无机薄膜材料与制备技术 ppt课件
- 格式:ppt
- 大小:985.50 KB
- 文档页数:82
1薄膜材料概述2薄膜材料制备技术3薄膜材料表征方法4溶胶-凝胶制备薄膜材料及应用拉应力或压应力造成薄膜从衬底表面脱落的情况a——拉应力作用;b——压应力作用电容式触控面板电阻式触控面板强度好,敏感度高增透膜硅太阳能电池响应范围1100nm薄膜在400~波长需具有较高透过率蒸发系统工作架轰击电极活动挡板蒸发电极烘烤电极仪器内部结构加热丝加热舟坩埚盒状源(Knudsen Cell低压气体放电现象,使处于等离子状态下的离子轰击靶面,并使溅射出的粒子堆积在基片上轰击靶表面,使溅射出的粒子在基片表面成膜,这称为离子束溅射。
离子束要由特制价格较贵,只是在用于分析技术和制取特殊的薄膜时才采用离子束溅射。
这种装置的最大优点是结构简单,控制方便。
缺点有:在工作压力较高时膜层有沾污;沉积速率低,不能镀l0um 以上的膜厚;由于大量二次电子直接轰击基片,使基片升温过高。
②三级和四极溅射三极溅射是在二极溅射的装置上附加一个电极,使它放出热电子强化放电,它既能使溅射速率有所提高,又能使溅射工况的控制更为方便。
与二极溅射不同的是,可在主阀全开的状态下制取高纯度膜。
四极溅射又称为等离子弧柱溅射,如图所示。
在原来二极溅射靶和基板垂直的位置上,分别放置发射热电子的灯丝(热阴极)和吸引热电子的辅助阳极,其间形成低电压、大电流的等离子体弧柱,大量电子碰撞气体电离,产生大量离子。
其他几种溅射方式这种溅射方法还是不能抑制由靶产生的高速电子对基片的轰击,还存在因灯丝具有不纯物而使膜层沾污等问题。
磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳跃式地沿着环状磁场转圈环状磁场控制的区域是等离子体密度最高的部位,在磁控溅射时,可以看见,溅射气体氩气在这部位发出强烈的淡蓝色辉光,形成一个光环,处于光环下的靶材是被离子轰击最严重的部位,会溅射出一条环状的沟槽。
环状磁场是电子运动的轨道,环状的辉光和沟槽将其形象地表现了出来磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材,就会导致整块靶材报废,所以靶材的利用率不高,一般低于40%这是磁控溅射的主要缺点。