闪存型号容量对照

闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。

2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。

第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。

5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。

封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。

6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。

内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。

请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。

认识闪存的分类及参数介绍我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。

而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。

闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。

闪存的分类NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。

因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。

因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。

这种性能特点非常值得我们留意。

NAND型闪存的技术特点内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。

而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。

NOR flash，NAND flash，SDRAM结构和容量分析1.NOR flash结构和容量分析例如：HY29LV160 。

引脚分别如图：HY29LV160 有20根地址线，16位的数据线。

所以：容量=220(地址线)X16(数据位数)bit=1MX16bit=1MX2B=2MB2.SRAM简单介绍SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM 也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。

所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。

SRAM一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。

还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache 是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。

最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。

SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。

无线路由器CPU_闪存_内存_芯片_列表无线路由器 CPU、闪存、内存、芯片列表在当今数字化的时代，无线路由器已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。

无论是在家中、办公室还是公共场所，稳定快速的无线网络连接都至关重要。

而无线路由器的性能，很大程度上取决于其内部的核心组件，如 CPU、闪存、内存和芯片。

接下来，让我们一起深入了解一下这些关键部件。

一、CPU（中央处理器）无线路由器的 CPU 就像是它的大脑，负责处理各种数据和任务。

不同型号和品牌的无线路由器所采用的 CPU 也各不相同。

常见的无线路由器 CPU 品牌包括博通（Broadcom）、高通（Qualcomm）、联发科（MediaTek）等。

博通的 CPU 在稳定性和性能方面表现出色，常用于一些高端路由器中；高通的芯片则在能耗控制和多设备连接处理上有优势；联发科的 CPU 则以性价比高而受到一些厂商的青睐。

例如，博通的 BCM4708 和 BCM4709 系列 CPU，具备强大的处理能力，能够同时处理多个数据流，为用户提供流畅的网络体验。

高通的 IPQ8074 则在支持 WiFi 6 标准的路由器中较为常见，其高效的多核心架构能够应对大量设备的连接需求。

二、闪存（Flash Memory）闪存主要用于存储无线路由器的操作系统和配置文件。

它的容量大小会影响路由器的功能扩展性和升级能力。

一般来说，低端无线路由器的闪存容量可能在4MB 到16MB 之间，而中高端路由器通常会配备 128MB 甚至更大容量的闪存。

较大的闪存容量可以让路由器支持更多的功能插件，例如 VPN 服务、广告拦截等。

同时，也为后续的系统升级提供了足够的空间，确保路由器能够跟上技术发展的步伐，不断优化性能和增加新的特性。

三、内存（Random Access Memory，RAM）内存则是无线路由器在运行时用于临时存储数据的部件。

类似于电脑的内存，它的大小直接影响着路由器同时处理多个任务和连接多个设备的能力。

闪存目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是"闪动的存储器"，通常把它称作"快闪存储器"，简称"闪存"。

闪存盘是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件便于随身携带，是个人的“数据移动中心”。

闪存盘采用闪存存储介质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征，是大家理想的便携存储工具.我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。

而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM 两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。

闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。

闪存的分类NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。

因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。

因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。

东芝闪存芯片编号规则一、引言随着计算机技术的不断发展，存储器件也在不断更新换代。

闪存芯片作为一种常见的存储器件，其编号规则也是我们需要了解的重要内容之一。

本文将详细介绍东芝闪存芯片编号规则。

二、东芝闪存芯片编号规则概述东芝闪存芯片的编号规则是由数字和字母构成的组合。

其中，数字表示容量大小，字母表示产品系列和工艺等信息。

下面将详细介绍这些内容。

三、容量大小东芝闪存芯片的容量大小以G为单位进行表示。

其中，1G=1024MB=1048576KB=1073741824Byte。

以下是常见容量大小和对应的编号：1. 2GB：TC58NVG0S3ETA002. 4GB：TC58NVG1S3ETA003. 8GB：TC58NVG2S0ETA004. 16GB：TC58NVG3S0ETA005. 32GB：TC58NVG4S0ETA006. 64GB：TC58NVG5S0ETA00四、产品系列东芝闪存芯片产品系列主要有以下几种：1. T：代表该产品系列为TLC（Triple Level Cell）型号。

2. M：代表该产品系列为MLC（Multi Level Cell）型号。

3. S：代表该产品系列为SLC（Single Level Cell）型号。

五、工艺等信息东芝闪存芯片的工艺等信息主要包括以下几种：1. NV：代表该芯片采用NAND Flash技术。

2. G：代表该芯片采用64Gbit NAND Flash技术。

3. 0：代表该芯片采用0.09μm工艺。

六、示例以TC58NVG2S0ETA00为例，其中“TC”表示东芝闪存芯片的产品系列为TLC型号，“58”表示容量大小为8GB，“NV”表示采用NAND Flash技术，“G”表示采用64Gbit NAND Flash技术，“2”表示该产品系列的第二代产品，“S”表示该产品系列为SLC型号，“0”表示采用0.09μm工艺，“ETA00”是东芝闪存芯片的生产批次信息。

从闪存芯片编号识容量根据芯片编号识容量三星的闪存芯片均以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。

第4～5位表示闪存密度，12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。

第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8.16代表×16. 32代表×32。

闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。

这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns 速度，单颗容量 128MB。

工作电压2.4～2.9V。

芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。

工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区域大小（16K＋512）。

三星型号详解K9×××××：Nand FlashK8×××××：Nor FlashK7×××××：Sync SRAM(同步SRAM，带clock，速度快，网络产品，6个晶体管)K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）K4×××××：DRAMK3×××××：Mask RomK2×××××：FRAMK1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)samsung 编号：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存，使用MLC闪存是大势所趋* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)* (1 Byte = 8 bits)SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MBK9F2808U0C-VCB0 32MBK9F5608U0B-YCB0 16MBK9F5608U0C-YCB0 16MBK9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MBK9F1G08U0M-VCB0 128MBK9F1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-FIB0 128MBK9K2G08U0M-YCB0 256MBK9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MBK9K2G08U0M-VCB0 256MBK9K2G08U0M-VIB0 256MBK9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MBK9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBK9WAG08U1M 2GMNAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片. SAMSUNG闪存的型号及对应容量:K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Part No Description MfgNANDFLASHHY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIXHY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIXHY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIXHY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIXHY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIXHY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIXHY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte); HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte); HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte); HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表品牌型号内存ATJ2085(2051) samsung K9K4G08U0M 512M ysamsung K9W4G08U1M 512M ysamsung K9W8G08U1M 1GB ysamsung K9F4G08U0M 512M ysamsung K9F4G08U0A 512M ysamsung K9K8G08U0M 1G ysamsung K9K8G08U0A 1G nsamsung K9WAG08U1M 2G ysamsung K9G4G08U0M 512M nsamsung K9L8G08U0M 1G nsamsung K9HAG08U1M 2G nHynix HY27UG084G1M 512M yHynix HY27UG084G2M 512M yHynix HY27UH084G1M 512M nHynix HY27UH084G2M 512M yHynix HY27UG088G2M 1G y Hynix HY27UG088G5M 1G n Hynix HY27UG088GDM 1G n Hynix HY27UH088G2M 1G y Hynix HY27UH088GDM 1G n Hynix HY27UH08AG5M 2G n Hynix HY27UH08AGDM 2G n Hynix HY27UF084G2M 512M y Hynix HY27UG088G5M 1GB n Hynix HY27UU088G5M 1G n Hynix HY27UV08AG5M 2G n Hynix HY27UT084G2A, 512M n Hynix HY27UT084G2M 512M n Hynix HY27UU088G 1GB nHynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB HY27US08561M TPIB 427A 32MBHY27US08121M TCB 64MBHY27US08121M TPIB 407T 64MBHY27US08121M TCB 416A 64MBHY27US08121M TCB 422A 64MB HY27US08121M TCB 426A 64MB HY27US08121M TPCB 427B 64MB HY27US08121M VPCB 429A 64MB HY27UA081G1M TCB 128MBHY27UA081G1M TPCB 128MBHY27UA081G1M TCB 423A 128MB HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBHY27UG088G5M 1GBHY27UH088G2M 1GBHY27UH08AG5M 2GBTOSHIBA TC58128AFT 16MBTC58128AFTI 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58256AFT 32MBTC58NVM8S0AFTI0 32MBTC58DVM82A1FT00/05 32MBTC58DVM82A1FTI0 32MBTC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBTH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58NVG0S3AFT00/05 128MBTC58NVG0S3AFTI5 128MBTH58NVG1S3AFT00/05 256MBTH58NVG1S3AFTI0 256MBTC58NVG1S3BFT00 256MBTC58005FT 64MBTC58DVM94B1FT00/05 64MBTC58010FT 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG14B1FT00/05 256MBTC58DVG14B1FTI0 256MBTH58DVG24B1FT00/05 512MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG2D4BFT00 512MBTH58NVG3D4BFT00 1GBTH58NVG3D4BFTI0 1GBTC58NVG3D4CTG10 1GBTH58NVG4D4BTG20 2GBSANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32MSDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M Micron MT29F2G08A 256MBMT29F4G08B 256MBMT29F4G08BAB 512MMT29F8G08FAB 1G。

2246闪存参数详解大家都知道2246en的闪存参数是放在工具目录下FlashDB\2246AA\Flash.SET 文件里的。

由各种数字组成，并没有任何注释，咋一看很容易被弄晕。

但后来发现是可以在config文件里找到参数对应的定义，经过这几周的慢慢摸索和反复实验对比，已经基本弄明白了其参数的定义，以及部分参数的作用，虽然还是有不少作用不明，但已经可以在参考原厂参数的基础下改出同制程的颗粒了。

分享如下：错误在所难免，也希望得到大家的补充和讨论。

镁光的资料是比较全的，其颗粒datasheet、编号规则等均能从官网查询下载，因此就以常见的镁光MT29F128G08CFAAB 为例吧：这里提一下：整个1套参数是指颗粒中1个CE的参数，和这个颗粒有多少CE没有任何关系。

工具是通过主控识别总共有多少个CE再根据这个CE的参数来计算总容量，比如intel pf29f32b08ncme2 和pf29f64b08pcme1 这两个的参数就是完全一样的，2片ncme2等效1片pcme1。

所以经常会有一个颗粒被工具识别出好几个型号来，一般随便选哪个型号基本都一样的，除非参数略有不同，比如jcme2和ncme2是有点不一样的，具体会在后面讲到这个参数的时候详述。

为便于解读，每个参数给予一个编号，带*号的表示这个参数非常重要，不可有错；带(Hex)的表示参数为16进制数值。

1-6：*Flash id 这个不用讲，大家都知道。

7：*BITSPERCELL 闪存类型1=SLC、2=MLC、3=TLC你没看错，我在支持库里找到了一些TLC的型号，镁光、三星、东芝、HY的都有，而且在工具里是可选的，比如K9ACGD8U0A：它是1ce的颗粒，常见的K9CFGY8U5A和它是一个id，理论上选它可开卡，但三星的TLC都是bga316的，我没有转接板无法开卡验证，有条件的同学可以尝试一下。

镁光的是B95A制程的MT29F512G08EMCBB，可能是较新上市的，没见过。