场效应管和三极管的区别word版本

如何区分场效应管，三极管，三端稳压器？看芯片脚下的铜片，场管一般只有G极是信号线，是细线，其余的都为粗线。

场效应晶体管，简称场效应管。

主要有两种类型和金属- 氧化物半导体场效应管。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP 和NPN两种。

三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。

万用表测量晶体管：场效应管、可控硅、三极管外形很相似，一般都只能以型号来区分，如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。

一，三极管。

因为三极管的基极对其它两极都是一个PN结，当你用表循环测量到某个电极对其它两极都能呈现出低阻或高阻时，那么基本可以断定这是三极管。

而其它两种管子都不具有这样的特性。

二，场效应管。

此管的源极与漏极常可以互换使用，而且两极间呈现电阻性，用表笔正反测量这两极电阻差别不大，而其它两种管子却没有这样的现象。

三，可控硅。

四层器件，阳极与阴极间有两只反向PN结，用表测量电阻极大；只有门极与阴极是PN结，正反间电阻相差很大；只要电极间符合这个现象的，那就是可控硅了。

三极管、场效应管
三极管是一种由三个控制电极构成的电子器件，用于放大和开关电流。

它由一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）组成。

当基极电流变化时，可以控制集电极电流的放大或者截断，从而实现信号放大和开关的功能。

三极管是电子电路中最常见、最重要的元件之一，广泛应用于放大电路、开关电路、振荡电路等领域。

场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种利用电场控制电流的电子器件。

它由一个源极（Source）、一个栅极（Gate）和一个漏极（Drain）组成。

栅极是一个金属电极和一个绝缘层之间的结构，通过改变栅极电压来控制源漏间的电流。

在场效应管中，电流是通过控制电场而不是电流流动的方向来实现的。

场效应管具有很高的输入电阻，可以作为电压放大器、开关和模拟开关等应用。

总之，三极管和场效应管都是常见的电子元件，用于控制和放大电流。

它们在电子电路中起着重要的作用，用途广泛。

三极管的特点
三极管是一种常用的电子器件，具有以下特点：
1. 增益放大作用：三极管能够将小信号输入转换为较大的输出信号，实现信号的放大。

2. 高输入阻抗：三极管的输入端具有高阻抗特性，不会对输入信号产生影响，从而保持信号的准确性。

3. 低输出阻抗：三极管的输出端具有较低的输出阻抗，可以提供稳定的输出信号，便于连接到下游电路。

4. 可控制流：通过控制管子中相应的电压或电流，可以有效地控制三极管的工作状态和输出。

由于以上特点，三极管在电子电路中广泛应用于放大、开关和调节等功能。

场效应管的特点
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）是另一种常见的电子器件，具有以下特点：
1. 高输入阻抗：与三极管类似，场效应管的输入端也具有高阻抗，
不会对输入信号造成负载。

2. 低输入电流：场效应管的输入电流非常低，进一步降低了对输入信号的干扰。

3. 高增益：场效应管的增益通常比三极管高，可以提供更大的信号放大。

4. 低输出阻抗：与三极管类似，场效应管也具有较低的输出阻抗，能够提供稳定的输出信号。

场效应管的主要类型有MOSFET和JFET两种，其工作原理和特性略有不同。

总体而言，场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等特点，可用于放大、开关、电压调节和逻辑门等电路应用。

与三极管相比，场效应管在某些方面具有优势，例如消耗更少的功率、更快的开关速度和更好的线性性能。

三极管场效应管
三极管和场效应管都是电子元件中常用的晶体管类型，它们在电子电路中扮演着重要的角色。

三极管是一种三端口的半导体元件，包括基极、发射极和集电极。

通过在基极和发射极之间施加电压，可以控制从集电极到发射极的电流。

三极管广泛应用于电子电路中的放大、开关和反相等电路中。

场效应管是一种四端口的半导体元件，包括源极、漏极、栅极和衬底。

通过在栅极和衬底之间施加电压，可以控制从源极到漏极的电流。

场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等特性，广泛应用于电子电路中的放大、开关、振荡和滤波等电路中。

三极管和场效应管在工作原理、性能特点和应用领域上都有所不同，各有优缺点。

在电子电路设计中，需要根据具体的应用需求和设计目标来选择合适的晶体管类型。

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场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍相信很多初学者在进行电路设计时，都曾经遇到过一个选择难题：三极管和场效应管选哪个更好一些呢？其实无论是三极管还是场效应管，它们都有自己的优势，也有各自的弊端，在今天的文章中，华强北IC代购网将会对这两种管子的优缺点和区别，展开简要分析。

场效应管和三极管工作原理区别尽管场效应管和三极管功能相近，场效应管也是由三极管衍生出来的，但是两者的工作原理是有所区别的。

具体如下：1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；2、场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。

场效应管和三极管的应用区别就目前三极管和场效应管的应用情况来看，它们两者主要有以下四种区别：1、三极管是用电流控制，场效应管属于电压控制；2、从成本上看，三极管要比场效应管便宜；3、在功耗方面，与场效应管相比，三极管损耗更大一些；4、最后一种区别就是两者的驱动能力不同，由于场效应管常用应用在开关电路上，因此场效应管的驱动能力要比三极管的好。

相关参数比较表生产厂家介绍1、ROHMRohm是在系统LSI以及最新半导体技术是首屈一指的主导企业，以“用不坏的零件”为目标，实现了世界最高质量和可靠性。

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三極管及場效應管原理講解大綱: 一三極管與場效應管的簡介二三極管與場效應管的工作原理三三極管與場效應管的區別四三極管與場效應管的實際應用一三極管與場效應管的簡介1.三機管的簡介半導体三極管又稱晶体三極管,簡稱晶體管.它是由三塊半導体組成,構成兩個PN結,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,如下圖所示:B為基極,C為集電極,E為發射極半導体三極管TRANSISTOR Test # Description1 h FE Forward-current transfer ratio2 V BE Base emitter voltage(see also Appendix F)3 I EBO Emitter to base cutoff current4 V CESAT Saturation voltage5 I CBO Collector to base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoff currentI CER, with base to emiter loadI CEX, reverse bias,orI CES short(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector to emitter,BV CER with base to emiter load,BV CEX reverse bias,orBV CES short(see also Appendix F)8 BV CBO Breakdown voltage,collector to base9 BV EBO Breakdown voltage,emitter to base10 V BESAT Base emitter saturation voltage2 .場效應管簡介場效應管又稱金属-氧化物-半導体場效應管,也就是我們通常所說MOS(Metal Oxide Semiconductor )管.場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導体場效應管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高.場效應管分為:結型場效應管(JFET)和絕緣栅型場效應管(IGFET)兩大類.結型場效應管JEFT Test # Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gate voltage drain current.3 BVDGO Drain to gate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGO Drain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSS Gate to source breakdown voltage.8 VDSON Drain to source on-state voltage.結型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下結型場效應管有三極:珊極g g 源極 N型漏極結型場效應管有兩個PN結,在栅源極上加一定電壓,在場效應管內部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏極電流的控制.結型場效應管的主要參數1.夾斷電壓U DS(off),當U DS等于某一個定值(10v),使Id等于某一個微小電流(如50uA)時,栅源極間所加的U GS即為夾斷電壓.U DS(off)一般為1~10V.2.飽和漏極電流I DS:當U GS=0時,場效應管發生預夾斷時的漏極電流.3.直流輸入電阻R GS.4.低頻跨導GM5.漏源擊穿電壓U(BR)DS6.栅源擊穿電壓U(BR)GS7.最大耗散功率P DM絕緣栅型場效應管是由金屬氧化物和半導体組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS管,其工作原理類似於結型場效應管絕緣栅場效應管MOSFET Test # Description1 V GSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdown voltage.4 VDSONDrain to Source on-state voltage.5 IGSSFGate to Source leakage current forward.6 IGSSRGate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage. 8 VGSF Gate to Source voltage (forward) required for specified In at specified Vos. (see SISQ Appendix F)9 VGSR Gate to Source voltage (reverse) required for specified ID at specified VDS. (see also Appendix F) 10 VDSON On-state drain current11VGSON On-state gate voltage符號和極性(1)增強型 NMOS (2)增強型 PMOS(3)耗盡型 NMOS (4)耗盡型PMOS絕緣栅型場效應管主要參數1.漏源擊穿電壓BV DS2.最大漏極電流I DMSX3.閥值電壓V GS (開啟電壓)-+4.導通電阻R ON5.跨導(互導) (GM)6.最高工作瀕率7.導通時間TON 和關斷時間二 三極管與場效應管的工作原理(1)NPN (2) PNPi v be ce(3)輸入特性曲線 (4) 共發射極輸出特性曲線三極管的三種狀態: (1) 放大放大區發射結正偏,集電結反偏,E1>E2,即 NPN 型三極管Vc>Vb>Ve,PNP 型三極管V c <V b <V e ,三極管處于放大狀態.由于Ic=βIb,即Ic 受Ib 控制,而Ic 的電流能量是由電源提供的,此時Ube=0.6~0.7V(NPN 硅管)(2) 截止Ib≦0的區域稱截止區,UBE<0.5V時,三極開始截止,為了截止可靠,常使UBE≦0,即發射結零偏或反偏(NPN管Vb≦Ve, PNP型三極管Vb≧Ve),截止時,集電結也反向偏置(NPN管Vb<Vc, PNP型三極管Vb>Vc).(3)飽和當VCE<VBE,即集電結正向偏置(Vb<Vc),發射結正向偏置(Vb>Ve)時,三極管處于飽和區.飽和壓降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,鍺管UCE(sat)≒0.1V.1.主要參數(1)共發射極直流電流放大系數β,即Hfe, β=IC/IB(2)共發射極交流電流放大系數β. β=ΔIC/ΔIB(3)集電極,基極反向飽和電流ICBO(4)集電極,發射極反向飽和電流ICEO,即穿透電流(5)集電極最大允許功耗PCM(6)集電極最大允許電流ICM(7)集電極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO(8)發射極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO(9)集電極,發射極反向擊穿電壓U(BR)CBO2.場效應管的工作原理2.1結型場效應管场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。

场效应管和三极管的异同1.引言1.1 概述概述:场效应管和三极管是现代电子器件中常用的两种晶体管。

它们都是半导体器件，具有放大、开关、调节电流等功能。

虽然场效应管和三极管都属于晶体管的范畴，但它们在结构、工作原理和特性等方面存在一定的不同。

场效应管，又称为晶体管的一种，是一种基于电场调控电流的半导体器件。

场效应管的主要组成部分包括栅极、源极和漏极。

通过在栅极上施加电压来改变栅极和漏极之间的电场强度，从而控制漏极电流的大小。

场效应管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，在许多应用中得到了广泛的应用。

而三极管是另一种常见的晶体管类型，也被称为双向晶体管。

它由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，主要包括基极、发射极和集电极。

通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流放大倍数。

三极管具有高电流放大倍数、可靠性高等特点，被广泛应用于放大、开关和稳压等电路。

在工作原理上，场效应管是通过改变栅极电压来调节漏极-源极之间的电流，而三极管则是通过调节基极电流来控制发射极-集电极之间的电流。

由于两者的工作原理不同，它们的特性表现也有所区别。

总结起来，场效应管和三极管在结构、工作原理和特性等方面存在明显的差异。

场效应管主要通过改变电场来调节电流，而三极管则是通过改变电流来实现电流放大。

尽管存在差异，但它们都是现代电子器件中不可或缺的重要组成部分，两者在电子领域中都有着广泛的应用。

在接下来的章节中，我们将更加深入地探讨场效应管和三极管的工作原理、特性以及它们在实际应用中的优劣势。

1.2 文章结构文章结构:本文主要围绕场效应管和三极管展开讨论，分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分首先对场效应管和三极管进行了概述，介绍了它们的基本特点和在电子学中的应用。

接着，介绍了本文的结构以及各个部分的内容和目的。

正文部分分为两个小节，分别讨论了场效应管和三极管的特点和工作原理。

在场效应管部分，我们将重点探讨了它的两个要点。

第一个要点将介绍场效应管的基本结构和工作原理，包括栅极、漏极和源极的作用以及通过改变栅极电压控制漏电流。

U11==64-V5.3，VV，U，2U=U222==V-21，V.8U，V3，=U23U=.37=5VV-，1.5V
第13页，共43页。
共射极NPN放大电路
进入基区少数电子和空穴复
结论：I =I +I 合，以及进入发射区的空穴
与电集子电复区合少而数载形E流成子电B流IBNC和
IC =ICN+集IC电BO结反发，偏射发结射正区偏多
UCE VCC IC RC 15 0.716103 5000 11.42(V )
③如果VBB=5V;RB=300kΩ,β=300 解答：
IB
VBB U BE RB
5 0.7 300000
0.01
IC IB 300 0.0143 4.29(mA)
I里IIBPEB了，空IC－－？B那穴O。么形扩复其成散漂它合移多运运电数流电动动子形去形哪成成的的电电C流流 IC－漂移运IB动ICB形O 成的电流JC
ICN
数载流子电 子不断向基 区扩散，形 成扩散电流
IEN。
基区多数载
流子空穴不断 向基区扩散， 形成扩散电流
IEP。
B
RB IEP
VBB
IBP JE
集电极C
Collector
基极B 发射极E
Base Emitter
金属层
发射区：发射载流子 集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子
P
N+
N-Si
N型硅片
（衬底）
第5页，共43页。
强化练习1
NPN型三极管
C
B E
基极 B
电符路号符号 集电区的作用：
收集载流子
基区的作用： 传送、控制载流子

三极管与场效应管的差别•三极管（BJT）和场效应管（FET）是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件，最初发明的是三极管，以其优异的性能迅速代替了电子管，但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷，在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的晶体管，于是场效应管就应用而生了。

它的最大特点就是输入阻抗极高，这是三极管无法比拟的，然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样而完全取代三极管，它也不是万能的，在有些方面不如三极管，因此不能笼统的说谁好谁不好，由于它是在三极管的基础上研制而成的，所以它许多方面和三极管有相似的地方，二者珠联璧合应用广泛。

今天通过对比我们全面认识三极管和场效应管，以便更好的利用它们。

•1.电极区别：三极管有基极b、发射极e、集电极c三个电极，场效应管也有G极、源极S、漏极D三个电极，它们二者有对应关系，电极的作用相似，即基极-栅极都是控制极，发射极对应源极，集电极对应漏极，都是被控电极；•2.控制类型：三极管是电流控制型器件，也就是通过基极电流的变化控制集电极电流的变化；场效应管属于电压控制型器件，也就是通过栅极电压的变化来控制源漏极电流大小；二者的工作原理是不同的，三极管是通过基极电流来控制集电极电流大小的，而场效应管是通过栅压改变导电沟道的宽度来控制电流的变化；•3.阻抗差别：三极管输入阻抗较低，在几百欧姆-几千欧姆之间，基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，阻抗不匹配时几乎不能工作；场效应管的输入阻抗极高，达到兆欧以上，MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，和三极管一样输出电阻也较高；•4.载流子差别：三极管有两种载流子参加导电，即少子与多子，属于双极性器件；场效应管只有一种载流子参加导电，属于单极性器件；•5.稳定性差别：三极管由于少子也参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差，故其噪声高，且制造复杂；场效应管由于其由多子导电，热稳定性较好，故噪声小；制造工艺简单，容易集成、功耗低、体积小、安全工作区域广；大规模、超大规模集成电路均大多由场效应管制作；•6.分类差别：晶体管按结构分PNP和NPN型两种；而场效应管种类就多了，按导电沟道分n型和p型，按原理结构分结型场效应管JFET和绝缘栅场效应管MOSFET，mos管又分增强型、耗尽型两种；•7.特性曲线差别：三极管特性曲线分截止区、放大区、饱和区、击穿区；场效应管分截止区、放大区、可变电阻区、击穿区，二者有对应关系；在特性曲线上均有输入、输出特性曲线；从电路分析计算，场效应管较三极管简单；三极管的转移特性（IC-Vbe）是按指数规律变化，场效应管的转移特性是按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管大；•8.放大能力：表征三极管放大能力的重要参数是电流放大倍数β，场效应管用跨导表示gm，其值较小，放大能力差，电压放大倍数小于三极管电路；•9.灵活性差别：三极管的发射极、集电极不能互换，否则β极低，不能正常工作，而场效应管对于一些特定条件的（衬底没有和源极连着一起），源极和漏极是可以互换的。

效应场管跟三极管嘿，朋友！今天咱们来聊聊效应场管和三极管，这俩家伙在电子世界里可都是有头有脸的角色。

先来说说效应场管吧，它就像是一位精细的调控大师。

你想想看，它能以极其精准的方式控制电流的流动，就如同一位优秀的交通警察，指挥着车辆（电流）有序地通行。

而且它的输入电阻那叫一个高，高到啥程度呢？简直就是一座难以逾越的高山，让干扰信号望而却步。

这意味着什么？意味着它能在复杂的电路环境中保持稳定，不被那些杂乱的信号所干扰，就像一个内心坚定的人，不会被外界的喧嚣所动摇。

再看看三极管，这家伙就像是一个力量强大的推动者。

它能放大电流和电压，把微弱的信号变得强大有力，好比把一颗小小的种子培育成参天大树。

三极管的应用那可是广泛得很呐，从简单的音频放大到复杂的通信系统，都有它的身影。

那这效应场管和三极管到底有啥不同呢？效应场管是电压控制型的，而三极管是电流控制型的。

这就好比一个是靠指挥棒来指挥，一个是靠缰绳来驾驭。

电压控制的效应场管功耗低，速度快，而电流控制的三极管呢，驱动能力强。

在实际应用中，要是你需要低功耗、高速的控制，那效应场管可能就是你的不二之选。

但要是你追求强大的驱动能力，那三极管或许更能满足你的需求。

比如说，在手机这种对功耗和速度要求很高的设备里，效应场管就大显身手啦。

而在一些需要强大功率输出的地方，像音响放大器，三极管就派上大用场了。

所以啊，了解效应场管和三极管的特点和区别，对于咱们搞电子电路的人来说，那可真是太重要啦！它们就像是我们手中的工具，只有熟悉它们的特性，才能在电路的世界里游刃有余，创造出各种各样神奇的作品。

朋友，你说是不是这个理儿？总之，效应场管和三极管各有千秋，我们要根据具体的需求来选择，让它们在电路中发挥出最大的作用。

如何辩别贴片三极管和场效应管1、中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。

将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。

其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。

但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b) 三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。

ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。

而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。

要求测得的电阻越大越好。

e-c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小;反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。

一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

(c) 测量放大能力(β)。

目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE 的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。

先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

另外:有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。

场效应管 与 三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。

三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。

场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。

场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。

电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。

就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。

1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。

普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。

场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。

在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。

值将减小很多。
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
总起来说，在设计场效应管电路时需要考虑的更多Байду номын сангаас比如由于其输入阻抗高，就必须要考虑电路的抗干扰性能，正是因为输入阻抗太高所以小小的一点干扰即可造成mos管的一个动作，还有就是场效应管无法做到像三极管那么高的电压，当然现在的三极管和场效应管复合型器件IGBT已经能做到很高的电压了，mos管由于其特性比较适合做开关用，在低功耗产品中比三极管有优势。
1．场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极E、基极B、集电极C，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。驱动能力强。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig>>0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大， b

其他2条回答
2008-08-07 19:40linzy58 | 十二级
这可都是基础啊！一口吃不成胖子，慢慢学吧！
最简单的区别就是:
三级管是电流控制型.
场效应管是电压控制型.
可控硅也称作晶闸管,有单向和双向之分.
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向
可控硅，场效应管，三极管的区别？
2008-08-07 10:37改变司令 | 分类：工程技术科学 | 浏览8652次 | 该问题已经合并到>>
可控硅，场效应管，三极管的区别？
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2008-08-07 12:34提问者采纳
场效应管 VS 三极管
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。

場效應管是場效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。

它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。

普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。

場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。

在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區別見下表。

場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。

在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。

而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。

場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。

由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。

場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。

場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。

1．場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。

2．場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。

3．場效應管柵極幾乎不取電流（ig?0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。

因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。

4．場效應管只有多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。

場效應管與三极管的區別：三极管是通過基极電流的變化來控制集電极電流的改變，是個電流控制元件。

場效應管工作時不需要從信號源汲取電流，是電壓控制元件，顯現出极高的輸入電阻。

主要應運於大規模集成電路中。

場效應管有兩种類型：(1) 結型場效應管(2) 絕緣柵型場效應管，又稱ＭＯＳ管它的三個工作區：可變電阻區恆流區夾斷區：當柵極電壓ＵGS＜ＵGSOFF之後導電溝道被夾斷，這時漏极電流Ｉd=0三极管分類：NPN型PNP型它的三個工作區:截止區：Ｉ=0Ｕbe＜0ｖＣ-Ｅ极間相當於開路飽和區：Ｉc不再隨Ｉb增加而增加;NPN：Ｖb＞Ｖc＞ＶeＣ—Ｅ相當於開關接通所以常利用三极管作電路中的開關，接通（飽和）斷開（截止）放大區：處在截止與飽和之間主要系數參數：1.電流放大系數β通常使用：β值為20～100大功率：β值較低為20～30β值太小電流放大作用差,β值過高100時管子性能受環境溫度影響大，性能不穩定，所以β值過高過低都不合用。

2.穿透電流ＩCEOＩCEO過大，管子性能下降，溫度升高時，ＩCEO也增大3.极限參數✧集電极最大允許電流Ｉcm，Ｉc過大β值下降✧ＵCE＞ＵBRCE，Ｉc增加表明管子已被擊穿✧集電极最大允許耗散功率Ｐcm。

一般硅管最高允許溫度為150℃，鍺管最高溫度為70℃集成運算放大器的主要技術指標：✧開環差模電壓放大倍數ＡOD是運放在沒有引入反饋情況下所具有的差模放大倍數。

ＡOD般均在100dB，性能較好的集成運放可140dB。

✧共模抑制比K CMR集成運放的K CMR一般在100dB左右。

✧輸入失調電壓ＵIO是指靜態時，為使輸出電壓為零需要在輸入端加的差值電壓（實際工作時，是通過運放外接調零電位器將輸出電壓調為零）。

ＵIO的大小反映運放內部線路對稱性的程度。

✧輸入失調電壓的溫漂d UIo/Dt指在規定的環境溫度範圍內，溫度每變化一度引起輸入失調電壓的變化值。

通常要求d UIo/Dt越小越好。

✧輸入失調電流Ｉio映集成運放輸入級輸入電流不對稱的程度。