2014年苏州大学841电子技术基础(机电)考研真题【圣才出品】

历年苏州大学考研真题试卷与答案汇总-苏大考研真题哪里找？东吴苏大考研网（苏州大学考研在线咨询入口）汇集了苏州大学各专业历年考研真题试卷（原版），同时与苏州大学专业课成绩前三名的各专业硕士研究生合作编写了配套的真题答案解析，答案部分包括了（解题思路、答案详解）两方面内容。

首先对每一道真题的解答思路进行引导，分析真题的结构、考察方向、考察目的，向考生传授解答过程中宏观的思维方式；其次对真题的答案进行详细解答，方便考生检查自身的掌握情况及不足之处，并借此巩固记忆加深理解，培养应试技巧与解题能力。

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第7章反馈放大电路7.1反馈的基本概念7.1.1在图7-1所示的各电路中，哪些元件组成了级间反馈通路?它们所引入的反馈是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈（设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略）?图7-1解：图（a）中由电阻2R引入负反馈，交、直流反馈均有；图（b）中由1e R引入负反馈，交、直流反馈均有，由1f R、2f R引入直流反馈；图（c）中由f R、2e R引入负反馈，交、直流反馈均有；图（d）中由1R、2R引入负反馈，交、直流反馈均有；图（e）中由3R、2A引入负反馈，交、直流反馈均有；图（f）中由6R引入负反馈，交、直流反馈均有。

7.1.2试判断图7-1所示各电路中级间交流反馈的组态。

解：将放大电路交流通路输出短路，若反馈不起作用，则该电路为电压反馈，否则为电流反馈；若反馈信号与输入信号在输入回路以电压相加减的形式出现，则该电路为串联反馈，在输入节点以电流相加减的形式出现，则该电路为并联反馈。

图（a）中由电阻2R引入电压并联负反馈；图（b）中由1e R引入电流串联负反馈；图（c）中由f R、2e R引入电流并联负反馈；图（d）中由1R、R2引入电压串联负反馈；图（e）中由3R、A2引入电压并联负反馈；图（f）中由6R引入电流串联负反馈。

7.1.3在图7-2所示的两电路中，从反馈的效果来考虑，对信号源内阻R s的大小有何要求?图7-2解：图（a）引入串联负反馈，故从反馈的效果考虑，信号源内阻Rs越小越好；图（b）引入并联负反馈，故从反馈的效果考虑，信号源内阻Rs越大越好。

7.2负反馈放大电路的四种组态7.2.1电路如图7-3所示。

（1）分别说明由R f1、R f2引入的两路反馈的类型及各自的主要作用；（2）指出这两路反馈在影响该放大电路性能方面可能出现的矛盾是什么?（3）为了消除上述可能出现的矛盾，有人提出将R f2断开，此办法是否可行?为什么?你认为怎样才能消除这个矛盾?图7-3解：（1）1f R在第一、三级间引入交、直流负反馈，直流负反馈能稳定前三级的静态工作点，其中交流反馈为电流串联负反馈，可稳定第三级的输出电流，同时提高T1的输入电阻；R在第一、四级间引入交、直流负反馈，其中直流负反馈为T1提供偏置，且稳定各2f级的静态工作点，而其交流反馈为电压并联负反馈，可稳定该电路的输出电压，同时降低了T1的输入电阻。

电子技术基础试题（八）一．填空题：（每题3分，共30分）1、PN结具有__________性能。

2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。

3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________小的特点，起阻抗变换作用。

4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最大，这种现象称为______________。

5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。

6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放，______类功放和_______类功放电路。

7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量__________，以减少__________失真。

8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、和___________四个部分组成。

9．逻辑代数的三种基本运算是_________ 、___________和___________。

10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。

二．选择题（每题3分，共30分）1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。

A.零偏B.反偏C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。

A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。

A.3A VB.A3VC.A V3/3D.A V4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。

A.保证电路满足振幅平衡条件B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。

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一、复习全书目录第一部分专业课深度解析1、历年真题的考点分布及试卷结构2、部分核心考点解析分析3、大学命题预测4、大学考研历年真题与答案解析大学2005年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷大学2006年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷大学2007年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷大学2008年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题大学2009年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷大学2011年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷大学2005年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2006年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析析大学2008年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2009年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2011年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2012年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2014年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2016年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析大学2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析析二、【复习全书使用说明】复习全书（主要含核心考点和历年真题）的使用建议（一）复习第一招：按图索骥，宏观洞悉1.复习基础阶段：初步浏览及标识复习中的疑惑点，此阶段重在对整体知识容留有印象，知晓重点，解决疑惑点；2.复习深化阶段：对应核心考点具体容，增加标识，此阶段可对照具体容的复习情况，把未熟练掌握容进行标识及补充复习中发现的重要容；3.复习冲刺阶段：可脱离参考书及复习全书中的核心考点解析部分，单独看框架和纲要回忆知识点并默写，以此查漏补缺，落实记忆。

绝密★考试结束前全国2014年4月高等教育自学考试电子技术基础（一）试题课程代码：02234请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。

选择题部分注意事项：1•答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸规定的位置上。

2•每小题选出答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。

如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。

不能答在试题卷上。

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。

错涂、多涂或未涂均无分。

1•下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.杂质离子也是载流子2•工作于放大区的某三极管，当I B从20增大到40时，l c从1mA变成2mA，则其交流电流放大系数约为A.50B.100C.150D.2003•在放大电路中，当f=f L时，电压放大倍数Au是中频时电压放大倍数A um的A.1/ 2 倍B.1 倍C.0.9 倍D. 2 倍4•场效应管与三极管相比较，其特点为A.热稳定性差C.为电流控制器件B.输入电阻小D.制造工艺简单5•共发射极放大电路与共集电极放大电路相比较，其特点为 A.输入电阻高A.放大差模信号，抑制共模信号B.放大差模信号，放大共模信号C.抑制差模信号，放大共模信号D.抑制差模信号，抑制共模信号7•希望放大电路具有较高的输入电阻和稳定的输出电压，在放大电路中应引入交流 A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈 C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈8.RC 桥式正弦波振荡电路如题 8图所示，起振时 R F 和R i 应满足的关系是A. R F >2R IB. R F =2R IC. R F <2R ID. R F =R I9.某电压比较器的电压传输特性曲线如题 9图所示，则该电压比较器的阈值电压 U TH 为A. 6VB. -6VC. 3VB.输出电阻彳氐C.电压放大倍数较低6•差分放大电路能够D.既有电压放大作用又有电流放大作用10. 某单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为 U2=10： 2S in 3t(V),则每个整流管所承受的最大反向电压为A . 10 2VC.20V11. 下列逻辑式正确的是A . AB 二 ABB. 20. 2V D. .2 VB. A B 二 A B D. A B = ABD.无法确定12.组合逻辑电路如题12图所示，该电路的输出 F 为A.F=IB. F=0C. F=ABD. F =AB13.十进制数38用8421BCD 码表示为 A.01000101 D.0011100014.集成双向移位寄存器74HC194应用电路如题14图所示，设该电路的初态为Q O Q I Q 2Q 3=OOO1 , 则经过3个CP 后，电路的状态为 Q O Q 1Q 2Q 3=1 1 ic 斯Q 】Q1―CR—i _n_n__>CP 74HC194——0Dsi 0。

第3章逻辑门电路3.1复习笔记一、MOS逻辑门电路1．逻辑电路的一般特性（1）输入和输出的高、低电平数字电路中的高、低电压常用高、低电平来描述，并规定在正逻辑体制中，用逻辑1和0分别表示高、低电平。

当逻辑电路的输入信号在一定范围内变化时，输出电压并不会改变，因此逻辑1和0对应一定的电压范围。

（2）噪声容限噪声容限表示门电路的抗干扰能力。

在数字系统中，各逻辑电路之间的连线可能会受到各种噪声的干扰，这些噪声会叠加在工作信号上，只要其幅度不超过逻辑电平允许的最小值或最大值，则输出逻辑状态不会受影响。

通常将这个最大噪声幅度称为噪声容限。

（3）传输延迟时间传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数，它说明门电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长时间。

（4）功耗①静态功耗当电路的输出没有状态转换时的功耗。

静态时，CMOS电路的电流非常小，使得静态功耗非常低。

②动态功耗CMOS电路在输出发生状态转换时的功耗，它主要由两部分组成：a ．由于电路输出状态转换的瞬间，其等效电阻比较小，从而导致有较大的电流从电源VDD 经CMOS 电路流入地；b ．由于CMOS 管的负载通常是电容性的，因此当输出由高电平到低电平，或者由低电平到高电平转换时，会对电容进行充、放电，这个过程将增加电路的损耗。

（5）延时-功耗积理想的数字电路或系统，要求它既速度高，同时功耗低。

用符号DP 表示延时-功耗积：pd DDP t P 式中，pd t 为传输延迟时间，D P 为门电路功耗。

DP 值越小，特性越理想。

（6）扇入数和扇出数门电路的扇入数取决于它的输入端的个数。

门电路的扇出数指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。

考虑如下两种情况：①拉电流工作情况负载电流从驱动门流向外电路，输出为高电平的扇出数表示：②灌电流工作情况负载电流从外电路流入驱动门，驱动门所能驱动同类门的个数：2．MOS 开关及等效电路（1）MOS 管开关特性图3-1（a ）为N 沟道增强型MOS 管构成的开关电路。

第3章二极管及其基本电路一、填空题1．PN结反偏时，内电场与外电场的方向，有利于载流子的漂移运动。

【答案】相同，少数。

【解析】PN结反偏时，外电场和内电场方向相同，PN结电场强度增加，阻止多数载流子的扩散运动，同时加剧了N区和P区中少数载流子的漂移运动。

2．半导体中载流子的扩散运动是由引起的，漂移运动是由引起的。

【答案】载流子浓度梯度，电场【解析】扩散是自发的，漂移是是由外力造成的3．利用PN结的电容随外加电压变化的特性可制成变容二极管，它工作时需要加偏压。

【答案】势垒、反向【解析】PN结中电容由势垒电容和扩散电容组成，正偏时以扩散电容为主，随正向电流增加而增加；反偏时以势垒电容为主，随反向电压的增加而减小。

考虑到功耗特性，PN 结电容多采用其反偏电容。

二、判断题1．P型半导体的少数载流子是空穴。

（）【答案】×【解析】P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。

三、选择题1．二极管正向电压从0.65V增加10％，则其正向电流的增加将（）。

A．10％B．大于l0％C．小于10％【答案】B【解析】二极管在导通后电压电流关系近似为非线性指数关系，电流变化快。

2．二极管的主要特点是具有（）。

A．电流放大作用B．单向导电性C．稳压作用【答案】B【解析】二极管正向接入时电阻趋于零，相当于短路；反向接入时电阻趋于无穷大，相3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A．前者反偏，后者也反偏B．前者正偏，后者反偏C．前者正偏，后者也正偏【答案】B【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。

4．电路如图3-1，设DZ1的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压Uo等于（）。

图3-1A．18VB．6.7VC．12.7VD．6V【答案】B【解析】由电压源可以判断电流方向为顺时针方向，D Z1是反向接入，D Z2是正向接入。

《电子技术基础》复习题参考教材：康华光，电子技术基础（第四、五版），高等教育出版社。

一、单项选择题（每小题1分）1. PN 结加正向电压导通时，其正向电流I F 主要由 ( A ) A. 多子扩散运动所引起 B. 少子扩散运动所引起 C. 多子漂移运动所引起 D. 少子漂移运动所引起2. 晶体管BJT 三极的电位V C =12V ，V B =5.7V, V E =5V ，可判断该三极管为 ( B ) A. NPN 锗管 B. NPN 硅管 C. PNP 锗管 D. PNP 硅管3. 对于场效应管下面描述错误的是 ( A ) A. 它是电流控制器件B. 只有一种载流子参与导电,是单极型三极管C. 输入阻抗高、热稳定性好、噪音低、制造工艺简单，适用于大规模集成电路D. 根据结构不同,可分为结型和绝缘栅型两大类4. 差分放大电路的作用是 ( B ) A. 放大共模信号和差模信号 B. 放大差模信号,抑制共模信号 C. 抑制共模信号和差模信号 D. 放大共模信号,抑制差模信号5. 电压并联负反馈使放大电路 ( C ) A. 输入电阻增加,输出电压稳定 B. 输入电阻增加,输出电流稳定 C. 输入电阻减小,输出电压稳定 D. 输入电阻减小,输出电流稳定6. 能将正弦波信号转换成方波信号输出的电路是 ( D ) A. 比例运算电路 B. 微分电路 C. 积分电路 D. 过零电压比较器7. 与门、或门电路在实际应用中,不使用的多余输入端处理方法是 ( D ) A. 全悬空 B. 全接地C. 全接高电平D. 与门接高电平, 或门接地 8. 可使逻辑函数BC C A B A Y ++=取值为0的A 、B 、C 变量组合为 ( C ) A. 001 B. 011 C. 100 D. 111 9. 将某一信息（输入）变换为某一特定的代码（输出），并使每组代码具有一定含义， 这个过程称为 ( B ) A. 译码 B. 编码 C. 数据选择 D. 数据分配 10. 用一片十进制计数器74290连接成8进制加法计数器，输出Q D Q C Q B Q A 的初态为0000,当第十个计数脉冲到来时，计数器的状态为 ( B ) A. 0001 B. 0010 C. 1001 D. 101011. 欲对全班43个学生以二进制代码编码表示，最少需要二进制码的位数是 （ B ）。