TFT-LCD面板玻璃减薄工艺流程及不良简介

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TFT-LCD工艺流程讲解学习第二章TFT显示器的制造工艺流程和工艺环境要求第一节阵列段流程一、主要工艺流程和工艺制程（一）工艺流程（二）工艺制程1、成膜：PVD、CVD2、光刻：涂胶、图形曝光、显影3、刻蚀：湿刻、干刻4、脱膜二、辅助工艺制程1、清洗2、打标及边缘曝光3、AOI4、Mic、Mac观测5、成膜性能检测（RS meter、Profile、RE/SE/FTIR）6、O/S电测7、TEG电测8、阵列电测9、激光修补三、返工工艺流程PR返工Film返工四、阵列段完整工艺流程五、设备维护及工艺状态监控工艺流程Dummy Glass的用途Dummy Glass的流程第二节制盒段流程取向及PI返工流程制盒及Spacer Spray返工流程切割、电测、磨边贴偏光片及脱泡、返工第三节模块段流程激光切线、电测COG邦定、FPC邦定、电测装配、电测加电老化包装出货TFT 显示器的生产可以分成四个工序段：CF 、TFT 、Cell 、Module 。

其相互关系见下图：阵列段是从投入白玻璃基板，到基板上电气电路制作完成。

具体见下图：CF工序是从投入白玻璃基板，到黑矩阵、三基色及ITO制作完成。

具体见下图：Cell工序是从将TFT基板和CF基板作定向处理后对贴成盒，到切割成单粒后贴上片光片。

具体见下图：Module工序是从LCD屏开始到驱动电路制作完成，形成一个显示模块。

具体示意图如下：在以下的各节中，我们将逐一介绍TFT、Cell、Module的工艺制程。

由于天马公司现在没有规划CF 工厂，所以CF的工艺流程在此不作详细介绍。

第一节阵列段流程一、主要工艺流程和工艺制程（一）工艺流程上海天马采用背沟道刻蚀型（BCE）TFT显示象素的结构。

具体结构见下图：C'Storage capacitorITO pixel electrodeCros-s ection -C’a-Si TFTSelect lineData line对背沟道刻蚀型TFT结构的阵列面板，根据需要制作的膜层的先后顺序和各层膜间的相互关系，其主要工艺流程可以分为5个步骤（5次光照）：第一步栅极（Gate）及扫描线形成具体包括：Gate 层金属溅射成膜，Gate 光刻，Gate 湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。

tft-lcd工艺TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）是现代平面显示器的一种主流技术，广泛应用于智能手机、电视、电脑显示器等各种设备中。

TFT-LCD工艺是制造TFT-LCD的一系列技术过程，包括掩膜制作、刻蚀、沉积薄膜等多个步骤。

本文将对TFT-LCD工艺进行详细介绍。

TFT-LCD工艺通常由以下几个步骤组成：第一步是掩膜制作。

在TFT-LCD的生产过程中，需要使用金属掩膜来定义每个像素的位置。

通过光刻技术，将金属掩膜上的图案转移到底片上，形成像素点的排列。

这个步骤的关键是确保掩膜的制作精度和稳定性。

第二步是刻蚀。

刻蚀是将底片上金属掩膜之外的区域去除，只保留需要的图案。

这可以通过化学或物理的方式完成。

刻蚀是整个工艺中最关键的一步，任何偏差都可能导致显示器的质量问题，因此需要非常精确和细致的处理。

第三步是沉积薄膜。

TFT-LCD中的薄膜分为多层，包括背板、栅极、源极、漏极等各种功能层。

通过化学气相沉积或物理气相沉积技术，可以将这些薄膜一层层地覆盖在底片上。

每层薄膜的厚度和性质都需要严格控制，以确保显示器的性能。

第四步是液晶注入和密封。

在前面的步骤中，已经制作好了底板和上层玻璃基板。

这两个基板之间需要注入液晶，然后密封起来，形成显示器的组装。

液晶注入需要在无尘室条件下进行，以防止杂质进入液晶层。

密封需要使用高精度的设备确保两个基板之间的间隙均匀。

第五步是后道工艺。

后道工艺主要包括退火、切割、组装等步骤。

退火是为了改善TFT电流和透光率的特性，提高显示器的性能。

切割是将大尺寸的面板切割成小尺寸的显示器，方便后续的组装。

组装包括贴合触摸屏、封装等过程，将显示器组装成最终的产品。

总之，TFT-LCD工艺是一项十分复杂而精密的技术。

它需要高度纯净的生产环境、精密的设备和高水平的技术人员来完成。

通过掩膜制作、刻蚀、沉积薄膜、液晶注入和密封、后道工艺等多个步骤，可以制造出高性能、高品质的TFT-LCD显示器。