1 第一章 半导体二极管
班级：___________姓名：___________分数：___________
一、填空题（1分/空，共30分）
1.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是________。
2.半导体具有______特性、_______特性和_______特性。
3.PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时，P区接电源的______极，N区接电源的_____极。
4.PN结具有_________________的特性，即加正向电压时，PN结______，加反向电压时，PN结_______.
5.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_______。
6.二极管P区的引端叫________极或________极，N区的引出端叫_______极或_______极。
7.按二极管所用的材料不同可分为_______和_______两类。
8.二极管的正向接法是______接电源的正极，______接电源的负极；反向接法则相反。
9.硅二极管导通时的正向管压降约为______V，锗二极管导通时的管压降约为______V。
10.二极管最主要的特性是______，它是指：PN结正偏时呈______状态，正向电阻很小，正向电流很______（小，大）；PN结反偏时呈_____状态，反向电阻很大；反向电流很______（小，大）。
11.二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本的性质是____________。
12.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已______；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已_____________。
二、判断题（2分/题，共22分）
1.N型半导体又称为空穴型半导体。 （ ）
2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。 （ ）
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1 第一章 二极管及其应用
教学重点
1．了解二极管的伏安特性和主要参数。
2．了解硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等各种二极管的外形特征、功能和应用。
3．能用万用表检测二极管。
4．掌握单相半波、桥式全波整流电路的组成、性能特点和电路估算。
5．了解电容滤波电路的工作原理和估算。
教学难点
1．PN结的单向导电特性。
2．整流电路和滤波电路的工作原理。
学时分配
序号 内 容 学 时
1 1.1晶体二极管 2
2 1.2晶体二极管整流电路及滤波电路
4
3 技能实训——单相整流、滤波电路的测试
4
4 本章总学时 10
1.1 二极管
1.1.1 半导体的奇妙特性
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅、锗等，其导电能力受多种因素影响。
热敏特性——温度升高，导电能力明显增强。
光敏特性——光照越强，导电性能越好。
掺杂特性——掺入杂质后会改善导电性。
1.1.2 二极管结构与电路图形符号
通过实物认识各类二极管
动画：PN结的形成
1.1.3 二极管的单向导电特性 正极
＋ 负极
－ 管壳
P N PN结
VD
正极
＋ 负极
－
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2 做一做：二极管的单向导电特性
1．二极管的单向导电特性
（1）加正向电压二极管导通
（2）加反向电压二极管截止
2．二极管特性曲线
二极管两端的电压、电流变化的关系曲线，即二极管的伏安特性曲线。
演示实验：利用晶体管特性图示仪测出二极管伏安特性曲线
（1）正向特性 正向电压较小，这个区域常称为正向特性的“死区”。一般硅二极管的“死区”电压约为0.5V，锗二极管约为0.2V。
正向电压超过“死区”电压后，电流随电压按指数规律增长。此时，两端电压降基本保持不变，硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V。
第1章 1.1二极管
汉中市科技职业中专 xx
教材依据
中等职业教育课程改革国家规划新教材伍湘彬老师主编的《电子技术基础与技能》第一章1节。
教学设计要点
本节课为《电子技术基础与技能》第一章的内容，在教学中除了知识与技能的传授外，培养学生学习兴趣也是本章教学设计的重点。因此，在教学中要根据中职学生特点，扬长避短，对理论知识进行适当的简化，体现够用就行，相关知识与技能的传授，分层次、分阶段逐步实施，不追求一步到位。
教学目标
一、知识目标
（１）了解二极管的基本结构、类型和主要参数；
（２）掌握二极管的主要特性。
二、能力目标
（１）培训学生搭建简单电路的动手能力；
（２）培养学生归纳概括能力；
（３）二极管的极性判定。
三、情感态度与价值观
（１）培养学生学习热情；
（２）培养学生热爱生活，积极实践，乐于探究，团队协作的精神；
（３）引导学生树立多观察、多提问、多思考、多应用书本知识解决实际问题的意识。
教学重点 （１）二极管的外形、基本结构、符号；
（２）二极管的单向导电特性及伏安特性。
教学难点
（１）二极管的主要参数；
（２）二极管的单向导电特性。
教学课时
2学时
教材分析
本节教材是本书的第一节内容，二极管是电子技术中重要的元器件，它是学生学习《电子技术基础与技能》的基石。
学情分析
授课对象：中职电子班一年级新生。大部分学生思维活跃、情感丰富、善于表现，对合作性、探究性学习及实践操作很感兴趣。但是，大部分学生抽象思维还不理想，需进一步提高；自学能力较差，学习兴趣不浓。
知识储备：简单的串并联电路知识、常用仪器仪表的基本使用方法。
教法和学法
一、教法
理实一体化教学
二、学法
以实践操作、合作学习和探究性学习为主，培养学生的创新精神和实践能力。
教学设备
亚龙创新实验设备10套、多媒体设备一套
教学过程
第一课时
一、引入新课
1．通过实物演示及列举实例，让学生了解二极管的应用，从而激发他们的学习兴趣。
第一章 半导体二极管和三极管
第一部分 客观题
1、正偏二极管端电压增加5％，通过二极管的电流（）。
A 增大约5％ B 增大小于5％
C 增大大于5％ D 基本不变。
图1-1
2、图1-1可用于测量二极管的直流电阻RD 。当图中电源电压E加倍时，RD会（）。
A 加倍 B 变大 C 不变 D 变小
3、 工作在放大区的某三极管，如果当从12增大到22时， 从1 变为2，那么它的约为（）。
A 70 B 83 C 91 D 100
4、在本征半导体中加入（）元素可以形成N型半导体。
A 五价 B 四价 C 三价 D 二价
5、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A 前者正偏、后者正偏 B 前者正偏、后者反偏
C 前者反偏、后者正偏 D 前者反偏、后者反偏
6、稳压管的稳压区是其工作在（）
A 正向导通 B 方向截止 C 反向击穿
7、关于晶体管特性曲线的用途，下述说法中的（ ）不正确。
A. 判断BJT的质量 B. 估算BJT的一些参数
C. 计算放大电路的一些指标 D.分析放大器的频率特性
8、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
9、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
10、若耗尽层N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。（）
11、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
12、若测得一支BJT 的电流IB=50uA，IC=2.5 mA ,则该管的≈IC/IB=50。（）
13、工作点是指BJT 的电流和电压在其特性曲线上对应的点。（）
14、放大区IC IB。因>>1, 故BJT适于电流放大，不适于作电压放大。（）
15、放大管集电结反向电压增大，会使集电极电流iC 增大，这是因为此时集电结对从基区扩散过来的载流子吸引力增大的结果。（） 16、PNP和NPN是一种对称结构。因此将发射极与集电极对调使用，BJT仍然能正常放大信号。（）
