50PCB图形转移ODF图形转移工程师培训资料
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第六章2本章内容1)光致抗蚀剂类型与机理2)干膜光致抗蚀剂图形转移工艺(干膜)3)液态光致抗蚀剂图形转移工艺(湿膜)4)电沉积光致抗蚀剂(ED 膜)5)激光直接成像技术3图形转移技术图形转移-----PCB制造中最关键的工序之一; 生产中的关键控制点,也是技术难点所在。
PCB图形转移方法有:1)丝网印刷(Screen Printing)图形转移技术;2)干膜(Dry Film)图形转移技术;3)液态光致抗蚀剂(Liquid Photoresist)图形转移技术;4)电沉积光致抗蚀剂(ED膜)制作技术;5)激光直接成像技术(Laser Drect Image)。
P1634图形转移:----在PCB制造过程中将底版上的电路图形转移到覆铜箔层压板上,形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图形的工艺过程。
抗蚀图形----用于“印制蚀刻工艺”,即用抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图形,未被抗蚀剂保护的铜箔,在随后的化学蚀刻工序中被去掉,蚀刻后去除抗蚀层,便得到所需的铜电路图形。
抗电镀图形----用于“图形电镀工艺”,即用抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图形,使所需要的表面裸铜图形,经过清洁、粗化等处理后,在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡铅、锡镍、锡、金等),然后去掉抗蚀层进行蚀刻,电镀的金属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。
5印制蚀刻工艺流程:→贴干膜————下料→板面前处理→涂湿膜→烘干→曝光→显影→正相图形→蚀刻→去膜→→下工序图形电镀工艺过程:下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→→贴干膜————→涂湿膜→烘干→曝光→显影→负相图形→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→下工序67图形转移方法网印图形转移光化学图形转移----成本低只能制造大于或等于0.25mm 的印制导线--能制造分辨率高的清晰图形下料→钻孔→孔金属化→全板电镀铜→板面清洁处理→贴掩孔干膜→曝光→显影→掩孔正相图形→蚀刻→去膜→下工序掩孔蚀刻工艺流程:81)光致抗蚀剂:用光化学方法获得的、能抵抗住某种蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。
PCB工艺基础--内层图形转移制作:日期:目录4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理2、干膜光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述5、物料篇1、成像概述1)有较高的分辨率,一般线宽可做到1mil及更小;2)膜层厚度可调,应用于图形电镀工艺中,不易造成夹膜问题;3)干膜的厚度及组成一致,避免成像时不连续,品1)卓越的附着力;2)成本低;3)不耐擦花,不具备长时间的叠板能力;4)曝光能量高,曝光机单位产出低;1、IL光致成像概述——流程介绍1、流程介绍—内层DI曝光1、流程介绍—内层冲孔4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述2、干膜光致抗蚀剂工艺原理5、物料篇2、干膜光致抗蚀剂工艺原理保护膜双键架桥聚合单体:亲水性与疏水性的平基膜(载膜〕感光树脂层光聚合开始剂,安定剂,染料,密着促进剂2、干膜抗蚀剂工艺原理——干膜制作溶于显影液(乳状液)链状反应(自由基聚合)架桥反应光开始剂曝光M n+:Li +,Na +,K +, Ca ++Ki :扩散速度常数氢键退膜2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理条件:ST=24/41, L/S=100/400μm压膜前基板表面MD ×3.0磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理显影前显影后磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理条件:ST=24/41, L/S=100/100μm2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理SiO 2(尼龙刷用)α-Al 2O 3(喷砂用)磨料基板表面(研磨后)(0.1~0.2MPa)投入干燥水辊水洗基板附着异物(基板碎屑基板附着异物(吸水辊碎屑)2、干膜抗蚀剂工艺原理——贴膜质量相关实验方法:压膜前从基膜(PET〕侧加压在干膜上造成压痕,然后压膜-曝光-显影。
压膜前干膜被压受伤压膜后干膜被压受伤实验方法:压膜后从基膜(PET〕侧加压在干膜上造成压痕,然后曝光-显影。
实验方法:压膜前从保护膜(PE侧加压在干膜上造成压痕,然后压膜-曝光-显影。