半导体芯片制造工中级职业技能等级证书 -回复

半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题• 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

• 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。

砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

• 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。

• 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。

• 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。

• 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。

•7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。

•8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。

•9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。

•10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。

•11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。

•12.微波混合集成电路是指工作频率从300 MHz～100 kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。

•13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。

半导体芯片制造工国家职业标准1.职业概况1.1职业名称半导体芯片制造工。

1.2职业定义使用设备制造半导体分立器件、集成电路芯片的人员。

1.3职业等级本职业共设四个等级，分别为初级（国家职业资格五级）、中级（国家职业资格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。

1.4职业环境室内、常温、或高温。

1.5职业能力特征身体健康、反应灵敏。

1.6基本文化程度高中毕业。

1.7培训要求1.7.1培训期限全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。

晋级培训期限：初级培训时间不少于400标准学时；中级培训时间不少于300标准学时；高级培训时间不少于150标准学时；技师培训时间不少于150标准学时。

1.7.2培训教师培训中级、高级人员的教师应具有本职业技师以上职业资格或具有中、高级职称的专业技术人员担任；技师的培训教师由具有本职业高级技师以上职业资格或具有相应资格的高级职称的专业技术人员担任。

1.7.3培训场地要求标准教室及具备必要实验设备的实践场所。

1.8鉴定要求1.8.1适用对象从事或准备从事本职业的人员。

1.8.2申报条件——初级（具备以下条件之一者）（1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。

（2）在本职业连续见习工作2年以上。

（3）本职业学徒期满。

——中级（具备以下条件之一者）（1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作3年以上，经本职业中级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。

（2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。

（3）连续从事本职业工作7年以上。

（4）取得经劳动保障行政部门审核认定的，以中级技能为培养目标的中等以上职业学校本职业（专业）毕业证书。

——高级（具备以下条件之一者）（1）取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作4年以上，经本职业高级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。

（2）取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作7年以上。

半导体芯片制造中级工题库6-1-8
问题：
[判断题]晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。

（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。

（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。

（）
A.正确
B.错误
/ 郑多燕瘦身操
问题：
[判断题]设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。

（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。

（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。

（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。

（）
A.正确
B.错误。

劳动和社会保障部办公厅、信息产业部办公厅关于印发半导体芯片制造工等13个国家职业标准的通知
文章属性
•【制定机关】劳动和社会保障部(已撤销),信息产业部(已撤销)
•【公布日期】2003.02.08
•【文号】劳社厅发[2003]2号
•【施行日期】2003.02.08
•【效力等级】部门规范性文件
•【时效性】现行有效
•【主题分类】标准化
正文
劳动和社会保障部办公厅、信息产业部办公厅关于
印发半导体芯片制造工等13个国家职业标准的通知
（劳社厅发[2003]2号）
各省、自治区、直辖市劳动和社会保障厅（局）、信息产业厅（局），国务院有关部门劳动保障工作机构：
根据《中华人民共和国劳动法》，劳动保障部和信息产业部共同制定半导体芯片制造工等13个国家职业标准，现印发施行。

附件：国家职业标准目录
二00三年二月八日
附件国家职业标准目录
序号职业编码职业（工种）名称
16－08－01－09半导体芯片制造工
26－08－01－10半导体分立器件、集成电路装调工36－08－02－02电容器制造工
46－08－02－05压电石英晶片加工工
56－08－02－06石英晶体元器件制造工
66－08－02－13电子产品制版工
76－08－02－14印制电路制作工
86－08－03－01铅酸蓄电池制造工
96－08－03－03原电池制造工
106－08－04－04雷达装配工
116－08－04－05雷达调试工
126－08－04－10电源调试工
136－26－01－39印制电路检验工（☆）注：☆为新职业。

半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案第一章、半导体产业介绍1 .什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？（15分）集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。

集成电路芯片/元件数 无集成1 小规模（SSI ）2到50 中规模（MSI ）50到5000 大规模（LSI ）5000到10万 超大规模（VLSI ） 10万至U100万 甚大规模（ULSI ） 大于100万 产业周期1960年前 20世纪60年代前期 20世纪60年代到70年代前期 20世纪70年代前期到后期 20世纪70年代后期到80年代后期 20世纪90年代后期到现在2 .写出IC 制造的5个步骤？（15分）Wafer preparation （硅片准备）Wafer fabrication （硅片制造）Wafer test/sort （硅片测试和拣选）Assembly and packaging （装配和封装）Final test （终测）3 .写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？（15分）发展方向：提高芯片性能一提升速度（关键尺寸降低，集成度提高，研发采用新材料），降低功耗。

提高芯片可靠性一严格控制污染。

降低成本——线宽降低、晶片直径增加。

摩尔定律指：IC 的集成度将每隔一年翻一番。

1975年被修改为：IC 的集成度将每隔一年半翻一番。

4 .什么是特征尺寸CD ？ （10分）最小特征尺寸，称为关键尺寸（Critical Dimension, CD ） CD 常用于衡量工艺难易的标志。

5.什么是 More moore 定律和 More than Moore 定律？（10 分）“More Moore”指的是芯片特征尺寸的不断缩小。

从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小。

与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。

工业和信息化部教育与考试中心人才评价体系项目一、工业和信息化部教育与考试中心介绍 2二、全国信息技术人才培养工程介绍 3三、培养工程主要的认证考试项目介绍职称证书 4职业资格证书 9水平证书 11 职业技术证书 12一、工业和信息化部教育与考试中心单位介绍工业和信息化部教育与考试中心是经中央机构编制委员会办公室批准设置的事业单位，在工业和信息化部领导下，承担工业、通信业和信息化系统专业人才培训及相关资格考试的有关工作：◆教育培训与职业资格考试研究和专业人才需求预测；◆教育培训规划、计划的拟定及实施；◆计算机技术与软件专业技术资格（水平）考试；◆通信专业技术人员职业水平评价；◆委托开考的高等教育自学考试助学；◆电子行业特有工种职业技能鉴定；◆继续教育培训与咨询服务；◆职业教育的国际交流与合作。

二、全国信息技术人才培养工程介绍为抓住机遇，迎接挑战，进一步落实国家人才兴国战略，建设宏大的高素质信息技术人才队伍，把人才培养工作作为推进信息产业可持续发展的关键步骤，工业和信息化部（原信息产业部）颁发了"关于印发《全国信息技术人才培养实施意见》的通知"（信人函【2003】257号），于2004年1月1日正式启动了"全国信息技术人才培养工程"。

该项工程旨在通过优化整合涵盖学历教育、职业资格、技术水平和高新技术培训等各种教育培训资源，通过行业政府引导，推进教育培训的社会化，开辟教育培训新途径，围绕信息技术人才创新能力建设，改革教育培训的内容、方法和机制，深化信息技术人才管理制度的改革，培养大批符合行业发展需要的创新型人才。

该项工程自启动以来得到社会各界大力的支持，相关行业主管、教育培训机构也积极参与。

该项工程由工业和信息化部负责实施，工业和信息化部教育与考试中心负责工程的组织落实和日常管理工作。

三、培养工程主要的认证考试项目介绍（一）职称证书1、项目名称：计算机技术与软件专业技术资格（水平）考试2、项目简介：全国计算机技术与软件专业技术资格（水平）考试（简称计算机软件资格考试）是由国家人力资源和社会保障部、国家工业和信息化部组织的国家考试，其目的是，科学、公正地对全国计算机技术与软件专业技术人员进行职业资格、专业技术资格认定和专业技术水平测试。

半导体芯片制造工国家职业技能标准2019一、概述半导体芯片制造工是一个前沿的领域，随着科技的发展，对于人才的需求也越来越大。

2019年，我国国家发布了新的半导体芯片制造工国家职业技能标准，以适应当前行业的变化和发展。

本文将从深度和广度两个方面对这一技能标准进行全面评估，并撰写一篇有价值的文章。

二、半导体芯片制造工国家职业技能标准2019的内容概述半导体芯片制造工国家职业技能标准2019是通过对国内外半导体芯片制造工的实际需求进行调研和分析，结合行业技术的最新发展，制定出的适应当前行业需求的技能标准。

该标准主要涵盖了半导体制造工艺、设备操作与维护、品质检测与控制、安全与环保等多个方面的技能要求，旨在为我国半导体芯片制造工的培训和评价提供指导。

三、半导体制造工艺技能要求1.晶圆工艺半导体芯片制造工需要熟练掌握各种晶圆工艺技能，包括光刻、蚀刻、离子注入等。

需要了解不同工艺参数对晶圆质量的影响，并能够根据实际情况进行调整。

2.薄膜工艺掌握各种薄膜沉积技术和工艺，如CVD、PVD等，以及膜层的制备、表征和测试技术。

3.清洁工艺熟悉各种清洁工艺，包括干湿法清洁技术，保证晶圆表面的洁净度和平整度。

四、设备操作与维护技能要求1.设备操作能够熟练操作各种半导体生产设备，包括工艺设备、测试设备等，熟悉设备的使用和调试过程。

2.设备维护具备设备日常维护和故障排除的能力，了解设备的结构和原理，能够独立完成常见故障的排除和维修。

五、品质检测与控制技能要求1.品质检测熟练掌握半导体芯片的质量检测技术，包括X射线衍射、扫描电镜等，能够准确判断产品的质量并及时调整工艺参数。

2.品质控制了解半导体芯片制造的全过程，并能够根据相关标准和要求进行质量控制，确保产品达到标准要求。

六、安全与环保技能要求1.安全操作具备安全意识，遵守相关的安全操作规程，保证生产过程中的安全。

2.环保意识了解半导体生产过程中的环保要求，遵守相关的环保规定，做好废料处理和资源循环利用。

半导体芯片制造工：半导体制造技术考试答案考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。

1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

本题答案： 2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？ 本题答案： 3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

本题答案： 4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line ，BEOL ）采用铜（Cu ）互连和低介电常数（low-k ）材料的必要性。

本题答案： 5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

本题答案： 6、问答题说明影响氧化速率的因素。

本题答案：姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？本题答案：8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

本题答案：9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

本题答案：10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。

本题答案：11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。

本题答案：12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？本题答案：13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

半导体芯片制造中、高级工考试题1、填空（江南博哥）大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。

解析：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列2、单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下答案：A3、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。

解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN 结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。

（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。

同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

4、填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。

解析：划片槽5、填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。

比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。

解析：半导体；化合物6、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

解析：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。

化学方程式如下：7、填空化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

解析：酸性；氧化性8、问答题集成电路封装有哪些作用？解析：（1）机械支撑和机械保护作用。

（2）传输信号和分配电源的作用。

（3）热耗散的作用。

（4）环境保护的作用。

9、填空外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

解析：化学气相；液相；原子束外延10、填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。