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2016年硅光子领域新进展及发展趋势硅光子技术是基于硅材料，利用现有CMOS工艺进行光器件的开发和集成的新一代技术，在光通信，数据中心，超级计算以及生物，国防，AR/VR技术，智能汽车与无人机等许多领域将扮演极其关键的角色。
美欧等国在硅光子领域已经有十多年的投入和积累，并业已形成了产业优势。
Light Counting的测，仅硅光子在光通信领域的产品市场五年内就将达到10亿美元以上。
未来一二十年内，硅光子技术的市场更将远远超过这一数字。
有专家认为，现在市场上虽然硅光子的商用产品还不多，但是很可能厂商只是在等待别人先发布或是在评估不同的技术。
现在只是爆发前的静默期。
以下为2016年以来，硅光子领域的一些进展情况：1、Ciena收购Tera Xion磷化铟和硅光子资产2016年1月，Ciena公司和私有企业Tera Xion表示双方已经达成了一项协议，即Ciena将收购这家加拿大公司的高速电子元器件（High-Speed Photonics Components，HSPC）资产。
Ciena 将支付大约4660万加元（约3200万美元）收购以下资产，包括磷化铟和硅光子技术以及潜在的知识产权（IP）。
Tera Xion在光网络市场最初是以其可调色散补偿器闻名。
2013年，Tera Xion通过收购COGO Optronics的调制器资产跨足相干接收机和调制器领域。
在该领域，Tera Xion开发出400Gbps 应用的磷化铟调制器。
Tera Xion还开始发展硅光子；在ECOC2015展会上，该公司发表了一篇论文，表示它正在开发一款基于硅光子的针对PAM4传输的调制器。
对于这些模块，Ciena未透露是否有所规划。
Ciena发言人Nicole Anderson在回复Lightwave 的一封邮件咨询时表示：“对于如何应用我们收购的这些资产，目前还没有细节。
简单来说，这是一次战略性收购，是为了更好的掌控我们的WaveLogic芯片组，增强我们在调制格式能力方面的灵活性，以便公司继续展示从数据中心互连到跨太平洋海底链接等全方位应用方面的领先的性价比。
基于CMOS平台的硅光子关键器件与工艺研究赵瑛璇;武爱民;甘甫烷【摘要】面向互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的硅基光互连体系,研制了包括光波导、光栅耦合器、刻蚀衍射光栅、偏振旋转分束器、光频梳以及3D互连新器件等的硅光子关键器件,并对相应器件的设计及工艺给出了最新的研究结果.基于以上关键硅光子器件进行了大规模光子集成,实现了片上集成的微波任意波形发生器,并集成了300多个光器件,包括高速调制、延迟线和热调等功能.面向数据通信研制了八通道偏振不敏感波分复用(WDM)接收器,解决了集成系统中的偏振敏感问题.【期刊名称】《中兴通讯技术》【年(卷),期】2018(024)004【总页数】7页(P8-14)【关键词】硅光子技术;硅基光互连;大规模光子集成【作者】赵瑛璇;武爱民;甘甫烷【作者单位】中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050【正文语种】中文【中图分类】TN929.5随着集成电路面临摩尔定律失效的风险，面向片上光互连的硅光子技术成为重要的关键平台性技术，能够解决集成电路持续发展所面临的速度、延时和功耗等问题。
在未来5G通信中也有明确的用途，基站的数据前传和后传需求显著，低成本、大批量的高速光模块有望成为硅光子的重要产业出口。
硅光子技术通过微电子和光电子技术的高度融合，在硅基衬底上实现各种有源和无源器件，并通过大规模集成工艺实现各种功能，文中我们将介绍基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的硅基光器件的研究和工艺。
1 硅基关键器件与工艺研究1.1 硅基光波导和制造工艺研究与先进的超大规模集成电路工艺兼容是硅光子最本质的价值所在。
经过半个世纪的发展，集成电路制造工艺水平突飞猛进，量产产品已达到10 nm技术节点。
本研究小组与先进的大规模集成电路商用工艺生产线合作，基于0.13 μm CMOS技术，并且采用了248 nm光刻技术[1]，建立了一整套硅光子器件加工和集成的工艺。
《硅光子设计：从器件到系统》阅读记录目录一、基础篇 (3)1.1 光子学基础知识 (4)1.1.1 光子的本质与特性 (4)1.1.2 光子的传播与相互作用 (5)1.2 硅光子学概述 (6)1.2.1 硅光子的定义与发展历程 (7)1.2.2 硅光子学的应用领域 (9)二、器件篇 (10)2.1 硅光子器件原理 (11)2.2 硅光子器件设计 (13)2.2.1 器件的结构设计 (14)2.2.2 器件的工艺流程 (15)2.3 硅光子器件的性能优化 (16)2.3.1 集成电路设计 (17)2.3.2 封装技术 (18)三、系统篇 (20)3.1 硅光子系统架构 (21)3.1.1 系统的整体结构 (22)3.1.2 系统的通信机制 (23)3.2 硅光子系统设计 (25)3.2.1 设计流程与方法 (26)3.2.2 设计实例分析 (27)3.3 硅光子系统的测试与验证 (29)3.3.1 测试平台搭建 (30)3.3.2 性能评估标准 (31)四、应用篇 (31)4.1 硅光子技术在通信领域的应用 (33)4.1.1 光纤通信系统 (34)4.1.2 量子通信系统 (35)4.2 硅光子技术在计算领域的应用 (36)4.2.1 软件定义光计算 (37)4.2.2 光子计算系统 (38)4.3 硅光子技术在传感领域的应用 (39)4.3.1 光学传感器 (40)4.3.2 生物传感与检测 (41)五、未来展望 (42)5.1 硅光子技术的发展趋势 (43)5.1.1 技术创新与突破 (44)5.1.2 应用领域的拓展 (45)5.2 硅光子技术的挑战与机遇 (47)5.2.1 人才培养与引进 (48)5.2.2 政策支持与产业环境 (49)一、基础篇《硅光子设计：从器件到系统》是一本深入探讨硅光子技术设计与应用的专著，涵盖了从基础理论到系统应用的全面知识。
在阅读这本书的基础篇时，我们可以对硅光子设计的核心概念有一个初步的了解。
专题报告-1硅基光电子学（光子学）研究概况网络信息中心文献情报服务2007年6月硅基光电子学研究概况编者按：本文介绍了硅基光电子技术的研究现状、重点研究方向、技术难点以及国内外主要研究机构的基本情况。
希望能为我所学科布局的发展提供一些参考。
一、技术概述硅基半导体是现代微电子产业的基石，但其发展已接近极限。
而光电子技术则正处在高速发展阶段，现在的半导体发光器件多利用化合物材料制备，与硅微电子工艺不兼容，因此，将光子技术和微电子技术集合起来，发展硅基光电子科学和技术意义重大。
近年来，硅基光电子的研究在国内外不断取得引人注目的重要突破，世界各发达国家都把硅基光电子作为长远发展目标。
硅基光电子学包括硅基光子材料、硅基光子器件和硅基光子集成三个主要方面。
分别介绍如下：1. 硅基光子材料（1）硅基纳米发光材料目前的研究重点是如何有效地控制硅纳米晶粒的尺寸和密度，以形成具有小尺寸和高密度的有序纳米结构。
制备方法有：通过独立控制固体表面上的成核位置和成核过程实现自组织生长；在掩蔽图形衬底上的纳米结构生长；扫描探针显微术的表面纳米加工；全息光刻技术的纳米图形制备以及激光定域晶化的有序纳米阵列形成等。
（2）硅基光子晶体光子晶体具有合成的微结构、周期性变化的折射率以及与半导体潜在电子带隙相近的光子带隙。
根据能隙空间分布的特点，可以将其分为一维、二维和三维光子晶体。
光子晶体的实际应用是人们所关注的焦点，而与成熟的硅工艺相结合是人们非常看好的方向，可出现全硅基光电子器件和全硅基光子器件，因此制备硅基光子晶体及其应用将是以后的研究重点。
在所有光子晶体制备方法中，运用多光束干涉的全息光刻法有着许多优点：通过照射过程能够制成大体积一致的周期性结构，并能自由控制结构多次。
通过控制光强、偏振方向和相位延迟，制成不同的结构。
2. 硅基光子器件（1）硅基发光二极管作为硅基光电子集成中的光源，硅基发光二极管（Si-LED）的实现是硅基光电子学研究中的一个主攻方向。
光电子前沿调研报告一、引言光电子技术是集光学、电子学和信息处理于一体的高新技术领域，具有广泛的应用前景。
光电子前沿是指光电子技术的最新发展方向和研究领域。
本报告将对光电子前沿进行调研，介绍其最新进展和应用前景。
二、光电子前沿领域一：量子光学量子光学是研究光与物质之间相互作用的基础和应用的一个学科，其研究对象是光子的波动性和粒子性。
近年来，量子光学在信息处理、通信和计算等领域取得了重要的研究进展。
例如，量子密钥分发技术能够实现绝对安全的通信，量子计算机的研究有望突破目前算力的瓶颈。
三、光电子前沿领域二：多功能光子芯片多功能光子芯片是利用微纳制造技术将多种光电子功能集成在一块芯片上的新型器件。
这种芯片能够同时实现光信号的发射、接收、放大和处理等多种功能，具有体积小、功耗低、成本低的优点。
目前，多功能光子芯片已经在通信、传感和生物医学等领域得到了广泛的应用。
四、光电子前沿领域三：新型光源新型光源是指相比传统光源更加紧凑、亮度更高、使用寿命更长的光源。
近年来，新型光源的研究领域涵盖了白光LED、荧光粉、半导体激光器等多个方面。
这些新型光源在照明、显示和激光器等领域都具有广泛的应用前景。
五、光电子前沿领域四：光纤通信技术光纤通信技术是利用光纤传输光信号进行通信的技术，具有信息传输速度快、带宽大和传输距离远的特点。
光纤通信技术在今后的通信领域中将发挥重要作用。
目前，研究者们正在开展光纤传输非线性特性的研究，以提高光纤通信系统的性能。
六、光电子前沿领域五：光电子器件光电子器件是将光与电子相互转换的器件。
随着光电子技术的不断发展，光电子器件的种类和性能得到了大幅度提升。
例如，光传感器、光电二极管、光导纤维等器件的应用范围扩大，性能得到了提高。
七、总结光电子前沿是一个充满活力和巨大发展潜力的领域，其涉及的技术和应用领域十分广泛。
量子光学、多功能光子芯片、新型光源、光纤通信技术以及光电子器件等方面的研究和应用都展现出了巨大的前景。
江苏苏州亨通光电-硅光模块研发及量产项目可行性研究报告100G/400G硅光模块研发及量产项目1、项目概况本项目为硅光模块产品新建项目，项目设计年产能为120 万只100G 硅光模块和60 万只400G 硅光模块。
本项目总投资110,475 万元，包括建设投资95,732 万元，铺底流动资金14,743万元。
本次发行募集资金拟投入86,500 万元。
2、项目必要性（1）符合国家战略，响应国家产业政策本项目从事的产业为国家鼓励类产业，属于《产业结构调整指导目录（2019年本）》鼓励类第二十八类“信息产业”的第21 项“新型电子元器件制造”，属于《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第23 号）“1 新一代信息技术产业”之“1.2 电子核心产业”。
属于《鼓励外商投资产业目录（2019 年版）》（国家发改委、商务部2019 年底27 号令）中全国鼓励外商投资产业目录制造类第二十二条第294 项“新型电子元器件制造”。
项目涉及的产品属于《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016 版）》中的“1 新一代信息技术产业”之“1.3电子核心产业”中。
亨通光电作为光通信行业的领军企业之一，形成光纤通信和量子通信全产业链及自主核心技术，并不断拓展新的战略空间，致力于打造“产品+运营+服务”全价值链综合服务商，所从事的大部分产业领域，均属于国家战略性新兴产业。
本项目的实施，将有望填补国内高速硅光子芯片集成模块量产的空白，推动国家战略性新兴产业健康、绿色、可持续发展。
（2）提升光通信行业技术水平，追赶国际一流目前，硅光子技术已经发展起步，基本由国外公司掌握，相应产品绝大部分的市场份额被国外公司垄断。
我国的半导体激光器产业化水平是光通信产业链中最薄弱的环节，高端激光器芯片几乎全部依赖进口。
可工程化的Ⅲ-Ⅴ族材料工艺和硅基光电子工艺平台能力是研发25Gb/s激光器芯片、硅基相干光收芯片、WSS 芯片以及配套的半导体集成电路所需要的，是制约国内企业与研究机构在核心芯片上快速创新的瓶颈，也是制约国产芯片大规模应用的主要瓶颈。
2023-2028全球及中国硅光电倍增管行业市场调研及投资前景分析报告摘要：硅光电倍增管是一种重要的光电探测器件，具有广泛的应用领域和巨大的市场潜力。
本报告通过对全球及中国硅光电倍增管行业市场进行深度调研，分析了市场规模、进步趋势、竞争格局以及投资前景。
报告发现，随着科技的进步和市场需求的推动，硅光电倍增管行业将迎来快速进步，并具备较高的投资潜力。
第一章绪论1.1 背景与目标硅光电倍增管作为一种重要的光电探测器件，在汽车、航空航天、医疗、通信等领域发挥着重要的作用。
因此，本报告的目标是为了对全球及中国硅光电倍增管行业市场进行深度探究，分析其进步趋势和投资前景。
1.2 探究范围与方法本报告主要探究全球及中国硅光电倍增管行业市场的规模、竞争格局、市场驱动因素等，并基于这些探究结果，分析其投资前景。
探究接受了市场调研和数据分析等方法。
第二章全球硅光电倍增管行业市场调研及进步趋势2.1 全球硅光电倍增管行业市场规模通过对全球硅光电倍增管市场的数据分析，报告发现其市场规模呈稳步增长的趋势，估计在2023-2028年将达到XX亿美圆。
2.2 全球硅光电倍增管行业市场进步趋势随着汽车工业、航空航天工业、电子工业等行业的进步，硅光电倍增管作为一种核心技术和器件，将得到广泛的应用。
特殊是在安全检测、高能物理试验、光学通信等领域，硅光电倍增管的需求将快速增长。
2.3 全球硅光电倍增管行业竞争格局全球硅光电倍增管行业存在着一些主要的竞争企业，如XXX公司、XXX公司等。
这些企业通过技术创新、产品质量等方面的竞争，争夺市场份额，推动了行业的进步。
第三章中国硅光电倍增管行业市场调研及进步趋势3.1 中国硅光电倍增管行业市场规模在对中国硅光电倍增管市场进行深度分析后，报告发现市场规模呈快速增长趋势，估计在2023-2028年将达到XX亿元人民币。
3.2 中国硅光电倍增管行业市场进步趋势在中国，硅光电倍增管行业面临着市场需求的迅速增长和技术进步的双重推动。
万方数据 万方数据３期燕路等：硅基光子器件研究进展及其在光陀螺与光通信中的应用５４９的ｐ－ｉ—ｎ结构有效地降低了自由载流子的有效寿命，他们采用标准微电子工艺制作了第一个连续波长硅基拉曼激光器。
激光器结构如图１所示［２７。
脊型波导是在未掺杂的ＳＯＩ结构Ｓｉ的［１００１表面上：通过标准的光刻和蚀刻工艺制成，在其两侧的平板分别注入硼和磷形成ｐ－ｉ—ｎ结构，反偏的ｐ－ｉ—ｎ二极管大大降低了ＴＰＡ引发的载流子吸收。
当给它加反偏电压时，ＴＰＡ产生的电子一空穴由于受到ｐ－ｉ－ｎ结构的电场作用，被迅速地清除出了波导区，因此有效载流子寿命随着反偏压的增强而减小。
这一结构成功得到｜ｒ稳定的边模抑制比为５５ｄＢ，线宽小于８０ＭＨｚ的单模激光输出。
其激光阈值依赖于反偏电压，波长可通过改变抽运波长调节。
图１第一个连续硅基拉曼激光器结构示意图∞３Ｆｉｇ．１ＳｃｈｅｍｅｏｆｔｈｅｆｉｒｓｔＣＷｓｉｌｉｃｏｎＲａｍａｎｌａｓｅｒＣ２７】硅基拉曼激光的实现是硅激光领域内的重要突破，但足它仍然只实现了红外波段激光，未能实现可见光波段激光。
在Ｉｎｔｅｌ报道了他们的拉曼激光后，Ｓｔｅｃｌｄ研究组阳８］寅布，他们研制成功世界卜第一个可见光波段的硅激光器。
他们在硅衬底上用分子束外延技术生长了Ｅｕ３＋掺杂的多层ＡＩＧａＮ结构，实现了室温下阈值约为１１７ｋＷ／ｃｒｎ２，波长６２０ｎｌｎ的激光输出。
２００８年，Ｒｏｎｇ研究组乜列又报道了级联式拉曼激光，利用受激拉曼散射的级联效应将硅基拉曼激光波长拓展至１６８６ｎｍ和１８４８ｎｍ。
这一激光器采用环形谐振腔和１５５０ｎｍ光抽运，实现了稳定的、连续的、输出功率超过５ｍＷ、线宽小于２．５ＭＨｚ的１８４８ｎｍ二阶级联激光，为实现更高阶拉曼激光铺平了道路。
尽管上述研究已经取得突破性进展，但是仍然面临一个问题：即以上述及的激光器都需要抽运光激发，若想将硅基激光器完全地单片集成，就必须实现载流子注入（电抽运）形式的激光光源。
硅光子学技术市场2011-2017年研究报告——Silicon Photonics Market & Technologies2011-2017: Big Investments, Small BusinessSilicon photonics has huge potential after 2020, if the current constraints that affect costcan be leveragedOPTICS, CMOS, MEMS, 3DICs : CONVERGING INTO A NEW BREED OF PHOTONIC DEVICESSilicon photonics has tremendous potential as a new technology, blending optical technology with low cost CMOS semiconductor processing. Silicon photonics is a disruptive technology that enables a new breed of monolithic opto-electronic devices.The goal is to deliver economic optical connectivity everywhere, from network level to intra-system level, and eventually to chip-to-chip. Today, except for the light source, all other optical functions (modulators, detection, waveguides, intelligence …) can be embedded wafer-level at the SOI substrate.Si photonics addresses different kind of devices such as:Individual components and subcomponents: used as a single function silicon photonics device, e.g. VOA, Mux/Demux, active filters, optical switches or asoptical engines combining optics and electronics.∙Transceiver-type products: embedded optical modules, transmitters/receivers, active optical cables or AOCs.∙Future products: e.g. hybrid packaged devices and 3DICs / Integrated opto-electronic chips.Moreover, passive optical elements (such as array wave guides, optical filters, couplers, splitters, polarizer arrays) can be created with silicon photonics technologies and integrated with active elements.In the report, we distinguish between Silicon photonics, CMOS photonics, Hybrid silicon photonics, and III-V integrated photonics. Silicon photonics has been restrained to R&D labs for a long time, but now the first Silicon photonics products have shipped and an industrial infrastructure has been set up step-by-step.DATA COMMUNICATION WILL DWARF ALL OTHER SI APPLICATIONSAlthough silicon photonics can address a wide range of applications, very few companies are actually shipping products. The potential markets are:∙Telecom: Metro and long haul applications∙Datacom: Data centers and campus applications∙Consumer: Connect desktop PC devices and PCs with HDTVs∙HPC & Data Centers: Using AOCs or Embedded Modules∙Professional/Commercial Video: Digital signage, digital cinemas, video recording and studios∙Metrology and sensors: Measurement of time, temperature, sound, frequency, stress, range using special silicon photonics sensors∙Medical: DNA, glucose, molecular and cellular analysis, etc... using special silicon photonics sensors∙Military/Aerospace/Scientific: Scientific instruments at corporate and national labs; aircraft, space missile, radar, imaging, intelligence applicationsData communications is the big market and will dwarf all other silicon photonics applications. Indeed, major datacom protocols are all moving to high-speed signaling and passing 10Gbps where reach and signal integrity issues are surfacing for both copper and optical technologies. There is a clear trend to surpass 25Gb in datacom protocols and this is where Si photonics will make sense.The need will be driven by:∙Need for low cost, high-speed interconnects supporting ever increasing data rates at and beyond 25Gbps∙Need for reach distance / data rate not served by VCSELsBIG CHALLENGES AHEADSilicon photonics still faces big market, industrial and technical challenges. The main problems are:∙Few products today∙Few companies have developed integrated product solutions.∙High cost∙CAE/CAD programs are almost non-existent∙Technical mismatch∙Competition with VCSEL-based alternatives∙Need for high volumesFor several years now, the silicon photonics projects have been under the umbrella of large-scale R&D projects to set up roadmaps. Today, MPW services foundries are opening and more industrial foundry activities are set up. Generic technologies and generic production platforms are needed to achieve low cost/high volume. As the future lays in the separation of design and fabrication, this industry is looking for an electronics-like foundry model. The mapping of the players involved in silicon photonics already shows an important number of foundry services.Although the industry is trying to use as much as possible of the existing CMOS processes, 3D ICs technologies will contribute to the Si photonics, especially wafer bonding and 3D interconnects.Although the market will grow by a factor of 3 in 5 years, business could explode after 2020 as inter and intra-chip communications could make this market grow by a factor of 10!KEY FEATURES OF THE REPORTThis report gives an overview of the silicon photonics markets, technologies and players. We also include a financial analysis that shows the latest VC funds.The report includes:∙What is silicon photonics?∙What are the applications?∙What are the challenges are on the applications side?∙What are the challenges are on the technologies side?∙Silicon photonics forecast by applications 2010-2017∙Manufacturing challenges∙Roadmaps∙Profiles of players involved in silicon photonicsWHO SHOULD READ THE REPORT∙Integratorso Understand the potential of the silicon photonicso Understand the technical challenges∙Devices makerso Identify and evaluate silicon photonics markets with market size & growth potentialo Analyze the threats and opportunitieso Monitor and benchmark competitor’s advancementso Evaluate you potential as a silicon photonics player∙Financial & strategic investorso Understand the main market dynamics and main technology trendso Get the list of the key playersLIST OF COMPANIES CITED IN THE REPORT:Altera, Altis, AML, Apple, Aurrion, Avago, BAE Systems, Caliopia, CEA Leti, Chiral Photonics, Cisco, ColorChip, Cyoptics/InPlane, DAS Photonics, Effect Photonics, Enablence, ePIXfab, EuroPIC, EVGroup, Fraunhofer HHI, Freescale, Ghent University, IHP Microelectronics, Fujitsu, Genalyte, Helios, HP Labs, IBM, IME (A*STAR), IMEC, Infinera, Intel, IPKISS, JePPIX, Kotura, Cisco/LightWire, LioniX, Luxtera, MIT, Mitsubishi Heavy Industries, Molex, NeoPhotonics, Northrop Grumman, NTT, Nvidia, Oclaro, OneChip Photonics, OPSIS SYSTEM, Oracle, PECST, Photline, Sandia, Skorpios Technologies, STM, Sun, SUSS MicroTec, TEEM Photonics, TI, TSMC, U2t photonics, UCSB, Stanford University, VLC Photonics, Xilinx, XIO Photonics∙About the authors (2)∙Table of Content (3)∙Companies listed in the report (5)∙What’s inside the report, what’s not (6)∙Executive Summary (7)o The (few) key facts to remember about silicon photonics (8)o Silicon photonics definition (11)o Silicon photonics market (12)o Silicon photonics advantages (13)o Silicon photonics time-to-market (14)o Inflection points for silicon photonics (15)o Silicon p hotonics devices (16)o Silicon photonics application revenues (17)o Silicon photonics dies market forecast (18)o Silicon photonics wafer forecast (19)o Why silicon photonics only in AOCs today (20)o Technical challenges (21)∙Introduction (22)o Silicon photonics definition (23)o Focus on III-V integrated photonics (27)o Focus on silicon photonics (36)∙Industry driving forces (43)o Roadmaps (44)o Datacom protocols roadmap (50)∙Applications (56)o Applications summary (57)o Telecom (66)o Datacom (71)o HPC & Data Centers (75)o Consumer (89)o Others (Military/Aerospace/Medical) (92)∙Market forecast (97)o Silicon photonics TAM (98)o Optical components market forecast (99)o Silicon photonics applications revenues 2010-2017 (102)o Silicon photo nics 2012 revenues by application (103)o Silicon photonics 2017 revenues by application (104)o Active vs. passive silicon photonics revenues 2010-2017 (105)o Silicon photonics products breakdown (108)o Silicon photonics dies market forecast (111)o Silicon photonics wafer forecast (112)o Estimated 2011 market share (113)∙Silicon photonics players (114)o Evolution of the business model (115)o Silicon photonics foundries (118)∙Financial analysis (121)o Raised funds by company (123)o Relative investment efficie ncy (125)∙The different manufacturing approaches (126)o Photonic in standard CMOS (127)o Laser sources vs. VCSELs (133)o The different approaches to Si photonics integration (135)o The different bonding technologies (142)o Design & packaging issues (149)o A new approach: 2.5 and 3D (152)∙The integrated photonics « building blocks » (157)o Summary (158)o Light sources (163)o Modulators (168)o Detectors (173)o Mux/Demux (176)o Couplers (178)o Passive devices (181)o Others (181)∙Conclusions (183)∙Profiles (186)o Summary (187)o Aurrion (189)o CEA Leti (190)o Cisco (Lightwire) (191)o ColorChip (192)o Cyoptics (193)o Enablence (194)o ePIXfab (195)o ePIXnet (196)o HP Labs (197)o IBM (198)o IMEC/Ghent University (199)o Infinera (200)o Intel Labs (201)o Kotura (202)o Luxtera (203)o NeoPhotonics (204)o NTT (205)o OneChip Photonics (206)o OpSIS (207)o Oracle/Sun (208)o PECST (209)o STM (210)o UCSB (211)∙Appendix (212)o Yole Développement presentation (213)o联系方式：网址：/Htmls/PE_Product/121012/154893.html电话：400 009 0050。
