扫描探针显微分析
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电子行业电子探针显微分析方法引言在现代电子行业中,电子制造过程中的材料和器件的质量控制是非常重要的。
为了确保电子产品的性能和可靠性,需要对材料中的缺陷和杂质进行精确的分析和检测。
电子探针显微分析方法是一种常用的技术,为电子行业提供了一种非常有效的分析工具。
本文将介绍电子探针显微分析方法的原理和应用。
电子探针显微分析方法的原理电子探针显微分析方法是利用高能电子束与物质的相互作用来进行材料分析的方法。
它基于电子束和样品之间的相互作用,通过分析电子束与样品相互作用后产生的信号,来获取样品的组成、结构和性质等信息。
电子探针显微分析方法主要包括以下几个方面:1.能谱分析:通过分析在样品与电子束相互作用后产生的X射线,可以得到样品的元素组成和含量等信息。
这对于分析材料中的杂质和控制样品的化学成分非常重要。
2.成分分析:通过对样品进行扫描,检测原子或化学组分的分布和浓度,可以评估材料的均一性和制备工艺的质量。
这对于确定电子器件中的材料特性和缺陷非常重要。
3.形貌分析:通过对样品表面的形貌进行观察和分析,可以评估材料的表面形态和结构特征。
这对于确定材料的纯度和表面处理效果非常重要。
4.结构分析:通过在样品表面刻蚀或切割,然后使用电子探针进行断面观察,可以获得材料内部结构的信息。
这对于评估材料的晶体结构和内部缺陷非常重要。
电子探针显微分析方法的应用电子探针显微分析方法在电子行业中有着广泛的应用,以下是一些常见的应用场景:1. 材料研究电子探针显微分析方法可以用于对新材料的研究。
通过对样品的成分分析和结构观察,可以评估材料的性能和潜在应用。
这对于新材料的开发和应用具有重要意义。
2. 电子器件制造在电子器件制造过程中,电子探针显微分析方法用于评估材料的质量和性能。
通过对电子器件中的材料进行成分分析和缺陷观察,可以提前发现潜在的故障和问题,并采取相应的措施来解决。
3. 故障分析当电子产品出现故障时,电子探针显微分析方法可以用于确定故障的原因和位置。
第八章 电子探针、扫描电镜显微分析中国科学院上海硅酸盐所李香庭1 概论1.1 概述电子探针是电子探针X射线显微分析仪的简称,英文缩写为EPMA(Electron probe X-ray microanalyser),扫描电子显微境英文缩写为SEM(Scanning Electron Microscope)。
这两种仪器是分别发展起来的,但现在的EPMA都具有SEM的图像观察、分析功能,SEM也具有EPMA的成分分析功能,这两种仪器的基本构造、分析原理及功能日趋相同。
特别是现代能谱仪,英文缩写为EDS(Energy Dispersive Spectrometer)与SEM组合,不但可以进行较准确的成分分析,而且一般都具有很强的图像分析和图像处理功能。
由于EDS分析速度快等特点,现在EPMA通常也与EDS组合。
虽然EDS的定量分析准确度和检测极限都不如EPMA的波谱仪(Wavelength Dispersive Spectrometer ,缩写为WDS)高,但完全可以满足一般样品的成分分析要求。
由于EPMA与SEM设计的初衷不同,所以二者还有一定差别,例如SEM以观察样品形貌特征为主,电子光学系统的设计注重图像质量,图像的分辨率高、景深大。
现在钨灯丝SEM的二次电子像分辨率可达3nm,场发射SEM二次电子像分辨率可达1nm。
由于SEM一般不安装WDS,所以真空腔体小,腔体可以保持较高真空度;另外,图像观察所使用的电子束电流小,电子光路及光阑等不易污染,使图像质量较长时间保持良好的状态。
EPMA一般以成分分析为主,必须有WDS进行元素成分分析,真空腔体大,成分分析时电子束电流大,所以电子光路、光阑等易污染,图像质量下降速度快,需经常清洗光路和光阑,通常EPMA二次电子像分辨率为6nm。
EPMA附有光学显微镜,用于直接观察和寻找样品分析点,使样品分析点处于聚焦园(罗兰园)上,以保证成分定量分析的准确度。
EPMA和SEM都是用聚焦得很细的电子束照射被检测的样品表面,用X射线能谱仪或波谱仪,测量电子与样品相互作用所产生的特征X射线的波长与强度,从而对微小区域所含元素进行定性或定量分析,并可以用二次电子或背散射电子等进行形貌观察。
显微分析在科研中的应用一、扫描电子显微镜分析(一)、扫描电子显微镜的工作原理扫描电镜是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。
试样为块状或粉末颗粒,成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。
其中二次电子是最主要的成像信号。
由电子枪发射的能量为5~35keV的电子,以其交叉斑作为电子源,经二级聚光镜及物镜的缩小形成具有一定能量、一定束流强度和束斑直径的微细电子束,在扫描线圈驱动下,于试样表面按一定时间、空间顺序作栅网式扫描。
聚焦电子束与试样相互作用,产生二次电子发射(以及其它物理信号),二次电子发射量随试样表面形貌而变化。
二次电子信号被探测器收集转换成电讯号,经视频放大后输入到显像管栅极,调制与入射电子束同步扫描的显像管亮度,得到反映试样表面形貌的二次电子像。
(二)、扫描电镜具有以下的特点(1) 可以观察直径为0~30mm的大块试样(在半导体工业可以观察更大直径),制样方法简单。
(2) 场深大、三百倍于光学显微镜,适用于粗糙表面和断口的分析观察;图像富有立体感、真实感、易于识别和解释。
(3) 放大倍数变化范围大,一般为几十倍~几十万倍,对于多相、多组成的非均匀材料便于低倍下的普查和高倍下的观察分析。
(4) 具有相当高的分辨率,一般为3.5~6nm。
(5) 可以通过电子学方法有效地控制和改善图像的质量,如通过调制可改善图像反差的宽容度,使图像各部分亮暗适中。
采用双放大倍数装置或图像选择器,可在荧光屏上同时观察不同放大倍数的图像或不同形式的图像。
(6) 在不牺牲扫描电镜特性的情况下扩充附加功能。
与X射线谱仪配接,可在观察形貌的同时进行微区成分分析;配有光学显微镜和单色仪等附件时,可观察阴极荧光图像和进行阴极荧光光谱分析等。
(7) 可使用加热、冷却、拉伸、压缩和弯曲等样品台进行动态试验,观察在不同环境条件下的相变及形态变化等。
(三)、扫描电镜的主要结构扫描电子显微镜由电子光学系统、偏转系统、信号检测放大系统、图像显示和记录系统、电源系统和真空系统等部分组成。
扫描探针显微镜工作原理
扫描探针显微镜(Scanning Probe Microscope,SPM)是一种
高分辨率显微镜,能够实现对物质表面的原子级别成像。
其工作原理基于显微针(probe)的扫描和相互作用力的测量。
1. 探针的制备:显微针一般是由导电材料制成,如金属或半导体材料。
常用的探针形状包括尖锐的金字塔、圆锥或纳米线等。
2. 扫描:探针通过微机械控制精确地扫描物体表面。
扫描方式一般有两种:原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)和隧道电子显微镜(Scanning Tunneling Microscopy,STM)。
3. 相互作用力测量:
- AFM:探针尖端与样品表面之间的相互作用力会改变探针
的弯曲度或振动频率,并通过探针弹性常数和振幅的变化来测量相互作用力。
常用的工作模式有接触模式、非接触模式和谐振模式。
- STM:通过将探针靠近样品表面,利用隧道效应中的电子
隧道电流来实现相互作用力测量。
由于隧道电流强依赖于针尖与样品之间的距离,通过测量电流变化可以获得样品表面的几何拓扑图像。
4. 数据处理和成像:根据探针的扫描轨迹和相互作用力的测量结果,可以得到物体表面的几何形貌和性质。
通过计算机图像处理算法进行数据处理和分析,可以生成高分辨率的原子级别表面成像。
扫描探针显微镜具有高分辨率、操作灵活等优点,并可以应用于材料科学、生物学、纳米技术等领域的研究和应用。
第七章扫描探针显微分析第一节概述电子探针显微分析(Electrom Probe Microanalysis——EPMA)也称为电子探针X射线显微分析,是利用电子光学和X射线光谱学的基本原理将显微分析和成分分析相结合的一种微区分析方法。
该分析方法特别适用于分析试样中微小区域的化学成分分析,是研究材料组织结构和元素分布状态的极为有用的分析方法。
扫描探针显微镜(Scanning Probe Microscopes 简称SPM)包括扫描显微镜(STM)、原子力显微镜(AFM)、激光力显微镜(LFM)、磁力显微镜(MFM)、静电力显微镜以及扫描热显微镜等,是一类完全新型的显微镜。
它们通过其端粗细只有一个原子大小的探针在非常近的距离上探索物体表面的情况,便可以分辨出其它显微镜所无法分辨的极小尺度上的表面特征。
一、SPM的基本原理控制探针在被检测样品的表面进行扫描,同时记录下扫描过程中探针尖端和样品表面的相互作用,就能得到样品表面的相关信息。
因此,利用这种方法得到被测样品表面信息的分辨率取决于控制扫描的定位精度和探针作用尖端的大小(即探针的尖锐度)。
二、SPM的特点1. 原子级高分辨率。
STM在平行和垂直于样品表面方向的分辨率分别可达0.1nm 和0.01nm,即可以分辨出单个原子,具有原子级的分辨率。
2. 可实时地得到实空间中表面的三维图像,可用于具有周期性或不具备周期性的表面结构研究及表面扩散等动态过程的研究。
3. 可以观察单个原子层的局部表面结构,因而可直接观察表面缺陷、表面重构、表面吸附体的形态和位置,以及由吸附体引起的表面重构等。
4. 可在真空、大气、常温,以及水和其它溶液等不同环境下工作,不需要特别的制样技术,并且探测过程对样品无损伤。
这些特点适用于研究生物样品和在不同试验条件下对样品表面的评价。
5. 配合扫描隧道谱STS(Scanning Tunneling Spectroscopy)可以得到有关表面结构的信息,例如表面不同层次的态密度、表面电子阱、电荷密度波、表面势垒的变化和能隙结构等。
扫描电⼦显微镜(SEM)和电⼦探针显微分析装置(EPMA)扫描电⼦显微镜和电⼦探针显微分析仪基本原理相同,但很多⼈分不清其差异,实际上需要使⽤电⼦探针领域⽐较少,⽽扫描电镜相对普遍。
扫描电⼦显微镜(SEM),主要⽤于固体物质表⾯电⼦显微⾼分辨成像,接配电⼦显微分析附件,可做相应的特征信号分析。
最常⽤的分析信号是聚焦电⼦束和样品相互作⽤区发射出的元素特征X-射线,可⽤EDS(X-射线能谱仪)或者WDS(X-射线波谱仪)进⾏探测分析,获得微区(作⽤区)元素成分信息,⽽WDS这个电⼦显微分析附件却来源于EPMA。
另外⼀个重要信号是背散射电⼦(Bse),其中⾼能Bse还可作为晶体衍射信号,使⽤EBSD装置获取微区晶体结构取向信息,EBSD⾃1990年代发展以来,近20年应⽤发展迅速。
扫描电镜及扫描电⼦显微分析附件(EDS、WDS、EBSD)SEM作为⼀个电⼦显微分析平台,分析附件可根据⽤户需要来选配,有需要这个的,有需要那个的,因此扫描电镜结构种类具有多样性,从tiny、small、little style,to middle、large、huge style.就EDS或WDS分析技术来讲,在SEM上使⽤,基本上使⽤⽆标样分析,获得电⼦束样品作⽤区内相对粗糙的半定量结果,因此SEM配置EDS⾮常普遍,⽽配置WDS⽐较少,其中EDS可以探测到微量元素的存在,WDS可以获得痕量元素的存在。
商品化EPMA产⽣于1955年左右,⽐SEM商品化提前10年,其主要⽬的是要精确获得微⽶尺度晶粒或颗粒的成分信息,利⽤电⼦束样品作⽤区发射的特征X射线,使⽤探测分析⼿段是WDS,⼀般配置4道WDS,中⼼对称布置在电⼦束周围,基于此标配,EPMA结构⽐较单⼀,各品牌型号结构差距不⼤。
电⼦探针显微分析装置EPMA结构原理电⼦探针显微分析系统EPMAEMPA主要追求微区化学定量结果精准,因此电⼦光学分辨率设计相对宽松,电⼦显微分析对汇聚束束电流要求较⼤,束斑较粗。