下载文档原格式
芯片封装原理及分类1.芯片封装原理芯片封装是指将微电子器件（包括集成电路、晶体管等）连接到封装基座上的工艺过程。
其原理是将芯片导线通过焊接或焊球连接到封装基座上的金属脚，然后采用封装材料将芯片进行封装。
这样可以保护芯片免受外界环境的影响，并且提供了芯片与外部世界之间的连接接口。
2.芯片封装分类（1）DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早的一种芯片封装方式，其特点是通过两排金属脚与外部电路连接。
这种封装方式成本低、可焊接，但体积大，适用于较低密度的集成电路。
（2）SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是DIP封装的改进版，其特点是脚距更近，体积更小，适用于较高密度的集成电路。
SOP封装有多种形式，如SOIC（Small Outline Integrated Circuit）、TSOP（Thin Small Outline Package）等。
（3）QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装是一种表面贴装封装方式，其特点是四个侧面都带有金属端子，适用于较高密度、中等规模的集成电路。
QFP封装有多种形式，如TQFP（Thin Quad Flat Package）、LQFP（Low-profile Quad Flat Package）等。
（4）BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种表面贴装封装方式，在封装基座上布置了一定数量的焊球来实现与外部电路的连接。
BGA封装的特点是密封性好、性能稳定，并且适用于超高密度的集成电路。
BGA封装有多种形式，如CABGA （Ceramic Ball Grid Array）、TBGA（Thin Ball Grid Array）等。
（5）CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种紧凑型封装方式，其特点是尺寸和芯片相似，在封装基座上布置了少量焊球或焊盘。
CSP封装的优势在于占据空间小、重量轻、功耗低，并且适用于高密度的集成电路。
芯片封装介绍范文芯片封装是一种将芯片器件封装在外部包装中的技术过程。
它起到保护芯片免受外界环境影响的作用，同时也为芯片与外部世界进行连接提供了可能。
芯片封装可分为多种形式，如塑封、球栅阵列封装（BGA）、无引线封装（QFN）等。
早期的芯片封装主要采用塑封封装。
塑封封装通过将芯片与塑料基片进行固定连接，然后使用塑料材料进行封装。
塑封封装方式简单、成本较低，适用于低功耗芯片，如逻辑芯片和存储器芯片。
然而，随着集成度的不断提高和功耗的增加，塑封封装的局限性也逐渐暴露出来，如散热不佳、引脚容易受损等。
为解决塑封封装的问题，球栅阵列封装（BGA）应运而生。
BGA封装采用无引线设计，通过在底部安装一个由球形焊球组成的阵列，与印刷电路板焊接在一起。
相较于塑封封装，BGA封装具有更好的热性能和导热性能，能够更好地满足高密度与高功率芯片的需求。
此外，BGA封装的焊点可靠性也较高，能够适应复杂环境和振动应力。
因此，BGA封装逐渐成为高性能芯片封装的主流技术。
除了BGA封装之外，无引线封装（QFN）也是一种常见的芯片封装形式。
与BGA封装类似，QFN封装也采用无引线设计，通过焊接芯片与印刷电路板的底部金属接触面相连接。
与BGA封装相比，QFN封装在尺寸上更加紧凑，适用于小型化和轻量化的应用，如移动设备和无线通信模块。
此外，QFN封装还具有低成本、良好的导热性能和可靠性等优势。
除了上述封装形式，另外还有多种芯片封装技术，如多芯片模块（MCM）、3D封装等。
多芯片模块将多个芯片集成在一个封装中，以实现更高的功能集成和性能。
3D封装则是将多个芯片堆叠在一起，通过垂直连接实现信号传输和功耗管理。
这些封装形式在高端应用领域得到广泛应用，如服务器、网络设备和高性能计算机等。
总之，芯片封装是将芯片器件封装在外部包装中的技术过程，它为芯片提供了物理保护和外部连接的功能。
在不同类型的封装中，塑封封装适用于低功耗芯片，BGA和QFN封装适用于高性能芯片，而MCM和3D封装则适用于高度集成和功能复杂的芯片。
先进芯片封装知识介绍芯片封装是将半导体芯片封装成具有特定功能和形状的封装组件的过程。
芯片封装在实际应用中起着至关重要的作用，它不仅保护芯片免受外部环境的干扰和损害，同时也为芯片提供了良好的导热特性和机械强度。
本文将介绍先进芯片封装的知识，包括封装技术、封装材料和封装工艺等方面。
一、芯片封装技术芯片封装技术主要包括无引线封装（Wafer-Level Package，简称WLP）、翻装封装（Flip-Chip Package，简称FCP）和探针封装（Probe Card Package，简称PCP）等。
1.无引线封装（WLP）：无引线封装是在芯片表面直接封装焊盘，实现对芯片进行封装和连接。
它可以使芯片的封装密度更高，并且具有优秀的热传导和电性能。
无引线封装技术广泛应用于移动设备和无线通信领域。
2.翻装封装（FCP）：翻装封装是将芯片颠倒翻转后通过导电焊球连接到基板上的封装技术。
它可以提供更好的电路性能和更高的封装密度，适用于高性能芯片的封装。
3.探针封装（PCP）：探针封装是通过探针头将芯片连接到测试设备进行测试和封装的技术。
它可以快速进行芯片测试和封装，适用于小批量和多品种的芯片生产。
二、芯片封装材料芯片封装材料是指用于封装过程中的材料，包括基板、封装胶料和焊盘等。
1.基板：基板是芯片封装的重要组成部分，主要用于支撑和连接芯片和其他封装组件。
常用的基板材料包括陶瓷基板、有机基板和金属基板等。
2.封装胶料：封装胶料用于固定和保护芯片，防止芯片受损。
常见的封装胶料包括环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等。
3.焊盘：焊盘是连接芯片和基板的关键部分，用于传递信号和电力。
常见的焊盘材料包括无铅焊料、焊接球和金属焊点等。
三、芯片封装工艺芯片封装工艺是指在封装过程中实施的一系列工艺步骤，主要包括胶黏、焊接和封装等。
1.胶黏：胶黏是将芯片和其他封装组件固定在基板上的工艺步骤。
它通常使用封装胶料将芯片和基板粘接在一起，并通过加热或压力处理来保证粘结的强度。
常见芯片封装的类型介绍芯片封装是指将芯片与外部环境隔离，保护芯片并为其提供连接电路的过程。
它把芯片放在一个封装材料中，通常是塑料或陶瓷，并通过引脚或接口与其他电子元件或系统连接。
根据封装形式的不同，常见的芯片封装类型可以分为以下几类。
1. DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早也是最常见的芯片封装类型之一、DIP芯片封装的引脚排列成双排直线，并通过插座与电路板连接。
DIP封装适用于许多低功耗和小尺寸的集成电路，如运算放大器、逻辑门、存储器等。
2. QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装在DIP的基础上进行了改进和创新，使得芯片引脚的数量更多，且致密度更高。
QFP封装的引脚排列成四个直角，并且可以铺贴在电路板的表面上。
QFP封装常用于高密度的集成电路，如微处理器、存储器和信号处理器等。
3. BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种先进的封装技术，尤其适用于高密度、高速度和高功率的集成电路。
BGA芯片封装将芯片引脚替换为在芯片底部的焊球，通过这些焊球与电路板上的焊盘相连接。
BGA封装具有良好的散热性能和良好的电气特性，因此广泛应用于微处理器、图形芯片和FPGA等。
4. CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种尺寸与芯片尺寸相近或稍大，并适合高密度集成电路的封装形式。
CSP封装通常比BGA封装更小，可以实现极高的引脚密度，从而提高系统的可靠性和性能。
CSP封装常用于移动设备、智能卡、传感器等领域。
5. SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是一种小型、表面安装的封装形式，非常适用于密度较低的电子元件。
SOP封装通常有两个版本：SOP和SSOP。
SOP封装引脚间距较大，而SSOP封装的引脚间距更小，更适合于有限的PCB空间和高密度的应用场景。
SOP封装广泛用于晶体管、逻辑门和模拟转换器等。
芯片的封装方式
芯片的封装方式是指将芯片组合在一起并进行保护的方法。
芯片是一种非常小的电子器件，通常是几毫米的正方形或矩形，用于存储或处理数据等。
封装方式的选择取决于芯片的用途、成本和尺寸等因素。
芯片封装方式可以分为以下几类：
1. DIP封装：DIP封装是最古老的封装方式之一，是通过将芯片插入一个双排针脚插座来实现的。
这种封装方式容易制造，但不适用于高密度集成电路。
2. QFP封装：QFP封装是一种较新的封装方式，它采用了表面贴装技术。
这种封装方式具有高密度、小尺寸和易制造等优点，常用于高端计算机、通信和消费电子产品。
3. BGA封装：BGA封装是一种最新的封装方式，它通过将芯片焊接到一个具有多个球形焊点的基板上来实现。
这种封装方式具有高速传输、低噪声、低功耗和可靠性等优点，常用于微处理器、图像传感器和高速通信芯片等。
4. CSP封装：CSP封装是一种非常小型的封装方式，通常用于移动设备和便携式电子产品。
这种封装方式具有小尺寸、低功耗和高可靠性等优点，但也存在生产成本高和焊接难度大等缺点。
总之，芯片的封装方式在电子工业中起着至关重要的作用，无论是传统的DIP封装还是现代的BGA封装和CSP封装都有着各自的优缺点。
因此，在选择封装方式时应考虑到产品的实际需求，以达到最佳
的性价比和性能。
芯⽚封装⼤全（图⽂全解）芯⽚封装⼤全集锦详细介绍⼀、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采⽤双列直插形式封装的集成电路芯⽚，绝⼤多数中⼩规模集成电路(IC)均采⽤这种封装形式，其引脚数⼀般不超过100个。
采⽤DI P封装的CPU芯⽚有两排引脚，需要插⼊到具有DIP结构的芯⽚插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和⼏何排列的电路板上进⾏焊接。
DIP封装的芯⽚在从芯⽚插座上插拔时应特别⼩⼼，以免损坏引脚。
DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接，操作⽅便。
2.芯⽚⾯积与封装⾯积之间的⽐值较⼤，故体积也较⼤。
Intel系列CPU中8088就采⽤这种封装形式，缓存(Cache )和早期的内存芯⽚也是这种封装形式。
⼆、QFP塑料⽅型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯⽚引脚之间距离很⼩，管脚很细，⼀般⼤规模或超⼤型集成电路都采⽤这种封装形式，其引脚数⼀般在100个以上。
⽤这种形式封装的芯⽚必须采⽤SMD（表⾯安装设备技术）将芯⽚与主板焊接起来。
采⽤S MD安装的芯⽚不必在主板上打孔，⼀般在主板表⾯上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯⽚各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。
⽤这种⽅法焊上去的芯⽚，如果不⽤专⽤⼯具是很难拆卸下来的。
PFP（Plastic Flat Package）⽅式封装的芯⽚与QFP⽅式基本相同。
唯⼀的区别是QFP⼀般为正⽅形，⽽PFP既可以是正⽅形，也可以是长⽅形。
QFP/PFP封装具有以下特点：1.适⽤于SMD表⾯安装技术在P CB电路板上安装布线。
2.适合⾼频使⽤。
3.操作⽅便，可靠性⾼。
4.芯⽚⾯积与封装⾯积之间的⽐值较⼩。
Intel系列CPU中80286 、80386和某些486主板采⽤这种封装形式。
三、PGA插针⽹格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯⽚封装形式在芯⽚的内外有多个⽅阵形的插针，每个⽅阵形插针沿芯⽚的四周间隔⼀定距离排列。
芯片的封装形式芯片的封装形式是指将芯片组件封装在外壳中，以保护芯片并便于安装和使用。
芯片的封装形式有多种类型，每种封装形式都有其特点和适应的应用领域。
下面将介绍几种常见的芯片封装形式。
1. DIP封装（Dual In-line Package）：DIP封装是最早使用的一种芯片封装形式。
它的特点是引脚以两列直线排列在芯片的两侧，容易焊接和插拔。
DIP封装广泛应用于电子产品中，如电视机、音响等。
2. QFP封装（Quad Flat Package）：QFP封装是一种表面贴装技术（SMT）的封装形式，是DIP封装的一种改进。
QFP封装将引脚排列在芯片的四边，并且引脚密度更高，能够容纳更多的引脚。
QFP封装适用于集成度较高的芯片，如微处理器、FPGA等。
3. BGA封装（Ball Grid Array）：BGA封装是一种表面贴装技术的封装形式，与QFP封装类似，但是引脚不再直接暴露在外，而是通过小球连接到印刷电路板上。
BGA封装具有高密度、小体积和良好的电气性能等优点，广泛应用于高性能计算机、通信设备等领域。
4. CSP封装（Chip Scale Package）：CSP封装是一种尺寸与芯片近似的封装形式，将芯片直接封装在小型外壳中。
CSP封装具有体积小、重量轻和引脚密度高的特点，适用于移动设备、无线通信和消费电子产品等领域。
5. COB封装（Chip On Board）：COB封装是将芯片直接焊接在印刷电路板上的一种封装形式，是一种简化的封装方式。
COB封装具有体积小、可靠性高和成本低的特点，在一些低成本产品中得到广泛应用，如LED显示屏、电子称等。
除了以上几种常见的芯片封装形式，还有一些特殊封装形式，如CSP/BGA混合封装、QFN封装（Quad Flat No-leads）等。
这些封装形式的出现主要是为了应对芯片不断增加的功能需求和尺寸要求。
总的来说，芯片封装形式的选择取决于芯片的功能、尺寸和应用环境等因素。
芯片常用封装芯片常用封装是指对芯片进行包装和封装的一种技术，它可以保护芯片，提高芯片的可靠性和稳定性，并方便芯片的使用和安装。
芯片常用封装形式主要有晶圆级封装和后封装两种。
1. 晶圆级封装晶圆级封装是指将芯片直接封装在晶圆上。
这种封装方式具有高度集成、高密度、高性价比等优点。
晶圆级封装主要有以下几种形式。
(1) 裸芯封装：将芯片直接封装在晶圆上，没有任何其他材料进行封装。
这种封装方式适用于一些对成本要求较高、不需要对芯片进行保护的应用场景。
(2) 热压封装：将芯片通过热压工艺与晶圆封装。
这种封装方式可以提高芯片的可靠性和热导性能。
(3) 胶粘封装：将芯片封装在晶圆上，并使用胶粘剂进行固定。
这种封装方式可以提高芯片的抗震性和抗振动性能。
(4) 焊接封装：将芯片封装在晶圆上，并通过焊接工艺进行连接。
这种封装方式可以提高芯片的可靠性和连接性能。
2. 后封装后封装是指将已经完成芯片制造的芯片进行封装。
这种封装方式可以根据不同的应用需求选择不同的封装形式。
(1) DIP封装：DIP封装是一种早期的常用封装形式，它可以直接插入到电路板上。
DIP封装具有安装方便、维修性好等优点，但是不适用于集成度高的芯片。
(2) BGA封装：BGA封装是一种较新的封装技术，它将芯片通过球形焊盘进行连接。
BGA封装具有高集成度、高密度、高可靠性等优点，适用于高性能芯片的封装。
(3) QFP封装：QFP封装是一种表面贴装封装技术，它将芯片通过引脚焊接到电路板上。
QFP封装具有体积小、重量轻、适用于高速信号传输等优点，适用于一些对体积要求较小的应用场景。
(4) CSP封装：CSP封装是一种超小型封装技术，它将芯片直接封装在引脚上。
CSP封装具有体积小、能耗低、适用于高光性能等优点，适用于一些对体积和能耗要求较高的应用场景。
综上所述，芯片常用封装形式有晶圆级封装和后封装两种，各有不同的优点和适用场景。
在选择封装形式时，需要根据芯片的性能要求、应用场景和成本等因素进行综合考虑选择。
芯片常见的封装方式芯片是现代电子技术的基石，它们被广泛应用于各种设备中。
然而，芯片制造并不是一件容易的事情，需要经过多个步骤，其中一个重要的步骤就是芯片封装。
芯片封装是将芯片包裹在一个外壳中，以保护芯片并方便使用。
本文将介绍芯片常见的封装方式。
一、DIP封装DIP封装是最早的芯片封装方式之一，DIP全称为Dual In-line Package，即双列直插封装。
DIP封装最大的特点是封装简单、易于制造，但它的封装密度低，只能封装少量的芯片引脚。
DIP 封装通常用于一些低端的芯片或模拟电路。
二、SOP封装SOP封装是Small Outline Package的缩写，即小外形封装。
SOP封装是DIP封装的升级版，它的封装密度比DIP更高，可以封装更多的芯片引脚。
SOP封装通常用于一些中端的芯片，如微控制器、存储器等。
三、QFP封装QFP封装是Quad Flat Package的缩写，即四面扁平封装。
QFP 封装的引脚排列呈矩形，四面扁平，与芯片本身平行。
QFP封装的引脚密度很高，可以封装数百个引脚，因此QFP封装通常用于高端的芯片，如DSP、FPGA等。
四、BGA封装BGA封装是Ball Grid Array的缩写，即球栅阵列封装。
BGA封装是一种新型的芯片封装方式，它的引脚不再是直插式，而是通过一些小球连接到芯片的表面。
BGA封装的引脚密度非常高，可以封装数千个引脚。
BGA封装的优点是封装密度高、信号传输速度快、散热效果好，因此BGA封装通常用于高性能的芯片，如CPU、GPU 等。
五、CSP封装CSP封装是Chip Scale Package的缩写，即芯片尺寸封装。
CSP封装是一种非常小型化的芯片封装方式，它的封装尺寸与芯片本身相当，因此可以将芯片封装得非常小。
CSP封装的优点是封装尺寸小、引脚密度高、信号传输速度快，因此CSP封装通常用于移动设备、智能卡等小型化的设备。
综上所述，芯片封装是芯片制造过程中非常重要的一环，不同的封装方式适用于不同的芯片。
芯片常见的封装方式随着电子科技的发展，芯片技术也在不断地进步和发展。
芯片是电子产品中最关键的部件之一，它的封装方式直接影响到芯片的性能和应用范围。
在现代电子领域中，芯片封装的种类繁多，本文将介绍常见的芯片封装方式。
一、DIP封装DIP (Dual In-line Package)是芯片封装中最常见的一种类型。
DIP封装是一种双行直插式封装，它的引脚排列在两排中间，每排有一些引脚。
DIP封装的优点是结构简单，容易制造，成本低廉，同时也容易进行手工焊接。
但是，由于DIP封装引脚的间距较大，其封装体积较大，不适合在高密度电路板上使用。
二、QFP封装QFP (Quad Flat Package)是一种方形封装，它的引脚排列在四个边上。
QFP封装可以分为LQFP (Low-profile Quad Flat Package)和TQFP (Thin Quad Flat Package)两种类型。
QFP封装的优点是体积小，引脚数量多，适用于高密度电路板。
但是，QFP封装的制造工艺较为复杂，成本较高，同时也不适合手工焊接。
三、BGA封装BGA (Ball Grid Array)是一种球形网格阵列封装。
BGA封装的引脚是由许多小球组成，它们排列在芯片的底部。
BGA封装的优点是引脚数量多，封装体积小，适用于高密度电路板，同时也具有良好的散热性能。
但是，BGA封装的制造工艺极为复杂，需要高精度的制造设备和技术，因此成本较高。
四、CSP封装CSP (Chip Scale Package)是一种芯片级封装，也称为芯片级封装。
CSP封装的特点是封装体积非常小，几乎与芯片本身大小相同。
CSP封装的优点是封装体积小，引脚数量少，适用于高密度电路板，同时也具有良好的散热性能。
但是，CSP封装的制造工艺非常复杂，需要高精度的制造设备和技术，因此成本非常高。
五、COB封装COB (Chip-on-Board)是一种将芯片直接贴在电路板上的封装方式。
1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。
在japon，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。
带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。
散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～2W 的功率。
但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。
引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。
引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。
此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
9、DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。
是SOP 的别称(见SOP)。
以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).11、DIL(dual in-line)DIP 的别称(见DIP)。
欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。
另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。
SOP 的别称(见SOP)。
部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrier package)双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。
另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。
在japon，按照EIAJ(japon 电子机械工业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)同上。
japon电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)扁平封装。
表面贴装型封装之一。
QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。
部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。
是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。
因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。
通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
部分导导体厂家采用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。
塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。
这种封装在美国Motorola 公司已批量生产。
引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)表示带散热器的标记。
例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)表面贴装型PGA。
通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。
表面贴装型PGA 在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。
因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。
封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。
部分半导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
装配时插入插座即可。
现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI 电路。
LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。
另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI 是很适用的。
但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。
LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。
指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是japon电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
28、L－QUAD陶瓷QFP 之一。
封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。
是为逻辑LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。
现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。
MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。
布线密度不怎么高，成本较低。
MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。
两者无明显差别。
布线密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)小形扁平封装。
塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。
部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。
指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。
基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。
在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。
