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1．核战斗部核武器中起杀伤破坏作用的组成部分。
由核爆炸装置、引爆控制系统和相应的结构部件组成。
核战斗部在不同类型的核武器中，其组装形式有所不同。
弹道核导弹的战斗部,是与弹头再入姿态控制系统及突防诱饵系统一起装在弹头壳体之内,构成核弹头,位于导弹的前端。
惯性制导的战略弹道核导弹，在发射起飞后，到达主动飞行段终点，核弹头就和弹体分离，弹头沿着惯性弹道在外大气层飞行，最后重返大气层，飞向预定目标。
这时核弹头是一个再入飞行部件，因此也称为再入飞行器，又称为核导弹的有效载荷。
现代战略弹道核导弹的分导式弹头，是一个母舱，内装有多枚(一般为3～10枚)子弹头。
到达高空后，母舱将子弹头释放出去，从而使每个子弹头射向各自的目标。
这样的子弹头都是独立的再入飞行器，各自携带有核战斗部。
核炸弹、巡航核导弹、核鱼雷等的核战斗部舱，一般都位于弹体的中部，与制导系统舱是分隔的，形成一个独立的舱段。
2．核弹头弹道导弹上装有核战斗部的弹头，简称核弹头。
核弹头位于导弹的前端部，是在飞行过程中与弹体分离并再入大气层的部分，故英、美两国称其为核再入飞行器。
它利用核战斗部产生核爆炸，对目标实施大规模的杀伤和破坏。
导弹核弹头按其核装置的工作原理可分为原子弹头(裂变弹头)、氢弹头(热核弹头)和中子弹头(增强辐射弹头)等。
按作战任务可分为战略导弹核弹头和战术导弹核弹头。
前者用于执行战略任务，通常为热核弹头，威力大，可达几十万甚至上千万吨梯恩梯当量；后者用于打击战役战术纵深目标，通常威力较小，为数千或数万吨梯恩梯当量。
按每发导弹携带子弹头数量可分为单弹头和多弹头，多弹头有集束式和分导式两种，能提高突防能力和打击效果。
3．核爆炸装置具有核爆炸功能的裂变装置或热核装置，简称核装置。
核装置用于各种目的核试验时，可以只是一种物理装置，而不是武器，其结构不要求适应武器使用中将遇到的特殊环境条件。
按照核武器作战使用条件而设计制造的核装置，加上引爆控制系统和相应的结构部件，即可组成核武器的核战斗部。
核探测技术与核电子学-核探测技术与核电子学1、核辐射探测的主要内容有哪些？2、辐射探测器3、常见的核辐射探测器按工作原理可分成哪几类？4、闪烁计数器由哪几个部分组成？5、核辐射探测器输出的脉冲，其哪些参量与射线强弱、能量大小有着什么样的定性关系？6、按不同的分类标准，闪烁体分为哪几类？7、对用作核辐射探测器的闪烁体有哪些要求？8、对于分辨率分别为8%和13%的NaI（Tl）晶体，哪个晶体的能量分辨能力高？9、用好的NaI（Tl）晶体和光电倍增管，能量分辨率可达多大？10、量分辨能力与射线能量有何关系？11、探测效率12、常用的闪烁体有哪些？13、为什么NaI（Tl）探测器具有很高的探测效率？14、与NaI（Tl）探测效率有关的因素有哪些？15、使用NaI闪烁体有哪些注意事项？16、NaI(Tl)中含有少量的铊，铊起什么作用？使用时要注意什么？17、当NaI（Tl）晶体用来探测低能量X射线时，对晶体的封装有何要求？为什么？18、ZnS（Ag）闪烁体有哪些优缺点？19、CsI（Tl）闪烁体有哪些优缺点？20、简述对液体闪烁体的了解？21、简述光电倍增管及微通道板的作用。
二者有何特点、区别？22、简述光电倍增管的工作原理。
23、闪烁计数器由哪几部分组成？24、在闪烁计数器中，什么是光导？当光电倍增管与闪烁体不能直接接触时，怎么办？25、测量α射线采样哪种闪烁体？需要注意什么？26、测量β射线采样哪种闪烁体？需要注意什么？27、测量γ射线采样哪种闪烁体？28、光电倍增管各倍增极上的电压可以通过分压电阻得到，对分压电阻有何要求？为什么？29、影响闪烁计数器稳定性的主要因素有哪些？30、何为闪烁计数器的“坪”曲线？31、为什么要利用闪烁计数器的“坪”曲线？32、使用闪烁计数器有哪些注意事项？33、气体探测器有哪几种？34、电离室有哪两种类型？分别解释之。
35、在电离室中，造成谱线展宽最基本的因素是什么？能量分辨力由什么决定？36、气体放大现象37、与电离室相比，正比计数器有哪些优点？38、正比计数器可根据不同的探测对象充气，如探测热中子、探测快中子、探测X射线分别充什么气体？39、G-M计数器探测射线具有哪些优、缺点？40、使用G-M计数管有哪些注意事项？41、半导体探测器与气体电离室有何主要区别？42、列举几种半导体探测器。
目录一、辐射环境 (2)1.1 范艾伦辐射带 (2)1.1.1 内辐射带（Inner Belt） (3)1.1.2 外辐射带（Outer Belt） (3)1.2 宇宙线辐射环境 (3)1.2.1 银河宇宙线 (3)1.2.2 太阳宇宙线 (3)1.3 核爆辐射环境 (4)1.4 存在电离总剂量辐射的环境 (4)二、总剂量辐射损伤的产生机理 (4)三、电离总剂量辐射对器件的影响 (6)3.1 总剂量辐射对 NMOS 晶体管关态漏电流的影响 (6)3.2 总剂量辐射对 VDMOS 晶体管 1/f 噪声的影响 (7)3.3 总剂量辐射对 SRAM 静态功耗电流的影响 (8)3.4 总剂量辐射对 SRAM 功能的影响 (9)四、针对辐射损伤所采取的辐射加固方法 (9)4.1 环形栅结构 (10)4.2 H 形栅结构 (13)4.3 P+保护环 (15)4.4 厚场氧旁附加薄场氧层 (16)电离总剂量辐射效应及加固方法解析起草人：丛忠超一、辐射环境辐射环境主要包括空间自然辐射环境和人造辐射环境两种。
其中，空间辐射环境又可以分为范.艾伦辐射带和宇宙射线两种，而人造辐射环境主要是指核武器爆炸和地面辐射模拟源两种。
下面针对上述辐射环境进行详细介绍。
1.1 范艾伦辐射带所谓地球辐射带就是指那些存在于地球周围的高能粒子集中的区域，一般存在于近层宇宙空间中，即距离地球 100 公里到几百公里的空间。
它是由美国科学家詹姆斯·范艾伦于1958年根据美国第一颗卫星的空间粒子探测得出结果推测发现的，因此被称为范·艾伦辐射带。
范.艾伦辐射带是由地磁场俘获高达几兆电子伏的电子以及高达几百兆电子伏的质子组成，其中只有很少百分比像O+这样的重粒子，其分布结构图如 2.1 所示。
由图可知，高能质子与高能电子主要分布在两个对称的集中区域，在赤道附近呈环状绕着地球，并向极地弯曲，这两个区域分别被称为内辐射带和外辐射带，简称内带与外带，其中距离地球较近的称为内带，距离地球较远的称为外带，它们共同组成了范艾伦辐射带，下面将分别介绍内带与外带。
习题解答第一章绪论1、核信息的获取与处理主要包括哪些方面的？①时间测量。
核信息出现的时间间隔是测定核粒子的寿命或飞行速度的基本参数，目前直接测量核信息出现的时间间隔已达到皮秒级。
②核辐射强度测量。
核辐射强度是指单位时间内核信息出现的概率，对于低辐射强度的测量，要求测量仪器具有低的噪声本底，否则核信息将淹没于噪声之中而无法测量。
对于高辐射强度的测量，由于核信息十分密集，如果信号在测量仪器中堆积，有可能使一部分信号丢失而测量不到，因此要求仪器具有良好的抗信号堆积性能。
对于待测核信息的辐射强度变化范围很大的情况(如核试验物理诊断中信号强度变化范围可达105倍)，如测量仪器的量程设置太小，高辐射强度的信号可能饱和；反之，如量程设置太大，低辐射强度的信号又测不到，因此对于这种场合的测量则要求测量仪器量程可自动变换。
③能谱测量。
辐射能谱上的特征是核能级跃迁及核同位素差异的重要标志，核能谱也是核辐射的基本测量内容。
精确的能谱测量要求仪器工作稳定、能量分辨力达到几个电子伏特，并具有抑制计数速率引起的峰位和能量分辨力变化等性能。
④位置测量。
基本粒子的径迹及空间位置的精确测定是判别基本粒子的种类及其主要参数的重要手段。
目前空间定位的精度可达到微米级。
⑤波形测量。
核信息波形的变化往往反映了某些核反应过程的变化，因此核信息波形的测量是研究核爆炸反应过程的重要手段，而该波形的测量往往是单次且快速(纳秒至皮秒级)的。
⑥图像测量。
核辐射信息的二维空间图像测量是近年来发展起来的新技术。
辐射图像的测量方法可分为两类：第一种是利用辐射源进行透视以摄取被测物体的图像；第二种是利用被测目标体的自身辐射(如裂变反应产生的辐射)以反映目标体本身的图像。
图像测量利用计算机对摄取的图像信息进行处理与重建，以便更准确地反映实际和提高清晰度。
CT技术就是这种处理方法的代表。
2、抗辐射加固主要涉及哪些方面？抗辐射加固的研究重点最初是寻找能减弱核辐射效应的屏蔽材料，后来在电路上采取某些抗辐射加固措施，然后逐渐将研究重点转向对器件的抗辐射加固。
智慧树知到《走近核科学技术》章节测试答案第一章1、下列哪种元素不是以国家命名的（）A:PbB:FrC:GeD:Am答案:Pb2、切尔诺贝利核事故发生在哪一年？（）A:1984B:1985C:1986D:1987答案:19863、核电占本国能源结构比例最大的国家是___。
A:美国B:法国C:日本D:中国答案:法国4、2012年2月19日最新命名的新元素符号是（）A:MtB:DsC:RgD:Cn答案:Cn5、下列国家中，核电占本国能源结构比例最大的国家是（）A:法国B:美国C:日本D:中国答案:法国6、1945年，美国给日本的广岛和长崎投下了两颗原子弹A:对B:错答案:对7、1.XXX把（）年定为国际化学年是为了纪念XXX取得诺贝尔化学奖100周年A:2009B:2010C:2011D:2012答案:20118、从XXX第一次获得诺贝尔物理奖至今，（）的诺贝尔物理学、化学奖与从事放射性，辐射（粒子）有关。
9、元素周期表中U以后的元素被称作超铀元素，超铀元素都是人造元素A:对B:错答案:对10、铀是自然界存在的原子序数最大的元素A:对B:错答案:对第二章1、亚洲人第一次对新元素的发现做出进献的是第几号元素？（）A:111B:112C:113D:114答案:1132、以下哪类元素不是以国家命名的（）A:PbB:FrC:GeD:Am答案:Pb3、2012年2月19日最新命名的新元素符号是（）A:MtB:DsC:RgD:Cn答案:Cn4、我国高放废物地址处置地下实验室的重点预选区——北山位于（）A:青海B:甘肃C:新疆D:内蒙古答案:甘肃5、除中国外，国际承认的有核兵器的国家有（）A:美国B:俄罗斯C:英国D:法国答案:美国,俄罗斯,英国,法国6、中国于（）年试爆第一颗核弹A:1962B:1963C:1964D:1965答案:19647、XXX总理说过，我们毫不第一利用核兵器A:对B:错答案:对8、我国科学家首次合成和鉴别了23种新核素A:对B:错答案:对9、核能是唯一能取代化石原料的的（）、（）、（）的能源A:高效B:清洁C:经济D:无用答案:高效,清洁,经济10、重水堆的燃料元件不需求用到六氟化铀A:对B:错答案:对第三章1、下列属于电离辐射源的有（）A:α粒子B:β粒子C:中子D:X射线答案:α粒子β粒子中子X射线A:人工呆板源B:宇宙射线C:宇生放射性核素D:原生放射性核素答案:人工机器源3、电离辐射的自然起原不包孕（）A:宇宙射线B:宇生放射性核素C:原生放射性核素D:人工机器源答案:人工机器源4、我国的“两弹一星”成绩发生在上世纪哪一个年月？（）A:40年代至50年代B:50年月至60年月C:60年月至70年月D:70年代至80年代答案:60年月至70年月5、下各国家中未插手《不扩散核兵器条约》的是（）A:日本B:朝鲜C:伊朗D:美国答案:朝鲜6、辐射的表现形式的电磁波或高能粒子A:对B:错答案:对7、微波、可见光都属于电离辐射A:对B:错答案:错8、电离辐射的起原包孕（）起原和（）起原A:自然B:人工C:工业答案:天然人工9、天然本底辐射存在于世界各处A:对B:错答案:对10、福岛核变乱发生后，（）竭力否决继续开展核电A:中B:法C:德D:日答案:德第四章1、以下不属于反应堆多重樊篱体系的是_。
核辐射防护技术在建筑材料中的应用核能是一种高效、清洁的能源形式，然而，核能设施的运行也伴随着核辐射的产生。
核辐射对人体健康和环境造成的潜在风险使得防护技术成为不可或缺的一部分。
在建筑材料中应用核辐射防护技术，能够有效减少辐射泄漏，保护人员和环境的安全。
本文将探讨核辐射防护技术在建筑材料中的应用。
一、铅材料的应用铅是一种具有良好阻挡射线能力的金属材料，常常被用于核辐射防护材料。
在建筑中，我们可以使用铅屏蔽材料来阻挡辐射泄漏。
比如，建筑中的射线诊断室通常采用铅板覆盖墙壁和门，以防止射线外泄。
铅玻璃也是一种常见的防护材料，它能够有效地阻挡射线的穿透。
二、混凝土材料的加固混凝土是常见的建筑材料，其密度较高，因此在核辐射防护中有一定的应用潜力。
可以通过在混凝土中掺入特殊的材料，如重金属粉末等，来增加混凝土的密度，从而提高其防护能力。
这种增加密度的方法被广泛应用于核电站等核能设施的建筑中。
此外，混凝土还可以通过增厚构件的厚度来增加辐射防护效果。
三、铅丝网的运用铅丝网是一种灵活的核辐射防护材料，可以用于包覆管道、设备或者其他建筑构件，以阻隔辐射泄漏。
铅丝网具有良好的可塑性，使其可以根据不同形状和尺寸的构件进行包覆，为建筑提供全方位、全覆盖的辐射防护。
四、建筑材料的密封在建筑中，对于与核能设施有关的区域，密封是一个重要的防护措施。
通过使用防护性材料和优质密封胶等材料，可以有效减少辐射的泄漏。
这些材料具有良好的抗辐射能力和封闭性，能够防止核辐射泄漏进入建筑中，保护人员和环境的安全。
五、内部排水系统的设计在核能设施的建筑中，排水系统的设计至关重要。
合理的排水系统能够减少核废水的泄漏和扩散。
例如，在核废水处理设施中，可以采用多层过滤和吸附材料来净化废水。
这些材料能够吸附有害的核辐射元素，使废水中的辐射浓度降至最低。
总结起来，核辐射防护技术在建筑材料中的应用涵盖了多个方面。
通过使用防护材料如铅、混凝土、铅丝网等，以及优化排水系统的设计，可以有效减少核辐射的泄漏，保护人员和环境的安全。
目录一、辐射环境 (2)1.1 范艾伦辐射带 (2)1.1.1 内辐射带（Inner Belt） (3)1.1.2 外辐射带（Outer Belt） (3)1.2 宇宙线辐射环境 (3)1.2.1 银河宇宙线 (3)1.2.2 太阳宇宙线 (3)1.3 核爆辐射环境 (4)1.4 存在电离总剂量辐射的环境 (4)二、总剂量辐射损伤的产生机理 (4)三、电离总剂量辐射对器件的影响 (6)3.1 总剂量辐射对NMOS晶体管关态漏电流的影响 (6)3.2 总剂量辐射对VDMOS晶体管1/f噪声的影响 (7)3.3 总剂量辐射对SRAM静态功耗电流的影响 (8)3.4 总剂量辐射对SRAM功能的影响 (9)四、针对辐射损伤所采取的辐射加固方法 (9)4.1 环形栅结构 (10)4.2 H形栅结构 (13)4.3 P+保护环 (15)4.4 厚场氧旁附加薄场氧层 (16)电离总剂量辐射效应及加固方法解析起草人：丛忠超一、辐射环境辐射环境主要包括空间自然辐射环境和人造辐射环境两种。
其中，空间辐射环境又可以分为范.艾伦辐射带和宇宙射线两种，而人造辐射环境主要是指核武器爆炸和地面辐射模拟源两种。
下面针对上述辐射环境进行详细介绍。
1.1 范艾伦辐射带所谓地球辐射带就是指那些存在于地球周围的高能粒子集中的区域，一般存在于近层宇宙空间中，即距离地球100公里到几百公里的空间。
它是由美国科学家詹姆斯·范艾伦于1958年根据美国第一颗卫星的空间粒子探测得出结果推测发现的，因此被称为范·艾伦辐射带。
范.艾伦辐射带是由地磁场俘获高达几兆电子伏的电子以及高达几百兆电子伏的质子组成，其中只有很少百分比像O+这样的重粒子，其分布结构图如2.1所示。
由图可知，高能质子与高能电子主要分布在两个对称的集中区域，在赤道附近呈环状绕着地球，并向极地弯曲，这两个区域分别被称为内辐射带和外辐射带，简称内带与外带，其中距离地球较近的称为内带，距离地球较远的称为外带，它们共同组成了范艾伦辐射带，下面将分别介绍内带与外带。
第四章核辐射失效及抗核加固1*核辐射环境由于核武器技术/空间技术和核动力的发展，大量的电子设备和系统必然要处于在核武器爆炸和其它核环境下工作。
核辐射环境对于电子系统来说是目前存在的最恶劣环境。
核武器爆炸时，除了产生大火球和蘑菇云外，还会产生具有巨大破坏作用的冲击波/光热辐射/放射性沉降物/核辐射和核电磁脉冲等。
其中，核辐射和核电磁脉冲对电子和电力系统/电子元器件的破坏作用最为严重。
电子元器件所受的辐射损伤可以分为永久损伤/半永久损伤和瞬时损伤等几种情况。
永久损伤就是在辐射源去除后，元器件仍丧失工作性能不能恢复性能效应；半永久损伤是辐射源去除后，在不太长的时间内元器件可逐渐地自行恢复性能；瞬时损伤效应是指在辐射源消失后，元器件的工作性能能立即得到恢复。
人造地球卫星和宇宙飞船在空间飞行时，将受到空间各种高能粒子的轰击。
空间辐射的主要来源是天然辐射带和高空核爆炸造成的人工辐射带。
天然辐射带又称为范艾伦辐射带，它是由于地球附近存在着大量的带电粒子，在地磁场作用下它们始终在地磁场的“捕获区”内运动而构成。
天然辐射带象一条很宽很厚的带子围绕在地球周围，其主要成分是质子和电子。
它又分内辐射和外辐射两部分。
内带位于160----800Km的高度间，由能量小于500MeV的质子和和能量小于1MeV的低能电子组成。
外带位于800----3200Km的高度间，主要是由能量为0.4KeV到1.6KeV的电子组成。
范艾伦带的电子和质子构成了空间飞行器的主要威胁，飞行器外表面的太阳能电池和内部的晶体管/集成电路等将受到损伤。
中/低轨道的卫星主要是受内辐射带中质子和电子的影响；高轨道卫星则主要是受到外辐射带中的电子和太阳质子事件粒子的影响。
高空核爆炸产生的大量的高能粒子，在地磁场的作用下沿磁力线来回运动，并逐渐扩散而形成一个围绕地球的辐射带，它称之为人工辐射带。
人工辐射带由高能电子组成，它的强度比天然辐射带强得多，对卫星和飞船的电子设备/仪器仪表和电子元器件等都有较大的破坏作用。
核反应堆和同位素电池等也会在其周围产生一定程度的核辐射。
我们把这种环境称为核动力环境。
核反应堆周围的核辐射主要是中子和γ射线；其中中子引起的损伤比较严重。
2*核辐照效应极其机理核武器爆炸时产生的中子和γ射线和核电磁脉冲，以及空间辐射中的电子/质子和高能粒子，虽然都能造成电子器件和电子系统的损伤，但它们对不同器件的损伤机理却不相同。
中子在半导体内产生位移效应，引起半导体器件的永久损伤；γ射线在半导体器件的表面钝化层内产生电离效应，引起半永久损伤；瞬时γ辐射在反偏的半导体PN结中产生瞬时光电流；核爆炸时产生的核电磁脉冲会在电子系统内部和外部产生很强的感应电流，它们将引起电子系统的瞬时干扰和永久损伤。
空间辐射中的高能电子能引起电离效应；质子能引起位移效应。
高能质子/高能中子还能引起单粒子效应。
一．位移效应中子不带电，它具有很强的穿透能力，可以足够地靠近被照射材料原子的原子核。
当中子与原子核发生弹性碰撞时，晶格原子在碰撞中获得能量后离开了它原来的点阵位置，成为晶格中的间隙原子，并在原来的位置上留下一个空位，因而形成了一个空位---间隙原子对。
通常将它们称为弗兰克尔（Frenkel）缺陷。
这种现象称为位移效应。
硅晶格原子的位移阈值约为15eV。
中子弹性碰撞产生的高能晶格原子又能使更多的晶格原子位移，从而在晶体内形成了局部损伤区---缺陷群。
由于位移效应破坏了半导体晶格的势能，因而在禁带中形成了新的电子能级；它可以起复合中心和杂质补偿中心以及载流子散射中心的作用，所以引起载流子浓度/电导率和少数载流子寿命及迁移率等大大下降，直接影响半导体特性。
位移效应对半导体材料性能的影响有以下三方面：1．减少半导体多数载流子的密度。
由于孔穴---间隙原子对在禁带中形成的新电子能级，可以充当多数载流子的复空中心，从而引起了半导体中多数载流子的减少，这种现象称为多子去除效应。
把每平方厘米中的一个中子消除的自由多数载流子数目定义为载流子去除率，用以衡量中子对多数载流子的影响程度。
因为载流子的去除率与半导体的费米能级有关，而费米能级主要取决于杂质浓度，因此，去除率直接与掺杂浓度有关。
载流子去除效应将引起N型和P型硅趋向于本征硅（即电阻率增大）。
这种效应是以多数载流子为导电机理的半导体器件特性衰退的主要原因。
位移效应和多子去除效应对双极器件的危害最大，它增大了发射结空间电荷区的产生----复合电流，缩短了基区少子寿命，从而引起电流放大系数下降，饱和压降增大以及微波管的截止频率下降等。
2．载流子迁移率的衰减。
中子辐照引起多数载流子密度和迁移率降低。
3．影响少数载流子寿命。
少数载流子寿命是中子辐照引起半导体材料特性变化的最灵敏参数，它是以少数载流子为导电机理的半导体器件对中子辐照特别灵敏的主要原因。
处于低注入下工作的双极型晶体管，经过1010个/cm2中子注量辐照器件特性开始衰减，而在1013个/cm2中子时则严重衰减。
二．电离效应当辐射粒子穿透物质并与原子轨道上的电子相互作用时，辐射粒子就会把能量传递给电子。
如果电子获得的能量大于它的结合能时，电子将离开原来的轨道成为自由电子，原子则变成带正电荷的离子而成为空穴，产生电子---空穴对，这一过程称为电离过程。
1．γ射线和X射线特别容易引起电离效应。
电离效应在半导体内部产生的电子---空穴对可以很快地复合，因而对半导体器件的影响并不大。
但是，在器件表面钝化层中特别是MOS器件的栅氧化物中，因电离效应形成的正空间电荷则构成了电离陷阱，并使SiO2---Si界面密度增加；电离效应在PN结上能产生PN结瞬时光电流；γ射线还可以使管壳中的气体电离，在芯片表面积累可动电荷，引起表面复合电流和沟道电流。
2．电离效应对MOS器件的危害最大，它会导致阈值电压漂移；对MOS电容器的C—V曲线，则引起曲线向负栅方向漂移并发生严重畸变。
三．瞬时辐射效应1．瞬时γ脉冲辐射在反偏PN结中将产生瞬时光电流。
因为瞬时辐照在PN结空间电荷区内产生了大量的电子---空穴对，它们在PN结内电场的作用下，产生了漂移运动。
即电子被拉向N区，空穴被拉向P区，从而形成了空间电荷区的光电流。
这种光电流的方向是从N区向P区，其大小与空间电荷区的宽度有关。
而空间电荷区又与反偏电压有关，所以空间电荷区光电流随反偏压的大小而变化。
瞬时辐照在空间电荷区附近的少数载流子扩散区内产生的大量电子---空穴对，它们可以分别扩散到空间电荷区边界，由漂移运动通过空间电荷区，从而形成所谓扩散区光电流。
扩散区光电流与空间电荷区光电流的方向相同，它的大小与少数载流子的扩散长度有关，而扩散长度与少数载流子寿命有关，所以扩散区光电流随少数载流子寿命变化而变化。
瞬时γ脉冲的宽度越大，产生的过量载流子越多，光电流也越大。
因此，瞬时光电流的大小，直接与γ脉冲的剂量率/脉冲宽度/PN结面积，少数载流子寿命和反偏压大小等因素有关。
2．瞬时辐照下，晶体管除了BC结产生的初始光电流外，还产生二次光电流。
在高剂量率下，峰值光电流出现的突变现象，正是由二次光电流引起的。
二次光电流的出现是由于BC结光电流流进基区而提高于基区电位，它相当于在EB结上加上了一个正向偏压，引起发射结注入电流增大，因而使初始光电流得到了放大。
放大后又出现的光电流被称为二次光电流。
由于二次光电流大于初始光电流，从而使光电流偏离与剂量率的线性关系，出现突变。
3．瞬时辐照引起半导体器件发生栓锁是另一种瞬时辐照效应。
这种效应仅发生在有PNPN四层结构的器件中，这种四层结构等效于互补的PNP和NPN晶体管，它们相当于可控硅结构。
体硅CMOS电路中因为存在着许多固有的四层结构，所以特别容易引起栓锁效应。
在PN结隔离的单块集成电路中也同样存在着许多寄生PNPN四层结构。
这种四层结构产生栓锁的条件是：（1）互补晶体管的电流增益乘积大于1或等于1，即βpnp*βnpn≥1。
（2）两只互补晶体管的发射结同时保持正向偏置（与辐照有关）。
（3）电源能提供NPNP可控硅结构的维持电流。
瞬时辐照在集成电路中产生的瞬时光电流，有可能触发寄生的四层可控硅结构发生栓锁。
例如，一般未加固的CMOS电路，在106Gy（硅）/S量级剂量率的瞬时辐照下就会发生栓锁。
四．单粒子效应单粒子效应又叫单粒子扰动，是最近几年发现的重要核辐射效应。
这种效应是单个粒子作用的结果，故称之为单粒子效应。
单粒子效应使半导体器件产生的错误，称之为软错误（可以恢复）。
它是一种随机的非循环的单个错误。
随着集成电路集成度的提高，元器件的尺寸进一步减小，人们发现陶瓷管壳中存在微量放射性同位素产生的α粒子也能引起存储器瞬时损伤（如64K动态随机存储器）。
1．α粒子能引起单粒子效应。
α粒子是氦核粒子（Z=2），α粒子穿透硅片的深度与它的能量有关。
一般从陶瓷管壳中产生的α粒子，能量为5MeV，穿透深度为25um，产生电子---空穴对的数目为106量级。
α粒子在灵敏区内产生的大量电子----空穴对，由扩散和漂移运动分别被P区和N区收集，这种由电荷引起的电流能使半导体器件产生软错误。
α粒子能量不同引起的软错误率也不同，能量在4MeV左右的α粒子引起的软错误率最大。
α粒子的注入角度不同，引起的软错误率也不同；其中60*注入角引起的软错误最多，因为这样的注入角度在灵敏区内穿透的路径最长。
对于动态随机存储器，当α粒子穿透存储电容器时容易激发软错误，从而使“1”态反转成“0”态。
因为α粒子穿透电容时产生电子—空穴对，在电荷聚集效应的作用下，电子被拉向电容的电子阱，而空穴被拉向P型衬底。
当存储器为“1”态时，由于电子阱中缺乏电子，大量电子被补充进去，从而使“1”态反转成“0”态。
而存储器为“0”态时，因为电子阱内已充满电子，所以不能反转。
试验表明，α粒子对动态随机存储器的损伤不仅发生在存储电容上，而且主要发生在N+位线上。
因为N+区可以收集电子—空穴对中的电子，收集电子后改变了位线的电位从而使存储单元读出和写入错误的数据。
试验还表明，读出放大器也可以产生两种几率的软错误。
读出放大器实际上是一个触发器，在α粒子的作用下可以从一种状态转换到另一种状态，并且两种状态相互转换的几率同时存在。
2．核爆炸产生的聚变中子和其它高能中子也能引起单粒子效应。
高能中子通过硅原子的核反应淀积能量。
一个14MeV的中子与硅原子作用，产生下列四种主要核反应：28Si（n，n）2814Si 弹性散射，2814Si（n，p）2813Al1428Si（n，n/）2814Si 非弹性散射，2814Si（n，2）2814Mg14六种反应产物中，α粒子具有最大能量，又加上其阻塞能力比质子大，能在小体积内产生大量的电子---空穴对，因而对单粒子效应的贡献最大。
