BZT52C3V6齐纳二极管

稳压二极管BZT52C参数1. 引言稳压二极管（Zener Diode）是一种特殊的PN结二极管，主要用于电源稳压和电压参考。

BZT52C是一种常见的稳压二极管型号，本文将对其参数进行详细介绍。

2. BZT52C概述BZT52C是一种表面贴装稳压二极管，采用玻璃封装。

它具有快速响应、可靠性高、功耗低等特点，广泛应用于电子设备中。

3. 参数说明3.1 额定功率额定功率是指在规定条件下，稳压二极管能够持续工作的最大功率。

对于BZT52C系列而言，其额定功率通常为0.5W。

3.2 额定电流额定电流是指在规定条件下，稳压二极管能够承受的最大电流。

对于BZT52C系列而言，其额定电流通常为200mA。

3.3 工作温度范围工作温度范围指的是稳压二极管能够正常工作的温度范围。

对于BZT52C系列而言，其工作温度范围通常为-65°C至+150°C。

3.4 稳定电压稳定电压是指稳压二极管在正向工作时，其两端的电压保持相对恒定的值。

对于BZT52C系列而言，其稳定电压通常为3.3V或5.1V。

3.5 动态电阻动态电阻是指稳压二极管在正向工作时，其两端电压变化一个单位时所引起的电流变化。

对于BZT52C系列而言，其动态电阻通常在5Ω以下。

4. BZT52C应用4.1 电源稳压由于BZT52C具有稳定的特性，可以用作电源稳压元件。

当输入电压波动时，BZT52C能够保持输出电压恒定，有效保护后续电路不受过高或过低的输入电压影响。

4.2 参考电压源由于BZT52C具有固定的稳定电压值，因此可以用作参考电压源。

通过合适的接线和外部元件配合使用，可以实现精确的参考电压输出。

4.3 限流保护BZT52C在正向工作时具有较低的电阻，可以起到限流保护的作用。

当电路中出现过流时，BZT52C会自动调整其两端的电压，从而限制电流的大小。

5. BZT52C选型建议5.1 根据稳定电压需求选择型号根据实际应用需求，选择合适的BZT52C型号。

齐纳二极管工作原理齐纳二极管（Zener Diode）是一种特殊的二极管，它能够在反向击穿电压下保持稳定的电压。

它是一种用于稳压和电压参考的电子元件。

一、齐纳二极管的结构齐纳二极管与普通二极管的结构非常相似，都由P型和N型半导体材料组成。

它们之间的区别在于齐纳二极管的P-N结区域被特殊掺杂，以实现稳定的击穿电压。

二、齐纳二极管的特性1. 反向击穿电压（Zener Voltage）：齐纳二极管的最重要特性是其反向击穿电压。

当反向电压达到或者超过齐纳二极管的击穿电压时，电流将迅速增加，但电压保持稳定。

这使得齐纳二极管可以用作稳压器或者电压参考。

2. 反向击穿电流（Zener Current）：反向击穿电流是指在齐纳二极管达到击穿电压时通过其的电流。

齐纳二极管的击穿电流通常较小，通常在几毫安到几十毫安之间。

3. 动态电阻（Dynamic Resistance）：齐纳二极管在反向击穿时，其电压与电流之间的关系可以近似为线性关系。

动态电阻是指在齐纳二极管的工作点附近，电压变化与电流变化之间的比值。

动态电阻的值越小，齐纳二极管的稳压性能越好。

三、齐纳二极管的应用1. 稳压器（Voltage Regulator）：由于齐纳二极管在击穿电压下可以保持稳定的电压，因此它常被用作稳压器。

稳压器可以将输入电压稳定在设定的值，使输出电压不受输入电压变化的影响。

2. 电压参考（Voltage Reference）：齐纳二极管的稳定击穿电压也使其成为电压参考的理想选择。

它可以提供一个稳定的参考电压，用于比较和测量其他电压。

3. 电压限制器（Voltage Limiter）：齐纳二极管还可以用作电压限制器，用于保护电路中的其他元件免受过高的电压伤害。

当输入电压超过齐纳二极管的击穿电压时，齐纳二极管将开始导通，将多余的电压绕过其他元件，保护它们不受损坏。

4. 波形整形（Waveform Clipping）：齐纳二极管还可以用于波形整形，即将输入信号的波形剪裁为所需的形状。

BZT52C2V4-F – BZT52C51-F410mW Two TerminalsSMD Zener Diodes410mW Two Terminals SMD Zener DiodesFeatures• Planar Die Construction • 410mW Power Dissipation • Zener Voltage 2.4v to 51v • RoHS ComplianceMechanical DataCase: SOD-123F, molded plasticEpoxy: Plastic package has UL flammability 94V-0 Terminals: Solderable per MIL-STD-202G,Method 208 Polarity: Color band denotes cathode Approx Weight:0.01 gramsMaximum Ratings (T Ambient =25ºC unless noted otherwise)SymbolDescriptionValueUnit ConditionsV F Forward Voltage Drop 0.9 V IF=10mAP tot Power Dissipation410mWTa=25 °C (Note 1)I FSM Peak Forward Surge Current,8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)2.0 A (Note 2) T J Operating Junction Temperature 150 °C T STGStorage Temperature Range-55 to 150°CNote: 1. Mounted on 5.0mm ²(0.13mm thick ) land areas2. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulsesper minute maximumSOD-123FElectrical Characteristics(T Ambient=25ºC unless noted otherwise)Norminal Zener Voltage@ I ZTTest CurrentV Z(V) Max. Zener ImpedanceMax. ReverseLeakage CurrentI R @ V RPart NO. MarkingCodeNom. Min. Max. I ZT(mA)Z ZT@I ZTZ ZK@I ZK I ZK(mA)I R(μA) V R(V)BZT52C2V4-F W1 2.4 2.28 2.56 5 85 600 1 - - BZT52C2V7-F W2 2.7 2.5 2.9 5 83 500 1 - - BZT52C3V0-F W3 3.0 2.8 3.2 5 95 500 1 - - BZT52C3V3-F W4 3.3 3.1 3.5 5 95 500 1 - - BZT52C3V6-F W5 3.6 3.4 3.8 5 95 500 1 - - BZT52C3V9-F W6 3.9 3.7 4.1 5 95 500 1 - - BZT52C4V3-F W7 4.3 4.0 4.6 5 95 500 1 - - BZT52C4V7-F W8 4.7 4.4 5.0 5 78 500 1 - - BZT52C5V1-F W9 5.1 4.8 5.4 5 60 480 1 0.1 0.8 BZT52C5V6-F WA 5.6 5.2 6.0 5 40 400 1 0.1 1 BZT52C6V2-F WB 6.2 5.8 6.6 5 10 200 1 0.1 2 BZT52C6V8-F WC 6.8 6.4 7.2 5 8 150 1 0.1 3 BZT52C7V5-F WD 7.5 7.0 7.9 5 7 50 1 0.1 5 BZT52C8V2-F WE 8.2 7.7 8.7 5 7 50 1 0.1 6 BZT52C9V1-F WF 9.1 8.5 9.6 5 10 50 1 0.1 7 BZT52C10-F WG 10 9.4 10.6 5 15 70 1 0.1 7.5 BZT52C11-F WH 11 10.4 11.6 5 20 70 1 0.1 8.5 BZT52C12-F WI 12 11.4 12.7 5 20 90 1 0.1 9 BZT52C13-F WK 13 12.4 14.1 5 25 110 1 0.1 10 BZT52C15-F WL 15 13.8 15.6 5 30 110 1 0.1 11 BZT52C16-F WM 16 15.3 17.1 5 40 170 1 0.1 12 BZT52C18-F WN 18 16.8 19.1 5 50 170 1 0.1 14 BZT52C20-F WO 20 18.8 21.2 5 50 220 1 0.1 15 BZT52C22-F WP 22 20.8 23.3 5 55 220 1 0.1 17 BZT52C24-F WR 24 22.8 25.6 5 80 220 1 0.1 18 BZT52C27-F WS 27 25.1 28.9 5 80 250 1 0.1 20 BZT52C30-F WT 30 28 32 5 80 250 1 0.1 22.5 BZT52C33-F WU 33 31 35 5 80 250 1 0.1 25 BZT52C36-F WW 36 34 38 5 90 250 1 0.1 27 BZT52C39-F WX 39 37 41 5 90 300 1 0.1 29 BZT52C43-F WY 43 40 46 5 100 700 1 0.1 32 BZT52C47-F WZ 47 44 50 5 100 750 1 0.1 35Fig.2- Typical Forward CharacteristicV F , Forward Voltage (V)Fig.1- Power DissipationTemperature (°C)Norminal Zener Voltage@ I ZTTest CurrentV Z (V)Max. Zener ImpedanceMax. ReverseLeakage CurrentI R @ V RPart NO.Marking CodeNom.Min.Max.I ZT (mA)Z ZT @ I ZT Z ZK @ I ZK I ZK (mA)I R (μA)V R (V)BZT52C51-F XA 51 48 54 5 100 750 10.138Typical Characteristics CurvesI F , F o r w a r d C u r r e n t (m A )Fig.3-Typical Zener ImpedanceVz, Normal Zener Voltage (V)Z Z T , D y n a m i c I m p e d a n c e , (Ω)P t o t , P o w e r D i s s i p a t i o n (m W )Dimensions in mmSOD-123FHow to contact us。

稳压二极管bzt52c参数一、稳压二极管BZT52C的基本概念稳压二极管BZT52C是一种半导体器件，具有稳定的电压输出特性。

它主要用于电压稳压、电源保护等电子电路中，以确保电路的正常工作。

BZT52C 是该稳压二极管的型号，代表着其具有特定的电压、电流等参数。

二、稳压二极管BZT52C的参数解析1.静态参数静态参数主要包括额定电压、额定电流、功率等。

这些参数决定了稳压二极管的电压稳定性能和电流承受能力。

例如，BZT52C的额定电压为5.0V，额定电流为100mA，功率为500mW。

2.动态参数动态参数包括开关速度、输出电压纹波等。

这些参数影响稳压二极管的响应速度和输出电压的稳定性。

BZT52C的开关速度较快，能够应对高频开关电源的需求；输出电压纹波较低，有助于提高电路的性能。

3.温度特性温度特性反映了稳压二极管在不同温度下的性能变化。

BZT52C的温度范围为-55℃至150℃，在正常工作范围内，温度对稳压性能的影响较小。

三、BZT52C稳压二极管的应用领域BZT52C稳压二极管广泛应用于各类电子产品，如电源适配器、充电器、通信设备、家电控制电路等。

它可以为电路提供稳定的电压，保护电路免受电压波动的影响，保证设备的正常运行。

四、如何选择合适的BZT52C稳压二极管1.了解需求在选择BZT52C稳压二极管时，首先要了解电路的需求，包括工作电压、工作电流、稳定性要求等。

2.比较参数根据电路需求，挑选具有合适静态参数、动态参数和温度特性的BZT52C 稳压二极管。

注意比较不同品牌、不同型号的参数差异，以确保性能满足要求。

3.考虑品质与价格在满足性能要求的基础上，考虑品质和价格。

选择知名品牌、信誉良好的供应商，以确保产品质量和售后服务。

同时，合理控制成本，选用性价比高的BZT52C稳压二极管。

五、使用BZT52C稳压二极管的注意事项1.焊接时，注意焊接温度和时间，避免损坏稳压二极管。

2.安装时，确保接触良好，避免松动导致性能下降。

稳压二极管bzt52c参数（最新版）目录1.稳压二极管的概念与作用2.稳压二极管的特性3.BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数4.稳压二极管的使用方法与注意事项5.稳压二极管在实际应用中的优势正文一、稳压二极管的概念与作用稳压二极管，又称齐纳二极管，是一种利用 PN 结反向击穿状态工作的半导体器件。

稳压二极管的主要作用是提供稳定的电压，以保证电路中其他元件正常工作。

在电路中，稳压二极管可以作为稳压器或电压基准元件使用。

二、稳压二极管的特性稳压二极管具有以下特性：1.击穿电压：稳压二极管有一个临界反向击穿电压，当电压超过这个值时，二极管将进入击穿状态。

2.陡特性：在击穿电压范围内，稳压二极管的电压基本保持不变，即使电流变化很大。

3.温度稳定性：稳压二极管的击穿电压和陡特性受温度影响较小。

三、BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数BZT52C5V1S 是一款常见的稳压二极管型号，其参数如下：1.击穿电压：5V2.额定电流：50mA3.动态电阻：100MΩ4.静态电阻：500MΩ5.漏电流：小于 1nA四、稳压二极管的使用方法与注意事项1.稳压二极管应在直流电路中使用，不能直接用于交流电路。

2.稳压二极管的击穿电压应根据电路需求选择，以保证其在工作状态下具有稳定的电压。

3.稳压二极管在电路中可串联使用，以获得更高的稳定电压。

4.稳压二极管在使用过程中，应注意其最大电流和额定功率，避免超过其承受范围。

五、稳压二极管在实际应用中的优势1.结构简单：稳压二极管结构简单，制作工艺成熟，使用方便。

2.稳定性高：稳压二极管具有较高的电压和电流稳定性，可提供可靠的电压参考。

3.耐压能力强：稳压二极管具有较强的耐压能力，可保护电路免受电压波动的影响。

稳压二极管BZT52C参数引言稳压二极管是一种常见的电子元件，用于稳定电压并限制电压波动。

BZT52C是一种常见的稳压二极管型号，本文将对其参数进行全面详细地介绍。

BZT52C概述BZT52C是一种低功耗表面贴装稳压二极管。

它采用了硅材料制造，具有快速响应和高稳定性的特点。

该二极管适用于各种电子设备，如电源、稳压器、逆变器等。

参数一：额定反向电压（Vr）BZT52C的额定反向电压是指二极管能够承受的最大反向电压。

对于BZT52C，其额定反向电压一般为5V。

当反向电压超过额定值时，二极管会发生击穿，可能导致损坏。

参数二：额定电流（If）BZT52C的额定电流是指二极管在正向导通时的最大电流。

对于BZT52C，其额定电流一般为200mA。

当正向电流超过额定值时，二极管可能会过热，导致损坏。

参数三：导通电压（Vf）BZT52C的导通电压是指二极管在正向导通时的电压降。

对于BZT52C，其导通电压一般为0.7V。

当正向电压超过导通电压时，二极管开始导通。

参数四：温度系数（TC）BZT52C的温度系数是指二极管在不同温度下反向电压的变化率。

对于BZT52C，其温度系数一般为-2mV/℃。

温度系数越小，二极管的稳定性越好。

参数五：封装类型BZT52C有多种封装类型可供选择，常见的封装类型有SOD-123、SOD-323、SOT-23等。

不同封装类型适用于不同的应用场景，用户可以根据自己的需求选择合适的封装类型。

参数六：工作温度范围BZT52C的工作温度范围是指二极管能够正常工作的温度范围。

对于BZT52C，其工作温度范围一般为-55℃至+150℃。

超出工作温度范围的温度可能导致二极管性能下降或损坏。

参数七：功耗BZT52C的功耗是指二极管在正常工作时消耗的功率。

功耗可以通过正向电流和导通电压计算得出。

对于BZT52C，其功耗一般较低，适用于低功耗应用。

参数八：响应时间BZT52C的响应时间是指二极管从关闭到完全导通所需的时间。

·Planar Die Construction·500mW Power Dissipation on Ceramic PCB ·General Purpose, Medium Current ·Ideally Suited for Automated Assembly Processes·Available in Lead Free VersionFeaturesMaximum Ratings@ T A = 25°C unless otherwise specifiedNotes:1. Device mounted on ceramic PCB; 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm2.2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.Mechanical DataBZT52C2V0 - BZT52C39SURFACE MOUNT ZENER DIODE·Case: SOD-123, Plastic·UL Flammability Classification Rating 94V-0·Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020A ·Terminals: Solderable per MIL-STD-202,Method 208·Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish). Please SeeOrdering Information, Note 5, on Page 2·Polarity: Cathode Band ·Marking: See Below·Weight: 0.01 grams (approx.)·Ordering Information: See Page 2Marking InformationXX = Product Type Marking Code (See Page 2)YM = Date Code Marking Y = Year (ex: N = 2002)M = Month (ex: 9 = September)Date Code KeySPICE MODELS: BZT52C2V0 BZT52C2V4 BZT52C2V7 BZT52C3V0 BZT52C3V3 BZT52C3V6 BZT52C3V9 BZT52C4V3 BZT52C4V7 BZT52C5V1 BZT52C5V6 BZT52C6V2 BZT52C6V8 BZT52C7V5 BZT52C8V2 BZT52C9V1 BZT52C10 BZT52C11 BZT52C12 BZT52C13 BZT52C15 BZT52C16BZT52C18 BZT52C20 BZT52C22 BZT52C24 BZT52C27 BZT52C30 BZT52C33 BZT52C36 BZT52C39Electrical Characteristics@ T A = 25°C unless otherwise specifiedNotes: 1. Device mounted on ceramic PCB; 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm2.2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.3. f = 1kHz.Ordering Information(Note 4 & 5)* Add “-7” to the appropriate type number in Table 1 above example: 6.2V Zener = BZT52C6V2-7.Notes: 4.For Packaging Details, go to our website at /datasheets/ap02007.pdf.5.For lead free terminal plating part number, please add "-F" suffix to part number above. Example: BZT52C2V0-7-F.00.10.20.30.40.5255075100125150P ,P O W E R D I S S I P A T I O N (W )D T ,AMBIENT TEMPERATURE (°C)A Fig.1Power Dissipation vs Ambient Temperature0.6102030405012345678910I ,Z E N E R C U R R E N T (m A )Z V ,ZENER VOLTAGE (V)Z Fig.2Zener Breakdown Characteristics0102030I ,Z E N E R C U R R E N T (m A )Z V ,ZENER VOLTAGE (V)Z Fig.3Zener Breakdown Characteristics10203040246810102030405060708090100I ,Z E N ER C U R R E N T (m A )Z V ,ZENER VOLTAGE (V)Z Fig.4Zener Breakdown CharacteristicsC ,T O T A L C A P A C I T A N C E (p F )T 101001000V ,NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Z Fig.5Total Capacitance vs Nominal Zener Voltage。

齐纳二极管工作原理齐纳二极管（Zener diode）是一种特殊的二极管，它在逆向电压下具有特殊的电压稳定特性。

本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理，包括其结构、特性以及应用领域。

一、结构齐纳二极管的结构与普通二极管相似，由P型和N型半导体材料组成。

它有两个端子，即阳极（Anode）和阴极（Cathode）。

与普通二极管不同的是，齐纳二极管在P-N结附近有一个特殊的掺杂区域，称为齐纳击穿区或者Zener区。

这个区域的掺杂浓度较高，使得齐纳二极管在逆向电压下表现出特殊的电压稳定性。

二、特性齐纳二极管的特性主要体现在其逆向击穿电压和击穿电流上。

1. 逆向击穿电压（Zener Voltage）：齐纳二极管在逆向电压下，当达到一定电压值时，会浮现逆向击穿现象。

这个电压值称为齐纳二极管的击穿电压。

齐纳二极管的击穿电压通常在几伏到几百伏之间，具体取决于其掺杂浓度和材料特性。

2. 击穿电流（Zener Current）：齐纳二极管在逆向击穿状态下，电流会急剧增加，但保持在一个相对稳定的值。

这个电流称为齐纳二极管的击穿电流。

齐纳二极管的击穿电流通常在几毫安到几十毫安之间。

齐纳二极管的电压稳定性是由其特殊的击穿机制决定的。

在正常工作状态下，齐纳二极管处于正向偏置状态，正向电流很小。

当逆向电压增加到击穿电压时，齐纳击穿区的电场会变得非常强，电子会发生冲击电离现象，形成电子空穴对。

这些电子空穴对会导致电流的急剧增加，从而保持逆向电压稳定。

三、应用领域齐纳二极管由于其特殊的电压稳定性，在电子电路中有广泛的应用。

1. 电压稳定器：齐纳二极管可以用作电压稳定器，将其连接在电路中，使得电路的输出电压保持在一个稳定的值。

这在一些需要稳定电压的电子设备中非常重要，如电源、稳压器等。

2. 电压参考源：齐纳二极管的特性可以用于提供一个稳定的参考电压，用于校准其他电路或者传感器。

3. 过压保护：齐纳二极管可以用于电路的过压保护，当电路中的电压超过设定值时，齐纳二极管会击穿，将多余的电压引流，保护其他元件不受损坏。

齐纳二极管工作原理及主要参数-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除齐纳二极管工作原理及主要参数(总6页)-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。

齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。

若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值，不受附载电流或电源上电压变动影响。

一般二极管之崩溃电压，在制作时可以随意加以控制，所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。

一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住 Vz外，均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率，也可由Pz=Vz*Iz换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。

dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数.齐纳二极管工作原理齐纳二极管主要工作于逆向偏压区，在二极管工作于逆向偏压区时，当电压未达崩溃电压以前，二极管上并不会有电流产生，但当逆向电压达到崩溃电压时，每一微小电压的增加就会产生相当大的电流，此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压)，下图为齐纳二极管之电压电流曲线，可由此应证上述说明。

齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。