纳米压印过程中的聚合物流变机理_刘瑞宏

纳米压印技术纳米加工技术—纳米压印摘要：半导体器件的特征尺寸必需急剧减小才能满足集成电路迅速发展的需要，采用纳米加工技术可制备出纳米量级的图案及器件。

纳米压印作为纳米加工技术中具有较大潜力的一种工艺，采用非光学技术手段实现纳米结构图形的转移，有望打破传统光刻技术的分辨率极限。

本文从原理入手，介绍了纳米压印技术的分类、发展及应用。

文中所述内容有助于快速理解纳米压印技术的整体概况，对进一步改善纳米压印工艺的性能有着较重要的意义。

1 引言21世纪以来，由半导体微电子技术引发的微型化革命进入了一个新的时代，即纳米技术时代[1]。

纳米技术指的是制备和应用纳米量级(100nm以下)的结构及器件。

纳米尺度的材料性质与宏观尺度的大为不同。

比如块状金的熔融温度为1063℃，而2nm-3nm的纳米金粒子的熔融温度为130℃-140℃等。

功能结构的纳米化不仅节约了能源和材料，还造就了现代知识经济的物质基础。

纳米技术依赖于纳米尺度的功能结构与器件，而实现结构纳米化的基础是先进的纳米加工技术。

在过去几十年的发展中，纳米加工技术不仅促进了集成电路的迅速发展，实现了器件的高集成度，还可以制备分子量级的传感器操纵单个分子和原子等等。

纳米加工技术是人类认识学习微观世界的工具，通过理解这一技术可以帮助我们更好认识纳米技术以及纳米技术支撑的现代高科技产业。

纳米加工技术与传统加工技术的主要区别在于利用该工艺形成的器件结构本身的尺寸在纳米量级。

可以分为两大类[1]：一类是自上而下(top-down)的加工方式，即复杂的微观结构由平面衬底表面逐层建造形成，也可以理解为在已经存在材料的基础上进行特定加工实现纳米结构和器件。

目前发展较为成熟的纳米加工技术，如光刻(平面工艺)、纳米压印(模型工艺)、探针工艺等都属于此类加工技术。

此类加工方式大多涉及到某种方式的光刻制作图形与图形转移技术，可加工的结构尺寸受限于加工工具的能力。

传统的纳米加工工艺相当成熟，可基本满足各种微观结构的研究与生产需要。

纳米压痕方法在材料研究中的应用纳米压痕方法在材料研究中的应用引言：纳米压痕方法是一种在纳米尺度下对材料进行力学性能测试的技术，它通过对材料施加微小的压力和观察材料在压力下的变形情况来评估材料的硬度、弹性模量和塑性行为等力学特性。

这种方法具有非常广泛的应用领域，包括材料科学、纳米技术、生物医学和电子器件等。

本文将深入探讨纳米压痕方法在材料研究中的应用，包括其原理、实验步骤和在不同材料中的应用案例。

一、纳米压痕方法的原理1. 纳米压痕机理纳米压痕方法基于材料受力导致的变形行为来评估材料的力学性能。

在纳米压痕实验中，压头采用微小的针尖或球状探头，施加在样品表面上。

通过控制压头所施加的压力和加载速率，可以获得不同范围内的材料变形情况。

在这个过程中，探测器记录样品的变形曲线，从而计算出材料的硬度、弹性模量和塑性变形等力学参数。

2. 纳米压痕仪器的原理纳米压痕仪器通常由压头、负载传感器和位移传感器等组成。

压头通过控制系统施加压力，负载传感器测量压力大小，位移传感器检测样品的变形情况。

通过将以上信息进行整合和计算，可以得到准确的力学性能参数。

二、纳米压痕方法的实验步骤1. 样品制备进行纳米压痕实验前，首先需要准备好样品。

样品可以是固态材料如金属、陶瓷或聚合物，也可以是生物组织或薄膜等其他类型的材料。

样品的平整度和表面质量对实验结果有着很大的影响，因此在制备过程中需要保证样品表面的光洁度和平整度。

2. 实验参数设置在实验前，需要根据材料的特性和分析需求设置好实验参数，包括压头的类型、压力的范围和加载速率等。

不同的材料需要不同的实验参数，这些参数的选择将直接影响到实验结果的准确性和可靠性。

3. 进行压痕实验将样品固定在纳米压痕仪器上，并在控制系统的指导下进行压痕实验。

实验过程中，通过记录和监测压头施加的压力和样品的变形情况，可以获得包括压头载荷-位移曲线、变形图像和力学性能参数等数据。

根据这些数据，可以对材料的力学性能进行准确的分析和评估。

纳米压印的模拟方法研究进展作者：万萍来源：《中国新技术新产品》2015年第11期摘要：本文分别从模型构造和模拟方法上介绍了黏弹性牛顿流体模型、分子动力学模型、质点动力学模型和气泡挤压模型等四种模拟方法。

并基于有限元分析方法借助于ANSYS Workbench软件对纳米压印过程中二维的胶体流动变形过程进行模拟分析。

胶体在进行流动变形时，采用Mooney-Rivlin模型表征胶体的机械性能，并使用非线性超弹性材料模型进行建模求解。

关键词：胶体流动；弹性牛顿流体模型；Mooney-Riviln模型；纳米压印；模拟方法中图分类号：TG58 文献标识码：A1 引言较早的纳米压印模拟是把高分子聚合物作为黏弹性牛顿流体或者非线性弹性固体。

非线性弹性固体模型是用市场上可以买到的MARC程序所编辑的Moony-Rivlin模型，依靠有限元法和矩阵平面应变原理，在玻璃化转变温度以上的时候将聚合物模拟成弹性橡胶。

黏弹性牛顿流体模型是运用商业计算流体动力学软件CFD-ACE，运用有限体积理论，在欧拉网格的基础上运用流体体积函数（VOF）理论来追踪聚合物边界的变形情况。

2 四种模拟方法2.1 黏弹性牛顿流体模型黏弹性流体模型有很多类，最为常用的是流体体积函数（VOF）模型：把函数定义为目标流体的体积与网格体积的比值，通过该函数在每个网格上的值就可以实现对运动界面的追踪。

自由边界或者可移动边界理论GOMA模型是在拉格朗日欧拉耦合（ALE）坐标系下对流体聚合物和固体压印模进行分别建模，从而使流体聚合物与固体压印模在运动过中能够相互独立，以此来实现大的边界自由变形运动。

2.2 分子动力学模型该有限元模型包括压印模、聚合物和镍基板三个部分。

该模型中，氢原子附着于每个氧原子表面，它们之间仅用一个硅原子作为连接在一起。

聚合物由64 PMMA非晶态分子组成，每个颗粒物的分子量为10016（每个聚合物的分子量为100）。

基板则有4层镍原子组成，它们在垂直方向呈FCC结构。

纳米压印的原理
纳米压印是一种制备纳米结构的重要技术之一。

其原理是利用纳米压印机对表面进行微米或纳米级别的压印，通过控制压印力和时间来制备具有特定形状和结构的纳米材料。

纳米压印技术的基本原理是利用热塑性聚合物或硅基材料等作为模板，在其表面制备出所需的微米或纳米级别的结构，然后将待制备材料和模板一起置于高温下进行热压，使待制备材料得到复制，从而得到具有特定形状和结构的纳米材料。

纳米压印技术的优点在于可以制备出高质量、高精度的纳米结构材料，且制备过程简单、快速、易于控制。

因此，纳米压印技术在纳米电子、生物医学、纳米光学、纳米能源等领域均有广泛应用。

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纳米流体的流变性能研究纳米流体是指含有纳米颗粒或纳米结构的液体，具有独特的物理性质和流变行为。

它在众多领域中得到了广泛的应用，如能源储存、生物医学、纳米加工等。

而研究纳米流体的流变性能对于理解其基本特性、优化设计和掌握相关应用技术具有重要意义。

一、纳米颗粒对流变性能的影响纳米颗粒的加入会改变液体的流变性能。

首先，纳米颗粒的表面积较大，使得纳米流体呈现出高度吸附性和活性，导致流体黏度的增加。

其次，纳米颗粒之间的相互作用会导致流体的屈服行为发生变化，如增强流体的剪切稀化或剪切增稠效应。

这种变化使得纳米流体在粘弹性行为方面表现出与传统液体不同的特性。

二、纳米流体的剪切稀化和剪切增稠效应剪切稀化是指剪切应力增大时流体粘度减小的行为，而剪切增稠则是指剪切应力增大时流体粘度增加的现象。

纳米流体独特的剪切稀化和剪切增稠效应源于纳米颗粒之间的相互作用。

当纳米颗粒之间的相互作用较强时，流体呈现剪切增稠效应，即流体在高剪切应力下表现出较高的黏度。

相反，当纳米颗粒之间的相互作用较弱时，流体表现为剪切稀化，即高剪切应力下的流体黏度下降。

三、纳米流体的热力学性质纳米流体的热力学性质对于其流动行为具有重要影响。

热力学性质的研究可以揭示纳米颗粒与溶剂之间的相互作用力和相变过程。

例如，纳米颗粒表面具有较高的曲率，导致纳米颗粒与溶剂之间存在额外的曲率张力。

此外，纳米颗粒的表面电荷和溶剂分子之间的相互作用也会对纳米流体的流变性能产生影响。

四、纳米流体的应用前景纳米流体的独特性质和流变行为使其在多个领域中具有广泛的应用前景。

在能源储存领域，纳米流体可用于提高电池的能量密度和快充性能。

在生物医学领域，纳米流体可用于载药系统，实现精准的药物输送。

在纳米加工领域，纳米流体可用于精确控制微米尺度结构的制备过程。

总结纳米流体的流变性能研究是一个多学科交叉的领域，在理论与实验研究中有着广阔的空间。

通过深入研究纳米颗粒与溶剂之间的相互作用机制，可以更好地理解纳米流体的流变性能及其应用前景。

纳米压痕压入蠕变全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：纳米压痕压入蠕变是一个重要的纳米力学现象，在材料科学领域有着广泛的应用。

纳米压痕试验是通过纳米硬度计, 利用针尖对材料的小区域施加局部高应力荷载, 进而将压痕引入材料内部, 从而可以检测材料的硬度, 韧度等力学性能。

蠕变（Creep）是指材料在长时间受力情况下发生的形变现象，这种形变是渐进性的、非弹性的变形。

纳米压痕压入蠕变的研究，旨在探究材料在微观尺度下的力学行为，以及其受力后的蠕变性能。

下面将详细介绍纳米压痕压入蠕变的机理、影响因素及其应用。

一、机理纳米压痕试验中, 当压头施加力作用在材料表面时，材料表面形成单一塑性变形区，称为压痕。

在材料表面之下，存在着一定深度的漫反射塑性形变区，形变区的大小和深度受到材料的硬度等因素的影响。

如果在一定时间内保持一定的荷载，材料内部就会发生蠕变，即产生渐变变形，造成压痕的扩展和加深。

这种纳米压痕压入蠕变是材料内部分子结构和原子结构的塑性变形与移动过程，是材料的本质演变过程。

二、影响因素1. 温度：温度是影响材料蠕变性能的重要因素。

在高温条件下，材料内部原子的热振动增强，材料的形变速率会增加，从而导致蠕变速率增大；在低温条件下，材料的形变速率降低。

2. 应力：应力是引起材料蠕变的主要原因之一。

在高应力作用下，材料内部原子的位移会增大，材料的蠕变速率也会增快。

3. 蠕变机制：材料的蠕变机制决定了其蠕变行为。

在不同的蠕变机制下，材料的蠕变速率、蠕变塑性区域大小等性能表现都有所不同。

4. 微结构：材料的微结构与其蠕变性能密切相关。

晶体结构的完整性、晶界和位错等微观缺陷对材料的蠕变行为有明显影响。

5. 纳米硬度计的选择：纳米硬度计对压痕的形成和测量有很大影响，不同的硬度计具有不同的准确性和灵敏度，选择合适的硬度计对实验结果的准确性至关重要。

三、应用1. 新材料研究：纳米压痕压入蠕变技术为新材料的研发提供了重要手段。

1.引言由于经济原因促使半导体业朝着不断缩小特征尺寸方向发展，随之而来的技术进步导致了设备的成本以指数增长。

由于成本的增长，人们对纳米压印光刻这一低成本图形转移技术的关注越来越多。

通过避免使用昂贵的光源和投影光学系统，纳米压印光刻比传统光刻方法大大降低了成本。

纳米压印光刻技术的研究始于普林斯顿大学纳米结构实验室Stephen Y.Chou教授，将一具有纳米图案的模版以机械力（高温、高压）在涂有高分子材料的硅基板上等比例压印复制纳米图案，其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关，而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制，目前NIL技术已经可以制作线宽在5nm以下的图案。

由于省去了光学光刻掩模版和使用光学成像设备的成本。

因此NIL技术具有低成本、高产出的经济优势。

此外，NIL 技术可应用的范围相当广泛，涵盖纳米电子元件、生物或化学的硅片实验室、微流道装置（微混合器、微反应器），超高存储密度磁盘、微光学元件等领域。

2.纳米压印技术的基本原理和工艺近十年间，各种创新的NIL工艺的研究陆续开展，其实验结果越来越令人满意，目前大概可以归纳出四种代表技术：热压印光刻技术、紫外硬化压印光刻技术、软压印、激光辅助直接光刻技术。

2.1 热压印（HE－NIL）热压印的工艺包含下列步骤：①首先，利用电子束直写技术（EBDW）制作一片具有纳米图案的Si或SiO2模版，并且准备一片均匀涂布热塑性高分子光刻胶（通常以PMMA为主要材料）的硅基板。

②将硅基板上的光刻胶加热到玻璃转换温度（Glass Transfer Temperature）以上，利用机械力将模版压入高温软化的光刻胶层内，并且维持高温、高压一段时间，使热塑性高分子光刻胶填充到模版的纳米结构内。

③待光刻胶冷却固化成形之后，释放压力并且将模版脱离硅基板。

④最后对硅基板进行反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching）去除残留的光刻胶，即可以复制出与模版等比例的纳米图案。

软模板纳米压印技术及其对共轭高分子的取向控制研究-1 引言近年来, 随着对功能性高分子研究的日益深化, 功能性有机高分子薄膜的微纳结构化在其相应领域中的应用受到越来越多的关注. 比如, 发光高分子在发光材料上的广泛应用, 导电高分子在半导体领域的日新月异, 以及铁电高分子在存储领域的异军突起等, 这些都与功能高分子薄膜的图案化有着密不可分的关系.图案化功能性高分子薄膜的制备主要有自上而下和自下而上两种手段, 自下而上主要是利用高分子的自组装特性, 此法虽可获得大面积的样品, 但是结构的涨落较大, 不可控因素也较多, 在应用器件的性能上会存在较大的损耗. 自上而下是目前高分子薄膜图案化比较主流的方法, 主要是通过各种刻蚀和压印的方法来获得图案化高分子,其中纳米压印方法因其在制备过程中的物理化学稳定性和高分辨率而广受关注. 1997年, 美国普林斯顿大学的S. Y. Chou 教授等提出了纳米压印这一方法, 随后该技术得到了广泛的使用, 纳米压印过程中, 模板制备是整个流程中的关键步骤, 硬模板价格昂贵, 制备工艺复杂, 而且整个工艺中的微小偏差都会对硬模板造成不可逆的破坏, 因此软模板转印技术应运而生, 该技术最早由哈佛大学化学与生化系的George M. Whitesides 教授提出.经历了多年的发展, 软模板转印技术有了长足的进步. 软模板的母模板主要有硬质模板和自组装模板两大类: 一类是硅基、玻璃基底或者宝石基底的硬模板, 其机械韧性差, 获取步骤繁琐, 且价格相当昂贵; 另一类是自组装模板, 主要以多孔氧化铝和荷叶等自组装结构的基材为主, 虽然简单易得, 但是结构的精度差, 结构涨落大, 普适性不强. 实现软模板在母模板定义上的低成本和转印过程中的低难度, 是软模板转印技术大范围推广的关键.为解决各步骤的技术问题, 克服现有技术的不足, 本文采用两步法, 实现软模板的定义,并将其用于软模板转移压印. 首先, 采用电子束光刻技术对光刻胶进行结构定义; 然后, 在光刻胶表面滴上聚二甲基硅氧烷(PDMS), 待其交联后揭下,实现PDMS软模板的结构定义; 最后, 应用获得的PDMS软模板对各种不同的高分子进行图案化. 并对其在分子链取向上进行了初步探讨.2 实验部分2.1 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)母模板的制备PMMA母模板的制备采用传统的电子束曝光技术, 图1(a)为PMMA母模板的制作流程. 首先, 将单抛硅分别置于浓硫酸、水、乙醇中清洗后烘干, 在2000 rmin1的转速下旋涂光刻胶(AR-P671型PMMA 光刻胶, 分子量950 k, 德国Allresist公司), 匀胶时间1 min, 置于热台上, 180◦C, 5 min后, 将其放入电子束曝光机中, 在20 kV的电压下,根据设计程序, 获得260 nm线宽、520 nm周期的PMMA光栅图案, 其表面形貌如图1(b)所示.2.2 PDMS软模板的制备实验中所采用的PDMS为美国道康宁公司生产的SLYGARD 184产品. 将PDMS基料和PDM-S固化剂按质量比10 : 1充分混合并滴涂到图案化后的PMMA表面, 放入65◦C真空干燥箱中1 h,待其充分交联后, 将PDMS从PMMA表面揭下,得到PDMS软模板, 制备过程如图2(a)所示, PDMS软模板的表面形貌如图2(b)所示.2.3 压印PFO薄膜将共轭高分子聚(9,9二辛基)芴(PFO, 型号为ADS129BE, 美国Dye Source公司)充分溶解在甲苯溶液中, 配得15 mg mL1的PFO甲苯溶液, 选用单抛硅作为衬底, 用浓硫酸、水、乙醇充分洗净后烘干. 将上述PFO甲苯溶液滴在硅基衬底上, 以4000 rmin1的转速旋涂, 匀胶时间1 min, 置于热台上, 180◦C, 5 min, 自然降温到135◦C, 保持10 min, 最后自然冷却到室温, 获得PFO薄膜.2.4 压印F8BT薄膜将共轭高分子聚(9.9-二辛基芴共苯并噻二唑) (F8BT, 型号为ADS133YE, 美国Dye Source公司)充分溶解在甲苯溶液中, 配得15 mgmL1的F8BT溶液, 以3000 rmin1的转速旋涂在干净的单抛硅片上, 匀胶时间1 min, 置于热台上, 160◦C,3 min, 自然降至室温, 获得FBT薄膜.3 结果与讨论3.1 基于图案化光刻胶母模板的PDMS软模板转移压印技术的优势基于光刻胶母模板的PDMS软模板制备方法是将电子束直接在电子光刻胶PMMA薄膜表面曝光形成所需的图形(本实验中设计为260 nm线宽、520 nm周期的光栅结构, 如图1(b)所示); 然后将PDMS铺在图案表面, 由于PDMS的重力作用, 待其交联后揭下, 即可以复制出PMMA的结构, 如图2(b)所示. 通过上述方法可以制备出任意结构的PDMS软模板. 在纳米压印中, 模板是非常重要的, 决定了图案的分辨率. 由于纳米压印技术是利用压力作用在高分子表面形成图案, 传统的纳米压印工艺多选择硬材料制作压印模板, 所以模板必须具有高硬度、小的膨胀系数和良好的抗粘性. 但是硬模板由于制作成本高, 工艺难度大, 很难被普及.下面将从PDMS 模板结构的获得、模板的性能和转移压印的效果三方面阐述本文PDMS模板制作技术的优点.3.1.1 PDMS模板结构的获得该过程只涉及图案化光刻胶和转移至PDMS两步, 相较于传统的模板制备技术, 这种基于光刻胶母模板的PDMS软模板制备方法只需光刻胶图案作为初始结构定义, 无需硬质模板, 免除掩膜和刻蚀过程中带入的缺陷, 同时降低了初始定义的成本. 图5(a), (b)即为相同周期结构在从PMMA 转移到硅基衬底上时由于掩膜过程中金属蒸镀的微小不均匀而引入的缺陷. 直接利用PMMA的图案作为母模板将大大降低在转移过程中引入缺陷的可能性.3.1.2 PDMS模板的转移压印效果制得的PDMS软模板被用来压印PFO和F8BT 这两种广泛使用的共轭高分子, 从图3(b)和图4中可以看出, 压印后的PFO 薄膜和F8BT薄膜, 结构高度均匀, 宽度均一. 上述软模板压印技术得到的高分子光栅的尺寸和原始设计的PMMA 模板的光栅尺寸是相符的, 完全可以实现压印的目的.3.2 软模板纳米压印对共轭高分子的取向控制我们利用TEM的衍射花纹对光栅结构的P-FO薄膜进行了分子链排布情况分析, 如图6所示.在100 kV的电压下可以观察到清晰的月牙形衍射花纹, 在PFO正交晶系中, 单胞的尺寸分别为a = 2.56 nm, b = 2.38 nm, c = 3.32 nm, 且 a 轴垂直于共轭面, c 轴沿着共轭链即高分子链主链的方向, b轴则在共轭面内与c轴垂直的方向, 所以图中TEM 衍射环分别对应(060)面和(008)面. 从弥散环的分布来看, (008)面是沿着光栅有序排列的,而(060)面是垂直于光栅有序排列的. 因此PFO的c 轴沿着光栅条纹的方向, b 轴垂直于光栅条纹的方向. 也就是说, 带有光栅结构的PFO薄膜中, 聚合PFO的主链主要是沿着光栅条纹方向排布的.在软模板压印过程中, 光栅结构的凹槽部分为高分子的自组装提高了受限环境, 在充分受限的压印过程中, 由于高压和高受限环境, 高分子的成核、晶核生长将会发生变化, 这就使得高分子链段容易沿着自由度较大的光栅方向排列. 在硬模板压印实验中, 我们已经发现纳米级的周期受限环境会导致共聚物的分子链发生归一化取向, 这种受限下的取向将会对共聚物的载流子迁移特性和液晶弹性体的光活性产生很大的贡献, 从而提升器件性能. 在本实验中, 聚合物在软模板受限环境中同样发生了取向的调控, 这将对基于PFO等共轭聚合物器件的制备和研究产生重要的影响.4 结论本文以光刻胶PMMA的图案为母模板, 复制纳米压印所使用的PDMS软模板, 一方面简化了传统硬模板在制作工艺中的复杂流程, 降低了制作成本, 另一方面相较于荷叶或者多孔氧化铝等自组装模板, 具有更精确的结构和更有序的排布. 本文所设计的PDMS软模板两步制备法不但可以发扬软模板在一些高粗糙度表面的使用优势, 而且可以使母模板的设计, 更灵活, 进一步拓展了纳米压印技术的适用范围. 利用此方法制备的PDMS 软模板成功地实现了光栅特征尺寸的传递, 并可适用于多种共轭高分子的图案化. 此外我们还发现, 在具有高纵宽比的光栅结构中, 共轭高分子主链的取向发生了变化, 在纳米压印的同时实现了主链的可控取向, 这将对提升有机发光器件的性能有重大的现实意义.软性制造-txt免费下载|在线阅读|全集|电子书关键字：制造,企业,创新,全球,软性,IBM,制造业,第一,产品,第更新.基本信息·出版社：东方出版社·页码：372页·出版日期：2008年11月·ISBN：75060332169787506033213·条形码：9787506033213·版本：第1版·装帧：平装·开本：16·正文语种：中文·丛书名：IBM管理顾问丛书内容简介2008年年初的时候，我读了IBM出版的《软性制造》这本书，并被书中的内容深深地吸引了，我有一种强烈的冲动想要将书中的内容推荐给国内的朋友，让的朋友能从中分享这些方法和经验，从中获益。

振动辅助纳米压印制备双面光栅结构薄膜刘亚梅;马海航;谷岩;黄洲;张顺【期刊名称】《光子学报》【年(卷),期】2022(51)6【摘要】针对纳米压印过程中压印胶填充率低导致图案转移质量不佳,压印力过大损坏模板表面形貌等问题,提出一种基于压电驱动低频、低幅的振动辅助纳米压印方法制备光栅结构。

在压印时施加横向一维振动,减小纳米压印过程中所需的压印力,提高压印胶对模板空腔的填充率。

为研究双面光栅薄膜的周期变化对透射率的影响规律,运用时域有限差分法在波长500~1500 nm范围内对不同周期参数的双面光栅结构进行仿真分析,得到周期参数变化对透射率的影响规律。

在研制的振动装置上进行振动辅助纳米压印实验,并对制备出的双面光栅结构进行表面形貌表征以及透射率检测。

实验结果表明,与无振动纳米压印技术相比,压印胶填充率显著提高,并改善了图案转移质量,减少大面积表面缺陷。

在波长500~1500 nm范围内,涂覆振动辅助纳米压印制备的双面光栅薄膜的SiO_(2)比传统纳米压印制备的双面光栅薄膜的SiO_(2)平均透射率提高4%,较无薄膜的SiO2平均透射率提高6%。

【总页数】11页(P275-285)【作者】刘亚梅;马海航;谷岩;黄洲;张顺【作者单位】长春工业大学机电工程学院【正文语种】中文【中图分类】TH162【相关文献】1.基于柔性纳米压印工艺制备中红外双层金属纳米光栅2.基于压印工艺的聚合物包覆高含量纳米粒子微纳复合薄膜的制备及应用3.添加剂对纳米压印模板光栅结构填充效果的改善作用4.基于纳米压印技术制备200nm周期金自支撑透射光栅5.振动辅助纳米压印制备大面积光栅结构因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

纳米压印技术在太阳能电池中应用的研究进展
李芳;张静;刘彦伯
【期刊名称】《微纳电子技术》
【年(卷),期】2024(61)4
【摘要】对纳米压印技术原理、分类和不同领域的应用进行了简单阐述。

总结了纳米压印技术在不同类型的太阳能电池,如晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、聚合物太阳能电池及其他新型太阳能电池中的应用,并重点阐述了纳米压印技术在制备太阳能电池减反膜、图案化衬底、图案化活性层和图案化电极等有效减少太阳能电池表面太阳光反射和大大提高太阳能电池光电转换效率方面的研究进展。

最后,针对纳米压印技术在产业化中所面临的困难进行了分析和总结,并提出了纳米压印技术在太阳能电池领域未来的研究重点和发展方向。

【总页数】14页(P49-62)
【作者】李芳;张静;刘彦伯
【作者单位】上海市纳米科技与产业发展促进中心
【正文语种】中文
【中图分类】TN305.7;TM914.4
【相关文献】
1.纳米材料和纳米技术在核废料处理中的应用研究进展
2.纳米材料和纳米技术在印制线路板基材中的应用前景[2] --绿色PCB基材的研究进展
3.光敏剂的纳米修饰技
术及新型纳米材料在肿瘤光动力疗法中的应用研究进展4.纳米技术应用在创面愈合中的研究进展5.纳米技术在动脉粥样硬化中的应用与研究进展
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