2N4033_02中文资料

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3可代换的型号:BC140,BC302,BFX97,BSW52,BSX45,3DK3D,晶体管型号:2N2219(A)生产厂家:SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.8A最大耗散率:0.8W放大倍数:β>100最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC141,BC301,BFX97A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX60,BSX61, 2N3444,3DK3 D,晶体管型号:2221生产厂家:未知生产厂家制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.8A最大耗散率:0.625W放大倍数:β=40-120最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:2N2221,晶体管型号:2N2222生产厂家:德国AEG公司,DIT,美国、法国费兰第有限公司,美国通用电器公司,德国椤茨标准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.8A最大耗散率:0.5W放大倍数:β=300最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC546,BC639,BFX95,BSW62,BSW85,3DK3D,3DG2222,晶体管型号:2N2222A生产厂家:SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.8A最大耗散率:0.5W放大倍数:β>100最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC546,BC637,BFX95A,BSS40,BSS41,BSW61,BSW62,BSW63,BSW64,BSW85,2N4014 ,3DK3D,晶体管型号:2N2369(A)生产厂家:DIT,德国椤茨标准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN性质:高速开关(SS)封装形式:直插封装极限工作电压:40V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>40最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N 3227,2N3261,2SC2901,3DG84B,晶体管型号:2N2712生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:18V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.12W放大倍数:β>75最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG120 C,晶体管型号:2N1714生产厂家:SEM,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:90V最大电流允许值:0.75A最大耗散率:0.8W放大倍数:β>20最大工作频率:>16MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC141,BC301,BSS42,BSS43,BSX46,BSX47,2N5320,2N4239,3DK3D, 晶体管型号:2N2923生产厂家:SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.2W放大倍数:β>90最大工作频率:300MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,晶体管型号:2N2924生产厂家:SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.2W放大倍数:β>150最大工作频率:300MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,晶体管型号:2N2925生产厂家:SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.2W放大倍数:β>235最大工作频率:300MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,晶体管型号:2N3019(S)生产厂家:德国AEG公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:140V最大电流允许值:1A最大耗散率:0.8W放大倍数:β>100最大工作频率:>100MHZ引脚数: 3可代换的型号:BSS43,BSW68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,晶体管型号:2N3020(S)生产厂家:德国AEG公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:140V最大电流允许值:1A最大耗散率:0.8W放大倍数:β>40最大工作频率:>100MHZ引脚数: 3可代换的型号:BSS43,BSW68,2SC1860,晶体管型号:2N3055(E,H,S,U,)生产厂家:德国AEG公司,德国椤茨标准电器公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公司,美国摩托罗拉半导体公司,德国凡尔伏公司,德国西门子AG公司,美国晶体管有限公司,美国无线电公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:100V最大电流允许值:15A最大耗散率:115W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>2.5MHZ引脚数: 3可代换的型号:BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5 631,2N6254,3D D17D,晶体管型号:2N3390生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>400最大工作频率:140MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 C,晶体管型号:2N3391(A)生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>250最大工作频率:160MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,晶体管型号:2N3392生产厂家:美国通用电器公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>150最大工作频率:120MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 A,晶体管型号:2N3393生产厂家:美国通用电器公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>90最大工作频率:120MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号:2N3394生产厂家:美国通用电器公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>55最大工作频率:120MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号:2N3414生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限__________工作电压:25V最大电流允许值:0.5A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>75最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC338,BC378,BC738,BC838,2N220,2N221,2N2222,2N3402,3DK3A, 晶体管型号:2N3415生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.5A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>75最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:2N3403,晶体管型号:2N3416生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.5A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>75最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC337,BC377,BC737,BC837,2N2220,2N2221,2N2222,2N3404,3DK3A, 晶体管型号:2N3417生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.5A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>75最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:2N3405,晶体管型号:2N3439(L,S)生产厂家:德国AEG公司,美国无线电公司,美国得克萨斯仪表公司,德国电子元件股份公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S),视频输出(Vid)封装形式:直插封装极限工作电压:450V最大电流允许值:1A最大耗散率:1W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BSS49,BUX54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N5095,3DK304B,晶体管型号:2N3441生产厂家:美国无线电公司,法国巴黎珊斯公司,德国西门子AG公司,SEM,美国硅晶体技术公司,美国晶体管有限公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:160V最大电流允许值:3A最大耗散率:25W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>0.8MHZ引脚数: 2可代换的型号:BD193,BD241D,BD243D,BDX22,BDY72,BDY79,2SD386(A),2N3738,2N6264,3DD61E, 晶体管型号:2N3501(S)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,美国晶体管有限公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:150V最大电流允许值:0.3A最大耗散率:1W放大倍数:β>100最大工作频率:>150MHZ引脚数: 3可代换的型号:BSS43,BSW68,2SC1860,晶体管型号:2N3700生产厂家:美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:140V最大电流允许值:1A最大耗散率:0.5W放大倍数:β>100最大工作频率:200MHZ引脚数: 3可代换的型号:BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C, 晶体管型号:2N3707生产厂家:美国国民半导体公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),前置放大(V),低噪放大(ra)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.03A最大耗散率:0.36W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:80MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG110B, 晶体管型号:2N3711生产厂家:美国国民半导体公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.03A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>180最大工作频率:80MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,晶体管型号:2N3858生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>60最大工作频率:125MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 M.,晶体管型号:2N3859生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>100最大工作频率:140MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 M,晶体管型号:2N3860生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>150最大工作频率:170MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 M,晶体管型号:2N3879生产厂家:美国无线电公司,美国硅晶体技术公司,美国晶体管有限公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:120V最大电流允许值:7A最大耗散率:35W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>40MHZ引脚数: 2可代换的型号:BD193,BDX22,MJE15030,2N5202,2N6264,3DA27B,晶体管型号:2N3903生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>50最大工作频率:>250MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC174,BC182,BC190,BC546,2N2220,2N2221,2N2222,3DK40B,晶体管型号:2N3904生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>100最大工作频率:>250MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC174,BC182,BC190,BC546,晶体管型号:2N3947生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,SSI制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.36W放大倍数:β>100最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC182,BC546,BFX94,BSW61,BSW84,2N2221,2N2221(A),2N2222(A),3DG130B, 晶体管型号:2N4014生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S)封装形式:直插封装极限工作电压:80V最大电流允许值:1A最大耗散率:0.36W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:2N3737,3DG84C,晶体管型号:2N4123生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)封装形式:直插封装极限工作电压:40V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.625W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC107,BC171,BC183,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BSW41,2N2220,2N2221 ,2N2222(A),2N22 22,2N2221(A),3DK40A,晶体管型号:2N4124生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.625W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC238,BC548,BSW41,2N2221(A),2N2222(A),晶体管型号:2N4264生产厂家:CSR,美国摩托罗拉半导体公司,美国半导体技术公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>40最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90,BSX91,B SX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A,晶体管型号:2N4265生产厂家:CSR,美国摩托罗拉半导体公司,美国半导体技术公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.2A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>100最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90,BSX91,B SX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A,晶体管型号:2N4286生产厂家:美国国民半导体公司,PIH制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.05A最大耗散率:0.25W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:3CG120c,晶体管型号:2N4400生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.6A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>50最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC337A,BC487,BC537,BC637,BC639,2N2220,2N2221,2N2221(A),2N2222,2N222 2(A),3DK4B,晶体管型号:2N4401生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极__________限工作电压:60V最大电流允许值:0.6A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>100最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC337A,BC637,BC639,2N2221(A),2N2222(A),晶体管型号:2N4409生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,\NSC,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:数码驱动(Nix)封装形式:直插封装极限工作电压:80V最大电流允许值:0.25A最大耗散率:0.625W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>60MHZ引脚数: 3可代换的型号:BF391,BF297,BF422,BFR22,BFR86,BSS38,BSV29,BSX21,MPSA43,2N5550,2SC16 70,3DG182H, 晶体管型号:2N4410生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,\NSC,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:数码驱动(Nix)封装形式:直插封装极限工作电压:120V最大电流允许值:0.25A最大耗散率:0.625W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>60MHZ引脚数: 3可代换的型号:BF391,BFR22,MPS-A43,2SC1670,晶体管型号:2N4424生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:0.5A最大耗散率:0.36W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC337A,BC487,BC537,BC637,BC640,2N2220,2N2221,2SD667,3DK40A,晶体管型号:2N4921生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司制作材料:Si-PNP性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:40V最大电流允许值:1A最大耗散率:30W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>3MHZ引脚数: 3可代换的型号:BD135,BD165,BD175,BD185,BD233,BD437,3DD30A,晶体管型号:2N4922生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司制作材料:Si-PNP性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:1A最大耗散率:30W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>3MHZ引脚数: 3可代换的型号:BD137,BD167,BD177,BD187,BD235,BD439,3DD30A,晶体管型号:2N4923生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司制作材料:Si-PNP性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:80V最大电流允许值:1A最大耗散率:30W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>3MHZ引脚数: 3可代换的型号:BD139,BD169,BD179,BD189,BD237,BD441,3DD30A,晶体管型号:2N5038(-1)生产厂家:美国无线电公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:150V最大电流允许值:20A最大耗散率:140W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>60MHZ引脚数: 2可代换的型号:BUV10,BUW57,BUX10,BUX40,晶体管型号:2N5039(-1)生产厂家:美国无线电公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:120V最大电流允许值:20A最大耗散率:140W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>60MHZ引脚数: 2可代换的型号:BUV10,BUW57,BUX10,BUX40,晶体管型号:2N5058(S)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国硅晶体技术公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S),视频输出(Vid)封装形式:直插封装极限工作电压:300V最大电流允许值:0.15A最大耗散率:1W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>30MHZ引脚数: 3可代换的型号:BF259,BF338,BF659,BFR59,BFS89,BFT49,3DG841,晶体管型号:2N5059(S)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国硅晶体技术公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN性质:开关管(S),视频输出(Vid)封装形式:直插封装极限工作电压:250V最大电流允许值:0.15A最大耗散率:1W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>30MHZ引脚数: 3可代换的型号:BF258,BF259,BF337,BF658,BF659,BFS89,BFR58,BFT48,3DG841, 晶体管型号:2N5088生产厂家:美国范恰得公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)封装形式:直插封装极限工作电压:35V最大电流允许值:0.05A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>300最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG120A, 晶体管型号:2N5089生产厂家:美国范恰得公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)封装形式:直插封装极限工作电压:30V最大电流允许值:0.05A最大耗散率:0.625W放大倍数:β>400最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率引脚数: 3可代换的型号:BC169,BC184,BC239,BC549,晶体管型号:2N5172生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN性质:通用型(Uni)封装形式:直插封装极限工作电压:25V最大电流允许值:0.1A最大耗散率:0.36W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:200MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG120 A,晶体管型号:2N5191生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:60V最大电流允许值:4A最大耗散率:40W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>2MHZ引脚数: 3可代换的型号:BD189,BD199,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3D D64C,晶体管型号:2N5192生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)封装形式:直插封装极限工作电压:80V最大电流允许值:4A最大耗散率:40W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:>2MHZ引脚数: 3可代换的型号:BD189,BD199,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3D D64C,晶体管型号:2N5209生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)封装形式:直插封装极限工作电压:50V最大电流允许值:0.05A最大耗散率:0.625W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:80MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC184,BC384,BC413,BC414,BC550,2SC2240,3DG110C,晶体管型号:2N5210生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)封装形式:直插封装极限工作电压:50V最大电流允许值:0.05A最大耗散率:0.625W放大倍数:未知放大倍数最大工作频率:80MHZ引脚数: 3可代换的型号:BC184,BC413,BC414,BC550,2SC2240,晶体管型号:2N5223。

DATA SHEET General PurposeTransistorsNPN Silicon2N3903, 2N3904Features•Pb−Free Packages are Available*MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollector−Emitter Voltage V CEO40VdcCollector−Base Voltage V CBO60VdcEmitter−Base Voltage V EBO 6.0VdcCollector Current − Continuous I C200mAdcTotal Device Dissipation @ T A = 25°CDerate above 25°C P D6255.0mWmW/°CTotal Device Dissipation@ T C = 25°C Derate above 25°C P D1.512WmW/°COperating and Storage Junction Temperature Range T J, T stg−55 to +150°CTHERMAL CHARACTERISTICS (Note 1)Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction−to−Ambient R q JA200°C/W Thermal Resistance, Junction−to−Case R q JC83.3°C/W Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the onsemi Soldering and Mounting T echniques Reference Manual, SOLDERRM/D.MARKING DIAGRAMSSee detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 3 of this data sheet.ORDERING INFORMATIONCOLLECTOR21EMITTER2N390xYWW GGx= 3 or 4Y= YearWW= Work WeekG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)BENT LEADTAPE & REELAMMO PACKSTRAIGHT LEADBULK PACKTO−92CASE 29STYLE 1ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICSCollector−Emitter Breakdown Voltage (Note 2)(I C = 1.0 mAdc, I B = 0)V(BR)CEO40−Vdc Collector−Base Breakdown Voltage (I C = 10 m Adc, I E = 0)V(BR)CBO60−Vdc Emitter−Base Breakdown Voltage (I E = 10 m Adc, I C = 0)V(BR)EBO 6.0−Vdc Base Cutoff Current (V CE = 30 Vdc, V EB = 3.0 Vdc)I BL−50nAdc Collector Cutoff Current (V CE = 30 Vdc, V EB = 3.0 Vdc)I CEX−50nAdc ON CHARACTERISTICSDC Current Gain (Note 2)(I C = 0.1 mAdc, V CE = 1.0 Vdc)2N39032N3904 (I C = 1.0 mAdc, V CE = 1.0 Vdc)2N39032N3904 (I C = 10 mAdc, V CE = 1.0 Vdc)2N39032N3904 (I C = 50 mAdc, V CE = 1.0 Vdc)2N39032N3904 (I C = 100 mAdc, V CE = 1.0 Vdc)2N39032N3904h FE204035705010030601530−−−−150300−−−−−Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 2) (I C = 10 mAdc, I B = 1.0 mAdc)(I C = 50 mAdc, I B = 5.0 mAdc V CE(sat)−−0.20.3VdcBase−Emitter Saturation Voltage (Note 2) (I C = 10 mAdc, I B = 1.0 mAdc)(I C = 50 mAdc, I B = 5.0 mAdc)V BE(sat)0.65−0.850.95VdcSMALL−SIGNAL CHARACTERISTICSCurrent−Gain − Bandwidth Product(I C = 10 mAdc, V CE = 20 Vdc, f = 100 MHz)2N39032N3904f T250300−−MHzOutput Capacitance (V CB = 5.0 Vdc, I E = 0, f = 1.0 MHz)C obo− 4.0pF Input Capacitance (V EB = 0.5 Vdc, I C = 0, f = 1.0 MHz)C ibo−8.0pFInput Impedance(I C = 1.0 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)2N39032N3904h ie1.01.08.010k WVoltage Feedback Ratio(I C = 1.0 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)2N39032N3904h re0.10.55.08.0X 10−4Small−Signal Current Gain(I C = 1.0 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)2N39032N3904h fe50100200400−Output Admittance (I C = 1.0 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)h oe 1.040m mhosNoise Figure(I C = 100 m Adc, V CE = 5.0 Vdc, R S = 1.0 k W, f = 1.0 kHz)2N39032N3904NF−−6.05.0dBSWITCHING CHARACTERISTICSDelay Time(VCC = 3.0 Vdc, V BE = 0.5 Vdc,I C = 10 mAdc, I B1 = 1.0 mAdc)t d−35nsRise Time t r−35nsStorage Time(V CC = 3.0 Vdc, I C = 10 mAdc,2N3903I B1 = I B2 = 1.0 mAdc)2N3904t s−−175200nsFall Time t f−50ns 2.Pulse Test: Pulse Width v 300 m s; Duty Cycle v 2%.ORDERING INFORMATIONDevicePackage Shipping †2N3903RLRM TO −922000 / Ammo Pack 2N3904TO −925000 Units / Bulk 2N3904G TO −92(Pb −Free)5000 Units / Bulk 2N3904RLRA TO −922000 / Tape & Reel 2N3904RLRAG TO −92(Pb −Free)2000 / Tape & Reel 2N3904RLRM TO −922000 / Ammo Pack 2N3904RLRMG TO −92(Pb −Free)2000 / Ammo Pack 2N3904RLRPTO −922000 / Ammo Pack 2N3904RLRPG TO −92(Pb −Free)2000 / Ammo Pack 2N3904RL1G TO −92(Pb−Free)2000 / Tape & Reel 2N3904ZL1TO −922000 / Ammo Pack 2N3904ZL1GTO −92(Pb −Free)2000 / Ammo Pack†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.Figure 1. Delay and Rise Time Equivalent Test CircuitFigure 2. Storage and Fall Time Equivalent Test Circuit10 < t 1 < 500 m * T otal shunt capacitance of test jig and connectors* T otal shunt capacitance of test jig and connectorsTYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICSFigure 3. CapacitanceREVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)2.03.05.07.0101.00.1Figure 4. Charge DataI C , COLLECTOR CURRENT (mA)50001.0Q , C H A R G E (p C )3000200010005003002007001005070 2.0 3.0 5.07.01020305070100200C A P A C I T A N C E (p F )1.02.03.0 5.07.010200.20.30.50.7T J = 25°C T J = 125°CFigure 5. Turn −On TimeI C , COLLECTOR CURRENT (mA)7010020030050050Figure 6. Rise TimeI C , COLLECTOR CURRENT (mA)T I M E (n s )5t , R I S E T I M E (n s )Figure 7. Storage Time I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 8. Fall TimeI C , COLLECTOR CURRENT (mA)1030720701002003005005051030720701002003005005051030720701002003005005051030720r t , F A L L T I M E (n s )f t , S T O R A G E T I M E (n s )s ′TYPICAL AUDIO SMALL −SIGNAL CHARACTERISTICSNOISE FIGURE VARIATIONS(V CE = 5.0 Vdc, T A = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)Figure 9. f, FREQUENCY (kHz)46810122Figure 10.R S , SOURCE RESISTANCE (k OHMS)0N F , N O I S E F I G U R E (d B )04681012214N F , N O I S E F I G U R E (d B )Figure 11. Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)7010020030050Figure 12. Output AdmittanceI C , COLLECTOR CURRENT (mA)h , C U R R E N T G A I Nh , O U T P U T A D M I T T A N C E ( m h o s )Figure 13. Input Impedance I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 14. Voltage Feedback RatioI C , COLLECTOR CURRENT (mA)3010050510202.03.05.07.0101.00.10.21.02.0 5.00.5100.30.5 3.00.72.05.010201.00.20.5o e h , V O L T A G E F E E D B A C K R A T I O (X 10 )r e h , I N P U T I M P E D A N C E (k O H M S )ie 0.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.00.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.0210.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.0f e m -4h PARAMETERS(V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz, T A = 25°C)TYPICAL STATIC CHARACTERISTICSFigure 15. DC Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.30.50.71.02.00.2h , D C C U R R E N T G A I N (N O R M A L I Z E D )0.1F EFigure 16. Collector Saturation RegionI B , BASE CURRENT (mA)0.40.60.81.00.2V , C O L L E C T O R E M I T T E R V O L T A G E (V O L T S )0CE Figure 17. “ON” Voltages I C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.40.60.81.01.20.2Figure 18. Temperature CoefficientsI C , COLLECTOR CURRENT (mA)V , V O L T A G E (V O L T S )- 0.500.51.0C O E F F I C I E N T (m V / C )- 1.0- 1.5- 2.0°TO−92 (TO−226)CASE 29−11ISSUE AMDATE 09 MAR 2007STYLES ON PAGE 2NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSIY14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION RIS UNCONTROLLED.4.LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P ANDBEYOND DIMENSION K MINIMUM.SECTION X−XPLANE DIM MIN MAX MIN MAXMILLIMETERSINCHESA0.1750.205 4.45 5.20B0.1700.210 4.32 5.33C0.1250.165 3.18 4.19D0.0160.0210.4070.533G0.0450.055 1.15 1.39H0.0950.105 2.42 2.66J0.0150.0200.390.50K0.500---12.70---L0.250--- 6.35---N0.0800.105 2.04 2.66P---0.100--- 2.54R0.115--- 2.93---V0.135--- 3.43---BENT LEADTAPE & REELAMMO PACKSTRAIGHT LEADBULK PACKNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PERASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.CONTOUR OF PACKAGE BEYONDDIMENSION R IS UNCONTROLLED.4.LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN PAND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.SECTION X−XDIM MIN MAXMILLIMETERSA 4.45 5.20B 4.32 5.33C 3.18 4.19D0.400.54G 2.40 2.80J0.390.50K12.70---N 2.04 2.66P 1.50 4.00R 2.93---V 3.43---STRAIGHT LEADBULK PACKBENT LEADTAPE & REELAMMO PACKMECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSTO−92 (TO−226)CASE 29−11ISSUE AMDATE 09 MAR 2007STYLE 1:PIN 1.EMITTER2.BASE3.COLLECTORSTYLE 6:PIN 1.GATE2.SOURCE & SUBSTRATE3.DRAINSTYLE 11:PIN 1.ANODE2.CATHODE & ANODE3.CATHODESTYLE 16:PIN 1.ANODE2.GATE3.CATHODESTYLE 21:PIN 1.COLLECTOR2.EMITTER3.BASESTYLE 26:PIN 1.V CC2.GROUND 23.OUTPUTSTYLE 31:PIN 1.GATE2.DRAIN3.SOURCE STYLE 2:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTORSTYLE 7:PIN 1.SOURCE2.DRAIN3.GATESTYLE 12:PIN 1.MAIN TERMINAL 12.GATE3.MAIN TERMINAL 2STYLE 17:PIN 1.COLLECTOR2.BASE3.EMITTERSTYLE 22:PIN 1.SOURCE2.GATE3.DRAINSTYLE 27:PIN 1.MT2.SUBSTRATE3.MTSTYLE 32:PIN 1.BASE2.COLLECTOR3.EMITTERSTYLE 3:PIN 1.ANODE2.ANODE3.CATHODESTYLE 8:PIN 1.DRAIN2.GATE3.SOURCE & SUBSTRATESTYLE 13:PIN 1.ANODE 12.GATE3.CATHODE 2STYLE 18:PIN 1.ANODE2.CATHODE3.NOT CONNECTEDSTYLE 23:PIN 1.GATE2.SOURCE3.DRAINSTYLE 28:PIN 1.CATHODE2.ANODE3.GATESTYLE 33:PIN 1.RETURN2.INPUT3.OUTPUTSTYLE 4:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODESTYLE 9:PIN 1.BASE 12.EMITTER3.BASE 2STYLE 14:PIN 1.EMITTER2.COLLECTOR3.BASESTYLE 19:PIN 1.GATE2.ANODE3.CATHODESTYLE 24:PIN 1.EMITTER2.COLLECTOR/ANODE3.CATHODESTYLE 29:PIN 1.NOT CONNECTED2.ANODE3.CATHODESTYLE 34:PIN 1.INPUT2.GROUND3.LOGICSTYLE 5:PIN 1.DRAIN2.SOURCE3.GATESTYLE 10:PIN 1.CATHODE2.GATE3.ANODESTYLE 15:PIN 1.ANODE 12.CATHODE3.ANODE 2STYLE 20:PIN 1.NOT CONNECTED2.CATHODE3.ANODESTYLE 25:PIN 1.MT 12.GATE3.MT 2STYLE 30:PIN 1.DRAIN2.GATE3.SOURCESTYLE 35:PIN 1.GATE2.COLLECTOR3.EMITTERON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). 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ULN2003、ULN2803资料汇总ULN2803和ULN2003都是集电极开路输出，只能接受灌入电流，他们的使用方法是一致的，唯一的区别就是2803可以驱动8位管脚，2003只有7个管脚COM脚的作用是当你使用ULN2803(2003)来驱动继电器时，可以将COM脚接到继电器的VCC端，利用ULN2803(2003)内部的反向二极管作保护继电器，消除继电器闭合时产生的感应电压。

COM端主要有两种用途：(可悬空)1 试验用----接地：假如它的输出端都接发光二极管，那么，只要将COM端接地，则所有的发光二极管都将亮起，否则，可能是二极管坏或其它什么地方坏了。

这对检修是很有利的。

2 保护用----接电源正：假如这个器件是接继电器或针式打印头，因为电感的作用，会在开关过程中产生低于地电位和高于电源电位的反电动势，这样，很容易击穿器件。

A-为了防止这种现象的发生，可将COM端接到电源正，来削减冲击电压低到二极管压降加电源电压的幅度----可以使得内部的三极管受到最小的正电压冲击。

B-至于达林顿关断时产生的负电压我们不必管，因为器件内部就有二极管并接到地的(见图2)----专门用来削减冲击电压至电源地减去一个二极管正向压降----可以使得内部的三极管受到最小的反偏电压冲击。

3 阅读提示：A-类似这样的保护方法，在许多器件(如AD7710)的输入端或输出端都是有的，请留意。

B-以上两种用法并不是矛盾的，通过适当的电路控制，可以一并利用它的功能。

它的内部结构也是达林顿的，专门用来驱动继电器的芯片，甚至在芯片内部做了一个消线圈反电动势的二极管。

ULN2003的输出端允许通过IC 电流200mA，饱和压降VCE 约1V 左右，耐压BVCEO 约为36V。

用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。

采用集电极开路输出，输出电流大，故可以直接驱动继电器或固体继电器(SSR)等外接控制器件，也可直接驱动低压灯泡。

ULN2803的驱动负载电流为500mA,驱动电压50V.八路NPN达林顿连接晶体管阵系列特别适用于低逻辑电平数字电路（诸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS）和较高的电流/电压要求之间的接口，广泛应用于计算机，工业用和消费类产品中的灯、继电器、打印锤或其它类似负载中。