华东交通大学810电路2009--2019年考研真题试卷
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[考研类试卷]电路历年真题试卷汇编3一、填空题请完成下列各题,在各题的空处填入恰当的答案。
1 (华南理工大学2009年考研试题)如图4一99所示电路,电阻R=__________时可获得最大功率,此时电阻R上获得的最大功率为_________。
2 (华北电力大学2008年考研试题)如图4一115所示电路的端口伏安关系U=__________。
3 (华北电力大学2008年考研试题)如图4一116所示电路,N为线性含源电阻网络,当U S=0V时,I=2A;当U S=4V时,I=8A;则U=2V时,I S=__________。
4 (华北电力大学2008年考研试题)如图4一117所示电路,N0为线性电阻网络,当R L=0时,I=5A;现调节R L使其获得最大功率。
已知最大功率为100W,则R L=__________。
5 (华北电力大学2008年考研试题)如图4一119所示电路,流过理想二极管的电流I=___________。
二、单项选择题下列各题的备选答案中,只有一个是符合题意的。
6 (南京航空航天大学2007年考研试题)N0为无源线性电阻网络,工作状态如图4一139所示,现将1.1'端口支路置换成图4一140所示,则2一2'端口输出的电压U2为( )。
(A)2V(B)2.4V(C)(D)4V7 (浙江大学2010年考研试题)如图4一50所示电路,已知R1=R2=R3=R4=2Ω,U S1=10V,U S2=6V,I S=1A,当开关S闭合时,电流I4减小为开关S打开时该支路电流的一半,试求控制系数g。
8 (浙江大学2006年考研试题)电路如图4一53所示,VD为理想二极管,试求:(1)ab以左端口的戴维南等效电路;(2)求U ab及I的值。
9 (浙江大学2005年考研试题)电路如图4一57所示,已知:R1=5Ω,R2=6Ω,R3=R4=8Ω,r=5Ω,I S=5A,U S=4V,求电压源和电流源的功率。
[考研类试卷]电路历年真题试卷汇编81 (华南理工大学2010年考研试题)如图9-52所示电路由正弦电流源供电,已知I S=1A,R1=R2=100Ω,L=0.2H,当ω0=1000rad/s时,电路发生谐振,这时电容C的值为___________。
2 (华南理工大学20l0年考研试题)如图9—53所示正弦稳态电路中,已知电流源i s=,L1=0.5H,L2=0.3H,M=0.1H,则电压u ab=__________。
3 (华南理工大学2010年考研试题)如图9-54所示电路中,已知输入电压,电路消耗的功率为2420W,且有R1=R2=R3=X L=X C,试求这些元件的值和电流i(t),并定性画出电路的相量图。
4 (华南理工大学2010年考研试题)如图9—56所示正弦稳态电路中,已知功率表的读数为100W,电流表的读数为2A,电压表的读数为50V,电流超前于45°,试求阻抗Z。
5 (华南理工大学2009年考研试题)如图9—57所示电路中,已知u s=60cosωtV,5Ω电阻上消耗的功率20W,则电路的总功率因数为___________;电路中的无功功率为_________;10Ω电阻上消耗的功率为_________;感抗X L为_________;电源u s发出的复功率为__________。
6 (华南理工大学2009年考研试题)如图9-58所示正弦稳态电路中,开关S打开和闭合时,电流表的读数不变,已知电源u s(t)的频率f=50Hz,电容C=0.5μF,求电感L=_________。
7 (华南理工大学2009年考研试题)如图9-59所示电路,已知R1=50Ω,L1=5mH,L2=20mH,C2=1μF,当外加电源的角频率ω=10000rad/s时,R1、L1支路与C1发生并联谐振,此时测得C1两端的电压有效值U C1=10V,试求:(1)C1和电源电压U(2)选择电容电压作为参考相量,画出电路中各电压、电流的相量图。
华东交通大学 2011—2012学年第二学期考试卷试卷编号:(B)卷模拟电路课程课程类型:必闭卷考试日期:题号一二三总分累分人:1 2 3 4 5 6署名题分20 15 10 10 10 10 12 13 100名签得分生学考生注意事项: 1、本试卷共 6 页,总分100分,考试时间120分钟。
2、考试结束后,考生不得将试卷、答题纸和底稿纸带出考场。
试卷编号01一、填空(此题共20 分,每空 1 分):1.整流电路的任务是 __________;滤波电路的任务是 __________。
号2.在 PN 结的形成过程中,载流子的扩散运动是因为__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不一样性质的失真,分别是__________失真和 __________失真。
学4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益降落的主要原由是__________ 的影响;使高频区电压增益降落的主要原由是__________的影响。
5.在沟通放大电路中,引入直流负反应的作用是__________;引入沟通负反应的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由 __________、 __________、 __________、 __________这四个部分构成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级 15dB 、第三级 60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为 __________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对 __________信号的放大无影响,对__________信号的放大拥有很强的克制作用。
共模克制比K CMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特征如图1(在第三页上)所示,当信号频次恰巧为上限频次时,实质的电压增益为__________dB。
级二、判断(此题共 10 分 , 每题 1 分,正确的打√,错误的打×):班1、()构成各样半导体器件的基础是 PN 结,它拥有单导游电和反向击穿特征。