变频器原理图讲解

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系 列 原 理

一. 机型简介

整个30X 系列包括以下几个类型,同功率的机型在硬件上的区别就是控制板的 功能上有优化,驱动板都是相同的。不同功率段的硬件设计模式上, 15KW 以下 包括15KW 采取驱动板带整流桥+单管IGBT+DSP 板的模式,30KW~45KW 采用 可控硅+驱动板45DRV 不带整流部分+IGNT 模块+DSP 板的模式,55KW~75KW 采用可控硅+驱动板55POWER 不带整流部分+55DRV+IGNT 模块+DSP 板的模 式,90KW 以上的结构和55KW 不同之处在于55DRV 不同。

二. 系统框图

三. 4KW 驱动板

驱动板按功率段分,15KW 以下的驱动板模式和18.5KW 以上驱动板模式。这里 主要以4KW 小功率机型和45KW 大功率机型为例讲解。先以4KW 为例进行介 绍。 驱动板主要包括整流滤波+软启动+开关电源+电源指示灯+UVW 电流检测 +PWM 光耦隔离+电平转换+故障保护电路+母线电压检测,下面分别介绍:

3.1软启动+母线电压检测

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1 1 匚:「•斗 | f — I - 1 1

丄问f 丄 匸丄 ; 亠 £・「 | .—— i L L R 石丄^ J ——■ 左图母线电压检测是变压器副边输出经过电阻分压后 Ude 信号给DSP 标准是母 线电压为53DVWPdS=150V 右图为软启动电路,刚通电瞬间电容相当于短路,母 ,到

电容充好电后通过继电器将琴R 92短 400V 继电器动作.右图中还有电源指示灯电路通过

*

3.2开关电源

单端反激式开关电源由反激式变压器 +UC3844电源控制芯片+MOS 管,单端反 激工作原理:

MOS 管导通,母线电压加在变压器原边线圈,副边线圈为上负下正,二极管反向,副 边绕组没有电流;MOS 管截止,副边线圈为上正下负,绕组中储存的能量向负载释 放.根据IN=I'N',在MOS 管导通期间储存的能量在截止期间有多少释放,取决于 截止时间.

UC3844电源管理器主要是控制 MOS 管的脉冲占空比,根据IF ,VF ,+15V 三 个反馈信号调整输出脉冲占空比,IF>1v,VF>15V,+15V>15V,三种情况下都会自动 调节标准是+15V 误差为土 0.02V ;

电感的作用,滤除占波开关电流中的脉动成份。从滤波效果看,电感量越大, 效果越明显;但电感过大,会使滤波器的电磁时间常数变大, 使输出电压对占空

线电流很大-•,通过电阻■ R9 路,这里设定的是母线电压为• 电阻分压方式设计. I — -■ ] IM 川黒

92限流来消耗能量

zr I

比变化的响应速度变慢。L=(1-D)*T*Uo/(lmax-lmin),过度时间

Tr=L(lmax-lmi n)/Uo(D2/D1-1),D2 为负载改变后的占空比;

3.3电流检测

出刊比_ _

■■■

此图CH1监视labs ,CH2监视Iw 。

3.3保护电路

电流检测保护电路,检测labs>hoc 故障电压2.52V 时跳HOC 瞬时过流故

障,labs>sc 故障电压2.62V 时跳SC 驱动故障。 频率检测包括输入频率检测和输出频率检测,输入检测通过检测三相整流后 光藕关断时间测试是否输入缺相;输出检测 V 和W 两相间时序。

3.4IGBT 驱动

两个稳压二极管防止门极输入电压过大损坏器件,IGBT 内置续流二极管,关 键是门极电阻的选择合适,使的充放电完成。见下右图所示:

充电和放电特性要达到平稳,右图虚线为充放电没有完成。

四. 45DRV 驱动板

18.5KW 以上的机器把功率器件分开来做,整流采用可控硅 +KKG 板控制,风扇 控制采用专门的电源板驱动,软启动采用二极管 +电阻串接在R 和P 之间,在可 控硅没有动作前形成回路给电容充电,逆变部分采用光耦加 IGBT 模块方式。以 45KW 为例介绍:主要介绍与4KW 有区别的地方。

Jtzi _____

I a p __X — 1+ * --------- < 可立丘 I U9A 为半波整流,U9B 为反相求和,U6C 为反相输出跟随器;全波整流负极性输出 电路如下图分析

IT Eui

Ui>0,a<0,D1 导通,D2 截止,Uo=-Ui ;

Ui<0,a>0,D1截止,D2导通,流过c 点电流等于la 流过R71电流和b 点电流流过 R52电流之和,R52=R71/2,且方 NM»

相反,Uo=Ui; 我们检测的电流是la,lb,lc=(la+lb),则C 点信号就是两个大小方向相反IC 信 ,,, ,,亠” , —S ------ 1

丄 z — 占厶 AA T-t_L 丄Lt 丄r . L I TA ..

的绝对值相加。

4ME2I

巫 gmiHw; ICTFTiE

J M 1. EHWni A i. 112 J -5.11 U

4.1电源

开关电源部分不直接提供IGBT的驱动电源,而是另外采用变压器隔离的方式。利用555电路组成施密特触发电路,上电

通过电阻R3和R2给电容C2 充电,输出为

高电平;当输入>2VCC/3 输出为低电平,

电容C2通过R1放电,直到电容电压降到

VCC/3 ;这样周期运转,输出方波。

KKG板驱动电源也是采用555电路组成施密

4.2KKG驱动板

特电路产生方波,再用六个变压器隔离驱动六路可控硅。

4.3电流检测

18.5KW以上都是采用霍尔检测元件检测电流,牛粒* L奈例如检测电流

0~100A的霍尔对应输出0~4V, f 需

利用运放跟随电路,采用电阻分压确定:

不同功率机器的最大电流对应输出电压一定。牛

Ui=Uh*(R105+R123+R124)/(R104+R105+R123±R12) S

4.4IGBT 驱动

采用HCPL-316J驱动芯片,使IGBT工作在饱和导通和截止区,主要作为开关器件。

316J具有驱动+欠压保护+过流保护:驱动电压<12V输出故障信号,输入驱动信号锁定,316J输出低电平;IGBT短路出现过流信号即脚14检测到IGBT集电极上电压=7V,输出故障信号,锁定输入驱动信号,316J输出低电平。故障延迟输出时间Tus=C*U/l=Cpf*7V/250uA.

五.控制板

5.1电源部分

控制板电源分给24V应用端子电源,3.3VDSP数字电源和3.3V模拟电源,

1.8VDSP程序电源,5V转换电路电源,5V键盘电源,10V模拟输入用电源, AD校验用3V基准电源和1V/2V反馈电源.重点讨论并联和串联线性电源:1并联型:TL431的8脚和地电压为内部稳压为

2.5V