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外延薄膜中的应变与失配位错
<0 膜内压应力
f =0 无应力
>0 膜内张应力
fit
strain
relax
pseudomorphic, 晶体. 结构一样
产生位错的临界厚度
产生失配位错的驱动力来自 薄膜应变能的降低.
无位错薄膜单位面积内的应变能
E
2ehf
2 1v 1v
e 切变模量;v 泊松比
h 薄膜厚度;f 失配度
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金属中的点缺陷:空位间隙原子,替代杂质 平衡缺陷浓度:
n e x ( E T p ) /k S ] [ T eS x /k ) e p x E / ( k ) p T (
面心密堆积中的间隙:
四面体间隙位坐标: (1/4,1/4, 1/4)
+
各原子坐标
其余四面体间隙坐标。
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面心密堆积中的间隙
用薄膜应变场对穿过位错的作用应力(=2F/hb)和位错自身 的线张应力d (=2Fd/b)相等为判据
(e=0), 也可以得到薄膜临界厚度的表达式. 但是, 要求上述两个应力相 等的判据实际上是过低了, 因为此时位错受到的净作用力为零, 即使依靠热激活, 位错运动速度也太小, 因此更合理的判据是: 对穿过位错的作用应力应超过位错线张力, 即:
的荷电状态,
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间隙位置坐标: (1/2,1/2, 1/2)
+
各原子坐标 其余间隙位置坐标。
金刚石结构中的间隙
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金刚石结构的晶胞中原子在底面的投影, 数字是垂直 方向上的坐标, 其单位是晶格常数的1/8(b), 四面体间
隙(方形)和六角间隙(三角形)在底面的投影,
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晶胞中有8个原子,8个四面 体间隙,16个六面体间隙 原子半径:0.2165, T间隙到最近邻原子中心的 距离0.433,到次近邻的距离 0.500; H间隙到最近邻原子中心距 离为0.415