模拟电子技术题库答案
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模拟电子技术题库答案
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模拟电子技术
试题汇编
成都理工大学工程技术学院
电子技术基础教研室
2010-9 模拟电子技术题库答案
- 1 - / 38 第一章 半导体器件
一、填空题
1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为
绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的漂移运动。 模拟电子技术题库答案
- 2 - / 38 10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEOI是反向饱和电流CBOI的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBOI尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导mg。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是
电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。 模拟电子技术题库答案
- 3 - / 38 23、结正向偏置时，空间电荷区将变窄。
24、二极管的两个电极分别称为阳极和阴极，二极管的符号是。
25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会左移，输出特性曲线会 上 移，而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是温度。
27、P型半导体可用_负离子和等量的空穴来简化表示。
28、主要半导体材料是_硅和锗；两种载流子是空穴和电子；两种杂质半导体是型和型。
29、二极管外加 正 向电压导通，外加 反 向电压截止。
30、当温度升高时，三极管的参数β会 变大 ，CBOI会 增加 ，导通电压会 变小 。
31、双极型三极管有两种载流子导电，即多数载流子和_少数载流子导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即多数载流子导电。
32、N型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是空穴。
33、某晶体管的极限参数mWPCM150，mAICM100，VUCEOBR30)(。若它的工作电压VUCE10，则工作电流不得超过15mA；若工作电压VUCE1，则工作电流不得超过100mA；若工作电流mAIC1，则工作电压不得超过30V。 模拟电子技术题库答案
- 4 - / 38 34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为AV=－9V，
BV=－6.2V，CV =－6V，则该三极管是型三极管，A为集电极，B为基极，C为发射极。
35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是。
36、场效应管输出特性的三个区域分别是恒流区、可变电阻区、夹断区。
37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。
38、场效应管及晶体管比较， 场效应
管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。
39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是发射区、基区和集电区。
二、选择题
1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。
A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压
D．正向压降
2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。
A．少子 B．多子 C．杂质离子 D．空穴 模拟电子技术题库答案
- 5 - / 38 3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。
A．截止 B．放大 C．饱和 D．损毁
4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。
A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏
C．前者正偏、后者也正偏 D．前者反偏、后者也正偏
5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参及导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。
A．多子 B．少子 C．自由电子 D.空穴
6、当型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为CU（A ）BU（A ）EU。
A． > B． < C． =
D． ≤
7、对二极管正向电阻Zr和反向电阻Fr的要求是（ C ）
A．Zr、Fr都大 B．Zr、Fr都小
C．Zr很小，Fr很大 D．Zr大，Fr小 模拟电子技术题库答案
- 6 - / 38 8、稳压二极管动态电阻Zr（ B ），稳压性能愈好。
A．愈大 B． 愈小 C．为任意值
9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。
A． 放大 B． 截止 C． 饱和 D． 无法确定
10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A、D ）
A．自给偏压电路 B．外加偏压电路
C．无须偏置电路 D．栅极分压及源极自偏结合
11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度及（ B ）有很大关系。
A．温度 B．掺杂工艺 C．杂质浓度 D．晶体管缺陷
12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。
A．电荷 B．电压 C．电流
13、当节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。
A．大于 B．小于 C．等于 D．变宽 E．变窄 F．不变
14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。
A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移
15、结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。 模拟电子技术题库答案
- 7 - / 38 A．变窄 B．基本不变
C．变宽 D.先变窄，后变宽
16、 在25ºC时，某二极管的死区电压≈0.5V，反向饱和电流≈0.1，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。
A ≈0.575V，≈0.05 B ≈0.575V，≈0.2
C ≈0.475V，≈0.05 D ≈0.475V，≈0.2
17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（或）及三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。
A．测试各极间电阻
B．测试各极间、对地电压
C．测试各极电流
三、判断题
1、 三极管在工作频率大于最高工作频率Mf时会损坏。 （ ╳ ）
2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ╳ ）
3、及三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ √ ）
4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ╳ ）
5、有人测得晶体管在BEU=0.6V时，BI=5A，因此认为在此工作点上的ber大约为。 （ √ ） 模拟电子技术题库答案
- 8 - / 38 6、通常结型场效应管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ √ ）
7、通常的双极型晶体管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ╳ ）
8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（√ ）
9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ╳ ）
10、结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ╳ ）
11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ √ ）
12、由于结交界面两边存在电位差，所以当把结两端短路时，就有电流流过。（ ╳ ）
13、结方程可以描述结的正向特性和反向特性，也可以描述结的反向击穿特性。（ ╳ ）
14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ╳ ）
15、有人测试晶体管的ber，方法是通过测得晶体管的7.0BEU，mAIB20，推算出KmAVIUrBBEbe3520/7.0/ 。 （ ╳ ）
四、综合题
1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）
管脚（各电极）电晶体管1 晶体管2 模拟电子技术题库答案
- 9 - / 38 位 3V 3.7V 6V -4V -1.2V -1.4V
电极(e或b或c) e b c c b e
或
材料（或）
2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）
管子类型
各电极电位（V）
2 1.7 6 -0.1 -0.3 -3 0 4 6 1.3 1.1 1.2
状态 c b d a
3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算和的值（共9分）
DR2R+10VUYUX D2RR+10VUYUX
（a） （b）
答案：（a）
