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PD55015

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1/18April, 17 2003PD55015PD55015SRF POWER TRANSISTORSThe LdmoST FAMILYN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs•EXCELLENT THERMAL STABILITY •COMMON SOURCE CONFIGURATION •P OUT = 15 W with 14 dB gain @ 500 MHz / 12.5 V •NEW RF PLASTIC PACKAGEDESCRIPTIONThe PD55015 is a common source N-Channel,enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD55015 boasts the excellent gain,linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD55015’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T CASE = 25°C)Symbol ParameterValue Unit V (BR)DSS Drain-Source Voltage 40V V GS Gate-Source Voltage ± 20V I D Drain Current5A P DISS Power Dissipation (@ Tc = 70°C)73W Tj Max. Operating Junction Temperature 165°C T STGStorage Temperature-65 to +150°CTHERMAL DATAR th(j-c)Junction -Case Thermal Resistance1.2°C/WMounting recommendations are available in /rf/ (look for application note AN1294)PD55015 - PD55015S2/18ELECTRICAL SPECIFICATION (T CASE = 25°C)STATICDYNAMICIMPEDANCE DATASymbol Test Conditions Min.Typ.Max.Unit I DSS V GS = 0 VV DS = 28 V 1µA I GSS V GS = 20 V V DS = 0 V1µA V GS(Q)V DS = 10 V I D= 150 mA2.0 5.0V V DS(ON)V GS = 10 V I D = 2.5 A 0.8V g FS V DS = 10 V I D = 2.5 A 2.02.5mho C ISS V GS = 0 V V DS = 12.5 V f = 1 MHz 89pF C OSS V GS = 0 V V DS = 12.5 V f = 1 MHz 60pF C RSSV GS = 0 VV DS = 12.5 Vf = 1 MHz6.5pFSymbol Test ConditionsMin.Typ.Max.Unit P 1dB V DD = 12.5 V I DQ = 150 mAf = 500 MHz15W G P V DD = 12.5 V I DQ = 150 mA P OUT = 15 W f = 500 MHz 1214dB ηD V DD = 12.5 V I DQ = 150 mA P OUT = 15 W f = 500 MHz 5055%Load mismatchV DD = 15.5 V I DQ = 150 mA P OUT = 15 W f = 500 MHzALL PHASE ANGLES20:1VSWRPD55015S FREQ. MHzZ IN (Ω)Z DL (Ω)480 1.30 - j 0.54 1.18 + j 0.04500 1.26 - j 0.30 1.32 - j 0.22520 1.34 - j 0.11 1.46 - j 0.228760.33 + j 0.44 1.36 - j 0.219000.33 + j 0.70 1.29 - j 1.039150.33 + j 0.871.27 - j 0.37PD55015FREQ. MHzZ IN (Ω)Z DL (Ω)480 1.58 + j 0.56 1.27 - j 1.36500 1.53 + j 0.77 1.51 - j 1.815201.70 + j 1.171.44 - j2.13PD55015 - PD55015S TYPICAL PERFORMANCE3/18PD55015 - PD55015S4/18TYPICAL PERFORMANCEDrain Efficiency vs. Output PowerDrain Efficiency vs. Bias CurrentReturn Loss vs. Output PowerOutput Power vs. Bias CurrentPD55015PD55015 - PD55015S TYPICAL PERFORMANCEOutput Power vs. Input Power PD55015SOutput Power vs. Gate Bias VoltageDrain Efficiency vs. Output PowerPower Gain vs. Output Power5/18PD55015 - PD55015S6/18TYPICAL PERFORMANCEDrain Efficiency vs. Bias CurrentOutput Power vs. Gate Bias VoltageOutput Power vs. Drain VoltageDrain Efficiency vs. Drain Voltage7/18PD55015 - PD55015STYPICAL PERFORMANCE (876 - 915MHz)Input Return Loss vs Output PowerPD55015 - PD55015STEST CIRCUIT COMPONENT PART LISTCOMPONENT DESCRIPTIONB1,B2FERRITE BEAD - Fair-rite Corp #2743021447C1,C12300 pF, 100 mil CHIP CAPACITORC2,C3,C4,C11,C12,C13 1 to 20 pF TRIMMER CAPACITORC6, C18120 pF 100 mil CHIP CAPACITORC9, C1510 µF, 50 V ELECTROLYTIC CAPACITORC8, C160.1 mF, 100 mil CHIP CAPC7, C17 1.000 pF 100 mil CHIP CAPC5, C1033 pF, 100 mil CHIP CAPL156 nH, 6 TURNS, 18 AWG MAGNET WIRE, Id = .140" HAND WOUND CHOKE N1, N2TYPE N FLANGE MOUNTR115 Ω, 1 W CHIP RESISTORR2 1 KΩ, 1 W CHIP RESISTORR333 KΩ, 1 W CHIP RESISTORZ1 0.471” X 0.080” MICROSTRIPZ2 1.082” X 0.080” MICROSTRIPZ30.372” X 0.080” MICROSTRIPZ4,Z50.260” X 0.223” MICROSTRIPZ60.050” X 0.080” MICROSTRIPZ70.551” X 0.080” MICROSTRIPZ80.825” X 0.080” MICROSTRIPZ90.489” X 0.080” MICROSTRIPBOARD ROGER, ULTRA LAM 2000 THK 0.030”, εr = 2.55 2oz. ED cu 2 SIDES.8/18PD55015 - PD55015S9/18PD55015 - PD55015SCOMMON SOURCE S-PARAMETER (PD55015S) (V DS = 12.5V I DS = 225mA)10/18COMMON SOURCE S-PARAMETER (PD55015S)(V DS = 12.5V I DS = 1.2A)11/18COMMON SOURCE S-PARAMETER (PD55015S) (V DS = 12.5V I DS = 2.25A)12/18COMMON SOURCE S-PARAMETER (PD55015)(V DS = 12.5V I DS = 225mA)13/18COMMON SOURCE S-PARAMETER (PD55015) (V DS = 12.5V I DS = 1.2A)14/18COMMON SOURCE S-PARAMETER (PD55015)(V DS = 12.5V I DS = 2.25A)15/18PowerSO-10RF Formed Lead (Gull Wing) MECHANICAL DATAmm Inch DIM.MIN.TYP.MAX MIN.TYP.MAX A100.050.10.0.00190.0038 A2 3.4 3.5 3.60.1340.1370.142 A3 1.2 1.3 1.40.0460.050.054 A40.150.20.250.0050.0070.009 a0.20.007b 5.4 5.53 5.650.2120.2170.221c0.230.270.320.0080.010.012 D9.49.59.60.3700.3740.377 D17.47.57.60.2900.2950.298 E13.8514.114.350.5440.5550.565 E19.39.49.50.3650.370.375 E27.37.47.50.2860.2920.294 E3 5.9 6.1 6.30.2310.240.247 F0.50.019G 1.20.047L0.81 1.10.0300.0390.042 R10.250.01 R20.80.031T 2 deg 5 deg8 deg 2 deg 5 deg8 deg T1 6 deg 6 degT210 deg10 degNote (1): Resin protrusions not included (max value: 0.15 mm per side)16/1817/18PowerSO-10RF Straight Lead MECHANICAL DATANote (1): Resin protrusions not included (max value: 0.15 mm per side)mmInch MIN.TYP .MAX MIN.TYP.MAX A1 1.62 1.67 1.720.0640.0650.068A2 3.4 3.5 3.60.1340.1370.142A3 1.2 1.3 1.40.0460.050.054A40.150.20.250.0050.0070.009a 0.20.007b 5.4 5.53 5.650.2120.2170.221c 0.230.270.320.0080.010.012D 9.49.59.60.3700.3740.377D17.47.57.60.2900.2950.298E 15.1515.415.650.5950.6060.615E19.39.49.50.3650.370.375E27.37.47.50.2860.2920.294E3 5.96.1 6.30.2310.240.247F 0.50.019G 1.20.047R10.250.01R20.80.031T1 6 deg 6 deg T210 deg10 degDIM.Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.The ST logo is registered trademark of STMicroelectronics®2003 STMicroelectronics - All Rights ReservedAll other names are the property of their respective owners.STMicroelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia - Brazil - Canada - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan -Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A.18/18。

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npd5565参数

npd5565参数

npd5565参数
npd5565参数是一种用于描述氮化镓（GaN）功率器件的参数，通常包括以下几个方面：
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：指器件由关断状态转变为开启状态所需的最小电压。

2. 击穿电压（Breakdown Voltage）：指器件所能承受的最大反向电压，超过该电压值将导致器件损坏。

3. 导通电阻（On-resistance）：指器件在导通状态下，正向或反向电流通过时的电阻值。

4. 开关频率（Switching Frequency）：指器件在开关状态切换时所能达到的最大频率。

5. 可靠性（Reliability）：指器件在不同环境条件下的稳定性和寿命表现。

了解npd5565的具体参数可以帮助工程师更好地选择和使用该氮化镓功率器件，以满足不同的应用需求。

实验认可证

实验认可证

验方法
能做： 低温区：-73℃ 高温区：+177℃ 工作空间：1m3
（两箱法）
能做: 最大工作空间
52m3 能做: 最大工作空间 52m3 能做： 最大负载:300
Kg 能做： 最大负载:300
Kg 能做： 最大正弦推 力:30kN 最大随机推 力:30kN 振动频率:5～ 2000Hz 最大位 移:51(mm)P-P 最大负载:300
5
3
船用导航设 备
6
7
盐雾 喷水 浸水
1
低温
2
低温
贮存
3
高温
4
冲击
5
颠震
4
船用电子 设备
6
振动
7
外壳
防水
恒定
8
湿热
交变
9
湿热
10
盐雾
No. CNAS L0446
CNAS-PD19/06-A/1
领域 检测标准（方法）名称及编号
限制
说
代码
（含年号）
范围
明
0431
GB 12267-1990 船用导航设备通用要求和试
射频同轴电缆组件第 1 部分: 总规范
一般要求和试验方法
1 特性阻抗 0424
2
3 数字通信用
12 对绞/星绞对 4
称电缆
5
6
衰减 直流电阻 传输延时 延时偏离 近端串扰
.14 0424 .01
0424 .14
YD/T1019-1999《数字通信用 实心聚稀烃绝缘水平对绞电
缆》 YD/T838.1-1996《数字通信用
名称
地面短波通
信产品、战术
超短波跳频 1 产品、战术调 9
CMOS管资料大全

CMOS管资料大全

CMOS管资料大全晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型IRF120 100V 8A 40W * * NMOS场效应IRF121 60V 8A 40W * * NMOS场效应IRF122 100V 7A 40W * * NMOS场效应IRF123 60V 7A 40W * * NMOS场效应IRF130 100V 14A 75W * * NMOS场效应IRF131 60V 14A 75W * * NMOS场效应IRF132 100V 12A 75W * * NMOS场效应IRF133 60V 12A 75W * * NMOS场效应IRF140 100V 27A 125W * * NMOS场效应IRF141 60V 27A 125W * * NMOS场效应IRF142 100V 24A 125W * * NMOS场效应IRF143 60V 22A 125W * * NMOS场效应IRF150 100V 40A 150W * * NMOS场效应IRF151 60V 40A 150W * * NMOS场效应IRF152 100V 33A 150W * * NMOS场效应IRF153 60V 33A 150W * * NMOS场效应IRF220 200V 5A 40W * * NMOS场效应IRF221 150V 5A 40W * * NMOS场效应IRF222 200V 4A 40W * * NMOS场效应IRF223 150V 4A 40W * * NMOS场效应IRF230 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF231 150V 9A 75W * * NMOS场效应IRF232 200V 8A 75W * * NMOS场效应IRF233 150V 8A 75W * * NMOS场效应IRF240 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF241 150V 18A 125W * * NMOS场效应IRF242 200V 16A 125W * * NMOS场效应IRF243 150V 16A 125W * * NMOS场效应IRF250 200V 19A 150W * * NMOS场效应低导通电阻IRF251 150V 19A 150W * * NMOS场效应低导通电阻IRF252 200V 16A 150W * * NMOS场效应低导通电阻IRF253 150V 16A 150W * * NMOS场效应低导通电阻晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型IRF330 400V 5.5A 75W * * NMOS效应IRF331 350V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF332 400V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF333 350V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF340 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF341 350V 10A 125W * * NMOS场效应IRF342 400V 8A 125W * * NMOS场效应IRF343 350V 8A 125W * * NMOS场效应IRF350 400V 15A 150W * * NMOS场效应IRF352 400V 13A 150W * * NMOS场效应IRF353 350V 13A 150W * * NMOS场效应IRF360 400V 25A 300W * * NMOS场效应IRF420 500V 2.5A 40W * * NMOS场效应IRF421 450V 2.5A 40W * * NMOS场效应IRF422 500V 2.5A 40W * * NMOS场效应IRF423 450V 2.5A 40W * * NMOS场效应IRF430 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF431 450V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF432 500V 4A 75W * * NMOS场效应IRF433 450V 4A 75W * * NMOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF441 450V 8A 125W * * NMOS场效应IRF442 500V 7A 125W * * NMOS场效应IRF443 450V 7A 125W * * NMOS场效应IRF450 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRF451 450V 8A 150W * * NMOS场效应IRF452 500V 7A 150W * * NMOS场效应IRF453 450V 7A 150W * * NMOS场效应IRF460 500V 21A 300W * * NMOS场效应IRF510 100V 2.5A 20W * * NMOS场效应IRF511 60V 2.5A 20W * * NMOS场效应IRF512 100V 2A 20W * * NMOS场效应IRF513 60V 2A 20W * * NMOS场效应IRF520 100V 8A 40W * * NMOS场效应IRF521 60V 8A 40W * * NMOS场效应IRF522 100V 7A 40W * * NMOS场效应IRF523 60V 7A 40W * * NMOS场效应IRF530 100V 14A 75W * * NMOS_GDS场效应IRF531 60V 14A 75W * * NMOS场效应IRF532 100V 12A 75W * * NMOS场效应IRF533 60V 12A 75W * * NMOS场效应IRF540 * 100V 27A 125W * * NMOS场效应IRF541 60V 27A 125W * * NMOS场效应IRF542 100V 24A 125W * * NMOS场效应IRF543 60V 22A 125W * * NMOS场效应塑封2006-12-26 10:47 音频晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF611 150V 2.5A 20W * * NMOS场效应IRF612 200V 2A 20W * * NMOS场效应IRF613 150V 2A 20W * * NMOS场效应IRF620 200V 5A 40W * * NMOS场效应IRF621 150V 5A 40W * * NMOS场效应IRF622 200V 4A 40W * * NMOS场效应IRF623 150V 4A 40W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF631 150V 9A 75W * * NMOS场效应IRF632 200V 8A 75W * * NMOS场效应IRF633 150V 8A 75W * * NMOS场效应IRF640 * 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF641 150V 18A 125W * * NMOS场效应IRF642 200V 16A 125W * * NMOS场效应IRF643 * 150V 16A 125W * * NMOS场效应晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型IRF710 400V 1.5A 20W * * NMOS场效应IRF711 350V 1.5A 20W * * NMOS场效应IRF712 400V 1.3A 20W * * NMOS场效应IRF713 350V 1.3A 20W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF731 350V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF732 400V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF733 350V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF741 350V 10A 125W * * NMOS场效应IRF742 400V 8A 125W * * NMOS场效应IRF743 350V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF831 450V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF832 500V 4A 75W * * NMOS场效应IRF833 450V 4A 75W * * NMOS场效应IRF841 450V 8A 125W * * NMOS场效应IRF842 500V 7A 125W * * NMOS场效应IRF843 * 450V 7A 125W * * NMOS场效应晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型IRFF110 100V 3.5A 15W * * NMOS场效应IRFF111 100V 3.5A 15W * * NMOS场效应IRFF112 100V 3A 15W * * NMOS场效应IRFF113 100V 3A 15W * * NMOS场效应IRFF120 100V 6A 24W * * NMOS场效应IRFF121 60V 6A 24W * * NMOS场效应IRFF122 100V 5A 20W * * NMOS场效应IRFF123 60V 5A 20W * * NMOS场效应IRFF130 100V 8A 25W * * NMOS场效应IRFF131 60V 8A 25W * * NMOS场效应IRFF132 100V 7A 25W * * NMOS场效应IRFF133 60V 7A 25W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应晶体管型号 Vds Id Pd 放大特征类型K707 120W 25A 250V NMOSK719 120W 5A 900V NMOSK1120 150W 8A 1000V NMOSK1271 ? ? 1200V* NMOS 塑封 550V开关电源K1518 120W 20A 500V NMOSK2101 NMOS 全塑 30W开关电源2006-12-26 10:49 音频品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）TP15N06 40 15 0.08 50 T0251 1.0BUZ11 75 30 0.05 60 TO220 2.5 SMP60N06 125 60 0.018 60 TO220 3.0V40AT 40 3 1 60 TO220 1.8V40BT 40 3 1.5 120 TO220 2.0V40DT 40 2 3 500 TO220 2.8V75AT 75 5 0.35 60 TO220 2V75BT 75 4.5 0.5 120 TO220 2.3V75CT 75 4 2 300 TO220 3.0V75DT 75 5 1 500 TO220 3.5品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）IRFBC40 125 6.2 12 600 TO220 2.5IRF510 43 5.6 0.41 100 TO220 1.5IRF610 43 3.3 1.2 200 TO220 1.5IRF710 36 2 3. 3 400 TO220 1.5IRF520 60 9.2 0.25 100 TO220 2.0IRF620 40 5 0.5 200 TO220 2.0IRF720 50 3.3 1.6 400 TO220 2.0IRF820 50 2.5 2.9 500 TO220 2.0IRF530 79 14 0.12 100 TO220 2.5IRF630 75 9 0.25 200 TO220 2.5IRF730 74 5.5 0.93 400 TO220 2.5IRF830 74 4.5 1.4 500 TO220 2.5IRF540 150 28 0.06 100 TO220 3.0IRF640 125 18 0.18 200 TO220 3.0IRF740 125 10 0.42 400 TO220 3.0IRF840 125 8 0.85 500 TO220 3.0TO220NP配对品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）IRF520 9520对 60 9.2 0.25 +/-100 T0220 5.0 IRF530 9530对 79 14 0.12 +/-100 TO220 6.0 IRF540 9540对 150 28 0.06 +/-100 TO220 8.0 IRF640 9640对 125 18 0.18 +/-200 TO220 10T03P封装VMOS管品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）IRFP150 180 41 0.055 100 T03P 12IRFP250 180 31 0.085 200 T03P 12IRFP350 180 16 0.3 400 T03P 8.0IRFP450 180 14 0.35 500 T03P 8.0IRFP360 250 23 0.2 400 T03P 12IRFP460 250 20 0.27 500 T03P 12 IRFP264 280 38 0.075 250 TO3P 14 拆机保用IRFP064 300 98 0.018 60 TO3P 14 拆机保用IRFPE20 125 2.5 0.5 1000 TO3P 6SMW40N10 125 40A 0.055 100 TO3P 14SMW60N10 180 60 0.02 100 TO3P 16SMW60N06 180 60 0.018 60 TO3P 14TO3封装 VMOS管品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）IRF150 150 40 0.055 100 T03 10 拆机品保用IRF250 150 30 0.085 200 TO3 14 拆机品保用IRF350 150 15 0.35 400 TO3 8.0 拆机品保用IRF450 150 13 0.4 500 T03 8.0 拆机品保用IRF460 300 21 0.27 500 T03 16 拆机品保用MTM20N45 250 20 0.25 450 TO3 12.0MTM20N50 250 20 0.27 500 T03 8.0IRF130 75 12 0.18 100 T03 8.0IRF132 75 10 0.2 100 TO3 8.0TO3NP配对VMOS管品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）IRF150 150 40 0.055 100 TO3 24IRF9150 150 30 0.085 100 TO3 24IRF130 75 12 0.18 100 TO3 14IRF9130 75 10 0.3 100 TO3 24特种耐高温VMOS管品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）2N6660 6.25 2 60 TO39 352N6800 25 3 400 TO39 40西门子智能感温VMOS管品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）BTS130 75 30 0.04 50 TO220 6BTS131 75 27 0.005 50 TO220 4BTS132 75 TO220 5BTS240 125 58 1.8 50 TO3P 10西门子公司VMOS管品名功率电流导阻电压封装单价购买备注（W）（A）（Ω）（V）（元）BUZ331 125 8 0.8 500 TO3P 5BUZ347 125 40 0.03 50 TO3P 5BUZ349 125 32 0.08 100 TO3P 6BUZ350 125 22 0.1 200 TO3P 8BUZ355 125 8 1.5 800 TO3P 8BUZ357 125 5 2 1000 TO3P 9BUZ380 125 5.5 2 1000 TO3P 10BUZ385 125 10 0.7 500 TO3P 6BUK426 125 40 0.04 50 TO3P 4 菲利普公司BUK627 125 10 0.8 500 TO3P 5 菲利普公司笔记：IRF型场效应管：一般情况下均为高速管。

en55015传导测试标准

en55015传导测试标准

en55015传导测试标准一、概述本标准规定了电气设备和电子系统在正常工作条件下产生的电磁辐射和传导干扰的限值。

本标准适用于各种类型的电气设备，包括家用电器、办公设备、通讯设备、电源系统等。

二、测试范围本标准适用于以下设备和系统：1. 家用电器：洗衣机、冰箱、空调、微波炉、电饭煲等；2. 办公设备：电脑、打印机、复印机、扫描仪等；3. 通讯设备：手机、电话机、传真机等；4. 电源系统：电源插座、电源适配器等。

三、测试项目本标准主要包括以下测试项目：1. 辐射骚扰（EMS）测试；2. 辐射敏感度（RSS）测试；3. 传导骚扰（EUT传导骚扰）测试；4. 电压瞬变（Dt）测试；5. 电流瞬变（Di）测试。

四、测试方法与仪器1. 辐射骚扰（EMS）测试：采用谐波测试仪器进行测试，根据测试结果评估设备的EMS等级；2. 辐射敏感度（RSS）测试：采用专用仪器进行测试，评估设备的RSS等级；3. 传导骚扰（EUT传导骚扰）测试：采用专门仪器进行测试，评估设备的传导骚扰水平；4. 电压瞬变（Dt）测试：采用瞬变测试仪器进行测试，记录电压变化情况；5. 电流瞬变（Di）测试：采用专用仪器进行测试，评估设备的电流瞬变能力。

五、测试环境与条件1. 测试环境：测试应在无电磁干扰的环境中进行；2. 频率范围：测试频率范围涵盖设备工作频段；3. 电压幅度：测试电压幅度应符合相关规定；4. 环境噪声干扰：确保测试环境中无其他电磁干扰；5. 温度与湿度：测试环境应保持恒温恒湿，符合设备要求。

六、限值要求本标准对各类设备和系统的电磁辐射和传导干扰限值做出了明确规定，以下为部分限值要求：1. EMS限值：设备在各频点处的辐射骚扰限值应符合相关规定；2. RSS限值：设备在特定频率下的辐射敏感度应不超过规定值；3. EUT传导骚扰限值：设备在工作时产生的传导骚扰不应超过规定限值；4. Dt与Di限值：电源系统应具备应对电压和电流瞬变的能力，确保设备安全。