LED筒灯生产工艺流程图(1)

灯具组装工序检验项目 (例)
工序号 工序名称 开线 检验项目（要求） 1.线体型号规格、颜色正确； 2.剥切线长度合适，不得过长或过短； 3.剥切过程中不得将内部铜线剥断； 4.剥切头一端必须有充分焊锡。 1.灯管型号正确，接线线体与功率相配，接线正确； 2.外观整洁良好，无破损或残缺； 3.线的长度合适，不得过长或过短； 1.切割面磨修平整，不得有毛刺； 4 装灯管固定板 自检/巡检 1.出线孔型号规格正确，大小合适，颜色与灯体一 致； 2. 自检/巡检 出线圈与灯体之间应放密封圈，螺口拧紧以防漏水。 3.出线密封件均从外向内安装（紧贴铸件外表面）。 1.密封条应与灯体槽口大小、深浅一致； 检验方式 自检/巡检 责任人 操作工/ 检验员
自检/巡检
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自检/巡检
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自检/巡检
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包装
1.包装箱内不得漏装合格证、说明书等随产品同行材 料 2.纸箱外观字符印刷正确清晰，无重印、错印等不 良； 3.纸箱无破损、折断现象； 4.产品型号规格、数量等信息标识正确，并于整批成 品处标识具体信息； 自检/巡检 5.打包带与包装箱结合松紧合适，接头处牢固不脱 落； 6.包装箱堆码合理，不得超过规定层数； 7.对置于周转区的成品，包装箱不得直接接触地面， 并做好防潮、防尘等防护措施。
பைடு நூலகம்
操作工/ 检验员
操作工/ 检验员
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装整流器
自检/巡检
操作工/ 检验员
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装泛光器
自检/巡检
操作工/ 检验员 操作工/ 检验员 操作工/ 检验员 操作工/ 检验员 操作工/ 检验员
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装光源
自检/巡检
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1.检查接线正确无误； 测试光源电器 2.接通电源后，目测光源的亮度一致性、稳定，数分 性能 钟后无异常现象。 1.玻璃规格符合客户要求； 装玻璃、面框 2.表面无划痕、指纹、灰尘或其他表面不良； 、后盖 3.表面不得有涂层缺陷； 检验 1.表面不得有灰尘、油污、涂层不良等缺陷； 2.零件型号正确无误；

LED衬底材料制作--研磨和蚀刻
晶面研磨
通以特定粒度及粘性的研磨液，加 外研磨盘的公转和自转，达到均匀 磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤 等不均匀表面。
晶片蚀刻
蚀刻的目的在于除去先前各步机械 加工所造成的损伤，同时获得干净 且光亮的表面，刻蚀化学作用可区 分为酸性及碱性反应。
晶片研磨机
LED衬底材料制作--退火与抛光
按着淀积过程中发生化学的种类不同可以分为热解法 、氧化法、还原法、水解法、混合反应等。
LED外延制作--CVD的优缺点
CVD制备的薄膜最大的特点是致密性好、高效率、良好的台阶 覆、孔盖能力、可以实现厚膜淀积、以及相对的低成本；
缺点是淀积过程容易对薄膜表面形成污染、对环境的污染等 常压CVD（APCVD）的特点是不需要很好的真空度、淀积速度
蓝宝石衬底紫外LED
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底白光LED
LED生产工艺流程
所举例子只是一种LED制作工艺， 不同的厂家都有自己独到的一套制作工 艺，各厂家所使用的设备都可能不一样 ，各道工序的作业方式、化学配方等也 不一样，甚至不同的厂家其各道制作工 序都有可能是互相颠倒的。
但是万变不离其宗，其主要的思想 都是一样的：外延片的生长（PN结的 形成）---电极的制作（有金电极，铝电 极，并形成欧姆接触）---封装。
LED外延制作--液相外延的缺点
当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ长发生困难。
由于生长速率较快，难以得到纳米厚度 的外延材料。
外延层的表面形貌一般不如汽相外延的 好。
LED外延制作液相外延的生长原理
LED外延制作
液相外延示意图
LED外延制作
实 际 液 相 外 延 设 备

led灯具生产工艺流程
LED灯具生产工艺流程包括以下几个主要步骤：
1. 光源切片：将LED晶片通过切割机进行切片，将其切成标准的大小。

2. 芯片安装：将切好的晶片通过贴片机贴在电路板上，形成LED 灯珠。

3. 焊接连接：使用自动焊接机将LED灯珠与电池、电容器、电阻等元器件相连接，形成电路。

4. 壳体制作：根据设计图样，将金属或塑料材料加工成灯具壳体。

5. 组装调试：将灯具壳体和电路板进行组装，并进行电路测试和灯组亮度等参数的调试。

6. 灯具包装：使用适当的包装材料对灯具进行包装，标贴上产品名称、型号、规格等信息。

以上就是LED灯具生产的主要流程。

当然，不同厂家的生产工艺可能略有不同。

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一、wafer的减薄过程
Wafer的厚度测量
所用仪器：千分表（单位：um）
测量方法： 1、擦干净陶瓷盘； 2、将陶瓷盘放在千分表的大理石上； 3、移动陶瓷盘，千分表表头接触陶瓷盘 面，归零，找到陶瓷盘的零点位置； 4、将千分表表头接触wafer背表面，读出 的数值即为wafer的厚度。
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一、wafer的减薄过程
液
酮
醇
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关于研磨抛光破片的几种原因
应力：单位面积上所承受的附加内力，即 材料在受到外力作用，不能位移就会产生 形变，材料内部会产生并聚集抵抗形变的 内力，我们可以理解某点的应力为该点内 力的聚集度。
特点：材料上受到任何的力，热等其他外 在作用力时均会产生应力，晶片研磨后下 蜡出现翘曲即是应力快速释放的结果。
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应力和划痕是破片的主要原因
背面
研磨过程产生应力
的方向
正面
背面
抛光过程产生应力
正面
的方向
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应力和划痕是破片的主要原因
保证晶片没有翘曲即是应力相互抵消，通过控制研磨和抛 光的厚度可以适当的减小晶片的应力，但如果本身晶片的 积累的应力过大，研磨和抛光的作用就不太明显。
研磨不抛光的碎
裂层
研磨后抛光5um 研磨后抛光15um
将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀7min
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去光阻
N区P区均显露出来，为下步蒸镀电极做准备
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ITO熔合
熔合目的：
主要使ITO材料更加密实，透光率增加，降 低电压，使ITO层与GaN衬底形成良好的欧 姆接触。
熔合条件：
温度：500℃，10min
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N/P电极光罩作业
采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液 去掉，留下电极蒸镀区域。