模拟电路考试题与答案【精】
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学习参考 自测题一
一、判断题
1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）
2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ T ）
3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）
二、单选题
1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发
2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。
A．正、反向电阻相等 B．正向电阻大，反向电阻小
C．反向电阻比正向电阻大很多倍 D．正、反向电阻都等于无穷大
3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压)
A．右移 B．左移 C．上移 D．下移
4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定
5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源）
A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压
6．温度升高时，三极管的值将（ A ）。
A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定
7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A．电流放大系数 B．最大整流电流
C．集电极最大允许电流 D．集电极最大允许耗散功率
8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为VU61，VU4.52，VU123，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e
9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A．多数载流子 B．少数载流子
C．扩散 D．少数载流子和多数载流子共同
10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏）
A．PNP型硅管 B．PNP型锗管 C．NPN型锗管 D．NPN型硅管
11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
A．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区
12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（ B ）。
A．能够形成导电沟道 B．不能形成导电沟道
C．漏极电流不为零 D．漏极电压为零
三、填空题
1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。
2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。
3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的 单向导电性 性能。
4．PN结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。
5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被 削弱 。
6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。
7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。
8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。
9．场效应管的最大优点是 输入电阻高 。
10．0GSU时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS管 。
11．开启电压0)(thUGS的是 N沟道增强型 场效应管。
12．开启电压0)(thUGS的是 P沟道增强型 场效应管。4
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学习参考 自测题二
一、判断题
1．晶体管的输入电阻ber是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ F ）
2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ T ）
3．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ F ）
4．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（ F ）
5．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ F ）
二、单选题
1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ C ）。
A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定
2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ C ）。
A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定
3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（ C ）。
A．共射放大电路 B．共基放大电路
C．共集放大电路 D．不能确定
4．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（ B ）。
A．共射放大电路 B．共基放大电路
C．共集放大电路 D．不能确定
5．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时（无电流），则该管工作状态为（ B ）。
A．饱和 B．截止 C．放大 D．不能确定
6．晶体管能够放大的外部条件是（ B ）。
A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏
C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏
7．组合放大电路的输出级采用射极输出（共集）方式是为了使（ D ）。
A．电压放大倍数高 B．输出电流小
C．输出电阻增大 D．带负载能力强 8．放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是（ A ）。
A．耦合电容和旁路电容的影响 B．晶体管极间电容和分布电容的影响
C．晶体管的非线性特性 D．放大电路的静态工作点设置不合适
9．当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后，级联放大器的带宽（ A ）。
A．小于BW B．等于BW C．大于BW D．不能确定
10．射极输出器的特点是（ A ）。
A．输入电阻高、输出电阻低 B．输入电阻高、输出电阻高
C．输入电阻低、输出电阻低 D．输入电阻低、输出电阻高
11．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（ A ）。
A．共射组态 B．共基组态 C．共集组态 D．共漏组态
12．在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平的失真，这种失真是（ B ）。
A．截止失真 B．饱和失真 C．交越失真 D．频率失真
13．当信号频率等于放大电路的Lf和Hf时，放大倍数的数值将下降到中频时的（ B ）。(P55 ）
A．0.5倍 B．0.7倍 C．0.9倍 D．1.2倍
14．在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ B ）。
A．共发射极电路的uA最大、ir最小、or最小
B．共集电极电路的uA最小、ir最大、or最小
C．共基极电路的uA最小、ir最小、or最大
D．共发射极电路的uA最小、ir最大、or最大
15．已知某基本共射放大电路的mAICQ1，VUCEQ6，管子的饱和压降VUCES1，kRRLC4，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（ B ）。
A．1V B．2V C．5V D．6V
三、填空题 word格式 整理版
学习参考 1．要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的 静态工作点 。
2．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生 饱和 失真。
3．若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生 截止 失真。
4．基本共射放大电路，当温度升高时，Q点将向 上 移。
5．若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于 饱和 状态。
6．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位 相同 。（共射相反）
7．放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越 强 。
8．在放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电压放大倍数 越大 。
9．某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 1K 。
10．放大器的下限角频率L，上限角频率H，则带宽为 2HL Hz。
自测题三
一、判断题
1．测得两共射放大电路空载．．电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。（ F ）
2．只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（ F ）
3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ T ）
4．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ F ）
二、单选题
1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ C ）。
A．电阻阻值有误差 B．晶体管参数的分散性
C．晶体管参数受温度影响 D．受输入信号变化的影响
2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ D ）。
A．电压放大倍数高 B．输出电流小 C．输出电阻增大 D．带负载能力强
3．多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益和通频带（ D ）。
A．电压增益减小，通频带变宽 B．电压增益减小，通频带变窄
C．电压增益提高，通频带变宽 D．电压增益提高，通频带变窄
4．有两个放大器，空载时的输出电压均为3V，当它们接入相同的负载时，甲放大器的输出电压为2V，乙放大器的输出电压为1V，则说明甲比乙的（ D ）。
A．输入电阻大 B．输入电阻小 C．输出电阻大 D．输出电阻小
三、填空题
1．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 。
2．在多级放大电路中，前级的输出电阻可视为后级的 信号源内阻 。
3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 直接
耦合方式。
4．集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路，因此低频性能 好 。
5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 窄 。
6．放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 放大器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。
