发光效率由内部量子效率与外部量子效率决定。内部
量子效率在平衡时,电子-空穴对的激发率等于非平衡载
流子的复合率(包括辐射复合和无辐射复合),而复合率
又分别决定于载流子寿命τr和τrn,其中辐射复合率与 1/τr成正比,无辐射复合率为1/τrn,内部量子效率为
in
n eo ni
(6-1)
式中,neo为每秒发射出的光子数,ni为每秒注入到器件的电
7. 响应时间
在快速显示时,标志器件对信息反应速度的物理量叫 响应时间,即指器件启亮(上升)与熄灭(衰减)时间的延迟。 实验证明,二极管的上升时间随电流的增加而近似呈指数 衰减。它的响应时间一般是很短的,如GaAs1-xPx仅为几个 ns,GaP约为100ns。在用脉冲电流驱动二极管时,脉冲的 间隔和占空因数必须发在光器器件与件光电响耦合应器件时最新间课件所许可的范围内。
6.1.4 驱动电路
发光二极管工作需要施加 正向偏置电压,以提供驱动电 流。典型的驱动电路如图6-10 所示,将LED接入到晶体三极 管的集电极,通过调节三极管 基极偏置电压,可获得需求的 辐射光功率。在光通信中以 LED为光源的场合,需要对 LED进行调制,则调制信号通 过电容耦合到基极,输出光功 率则被电信号所调制。
6.4.1 光电耦合器件的结构与电路符号
用来制造光电耦合器件的发光元件与光电接收元件 的种类都很多,因而它具有多种类型和多种封装形式。 本节仅介绍几种常见发光的器件结与光构电耦。合器件最新课件
1. 光电耦合器件的结构
光电耦合器件的基本结构如图6-28所示,图6-28(a) 为发光器件(发光二极管)与光电接收器件(光电二极 管或光电三极管等)被封装在黑色树脂外壳内构成光电 耦合器件。图6-28(b)者将发光器件与光电器件封装在 金属管壳内构成的光电耦合器件。使发光器件与光电接 收器件靠得很近,但不接触。