INFICON英福康电容薄膜规CDG025D中文资料

￭ 高功率厚膜晶片电阻（High Power Thick Film Chip Resistor )￭ 应用（Application）- Consumerelectrical - HomeAppliance:Airconditioner,Refrigerato - Computer & relative products:Mainboard - Communication equipment:Cell phone,Faxmachine - Power equipment: Power supply,lllumination equipment - Measuring instrument: Electric meter, Navigationequipment￭ 特性（Features）- Small size and light weight - Reliability, high quality - High Power￭ 产品料号（Parts Number Explanation ）示例（Example）: FRP1206J102TS- 消费类电子 - 家电：空调，冰箱 - 计算机及相关产品：主板 - 通讯设备：手机、传真机 - 电源设备：电源、照明设备 - 测量仪器：电表、导航设备- 体积小，重量轻 - 可靠性，高质量 - 高功率￭ 本体标识（Marking on the Resistor's Body）￭ 0603±1% E96系列电阻值代码Standard E96 Series Resistance Value Code for 0603 ±1% Marking代码 Code 阻值 Value49 31650 32451 33252 34053 34854 35755 36556 37457 383￭ 0603±1%标记的倍增码Multiplier Code for 0603 ±1% Marking10D=124×103=124KΩ 38Y=243×10-2=2.43Ω0603 ±1%的产品，在标准E24系列中，但不属于E96系列，标示与5%的字码相同，但是在中间字码 下加㇐条线（Standard E24 and not belong to E96 series values of 0603 ±1%, the marking is thesame as 5% tolerance but marking as underline ）331=33×101=330Ω 560=56×100=56Ω￭ 尺寸(Dimension):单位（H T1 0.30±0.03 0.23±0.03 0.10±0.05 0.50±0.05 0.35±0.05 0.20±0.10 0.80±0.10 0.45±0.10 0.25±0.15 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 1.60±0.10 0.55±0.10 0.45±0.20 2.60±0.15 0.55±0.10 0.45±0.15￭ 功率衰减曲线（ Derating Curve）工作温度范围（Operating Temperature Range ）： -55℃~+155℃; 储存条件（storage condition ）： 5～30℃, 30～75%RH.￭ 电阻结构（Construction）(0201)（其他）￭ 阻值范围（Resistance range）:￭ 电气特性（Electrical characteristics）Array￭ 电性规格（Standard Electrical Specifiations）备注：（remark）: 额定电压计算公式（The rated voltage is calculated by the following formula）：RPE=E：额定电压（Rated Voltage）(V)P：额定功率（Rated Power ）(W)R：电阻阻值（Resistance ）(ohm)如果计算出的电压超过此型别的最大工作电压，则此型别的最大工作电压为此电阻的额定电压。

cdg 电容薄膜规
CDG电容薄膜规是一种用于测量物体厚度的薄膜规，常用于测量电路板、塑料薄膜、纸张等物体的厚度。

CDG电容薄膜规的工作原理是利用电容效应来测量物体的厚度。

它由两个金属电极组成，电极之间的间距根据所测量物体的厚度来调节。

当物体靠近电极时，电容的值会发生变化，通过测量电容的变化，就可以得出物体的厚度。

CDG电容薄膜规通常配有数字显示屏，可以直观地显示测量结果。

CDG电容薄膜规具有测量精度高、操作简便、适用范围广等优点，常用于工业生产线上的质量控制和检测过程中。

英福康CDG045D说明书CDG045D电容膜片真空计简单介绍：瑞士inficon cdg045d电容膜片真空计，45°c sky® 电容膜片真空计前所未有的满刻度稳定性，是实现高总压测量与控制的理想之选。

cdg045d电容膜片真空计的详细介绍：CDG045D 压力计是实现高精确总压测量与控制的理想之选。

CDG045D真空计温度控制在45 °C，具有卓越的信号稳定性和可重复性。

在 50 mTorr 至 1000 Torr满刻度范围内均可使用，带有所有常用类型的法兰和现场总线接口，能够提供 0 至 10 V、不受气体类型限制的线性压力信号。

INFICON电容式压力计采用超纯氧化铝陶瓷隔膜，具有防腐蚀性。

陶瓷传感器具有信号稳定性更佳、从大气恢复的速度更快、预热时间短和使用寿命长等诸多优势。

INFICON CDG压力传感器品质卓越，极具成本效益，适用于苛刻的真空应用。

cdg045d电容膜片真空计益处：拥有成本更低，预热速度快 50%，节能，低功耗。

易于集成，各种满刻度、法兰和接口，标配两个设定点。

轻松一键归零或远程信号归零指令，可调零点偏移。

诊断端口便于快速服务与维护。

两年保修服务，先进的加热概念和真空计保护延长了使用寿命。

卓越的信号稳定性和可重复性，即使是严苛的等离子应用，都无需长期执行重新校准。

合规性和标准： ce、en、ul、semi、rohscdg045d电容膜片真空计典型应用：蚀刻、cvd、pvd 及其他半导体生产过程。

化学和腐蚀性过程。

一般薄膜和真空过程。

作为基准仪器监控测试仪器是否符合。

符合传递标准，确保测量可追溯性。

cdg 电容薄膜规（原创版）目录1.CDG 电容薄膜概述2.CDG 电容薄膜的特点3.CDG 电容薄膜的应用领域4.CDG 电容薄膜的发展前景正文CDG 电容薄膜，即金属化聚二醇电容薄膜，是一种具有高介电常数、高击穿强度、低损耗和宽频率响应范围等优点的电介质材料。

它是采用物理气相沉积技术，在聚二醇薄膜表面金属化制备而成。

这种电容薄膜广泛应用于电子、通信、汽车电子、家电等领域。

CDG 电容薄膜具有如下特点：1.高介电常数：CDG 电容薄膜具有较高的介电常数，这意味着在相同的电场强度下，其电容值比传统的电介质材料要大得多。

因此，使用 CDG 电容薄膜可以实现更高的电容量和更小的电容器体积。

2.高击穿强度：CDG 电容薄膜具有很高的击穿强度，可以在较高的电压下工作，不易发生击穿现象。

3.低损耗：CDG 电容薄膜的损耗因子很小，这意味着在高频率下工作时，其能量损耗较小，有利于提高系统的工作效率。

4.宽频率响应范围：CDG 电容薄膜具有较宽的频率响应范围，可以在不同频率下保持稳定的电容性能。

CDG 电容薄膜的应用领域：1.电子行业：CDG 电容薄膜广泛应用于各类电子产品，如手机、电脑、电视等，提高产品的性能和可靠性。

2.通信领域：CDG 电容薄膜在通信领域也有广泛应用，如无线通信基站、光纤通信等，保障通信系统的稳定运行。

3.汽车电子：CDG 电容薄膜在汽车电子领域也有广泛应用，如发动机控制模块、车载导航系统等，提高汽车的安全性和舒适性。

4.家电领域：CDG 电容薄膜在家电产品中也有广泛应用，如空调、洗衣机、电视机等，提高家电产品的性能和可靠性。

随着科技的不断发展，CDG 电容薄膜在各个领域的应用将会越来越广泛。

1）,国产电容的型号和标志识别：国产电容的型号一般有四个部分组成：如C BB 1 2 代表非封闭型丙稀电容器C－第一部分，用字母C表示电容器；BB－第二部分，用字母表示介质材料，BB表示丙稀1－第三部分，用数字（个别用字母）表示分类2－第四部分，用字母表示产品序列（外形和性能不同）；电容器的标志方法主要有直标法，文字法和色环法：1，直标法，主要参考上面两表；2，文字法：容量的标注法有两种，一是数字和字母相结合，如10p代表10pF,4.7p表示4.7F。

其特点是省略F,小数点部分用p,n,u,m表示。

二是用三位数表示，第一第二位为有效数字位，第三位为倍率。

，表示有效数字后的零的个数，电容量的单位是pF。

如203表示20*1000pF,102表示10*100pF.文字法中的容量允许偏差和工作温度的字符代表意义负温度用字母表示，正温度用数字表示。

就一个例子，一个电容标志是682JC4表示电容的容量是6800pF±5﹪,工作温度范围是从－40到＋125℃。

3。

，色标法：与电阻相似，对于园片或矩形片状电容器，非引线段部的一环为第一环，以后一次是第二，第三，第四环等，一般有4～5个环，距离其他环较远的那环代表电容特性或工作电压。

各颜色代表的意思如下：2）,可变电容器:按其容量的变化范围可分为可变电容器（单连可变电容器和双连可变电容器）和微调电容器。

A，单连可变电容器：有一组动片和一组定片以及旋轴组成。

可分为：密封单连：选用薄膜作为介质，并用外壳把动片和定片组密封起来；空气单连：用空气作为介质。

工作原理：当转动旋轴时，改变了动片和定片的相对位置，即可调节容量，当动片全部选出后，容量最小。

在电路图中，要求在符号旁标上容量，如2/270pF表示电容量可在2～270pF变化，最大容量为270pF.其符号中的尖箭头表示可调整容量。

B，双连可变电容器：由两组定片和动片以及转轴组成。

分为两种：1，等容相连：两连最大电容量相同。

平尚COG(NPO)贴片电容,MLCC基本解说
COG(NPO)多层陶瓷片式电容
贴片电容简述
X7R贴片电容选型表
Y5V贴片电容选型表
简述
COG(NPO)贴片电容属于Class 1温度赔偿型电容。

它的容量稳固，简直不随温度、电压、工夫的变革而变革。

特别实用于高频电子电路。

COG(NPO)贴片电容特征
∙具有最高的电容量稳固性，在-55℃～125℃事情温度范畴内,温度特征为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。

∙层叠独石构造，具有高牢靠性。

∙优秀的焊接性和和耐焊性，实用于回流炉和波峰焊。

使用于种种高频电路,如:振荡、计时电路等。

COG(NPO)贴片电容容量范畴
厚度与标记对应表
0201～1206 COG(NPO)贴片电容选型表
细致材料请拜访网站。

IRFU020中文资料Power MOSFETIRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixFEATURESDynamic dV/dt RatingSurface Mount (IRFR020/SiHFR020)?Available in Tape and Reel ?Fast SwitchingEase of Paralleling ?Simple Drive RequirementsLead (Pb)-free AvailableDESCRIPTIONThird generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.Notea.See device orientation.Notesa.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.V DD = 25 V, starting T J = 25 °C, L = 541 μH, R G = 25 Ω, I AS = 14 A (see fig. 12).c.I SD ≤ 17 A, dI/dt ≤ 110 A/μs, V DD ≤ V DS , T J ≤ 150 °C.d. 1.6 mm from case.e.When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).PRODUCT SUMMARYV DS (V)60R DS(on) (Ω)V GS = 10 V0.10Q g (Max.) (nC)25Q gs (nC) 5.8Q gd (nC)11ConfigurationSingleORDERING INFORMATIONPackage DPAK (TO-252)DPAK (TO-252)IPAK (TO-251)Lead (Pb)-free IRFR020PbF IRFR020TRPbF a IRFU020PbFSiHFR020-E3SiHFR020T-E3a SiHFU020-E3SnPbIRFR020IRFR020TR a IRFU020SiHFR020SiHFR020T aSiHFU020ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise notedPARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Voltage V DS60VGate-Source Voltage V GS ± 20 Continuous Drain Current V GS at 10 VT C = 25 °C I D14A T C = 100 °C9.0Pulsed Drain Current a I DM 56Linear Derating Factor0.33W/°C Linear Derating Factor (PCB Mount)e 0.020Single Pulse Avalanche Energy b E AS 91mJ Maximum Power Dissipation T C = 25 °C P D42WMaximum Power Dissipation (PCB Mount)e T A = 25 °C2.5Peak Diode Recovery dV/dt cdV/dt 5.5V/ns Operating Junction and Storage Temperature Range T J , T stg- 55 to + 150°CSoldering Recommendations (Peak Temperature)for 10 s260d* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may applyIRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixNotea.When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).Notesa.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.Pulse width ≤ 300 μs; duty cycle ≤ 2 %.THERMAL RESISTANCE RATINGSPARAMETERYMBOL MIN.TYP.MAX.UNITMaximum Junction-to-Ambient R thJA --110°C/W MaximumJunction-to-Ambient (PCB Mount)aR thJA --50Maximum Junction-to-Case (Drain) R thJC-- 3.0IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixFig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseIRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixFig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain CurrentFig. 13a - Basic Gate Charge WaveformFig. 13b - Gate Charge Test CircuitIRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay Siliconix Array Fig. 14 - For N-ChannelVishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several q ualified locations. Reliability data for Silicon Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, andreliability data, see /ppg?90335.Disclaimer Legal Disclaimer NoticeVishayAll product specifications and data are subject to change without notice.Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively, “Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained herein or in any other disclosure relating to any product.Vishay disclaims any and all liability arising out of the use or application of any product described herein or of any information provided herein to the maximum extent permitted by law. The product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein, which apply to these products.No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document or by any conduct of Vishay.The products shown herein are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications unless otherwise expressly indicated. Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so entirely at their own risk and agree to fully indemnify Vishay for any damages arising or resulting from such use or sale. Please contact authorized Vishay personnel to obtain written terms andconditions regarding products designed for such applications.Product names and markings noted herein may be trademarks of their respective owners.元器件交易网。

薄膜电容英文规格书
薄膜电容的英文规格书通常被称为"Thin Film Capacitor Datasheet"。

这些规格书通常包括以下内容：
1. 产品描述，规格书通常会提供关于薄膜电容的基本描述，包括其用途、特点和优势。

2. 电气特性，规格书会详细列出电容的额定电压、容量、温度系数、介质损耗、绝缘电阻等电气特性参数。

3. 尺寸和外观，规格书会包含薄膜电容的尺寸、外观描述和引脚排列图，以便用户在设计电路时能够准确地使用这些信息。

4. 性能曲线，通常会包含电容的频率响应曲线、温度特性曲线等，以便用户了解电容在不同工作条件下的表现。

5. 包装和标记，规格书会描述电容的包装方式、标记规范和存储条件，以确保产品在运输和存储过程中不受损坏。

6. 认证和符合性，规格书可能会包含产品的认证信息，以及符
合性标准，确保产品符合相关的质量和安全标准。

7. 应用建议，一些规格书还会提供关于如何正确使用和布局薄膜电容的建议，以确保最佳性能和可靠性。

总的来说，薄膜电容的英文规格书是设计工程师、采购人员和终端用户了解产品性能和特性的重要参考资料，能够帮助他们在设计和应用中选择合适的电容产品。