常用三极管mos管

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNPDISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNPDISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNPDISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPDISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNPDISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型。

2SC4231 800V 2A 2SC4119 1500V 15A 2SC4111 1500V 10A 2SC4106 | 500V 7A 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 2SC4059 600V 15A 30W 250W 250W 50W 20MHZ 功率Pcm 130W 放大系数 特征频率 NPN NPN NPN 2SC4038 50V 0.1A 0.3W 180MHZ 2SC4024 100 V 10A 35W 2SC3998 1500V 25A 2SC3997 1500V 15A 2SC3987 50V 3A 2SC3953 120V 0.2A 2SC3907 180V 12A 2SC3893 1400V 8A 2SC3886 1400V 8A 2SC3873 500V 12A 2SC3866 900V 3A 2SC3858 200V 17A 2SC3807 30V 2A 2SC3783 900V 5A 晶体管型号 压 Vbe0 电流Icm 2SC3720 1200V 10A 2SC3680 900V 7A 2SC3679 900V 5A 2SC3595 30V 0.5A 2SC3527 500V 15A 2SC3505 900V 6A 2SC3460 1100V 6A 2SC3457 1100V 3A 2SC3358 20V 0.15A NPN 管子类型 NPN NPN NPN 250W NPN 250W NPN NPN （达林顿）20W 1000 1.3W NPN 130W NPN 50W NPN 50W NPN 75W NPN 40W NPN 200W NPN 1.2W NPN 100W NPN |功率Pcm 管子类型 200W NPN 120W NPN 100W NPN 1.2W 90 NPN 100W 13 NPN 80W 12 NPN 100W 12 NPN 50W 12 NPN 7000MHZ NPN 400MHZ 30MHZ 8MHZ 8MHZ 30MHZ 放大系数 20MHZ 260MHZ 特征频率晶体管型号反压VbeO 电流Icm 2SDK55 400V 4A 2SD2445 1500V 12.5A 2SD2388 90V 3A 2SD2335 1500V 7A 2SD2334 1500V 5A放大系数功率Pcm 特征频率60W120W1.2W100W80W管子类型NPNNPNNPN（达林顿）NPNNPN2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 NPN（达林顿）2SD2155 180V 15A 150W 2SD2036 60V 1A 1.2W 2SD2012 60V 3A 2W 2SD2008 80V 1A 1.5W NPN NPN NPN NPN2SD1997 40V 3A 1.5W 100MHZ NPN 2SD1994 60V 1A 1W2SD1993 50V 0.1A 0.4W 2SD1980 100V2A 10W 2SD1978 120V 1.5A 1W 晶体管型号压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 2SD1975 180V 15A 150W 2SD1930 100V 2A 1.2WI| NPN达林顿）| 1000-10000| NPN达林顿j 30000放大系数管子类型NPN（达林顿）1000特征频率NPNNPNNPN2SD1847 50V 1A 1W NPN（氐噪）2SD1762 60V 3A 25W 90MHZ NPN2SD1718 180V 15A 3.2W 20MHZ NPN2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-400002SD1590 150V 8A 25W 15000NPN（达林顿）NPN（达林顿）2SD1559 100V20A 20W 5000 NPN（达林顿）2SD1415 80V 7A 40W 6000 NPN（达林顿）2SD1416 80V 7A 2SD1302 25V 0.5A 2SD1273 80V 3A 2SD1163A 350V 7A 40W 60000.5W 200MHZ40W 50MHZ40W 60MHZNPN（达林顿）NPNNPNNPN1500V2SD1732 1500V 7A 120W NPN 2SD1731 1500V 6A 100W NPN 2SD1730 1500V 5A 100W NPN 2SD1729 NPN 2SD1711 1500V 7A 100W NPN 2SD1710 1500V 6A 100W NPN 2SD1656 1500V 6A 60W NPN 2SD1655 1500V 5A 60W NPN 2SD1654 1500V3.5A 50W NPN 2SD1653 1500V2.5A 50W NPN 2SD1652 1500V6A 60W NPN 2SD1651 1500V5A 60W NPN 晶体管型号电流Icm 功率Pcm 管子类型 反压Vbe0 2SD16501500V 3.5A 50W NPN 2SD1635 1500V 5A 100W NPN 2SD1632 1500V 4A 70W NPN 2SD1577 1500V 5A 80W NPN 2SD1554 1500V 3.5A 40W NPN 2SD1548 1500V 10A 50W NPN 2SD1547 1500V 7A 50W NPN 2SD1546 1500V 6A 50W NPN 2SD1545 1500V 5A 50W NPN 2SD1456 1500V 6A 50W NPN 2SD1455 NPN 2SD1454 1700V 4A 50W NPN 2SD14341700V 5A 80W NPN <="" div=""> 1500V 1500V 3.5A 60W 放大系数 特征频率 5A 50W。

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。

单片机驱动三极管 mos管单片机（Microcontroller Unit）是一种集成电路，内部包含了处理器核心、存储器以及各种外设接口，常用于控制和执行各种电子设备的任务。

单片机通过编程实现对外设的控制，其中包括对三极管和MOS管的驱动。

三极管是一种常用的电子元件，具有放大作用和开关作用。

它由三个掺杂不同材料的半导体材料片层叠而成，一般可以分为NPN型和PNP型。

三极管的驱动常用于信号放大、电路切换和逻辑门等应用中。

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的电子器件，具有低功耗、高速度等优点。

它是由源、栅和漏三个电极组成，并通过改变栅电压来调节其导电性能。

MOS管的驱动在数字电路和模拟电路中广泛应用。

在单片机中，驱动三极管和MOS管的原理基本相似，都是通过输出电平来控制其导通和截断。

首先，驱动三极管的过程可以简单分为两个步骤：输入控制信号和输出驱动信号。

对于NPN型三极管，通过将控制信号接到基极，通过单片机输出接到集电极，将发射极接地，可以实现三极管的驱动。

当控制信号为高电平时，三极管处于导通状态，从而激活外部电路。

而当控制信号为低电平时，三极管处于截断状态，外部电路失活。

对于PNP型三极管，将控制信号接到基极，将集电极接到正极电源，而发射极接地。

当控制信号为低电平时，三极管处于导通状态；而当控制信号为高电平时，三极管处于截断状态。

对于MOS管的驱动，具体取决于其结构类型，常用的有NMOS和PMOS。

对于NMOS，在单片机中，通过将控制信号接到栅极，将源极接地，漏极作为输出端口，可以实现MOS管的驱动。

当控制信号为高电平时，MOS管处于导通状态，外部电路激活；而当控制信号为低电平时，MOS管处于截断状态，外部电路失活。

对于PMOS，在单片机中，通过将控制信号接到栅极，将源极接到正极电源，漏极作为输出端口，来实现驱动。

当控制信号为低电平时，MOS管处于导通状态，外部电路激活；而当控制信号为高电平时，MOS管处于截断状态，外部电路失活。

1三极管和MOS 管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。

有NPN 型三极管和PNP 型三极管两种,符号如下:MOS 管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。

有P 沟道MOS 管（简称PMOS ）和N 沟道MoS 管（简称NMOS ）,符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS 管）：2三极管和MOS 管的正确应用（1）NPN 型三极管适合射极接GND 集电极接负载到VCC 的情况。

只要基极电压高于射极电压（此处为GND ）0.7V,即发射结正偏（VBE 为正），NPN 型三极管即可开始导通。

基极用高电平驱动NPN 型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-2Ok 到GND ；（a ） N 沟道增强型MoS 管结构（b ） N 沟通增强型MOS （C ） P 沟道增强型 示意图 省代表符号 MOS 管代表符号优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。

（2） PNP型三极管（3）适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。

只要基极电压低于射极电压（此处为VCe）0.7V,即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。

基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；（4）优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的高电平。

（5）所以，如上所述：对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。

不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。

对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。

不够周到的设计是，负载R14接在发射极和VCC之间。

三极管 mos管驱动led
三极管和MOS管都是常用的半导体器件，它们在电子电路中具有广泛的应用。

三极管是一种双极型器件，主要用于放大和开关电路；而MOS管是一种电压控制型器件，广泛应用于电源管理、电机控制等领域。

在驱动LED电路方面，这两种器件各有优势。

三极管驱动LED电路：
三极管驱动LED电路时，通常采用开关方式。

三极管的电流控制特性使得它能够在低电流下工作，且具有较小的导通电阻。

驱动LED时，三极管的基极电流控制端接入控制信号，集电极输出端连接LED。

当基极电流增大时，集电极电流也随之增大，从而点亮LED。

然而，三极管的开关速度相对较慢，驱动高频率电路时，性能受限。

MOS管驱动LED电路：
MOS管驱动LED电路具有以下优势：
1. 开关速度快：MOS管的电压控制特性使其能够在高速开关电路中表现优异，驱动LED时，栅极电压控制MOS 管的导通与关断。

2. 节能：MOS管的导通电阻小，发热量低，且能在低
电压、低电流条件下工作。

这使得MOS管在驱动LED时，具有较高的能效。

3. 栅极输入阻抗高：MOS管的栅极输入阻抗高，对电压敏感，只需较小的驱动电流即可启动。

这使得MOS管在驱动LED电路时，能够减少驱动电路的复杂性和功耗。

综上所述，在驱动LED电路方面，MOS管相较于三极管具有更高的速度、更低的发热和更大的节能优势。

因此，在一些对性能要求较高的应用场景，如LED照明、显示器背光等，通常采用MOS管进行驱动。

而在一些低频、低功耗的应用场合，三极管仍具有较好的应用价值。

三极管与mos管(2009-06-08 14:20:21)标签：pn结?表笔?三极管?沟道?德弗雷斯特?美国?it? 晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为 e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

1_rYCnUs8dBvZH.jpg (12.95 KB)2007-12-7 09:30目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。

在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制，那就少不了三极管的帮助。

我们俗称的三极管其全称为半导体三极管，它的主要作用就是将微小的信号中止放大。

MOS管与三极管有着许多相近的地方，这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别，本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同。

关于三极管和MOS管的区别，我们简单总结了几句话便当大家理解。

从性质上来说：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。

从本钱上来说：三极管低价，MOS管贵。

关于功耗问题：三极管损耗大。

驱动能力上的的不同：MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。

理论上，就是三极管操作便当且价钱低廉，经常用于数字电路的开关控制当中。

而MOS 管用于高频高速电路，大电流场所，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央。

所以普通来说低本钱场所，普通应用的先思索用三极管，不行的话建议用MOS管。

理论上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。

要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才干明白。

三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子)的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)，当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正导游通电压(工程上普通以为0.7v)。

但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时假设集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动(理论上都是电子的反方向运动)，由于基区宽度很小，电子很容易越过基区抵达集电区，并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)，为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。

集电极的电子经过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。