下载文档原格式
F L A S H芯片种类与区别 Hessen was revised in January 2021Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。
IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；?二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI 通信协议。
有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的 IIC EEPROM的读写速度上要快很多。
SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。
NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。
简称：Cache标准：CacheMemory中文：高速缓存高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。
当中央处理器(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不需从内存中读取数据。
由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，必须等待数个机器周期造成浪费。
所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。
如Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为L1高速缓存(Memory)。
L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。
简称：DDR标准：DoubleDateRate中文：双倍数据传输率DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统使用3.3或3.5V的电压。
因为DDRSDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取内存(SDRAM)好。
DDRistheacronymforDoubleDataRateSynchronousDRAM(SDRAM).DDRSDRAM memorytechnologyisanevolutionarytechnologyderivedfrommatureSDRAM technology.ThesecrettoDDRmemory'shighperformanceisitsabilityto performtwodataoperationsinoneclockcycle-providingtwicethethroughput ofSDRAM标准：DualinLineMemoryModule中文：双直列内存条DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一种封装技术。
在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。
93系列Microwire总线型Microwire总线采用时钟(CLK)、数据输入(DI)、数据输出(DO)三根线进行数据传输，接口简单。
Microchip公司的93XXX系列串行E2 PROM存储容量从1k bit(×8/×16)至16k bit(×8/×16)，采用Microwi re总线结构。
产品采用先进的CMOS技术，是理想的低功耗非易失性存储器器件。
1引脚93XX系列串行E2PROM的产品很多，附图是93AA46型1k 1.8V Microwire总线串行E2PROM的引脚图。
CS是片选输入，高电平有效。
CS端低电平，93AA46为休眠状态。
但若在一个编程周期启动后，CS由高变低，93AA46将在该编程周期完成后立即进入休眠状态。
在连续指令与连续指令之间，CS必须有不小于250ns（TCSL)的低电平保持时间，使之复位(RESET)，芯片在CS为低电平期间，保持复位状态。
CLK是同步时钟输入，数据读写与CLK上升沿同步。
对于自动定时写周期不需要CLK信号。
DI是串行数据输入，接受来自单片机的命令、地址和数据。
DO是串行数据输出，在DO端需加上拉电阻。
ORG是数据结构选择输入，当ORG为高电平时选×16结构，ORG为低电平时选×8结构。
2工作模式根据单片机的不同命令，93AA46有7种不同的工作模式，附表给出在ORG=1(×16结构)时的命令集(表中“S”为Start位)。
ORG=0(×8结构)，除在地址前加A6位或在地址后加一位“X”外，其余与附表相同。
除了读数据或编程操作期间检查READY/BUSY状态时外，DO脚均为高阻状。
在擦除/写入过程中，DO为高电平表示“忙”，低电平表示“准备好”。
在CS下降沿到来时，DO进入高阻态。
若在写入和擦除转换期间，CS保持高电平，则DO端的状态信号无效。
3功能START(起始)条件CS和DI均为高电平后CLK的第一个上升沿，确定为START。
笔记本常用芯片(IC)千兆网卡芯片：88E8001、RTL8101L\笔记本电脑温度传感器芯片：ADM1032、DS1620、LM26笔记本电脑指纹传感器: AES2501笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片：BA9741F、BD9766FV、BD9882F、BD9883FV、MAX1522/MAX1523/MAX1524 、OZ960、L1451、TL5001、笔记本电脑开机控制芯片：BD4175KV、BD4176KVT、IPC47N253、PC87551、TB62506、笔记本电脑I／O芯片：FDC37N97、IT8716FCX、IT8705F 、IT8712F 、IT8712G 、IT8702 、W83627HF 、W8671F笔记本电脑CPU散热风扇转速控制芯片：G781、笔记本电脑主板时钟芯片：ICS950810、ICS954302、ICS954310、ICS954309、SLG84420、3 J" L& |6 l( O/ O2 Z7 l笔记本电脑系统供电控制芯片：LTC1628 、LTC3728L 、MAx1632、MAx1901、MAX1977、MAx8734、SC1403、SC1404、SC2450、SI786LG、笔记本电脑内存供电控制芯片：ISL6224 、ISL6225 、ISL6227、ISL6537、G2996、MAx1540、MAxl541、MAx1623、MAX1644、MAx1809、MAx1844、MAX1992/MAX1993、MAX1858、MAX8505、MAX8632、MAx8743、MAx8794、SC470、SC1485、SC1486/SC1486A 、TPS51117、TPS51124、TPS54610、TPS54672笔记本电脑CPU供电控制芯片：ADP3181 、ADP3203 、ADP3421 、APW7057、IPM6220A 、ISL6217、ISL6223、ISL6262、LTC3716、LTC3735、LTC1709 、MAX1830/MAX1831 、MAx1907、MAx1987、MAx8760、MAx8770、SC1474、SC1476、SC451、SC452、笔记本电脑充电控制芯片：AAT3680 、BQ24700 、BQ24701 、BQ24702/BQ24703 、DS2770 、LT1505、LTC4008 、MAX1645B 、MAX1736 、MAX745、MAX1873 、MAx8724、MAx8725、MAx8765、MB3887、MB39A126PFV、TL594低压差稳压器：AAT3200、AME8824、AMS1505、AP15912、G9338、LPL1084、MAX8863、MIC5205 、SCl565、SC4215、SI9183、低压差稳压器：LP2951、笔记本主板声卡芯片: ALC200 、ALC201A 、ALC262、ALC655 、ALC658、ALC660、ALC86l、ALC880、ALC883、ALC202、AD1986、CS4205、CS20468、CS20549、Esl92l、PT2353、笔记本主板音频功率放大芯片: AN12943、APA2020/TPA0202、G1420、LM4835、LM4838、LM4882、LM4861 、LM4863、LM4880/LM4881 、LM4911 、MAX9710、MAx9750、MAx9751、MAX9755、MAx9789、MAx9790、TPA0142、TPA0142、TPA0312、TPA6017、主板内存供电芯片：AP1250、APW7060 、CM8501/CM8501A 、CM8562 、ISL6520 、NCP5201 、RT9202、RT9214、APW7120、RT9203 、RT9173、RT9218、SC2595、SC2614、SC411、SC2616、AP1250主板内存供电芯片AP15912大电流低压差稳压器APW7057笔记本电脑芯片组供电控制芯片NBA9741F笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片KBD4175KV笔记本电脑开机控制芯片BD9766FV笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片BD9882F笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片HBD9883FV笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片CS4205笔记本电脑声卡芯片QCS20468笔记本电脑声卡芯片CS20549笔记本电脑声卡芯片ICS952606主板时钟芯片Esl92l笔记本电脑声卡芯片FAN5019主板CPU供电控制芯片FAN5090主板CPU供电控制芯片FDC37N972笔记本电脑I／O芯片1 _)G1420笔记本电脑音频功放芯片G2996笔记本电脑内存供电控制芯片G781笔记本电脑CPU散热风扇转速控制芯片G9338低压差线性稳压控制器ICS950810笔记本电脑主板时钟芯片ICS954302笔记本电脑主板时钟芯片ICS954309笔记本电脑主板时钟芯片ICS954310笔记本电脑主板时钟芯片ISL6227笔记本电脑内存供电控制芯片)ISL6262笔记本电脑CPU供电控制芯片ISL6559主板CPU供电控制芯片ISL6566主板CPU供电控制芯片IT8716FCX主板I／O芯片ZLPL1084低压差稳压器L6711主板CPU供电控制芯片L6917主板CPU供电控制芯片LM13700M双运算放大器LM26笔记本电脑温度传感器LM324四电压比较器LM4835／LM4838笔记本电脑音频功放芯片LM4882笔记本电脑音频功放芯片LP2951 100mA低压差稳压器IPC47N253笔记本电脑开机芯片LTC3716笔记本电脑CPU供电控制芯片LTC3735笔记本电脑cPu供电控制电路MAMAxl541笔记本电脑内存／芯片组供电控制芯片MAx1558双路可编程电流LJSB开关MAx1623笔记本电脑内存供电电路MAx1626／MAxl627主板供电控制芯片MAx1632笔记本电脑系统供电控制芯片MAx1809笔记本电脑内存供电电路MAx1844笔记本电脑芯片组／显卡供电控制芯片MAx1901笔记本电脑系统供电控制芯片MAx1907笔记本电脑cPu供电控制芯片MAx1987笔记本电脑cPu供电控制芯片MAX3243 3～5V多通道RS-232线性驱动／接收器MAX4490满摆幅输入／输出运算放大器MAX8505笔记本电脑芯片组控制芯片MAX8632笔记本电脑内存供电控制芯片MAx8724笔记本电脑充电控制芯片MAx8725笔记本电脑充电控制芯片MAx8734笔记本电脑系统供电控制芯片MAx8743笔记本电脑显卡／芯片组供电控制芯片MAx8760笔记本电脑cPu供电控制芯片MAx8765笔记本电脑电池充电控制芯片MAx8770笔记本电脑CPU供电控制芯片MAx8794笔记本电脑DDR内存供电控制芯片MAX8863低压差稳压芯片MAX9710笔记本电脑音频功放芯片MAx9750／MAx9751／MAX9755笔记本电脑音频功放芯片MAx9790笔记本电脑音频功放芯片MB3887笔记本电脑充电控制电路。
RAM/ROM存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
一、 RAM有两大类：1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地址复用的。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。
由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
Rev. 1.502016-07-01概述该单片机是8位高性能精简指令集的Flash 型单片机，具有一系列功能和特性，其Flash 存储器可多次编程的特性给用户提供了极大的方便。
存储器方面，还包含了一个RAM 数据存储器和一个可用于存储序列号、校准数据等非易失性数据的EEPROM 存储器。
在模拟特性方面，该单片机包含一个多通道12位A/D 转换器和比较器功能。
还带有多个使用灵活的定时器模块，可提供定时功能、脉冲产生功能及PWM 产生等功能。
内部看门狗定时器、低电压复位和低电压检测等内部保护特性，外加优秀的抗干扰和ESD 保护性能，确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地运行。
该单片机提供了丰富的HXT 、LXT 、HIRC 和LIRC 振荡器功能选项，且内建完整的系统振荡器，无需外接元件。
其在不同工作模式之间动态切换的能力，为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段。
外加时基功能、I/O 使用灵活等其它特性，使这款单片机可以广泛应用于各种产品中，例如电子测量仪器、环境监控、手持式测量工具、家庭应用、电子控制工具、马达控制等方面。
方框图Rev. 1.50HT66F018内置EEPROM 增强A/D 型单片机2016-07-01引脚图VSS&AVSS PC0/OSC1PC1/OSC2PC2PA0/TP0/ICPDA/OCDSDAPA1PA2/ICPCK/OCDSCKPA3/CXVDD&AVDD PB0/INT0/AN0/XT1PB1/INT1/AN1/XT2PB2/TCK0/AN2PA4/TCK1/AN3PA5/AN4/VREF PA6/TCK2/AN5PA7/TP1/AN6HT66F01816 NSOP-A16151413121110912345678HT66F01820 SOP-A/SSOP-AVSS&AVSS PC0/OSC1PC1/OSC2PC2PA0/TP0/ICPDA/OCDSDAPA1PA2/ICPCK/OCDSCKPA3/CX PB6/C+PB5/C-VDD&AVDD PB0/INT0/AN0/XT1PB1/INT1/AN1/XT2PB2/TCK0/AN2PA4/TCK1/AN3PA5/AN4/VREF PA6/TCK2/AN5PA7/TP1/AN6PB3/TP2/AN7PB4/CLO2019181716151413121112345678910注：1.若共用引脚同时有多种输出，“/”号右侧的引脚名具有更高的优先级。
