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NOR Flash芯片市场调查报告引言NOR Flash（又称作非易失性存储器，即Nonvolatile Memory）作为一种主要的存储器类型，广泛应用于嵌入式系统和移动设备等领域。
本报告旨在对当前NOR Flash 芯片市场进行调查，并分析其市场现状和未来发展趋势。
市场概述定义NOR Flash芯片是一种非易失性存储器，其存储单元以字节为单位进行访问。
与其他存储器类型相比，NOR Flash具有快速读取速度和较小的擦除区块，使其适用于需要频繁读取和修改数据的应用场景。
市场规模根据市场调查数据显示，NOR Flash芯片市场在过去几年中保持了持续增长的趋势。
预计到2025年，全球NOR Flash芯片市场规模将达到XX亿美元，年复合增长率约为X%。
产品应用NOR Flash芯片广泛应用于各种嵌入式系统和移动设备，包括智能手机、平板电脑、游戏机、电子书、汽车音响、工业控制设备等。
其高速读取和擦除特性使得NOR Flash芯片在这些应用中得到了广泛的采用。
市场竞争情况主要供应商目前，全球NOR Flash芯片市场竞争激烈，主要供应商包括Intel、Micron、Cypress、Winbond、Spansion等。
这些厂商凭借其先进的制程技术和稳定的产品质量，在市场上占据了重要的份额。
技术创新为应对市场竞争，供应商们不断进行技术创新，以提高产品性能和降低生产成本。
其中，3D NAND技术的引入为NOR Flash芯片的发展带来了重要突破。
通过垂直堆叠多层存储单元，提高了存储密度和读写速度，进一步拓展了NOR Flash芯片的应用领域。
市场发展趋势高存储密度需求增加随着人们对嵌入式系统和移动设备存储容量需求的不断增加，NOR Flash芯片的高存储密度成为市场的关注焦点。
未来，市场将迎来更高容量、更高速度的NOR Flash芯片产品。
新兴应用市场的增长除了传统的嵌入式系统和移动设备市场，新兴市场如物联网、人工智能、自动驾驶等领域的快速发展，将为NOR Flash芯片带来新的增长机遇。
赛普拉斯命名规则
赛普拉斯的命名规则主要包括以下部分：
1. 产品前缀
2. 闪存芯片系列
3. 闪存芯片家族
4. 电压
5. 闪存芯片容量
6. 闪存芯片制程工艺
7. 速度
8. 封装类型
9. 封装材料
10. 温度范围
11. 型号（其他订购选项）
12. 包装类型
具体来说，例如NOR闪存(NOR Flash)芯片命名规则：
1. 第1组编号表示产品前缀。
2. 第2组编号表示闪存芯片系列。
3. 第3组编号表示闪存芯片家族。
4. 第4组编号表示电压。
5. 第5组编号表示闪存芯片容量。
6. 第6组编号表示闪存芯片制程工艺。
7. 第7组编号表示速度。
8. 第8组编号表示封装类型。
9. 第9组编号表示封装材料。
10. 第10组编号表示温度范围。
11. 第11组编号表示型号（其他订购选项）。
12. 第12组编号表示包装类型。
如果需要更详细的信息，建议查阅赛普拉斯官方网站或与相关负责人联系。
三星F L A S H命名规则Samsung nand flash ID spec三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。
后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed One NandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G2G : 2G 4G : 4G 8G : 8GAG : 16G BG : 32G CG : 64GDG : 128G 00 : NONE6~7. organization00 : NONE 08 : x88. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COB B : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217) L : LGAM : TLGA N : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-R S : SMART MEDIAT : TSOP2 U : COB (MMC)V : WSOP W : WAFERY : TSOP113. TempC : Commercial I : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 3A : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)17~18. Customer "Customer List Reference"。
Flash 存储器的简介在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。
它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从0 开始。
Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。
Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的。
Flash 存储器的操作对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。
Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。
也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。
Flash 存储器的擦除Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
也就是说以区块是flash 擦除的最小单位。
●执行 1-KB 页的擦除执行 1KB 页的擦除步骤如下：(1) 将页地址写入FMA 寄存器(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。
(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。
●执行 Flash 的完全擦除执行完全擦除的步骤如下：(1) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将MERASE 位置位（写入0xA4420004）。
(2) 查询FMC 寄存器直至MERASE 位被清零。
FLASH存储器的测试方法研究1．引言随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。
FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。
料号厂商容量打点丝印BF16G32YH0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2BTR-BC BF27UBG5H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5ATR-BC BF27UCG5H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8VFATR-BC BF64G26YH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8T2MYR-BC BFBG8T25H0F Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2BTR-BC BFBG8T25X02Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BFBG8U55H0F Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5MTR-BC BFCG8V5MH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8V5MTR-BC BK27UBG9H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2MYR-BC BK27UCG9H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8UDMYR-BC BK27UDG5H0B Hynix 16GB 红H27UDG8VEMYR-BC BKAG8T25H0F Hynix 2GB 白H27UAG8T2MTR-BC BKBG8T25H1B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BF16G32YH0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2BTR-BC BF27UBG5H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5ATR-BC BF27UCG5H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8VFATR-BC BF64G26YH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8T2MYR-BC BFBG8T25H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2BTR-BC BFBG8T25X02Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BFBG8U55H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8U5MTR-BC BFCG8V5MH0B Hynix 8GB 黄H27UCG8V5MTR-BC BK27UBG9H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2MYR-BC BK27UCG9H0B Hynix 8GB 黄H27UCG8UDMYR-BC BK27UDG5H0B Hynix 16GB 红H27UDG8VEMYR-BC BKAG8T25H0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2MTR-BC BKBG8T25H1B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2ATR-BC BNAG8T25H0B Hynix 2GB 白H27UAG8T2ATR-BC BNBG8T25H0B Hynix 4GB 蓝H27UBG8T2AYR-BC BF32G08520B INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAME1BF32G08DX02INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAMDB BF64G085202INTEL 8GB 黄JS29F64G08AAME1BF9F64G5X02INTEL 8GB 黄JS29F64G08CAMDB BFJS29F5202INTEL 2GB 白JS29F16B08CAME1BF16B08520F INTEL 2GB 白JS29F16B08JAMDB BF32G085202INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAME1BF32G08DX02INTEL 4GB 蓝JS29F32G08AAMDB BF64G085202INTEL 8GB 黄JS29F64G08AAME1BF9F64G5X02INTEL 8GB 黄JS29F64G08CAMDB BFJS29F5202INTEL 2GB 白JS29F16B08CAME1BF16G085M0B Micron 2GB 白MT29F16G08MAAWP BF32G083M02Micron 4GB 蓝MT29F32G08CBACAWP BF64G089M0B Micron 8GB 黄MT29F64G08CECBBH1BF64G089X0F Micron 8GB 黄MT29F64G08EBAAAB74A3WC1BK32G085M0B Micron 4GB 蓝MT29F32G08QAA BK64G085M0BMicron8GB黄MT29F64G08TAAK9G BG 08U0AFlash容量&丝印一览表备注MT 29F 16G 08MAAWPJS 29F 32G 08AAMDB标识点6.7.8位为容量换算，换算方法为：32Gb/8=4GB 16Gb=2GB 68Gb=8GB标识点4.5位为容量换算，换算方法为：BG (32Gb ）/8=4GB K9指厂商：三星标识点6.7.8位为容量换算，换算方法为：16Gb/8=2GB MT 指厂商：镁光80:8M 1G:1G 2G:2G 4G:4G 8G:8G AG:16G BG:32G CG:64G ZG:48G DG:128G EG:256G GG:384G HG:512G LG:24G NG:96GBN128G8YM02Micron16GB红MT29F128G08CFAAAWP BN32G085M0B Micron4GB蓝MT29F32G08CBAAAWC BN32G085M1B Micron4GB蓝MT29F32G08CBABAWP BN32G085M2B Micron4GB蓝MT29F32G08CBACAWP BN64G085M0B Micron8GB黄MT29F64G08CFAAAWC BN64G085M12Micron8GB黄MT29F64G08CBAAAWP BN64G085M1B Micron8GB黄MT29F64G08CBAAAWP BN64G08YM0B Micron8GB黄MT29F64G08CEAAAC5 BF0GD8U5S02samsung8GB黄K9ACGD8U0MBF1G08U5S0B samsung128MB无点K9F1G08U0CBF1G08U5S0F samsung128MB无点K9F1G08U0CBF4G08U9S0F samsung512MB无点K9F4G08U0BBF8G08UDS0B samsung1GB绿K9K8G08U1DBFAG08UDS0B samsung2GB白K9FAG08U0MBFBG08U5S0B samsung4GB蓝K9GBG08U0ABFBG08U9S02samsung4GB蓝K9ABG08U0ABFG08U05X1B samsung2GB白K9GAG08U0EBFG08U05X1F samsung2GB白K9GAG08U0DBFK9ABG5S0B samsung4GB蓝K9ABGD8U0BBFK9BCGYS02samsung8GB黄K9BCG08U1ABKBG08U9S0B samsung4GB蓝K9ABG08U0ABKCG08U9S0F samsung8GB黄K9BCG08U1ABKDG08U9S0B samsung16GB红K9CDG08U5ABN04G085S0F samsung512MB无点K9F4G08U0ABNAG08UDS0B samsung2GB白K9GAG08U0MBNF2G085S0B samsung256MB无点K9F2G08U0BBNF8G085S0B samsung1GB绿K9F8G08U0M BNG4G085S0B samsung512MB无点K9G4G08U0B BNK8G08DS0B samsung1GB绿K9K8G08U0B BNKAG085S0B samsung2GB白K9KAG08U0M BF1G08U5S0B samsung128MB无点K9F1G08U0C BF4G08U9S0F samsung512MB无点K9F4G08U0B BF8G08UDS0B samsung1GB绿K9K8G08U1D BFAG08UDS0B samsung2GB白K9FAG08U0M BFBG08U5S0B samsung4GB蓝K9GBG08U0A BFBG08U9S02samsung4GB蓝K9ABG08U0A BFG08U05X1B samsung2GB白K9GAG08U0E BFG08U05X1F samsung2GB白K9GAG08U0D BFK9ABG5S02samsung4GB蓝K9ABGD8U0B BFK9BCGYS02samsung8GB黄K9BCG08U1A BKBG08U9S0B samsung4GB蓝K9ABG08U0A BKCG08U9S0B samsung8GB黄K9BCG08U1A BKDG08U9S0F samsung16GB红K9CDG08U5A BN04G085S0F samsung512MB无点K9F4G08U0A BN0K9GB5X0B samsung4GB蓝K9GBG08U0A BN0K9GB5X0B samsung4GB蓝K9GBG08U0AH27U BG8T2BTR-BC标识点5.6位为容量换算，换算方法为：BG（32Gb）/8=4GBH指厂商：海力士1G=128MB2G=256MB4G=512MB8G=1GBAG（16G）=2GBBG（32G）=4GBCG（64G）=8GBDG（128G）=16GBEG（256G）=32GBGG（384G）=48GBHG（512G）=64GBLG（24G）=3GBNG（96G）=12GBZG（48G）=6GB64:64Mb 12:128Mb25:256Mb 51:512Mb 1G:1G2G:2G 4G:4G 8G:8GAG:16G BG:32G CG:64GDG:128G EG:256G容量换算信息：。
常见内存芯⽚命名常见内存芯⽚命名三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯⽚功能K，代表是内存芯⽚。
第2位——芯⽚类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯⽚的更进⼀步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采⽤不同的刷新速率，也会使⽤不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯⽚的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到⼀个内存条后就⾮常容易计算出它的容量。
例如⼀条三星DDR内存，使⽤18⽚SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16⽚/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，⼀个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，⽂中所举的例⼦中有两种情况：⼀种是⾮ECC内存，每8⽚8位数据宽度的颗粒就可以组成⼀条内存；另⼀种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
nor flash不同密度芯片尺寸Nor Flash是一种非易失性存储器，常用于嵌入式系统中。
它的不同密度芯片尺寸决定了存储容量的大小。
本文将分别介绍不同密度的Nor Flash芯片尺寸及其特点。
一、4Mb Nor Flash芯片尺寸4Mb Nor Flash芯片尺寸相对较小，常见的尺寸为8mm x 20mm。
这种芯片容量较小，适用于存储一些简单的数据或者代码。
它在成本上相对较低，适合对存储容量要求不高的应用场景。
二、8Mb Nor Flash芯片尺寸8Mb Nor Flash芯片尺寸一般为10mm x 20mm。
相比于4Mb芯片，它的容量加倍，能够存储更多的数据。
这种芯片适用于一些中等容量的存储需求，例如存储一些嵌入式操作系统或者中小规模应用程序。
三、16Mb Nor Flash芯片尺寸16Mb Nor Flash芯片尺寸一般为12mm x 20mm。
这种芯片容量相对较大，能够存储更多的数据。
它适用于一些需要较大存储容量的应用场景，例如存储一些图像、音频或者视频等大容量数据。
四、32Mb Nor Flash芯片尺寸32Mb Nor Flash芯片尺寸一般为14mm x 20mm。
这种芯片容量更大，能够存储更多的数据。
它适用于一些需要大容量存储的应用场景，例如存储大型嵌入式操作系统、复杂的应用程序或者大量的多媒体数据。
五、64Mb Nor Flash芯片尺寸64Mb Nor Flash芯片尺寸一般为16mm x 20mm。
这种芯片容量非常大，能够存储大量的数据。
它适用于一些需要极大容量存储的应用场景，例如存储大型游戏、高清视频或者复杂的数据分析应用。
需要注意的是，Nor Flash的容量虽然有所不同，但其工作原理和特点是一致的。
它采用的是串行访问方式，读取速度相对较慢，但擦写次数较多，可达到百万次。
Nor Flash具有非易失性的特点，断电后数据依然保持。
它还具有良好的耐久性和抗电磁干扰能力，适用于各种恶劣环境下的应用。
norflash的id定义规则
NORFlash的ID定义规则通常由各个厂商自行定义，每个厂商都有自己独特的ID。
这些ID通常由厂商自行定义，用于标识各自生产的NORFlash芯片。
然而，有些厂商可能会遵循一些通用的命名规则。
例如，某些NORFlash芯片的ID可能包含特定的前缀或后缀，用于标识芯片的特定功能或应用领域。
此外，一些厂商可能会使用特定的编码规则来生成ID，这些编
码规则可能涉及不同的数字和字母组合。
这些ID通常具有一定的规
律性，可以帮助工程师和开发人员识别和区分不同的芯片型号和厂商。
需要注意的是，不同的厂商和芯片型号可能会有不同的ID命名
和编码规则，因此具体的规则可能因厂商和芯片型号而异。
如果您需要了解特定NORFlash芯片的ID定义规则，建议查阅该芯片的技术手册或相关文档。
NOR-Flash存储器介绍及编程NOR-Flash存储器1概述ADSP-BF532自身不具有ROM，因此必须外接ROM器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。
NOR Flash具有非易失性，并且可轻易擦写。
Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。
在本实验中将主要介绍NOR Flash器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。
NOR Flash采用标准总线接口与处理器交互，对它的读取不需要任何特殊的代码。
作为代码存储器，NOR Flash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。
若设定系统从Flash启动，则系统上电复位时，处理器就自动从Flash中取得指令运行。
因此NOR Flash中要存放系统启动代码，这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。
经过了这些初始化，系统才得以正确启动并开始工作。
2 实验内容和目标本实验要实现的内容和目标读出FLASH的manufacturer ID和device ID。
对FLASH芯片进行整片擦出，并验证擦除是否成功(读出数据是否为为全0xFFFF)。
往FLASH起始地址写入0x5555，并读出，验证写入是否正确。
3实验分析1(Am29LV160D介绍进行实际编程之前，首先应了解NOR Flash器件Am29LV160D的特性和读写操作的要求。
Am29LV160D是由AMD公司推出的1M×16bit的CMOS 多用途Flash。
它的主要特性如下。
存储空间组织1M×16bit。
读写操作采用单一电源 2.7,3.6V。
可靠性, 可擦写100 000个周期(典型值);, 数据可保存100年。
低功耗- 动态电流 15mA(典型值);, 静态电流 4?A(典型值);, 自动低功耗模式4?A(典型值)。
扇区擦除能力统一为2K×16b大小的扇区。
各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
