏差，
精度误差等，从而导致晶振无法达到最终的精准要求。

3.晶体负载电容的公式：其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容，CD表示晶体振荡电路输出管脚
到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片输出管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2，CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片输入管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1。

4.经验值：无源晶体的负载电容是一项非常重要的参数。

无源晶体属于被动元器件，所谓的被动元
器件即是自身不能工作。

在实际应用中，需要根据经验值和测试实际测量输出频率的偏差进一步调整负载电容的大小。

综上，在选取晶体负载电容时，需要考虑晶体的规格、晶振外部两端连接的电容参数的匹配、晶体负载电容的公式以及经验值等因素。

晶振接电容
晶振接电容是一种电路元件，它可以保护晶振的稳定性。

它的主要作用是通过提供一定的补偿，改善晶振频率的精确度和稳定性，来满足晶体振荡器的工作要求，从而确保电路正常工作。

晶振接电容主要有三种用途：一是作为抗压元件减少变化时的电压；二是修整晶振频率；三是隔离晶振电磁干扰。

晶振接电容一般使用低介电常数、低损耗介质制成，以提高精度和提高晶振性能，减少电路中的噪音。

晶振接电容如何选择？一般根据晶振频率和电容的大小来选择晶振接电容。

晶振频率越低，晶振接电容的尺寸越大，晶振接电容的电容值越大；晶振频率越高，晶振接电容的尺寸越小，晶振接电容的电容值越小。

此外，当晶振频率在50kHz~~400kHz范围内时，晶振接电容的电容值一般在0.001μF~330pF之间；当晶振频率在1MHz ~ 30MHz 范围内时，晶振接电容的电容值一般在10pF~2.2pF之间。

晶振接电容的极性需要特别注意。

一般情况下，晶振接电容的负极连接在晶振阴极，晶振接电容的正极连接在晶振阳极，避免将晶振接电容接反。

另外，晶振接电容有一定的额定电压，在使用过程中不能超过晶振接电容的额定电压，否则会使晶振接电容过载及损坏。

晶振接电容不仅可以保护晶振的稳定性，而且可以改善晶振频率的精确度和稳定性，从而满足电路工作要求。

因此，晶振接电容在电子设备中得到了广泛应用。

有源晶振的负载电容
有源晶振的负载电容是指在使用有源晶振时，需要连接一个电容器来作为负载。

这个电容器的作用是为有源晶振提供一个稳定的负载，以确保晶振的稳定性和精度。

一、有源晶振的基本原理
有源晶振是一种基于晶体管的振荡器，它利用晶体管的放大特性和反馈电路来产生稳定的振荡信号。

有源晶振的输出信号是一个正弦波，其频率由晶振的谐振频率决定。

二、有源晶振的负载电容的作用
有源晶振的负载电容是为了提供一个稳定的负载，以确保晶振的稳定性和精度。

晶振的谐振频率与晶振的物理结构有关，而晶振的物理结构又与晶振的封装形式有关。

因此，不同封装形式的晶振需要不同的负载电容。

三、如何选择有源晶振的负载电容
选择有源晶振的负载电容需要考虑多个因素，包括晶振的封装形式、晶振的频率、负载电容的容值等。

通常，晶振的封装形式和频率可以在晶振的规格书中找到，
而负载电容的容值则可以通过试验或计算得出。

在选择负载电容时，需要注意以下几点：
1. 负载电容的容值应该与晶振的规格书中推荐的负载电容相匹配。

2. 如果没有规格书中的推荐值，可以根据晶振的频率和封装形式选择一个合适的负载电容。

3. 负载电容的容值应该尽可能接近推荐值，但不应该超过推荐值的两倍。

4. 如果负载电容的容值过小或过大，会导致晶振的频率偏移和振荡不稳定。

四、总结
有源晶振的负载电容是为了提供一个稳定的负载，以确保晶振的稳定性和精度。

选择负载电容需要考虑晶振的封装形式、频率和负载电容的容值等因素。

负载电容的容值应该尽可能接近推荐值，但不应该超过推荐值的两倍。

32.768khz无源晶振的匹配电容
无源晶振通常需要匹配电容来调整其频率，以确保它在指定频率（例如32.768 kHz）下正常工作。

匹配电容的选择取决于晶振的参数，包括晶振的额定频率、等效串联电阻（ESR）、等效串联电感（ESL）等。

在设计32.768 kHz的无源晶振电路时，一般需要考虑以下几个步骤：
1.查阅晶振的规格书：从晶振的规格书中获取关键参数，特别是
额定频率、ESR等。

2.计算匹配电容：使用晶振厂家提供的公式或图表，计算匹配电
容的理论值。

这通常涉及将晶振的ESR与匹配电容相联合，以
形成LC谐振电路。

3.考虑电路布局：电路的布局对于晶振的匹配也很重要。

确保布
局合理，尽量减小电路中可能引入的干扰和损耗。

4.实际调试：在实际电路中，可能需要通过试验和调试来优化匹
配电容的值。

使用频谱分析仪或示波器等工具来监测晶振的输
出，并调整匹配电容以使其达到设计频率。

请注意，无源晶振的调谐和匹配可能因制造差异、环境温度等因素而有所变化。

因此，最终的匹配电容值可能需要通过实际测试和调试来确定。

最好的方法是参考晶振厂家提供的设计指南和规格书，并在实际电路中进行仔细的调试。

25m晶振匹配电容摘要：一、引言二、25m 晶振简介1.什么是25m 晶振2.25m 晶振的应用领域三、25m 晶振匹配电容的作用1.电容的定义与性质2.匹配电容对25m 晶振的影响3.匹配电容的选择与计算四、25m 晶振匹配电容的类型及选择1.陶瓷电容2.钽电容3.薄膜电容4.选择匹配电容的注意事项五、25m 晶振匹配电容的故障及排查1.故障现象2.故障原因3.故障排查方法六、结论正文：【引言】25m 晶振是一种高精度、高稳定的晶体振荡器，广泛应用于通信、计算机、仪器仪表等领域。

为了确保25m 晶振的性能，匹配电容的选择与使用尤为重要。

本文将详细介绍25m 晶振匹配电容的相关知识。

【25m 晶振简介】25m 晶振，即25 兆赫兹晶体振荡器，其频率稳定度非常高，具有出色的抗干扰性能。

广泛应用于通信系统、全球定位系统(GPS)、卫星通信等领域。

【25m 晶振匹配电容的作用】在25m 晶振电路中，匹配电容起到关键作用。

电容对25m 晶振的性能影响很大，合适的匹配电容可以提高电路的稳定性和性能。

首先，电容的定义是储存电荷的能力，它的单位是法拉(F)。

电容的性质包括容量、耐压、温度系数等。

在25m 晶振电路中，匹配电容主要起到调整电路的截止频率和提高电路的稳定性作用。

【25m 晶振匹配电容的类型及选择】常见的25m 晶振匹配电容类型有陶瓷电容、钽电容和薄膜电容。

陶瓷电容具有体积小、容量精度高、稳定性好等特点，广泛应用于25m 晶振电路。

钽电容具有较高的耐压和稳定性，但体积较大，适用于对空间要求不高的场合。

薄膜电容体积小、耐压高，但容量精度相对较低。

选择匹配电容时，应根据实际应用场景和电路要求，综合考虑电容的容量、耐压、温度系数等因素。

【25m 晶振匹配电容的故障及排查】在实际应用中，25m 晶振匹配电容可能会出现故障，导致电路性能下降。

常见的故障现象包括电路工作不稳定、输出信号失真等。

针对这些故障，首先要分析故障原因，如电容损坏、电路设计不合理等。

晶振电路中为什么用22pf或30pf的电容
 单片机的学长告诉我单片机的晶振电路中就是用22pf或30pf的电容就行，听人劝吃饱饭吧，照着焊电路一切ok，从没想过为什幺，知其所以然而不知
其为什幺所以然，真是悲哀，最近状态好像一直不太好，也难以说清楚为什幺，前几天跟着老师去别的实验室听课，其实也就是听一听老师和师傅给别
的实验室的同学讲嵌入式的种种，还有就是那天师傅单独和谈了挺长时间，
我从心底感谢他们，他们让我懂得反思，调整，我对自己持有怎幺的学习态
度和应该如何付诸于行动有了新的理解，这远比单纯的交给我一些知识要好
很多。

 说起这个小知识点本人还有这幺个经历呢也顺便和大家一块儿分享一下吧。

话说我曾经帮一女生做东西，其实超级简单就是个ATMEGAL16单片机的温
度采集系统，我焊工虽然一般但给女生帮忙幺，还是比较用心的应该没问题的，事实却不尽人意焊出来的最小系统竟然不好使，我用万能表把电路查了
几遍也没找出错误，然后就怀疑是不是单片机就锁死了，换了几块单片机也
不好使，自己还一直认为我在同一届的同学中算还学得可以的，真是有点可笑，最后发现，在我原件短缺的情况下我糊里糊涂把两个0.1uf的电容焊在了。

1、无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。

在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间.一般常用的电容有12PF、15PF,22PF,33PF等，大致都是一个二十皮法量级。

2、石英晶体不可以在RC正弦波振荡电路中使用。

由于石英晶振处于串联谐振点时，晶体阻抗接近于零，调解电容器C，使LC并联电路的谐振频率接近石英晶体的固有谐振频率，电路才能产生稳定的振荡。

所以石英晶体不能在RC正弦波振荡电路中使用
3、无源晶振电路经常出现的问题有以下几种
a、不起振。

晶振的欠激励现象，原因在于激励功率不够或起振时间太长。

这种现象通常表现为上电复位后晶振不工作或是低功耗模式下晶振不工作，但是敲击一下晶振又会正常起振。

解决方法是选择能耗小的晶体，同时在数据手册允许范围内减少外接电容值，缩短起振时间，电容取值不要相同。

b、频率偏大，此为过激励现象，用示波器可以观察到输出波形的波峰和波谷被削平。

此时晶振被过分驱动，应在芯片相关脚上串接电阻调整至输出波形清晰完整。

d单片机晶振电容选择
选择单片机晶振电容的关键是根据晶振的频率和负载电容的条件来确定。

以下是一些常见的选择方法：
1. 查阅单片机的数据手册：每种单片机都有一个推荐的晶振电容范围，可以在数据手册中找到。

根据手册中的推荐值选择合适的电容。

2. 考虑晶振的频率：晶振的频率越高，所需的电容值也会相应增加。

一般来说，晶振频率在1MHz以下时，电容值在10-22pF范围内；在1MHz以上时，电容值可以在22-33pF范围内。

3. 考虑负载电容：负载电容是指晶振两端并联的电容，用于提供稳定的工作环境。

一般来说，负载电容的值应该与晶振电容的值相等或略大一些。

选择单片机晶振电容时，要根据单片机的要求和晶振的频率进行选择，同时考虑负载电容的条件，选择合适的电容值。

晶振电容的选取和计算
在电子电路中，晶振和电容是常用的元件。

晶振用于产生稳定的时钟信号，而电容则用于调整晶振的频率和稳定性。

选择合适的晶振电容对于电路的性能至关重要。

晶振电容的选取需要考虑以下几个因素：
1. 频率：晶振的频率决定了所需的电容值。

一般来说，电容值与晶振频率成反比。

较高频率的晶振需要较小的电容值，而较低频率的晶振则需要较大的电容值。

2. 容差：电容的容差会影响晶振的频率稳定性。

一般来说，选择容差较小的电容可以提高晶振的频率稳定性。

3. 温度系数：电容的温度系数也会影响晶振的频率稳定性。

选择温度系数较小的电容可以降低温度对晶振频率的影响。

4. 成本：不同容值和精度的电容价格不同，需要在满足性能要求的前提下考虑成本因素。

在实际应用中，可以使用以下公式计算晶振电容的值：
C = 1 / (2 * π * f * T)
其中，C 表示晶振电容的值，f 表示晶振的频率，T 表示电容的温度系数。

总之，选择合适的晶振电容需要考虑频率、容差、温度系数和成本等因素。

在实际应用中，可以根据具体情况进行计算和选择。