答案 东大离线 20年7月 模拟电子技术基础IA赵丽红
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课程名称: 模拟电子技术基础I
1 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院
模拟电子技术基础I 试 卷(作业考核 线上2) A 卷(共 3 页)
总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十
得分
1、电路如图1所示,设输入电压u i 是幅值为12V 的正弦波,试分析D 1,D 2工作状态,并画出u o 的波形。(设二极管D 1,D 2为理想二级管)。
答:运放工作在开环状态,输出为方波。 uo`为和正弦波图像的正负电压方波。
uo``由于缺少R 、C 数值,可以是方波(耦合电路C 大、R 小),三角波(RC 很大)也可以是脉冲波(RC 很小)。可询问清楚再答。 uo 的波形是uo``的正半周波形。
2、据图2所示的晶体管型号及实测对地直流电压数据(设直流电压表的内阻非常大),分析:(1)管子是锗管还是硅管?(2)管子的工作状态(放大、截止、饱和或损坏)。
解:三极管截止:发射结反向偏置或零偏,集电结反偏,I |=0.1~0.2V ;若为NPN 管,发射结正偏时,U ,若为PNP 管,发射结正偏时,U =1.71-1=0.71V ;UBC =1.71-1.3=0.41V ;发射结正向偏置,集电结正偏,此管为硅 NPN ,工作在饱和区。 =-0.2-0=-0.2V ;U BC =-0.2-(-5)=4.8V ;发射结正向偏置,集电结反偏,此管为锗 PNP 。 =2-6=-4V ;UBC =2-0=2V ;发射结正向偏置压差过大,已损坏,此管为锗PNP , 工作在饱和区。 =-5.7-(-6)=0.3V ;UBC =-5.7-0=-5.7V ;小于发射结正向偏置电压,集电结反偏,此 管为硅NPN ,工作在截止区。 =-0.3-0=-0.3V ;UBC =-0.3-(-0.1)=-0.2V ;发射结正向偏置,集电结正偏,此管为锗 PNP ,工作在饱和区。 =5.3-6=-0.7V ;UBC =5.3-5.3=0V ;发射结正向偏置,集电结零偏,此管为硅
图1 二极管电路
图2晶体管型号及实测对地直流电压数据