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二极管、三极管的开关特性、基本逻辑门电路

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逻辑门电路基础知识讲解

逻辑门电路基础知识讲解

+VCC RP
& L1
L
&
L2
+5V 270Ω
&
OC门进行线与时，外接上拉电阻RP的选择： （1）当输出高电平时，
RP不能太大。RP为最大值时要保证输出电压为VOH（min）， 由
得：
+VCC RP
&
VOH
II H &
…… ……
II H
n
m
&
II H
&
（2）当输出低电平时， RP不能太小。RP为最小值时要保证输出电压为VOL（max）， 由
1 1
33
D
A
31
T1A
T22A T22B
13
T1B
B
L
3
1
2T3
A
≥1
R3
B
(a)
(b)
L=A+B
3．与或非门
R1A
R2
R1B
1
+V CC R4
3
T2 4
1 1
33
D
A1
31
T1A
T22A T22B
13
T1B
B1LA2源自B2312T3 R3
4．集电极开路门（ OC门）
在工程实践中，有时需要将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑， 称为线与。普通的TTL门电路不能进行线与。 为此，专门生产了一种可以进行线与的门电路——集电极开路门。
低电平噪声容限 VNL＝VOFF-VOL（max）＝0.8V-0.4V＝0.4V 高电平噪声容限 VNH＝VOH（min）-VON＝2.4V-2.0V＝0.4V
四、TTL与非门的带负载能力

14电路

14电路

开关电路
D + ui =0V － RL + uoo u －
ui =5V 时的等效电路
ui =0V 时的等效电路
第14章 逻辑门电路
**************************************************************
二、三极管的开关特性
Rc Rb
+VCC iC
2、或逻辑（或运算） 意义：当决定事件（Y）发生的各种条件（A，B)中，只要有 一个或多个条件具备，事件（Y）就发生。 表达式为：
Ｙ＝Ａ+Ｂ
A
真值表
例：开关A，B并联控制灯泡Y
B E 电路图
Y
A 0 0 1 1
B 0 1 0 1
Y 0 1 1 1
两个开关只要有一个接通，灯就会亮。
L=AB
第14章 逻辑门电路
第14章 逻辑门电路
**************************************************************
2、二极管或门
5V A D1 0V B D2 R Y
真值表
A
0 0 1 1
B
0 1 0 1
Y
0 1 1 1
3kΩ
逻辑符号：
A B
≥1
Ｙ＝Ａ+Ｂ
第14章 逻辑门电路
c
iB(μ A)
iC (mA)
直流负载线
80μ A
b iB
uo
饱 和 区
VCC Q2 Rc Q
放 区 大
60μ A 40μ A 20μ A
ui

e
0 工作原理电路 0.5
Q1 i =0 B

3门电路 (简)

3门电路 (简)

门的多余输入端接地。
一般，接电源时需接上拉电阻；接地时需接下拉电阻。 典型值1-10k。 +5V 上拉电阻保持 1k
高电平
A B
F
下拉电阻保持 低电平
A B
C
F
C 1k
3.3 CMOS门电路

电路设计与安装应尽量消除噪声，保证电路稳定工作。
（ 1）在每一块插板的电源线上，并接几十 μF 的低频去 耦电容和 0.01~0.047μF 的高频去耦电容，以防止 TTL 电路 的动态尖峰电流产生的干扰。 （2） 整机装置应有良好的接地系统。
表1 各种系列门电路的主要参数
表2 常用集成门电路(TTL系列）
型 号 74LS00 74LS02 74LS04 74LS05 74LS08 74LS13 74LS30 名 称 四2输入与非门 四2输入或非门 六反相器 六反相器 四2输入与门 双4输入与非门 8输入与非门 施密特触发 OC门 主要功能
1. TTL门驱动CMOS门
（1）电平不匹配
TTL门作为驱动门，它的UOH≥2.4V,UOL≤0.5V；
CMOS门作为负载门，它的UIH≥3.5V，UIL≤1V。
可见，TTL门的UOH不符合要求。
（2）电流匹配 CMOS电路输入电流几乎为零，所以不存在问题。
3.5 TTL电路与CMOS电路的接口电路
当EN= 0时，TG导通，F=A； 当EN= 1时，TG截止，F为高阻输出。
3.3 CMOS门电路
CMOS系列及命名方法
74 FAM nn
HC（ High-speed CMOS ，高速 CMOS 系列）； 例： 74HC04商用高 HCT（High-speed CMOS, 前缀：74—商用系列；54—军用系列。 速CMOS 六反相 TTL compatible ，与 TTL兼 容的高速CMOS 系列）； 助记符：以字母表示系列类型。 器； VHC（Very High-speed CMOS，甚高速 CMOS商用 系 74HCT00 功能数字：以数字表示电路的 列）； 高速 CMOS 四 -二 VHCT: Very High-speed 逻辑功能。 CMOS, TTL compatible，与 输入与非门。 TTL兼容的甚高速CMOS 系 列）。

数字电子技术基础第三章逻辑门电路

数字电子技术基础第三章逻辑门电路
ts 的大小是影响三极管速度的最主要因素，要提高三极 管的开关速度就要设法缩短ton与toff ，特别是要缩短ts 。
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第一节 常见元器件的开关特性
3.MOS管的开关特性
A、MOS管静态开关特性
在数字电路中，MOS管也是作为 开关元件使用，一般采用增强型的 MOS管组成开关电路，并由栅源电压 uGS控制MOS管的导通和截止。
时间。
toff = ts +tf 关断时间toff：从输入信号负跃变的瞬间，到iC 下降到 0.1ICmax所经历的时间。
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第一节 常见元器件的开关特性
2.三极管的开关特性
B、晶体三极管动态开关特性
ton和toff一般约在几十纳秒（ns=10-9 s）范围。通常都
有toff > ton，而且ts > tf 。
0 .3V 3 .6V 3 .6V
1V 5V
3 .6V
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路
1.TTL集成逻辑门电路
3 .6V 3 .6V 3 .6V
2.1V
0 .3V
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路
1.TTL集成逻辑门电路
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
❖ 2.教学重点：不同元器件的静态开关特性，分立元件门电路 和组合门电路，TTL和CMOS集成逻辑门电路基本功能和电气特 性。
❖ 3.教学难点：组合逻辑门电路、TTL和CMOS集成逻辑门4.课时 安排： 第一节 常见元器件的开关特性 第二节 基本逻辑门电路 第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路

第4章 (第四讲) 逻辑门电路(1)机械

第4章 (第四讲) 逻辑门电路(1)机械

2.2.4 TTL与非门电路 TTL与非门电路 （1） 电路
（2） 工作原理
(a)ABC全为高电平： (a)ABC全为高电平： T1的多个发射极并联作集电极用，即T1倒置运用。 νB1＝2.1V，T2、T3饱和，νC2＝0.9V，T4截止，L 为低电平。即当A＝B＝C＝1时，L＝0。 (b) ABC至少有一个低电平： ABC至少有一个低电平： T1至少有一个发射极正向导通，νB1＝0.9V，T1因 ｉC1＝ICBO2而处于深饱和运用状态，T2、T3截止， T4导通(放大状态)，L为高电平。即当ABC至少有 一个0时，L＝1。
说明： (1)截止区（AB段）：νI很小时，T1处于深饱和运用状态，VCES1 (1)截止区（AB段）： ＝0.1V。T2、T5截止，T4导通(放大状态)，Vo＝5－1.4＝3.6（V）。 (2)线性区（BC段）：当νI增加到νB2＝0.6V时，T2开始导通。但T2 (2)线性区（BC段）： 的导通必须要求ｉC1反向，即ｉC1必须经过0点，也即VCE1＝0V这 一点。这也就是说T2开始导通时，νI＝0.6V。此时，T5仍然截止， T4继续保持放大状态。电路表现出线性特征。νI继续增加，到 νB1>1.3V时，T1进入发射结和集电结都处于正偏置而同时导通的 特殊运用状态。随着νI的增加，｜ｉC1｜ 将增大，ｉe1将减小。 (3)转折区（CD段）：当νI增加到νB2＝1.3V（即νI＝1.3V）时，T5 (3)转折区（CD段）： 开始导通，同时ｉe1继续减小。T1进入临界倒置运用状态。随着νI 的增加，ｉe1急剧减小，ｉb2急剧增大，Vo急剧下降，电路在此区 间有很大的放大倍数。 (4)饱和区（DE段）：当νI增加到大于1.4V后，T1进入倒置运用状 (4)饱和区（DE段）： 态，νB1＝2.1V，T2、T5饱和，νC2＝0.9V，T4截止。Vo＝VCES3＝ 0.2V。

脉冲与数字电路第三章门电路

脉冲与数字电路第三章门电路
8>其他：
工作温度：军品（54系列） –55 ~ +125摄氏度
民品（74系列） 0 ~ +70摄氏度
工作电压：推荐值 5V
极限值+-0.5
功耗：PH=ICCHVCC
PL=ICCLVCC
平均功耗P=(PL+ PH)/2
5、晶体管-晶体管逻辑门(TTL)
标准TTL门: 低电平<0.8V,高电平〉2V
结论：1.TTL电路的输入不能为负； 2.TTL门电路的输入端在输入低电平时
电流高于输入为高电平的电流。
6、TTL逻辑门外部特性和参数 转 移 特 性 曲 线
1>域值电平：1.0V(LS),1.4V（标准） 2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V
3>开门电平: VON=VIHMIN=2.0V
驱动同类门数目少；传输延迟大，已淘汰。
2、二极管-晶体管逻辑门(DTL)
电路符号
特点：输出高电平时，驱动的同类门输入二极管截止，
不影响负载能力。传输延迟也较大，已淘汰。
3、晶体管-晶体管逻辑门(TTL) 1>标准TTL门
低电平<0.8V
高电平〉2V
特点：可以提供较大的输出拉电流和灌电流。 传输延迟大，功耗大。
4、 TTL逻辑门外部特性和参数
1>域值电平： 1.0V(LS),1.3V(S),1.5V(F),1.4V（标准） 2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V 3>开门电平: VON=VIHMIN=2.0V 4>高电平噪声容限：VNH= VOHMIN - VIHMIN 5>低电平噪声容限: VNL= VILMAX – VOLMAX 6>输入输出特性和参数(p88) VILMAX, VIHMIN,VOLMAX, VOHMIN IILMAX,IIHMAX,IOLMAX,IOHMAX

第3章 门电路(打印)

第3章 门电路(打印)
片组件内含100~1000个元件(或20~100个等效门)。 大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration)， 每片 组件内含1000~100 000个元件(或100~1000个等效门)。 超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale Integration)， 每片组件内含100 000个元件(或1000个以上等效门)。
噪声容限
74系列典型值为：
VOH（min) = 2.4V
VOL（max) = 0.4V
VIH（min) = 2.0V VIL（max) = 0.8V VNH=0.4V VNL=0.4V
VNL =VIL(max) - VOL(max) VNH =VOH(min) - VIH(min)
二、输入特性
iIL iIH
四、输入负载特性 输入端 “1”,“0”？
ui
RP
简化电路
A
R1
VCC
ui
ui
T1
RP
be
2
be 0
5
RP
RP较小时
RP ui (Vcc Von ) RP R1
当RP<<R1时, ui ∝ RP
简化电路
A
R1
VCC
ui
ui
T1
RP
1.4V
be
2
be 0
5
RP
RP增大时
Ruiui≥UT （1.4V）时，输入变高， 由于钳位作用， ui 动态固定为1.4V 。
N1 ≤ IOH /IIH N1 ≤400μA/40μA=10
前级输出为 低电平时
前级
后级
IOL IIL
N2
IIL

数字电子技术基础：第三章 逻辑门电路

数字电子技术基础：第三章 逻辑门电路

逻辑符号
C
vI /vO
TG
vO /vI
C
C
υo/ υI
2. CMOS传输门电路的工作原理
vI /vO
5V到+5V
C
+5V
TP +5V vO /vI
5V TN
5V
C
设TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2V
I的变化范围为－5V到+5V。
c=0=-5V， c =1=+5V
1）当c=0， c =1时 GSN= -5V (－5V到+5V)=(0到-10)V
在由于电路具有互补对称的性质，它的开通时间与关 闭时间是相等的。平均延迟时间：<10 ns。
动态功耗
CMOS反相器的PD与f和 2 VDD
CMOS反相器从一个稳定状态转变到另一个稳定状态时所产生的功耗
PD=PC+PT
分布电容CL充放电引起的功耗： PC CL fVD2D
CMOS管瞬时交替导通引起的功耗：PT CPD fVD2D
74标准系列 74LS系列
74AS系列
74LVC 74VAUC 低(超低)电压 速度更加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低
74ALS
3.1 概述
门电路：实现基本逻辑/复合逻辑运算的单元电路
逻辑状态的描述—— 正逻辑：高电平→1，低电平→0 负逻辑：高电平→0，低电平→1
缺点：功耗较大/速度较慢
VDD VIH(min) I OH(total) I IH(total)
… …
I0H（total) &1
+V DD RP
&
&1
IIH（total) &

数电-第三章 门电路

数电-第三章 门电路

三、门电路概述 • 工艺分类 –双极型门电路 双极型门电路 – MOS门电路 门电路 – Bi-CMOS电路 电路 • 基本逻辑门电路 –与门、或门、非门 与门、或门、 与门 • 常用门电路 –与门、或门、非门 与门、 与门 或门、 –与非门、或非门、与或非门、同或、异或 与非门、 与非门 或非门、与或非门、同或、
A B ≥1 L=A+B
逻辑电平关系 正逻辑
真值表
VD1 A VD2 B R Y
A/V B/V Y/V
0 0 3 3 0 3 0 3 0 2.3 2.3 2.3
A B
0 0 1 1 0 1 0 1
Y
0 1 1 1
只有A、B同时为低电平（0V），Y才为低电平 （0V）。即：只有A+B=0，才有Y=0。 只要A、B中有一个为高电平（3V），Y就为高电 平（2.3V），即：只要A+B=1，则Y=1。 这种或门电路同样存在“电平偏离” 这种或门电路同样存在“电平偏离”和带载能力差的问 题
四、二极管或门 或门
VD1 A
Y 2.7V 0V
3V 0V A、B——输入，Y——输出 VD2 B 以A=1为例 设：UIH=3V， UIL=0V 0V 二极管正向导通压降 UDF=0.7V。
R
只要A、B中有一个为高电平（3V）， 则相应的二极管导通， Y就为低电平（2.3V），即：只要A+B=1，则Y=1。 只有A、B同时为低电平（0V），两个二极管均截止。 Y才为低电平（0V）,即：只有A+B=0，才有Y=0 所以：管的截止条件和等效电路 当输入信号uI=UIL=0.3V时（UBE=0.3V<0.5V） i 三极管截止，B=0， iC ≈ 0， uO=UOH=UCC 可靠截止条件为:UBE<0V 截止时，iB、iC都很小，三个极均可看作开路

数字电路的基本知识

数字电路的基本知识

数字电路的基本知识·用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为逻辑门电路。

·逻辑门电路是构成数字电路的基础。

·数字电路特点：(1) 输入、输出信号的大小非高电平就是低电平高电平和低电平是两个不同的可以截然区分开来的电压范围，可表示两种不同的状态。

例如TTL，2.4～5V－－高电平，用U H表示；而0～0.4V－－低电平，用U L表示。

(2) 数字电路中电子器件的工作状态对应于逻辑1和逻辑0两种不同的状态，即工作在开关状态。

半导体二极管、三极管和MOS管则是构成这种电子开关的基本开关器件。

·关于正、负逻辑如果用逻辑1表示高电平，用逻辑0表示低电平，叫做正逻辑赋值，简称为正逻辑。

如果用逻辑0表示高电平，用逻辑1表示低电平，叫做负逻辑赋值，简称为负逻辑。

在以后的章节中，如果没有特别说明，一律采用正逻辑。

·数字IC分类按集成度：小规模IC、中规模IC、大规模IC和超大规模IC按器件：双极型IC、单极型IC。

2.1 半导体器件的开关特性一理想开关的开关特性1. 静态特性(1) 断开时，电阻R OFF＝∞，电流I OFF＝0。

(2) 闭合时，电阻R ON＝0，不论电流多大。

2. 动态特性(1) 开通时间t on＝0(2) 关断时间t off＝0实际开关：机械开关－－静态特性好，但动态特性很差（在一定的电压和电流范围内）电子开关－－静态特性差，但其动态特性较好。

在开关速度很高的情况下，开关状态的转换时间(开通时间t on和关断时间t off)显的尤为重要。

数字电路中，常常要求器件的导通和截止两种状态的转换，在微秒甚至纳秒数量级的时间内完成。

二、二极管的开关特性理想二极管：导通时，导通压降U D＝0V，电流由外电路决定；反偏时，电流＝0，压降由外电路决定。

状态转换时间＝0。

实际二极管：从正向导通到反向截止需要经历一个反向恢复过程。

反向恢复时间t re＝t s＋t t，纳秒数量级，限制了二极管开关状态转换。

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2010-9-14
9

2.1.2
三极管的开关特性
1. 静态特性及开关等效电路 在数字电路中，三极管作为开关元件，主要 工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极 短暂的过渡状态。
2010-9-14
图2-3三极管的三种工作状态 （a）电路 （b）输出特性曲线
10
(1) 截止状态 条件：发射结反偏 特点：电流约为0
28
作业题
2-1
2010-9-14
29
A 0V 0V 3V 3V B 0V 3V 0V 3V F 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V 表2-2 二极管与门的真值表 A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F 0 0 0 1
A、B全1， F才为1。
2010-9-14
可见实现了与逻辑
18
5. 逻辑符号 6. 工作波形(又一种表示逻辑功能的方法） 7. 逻辑表达式 F＝A B ＝
2010-9-14 27
二极管与门电路
A 0V 0V 3V 3V B 0V 3V 0V 3V F 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V
用正逻辑
A 0 0 1 1
B 0 1 0 1
F 0 0 0 1
用负逻辑
A 1 1 0 0
2010-9-14
正与门
B 1 0 1 0
F 1 1 1 0
正与门相当于负或门 负或门
1
复习
请回忆实现与、或、非逻辑的开关电路形式？ 它们有何共同特点？ 开关电路与逻辑电路是如何联系起来的？
2010-9-14
2
2.1
二极管及三极管的开关特性
数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作 在开关状态。 导通状态：相当于开关闭合 截止状态：相当于开关断开。 逻辑变量←→两状态开关： 在逻辑代数中逻辑变量有两种取值：0和1； 电子开关有两种状态：闭合、断开。 半导体二极管、三极管和MOS管，则是构成这 种电子开关的基本开关元件。
2010-9-14 15
2.2
基本逻辑门电路
门电路的概念： 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑 门电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或 门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等。 分立元件门电路和集成门电路: 分立元件门电路：用分立的元件和导线连接起 来构成的门电路。简单、经济、功耗低，负载差。 集成门电路：把构成门电路的元器件和连线都 制作在一块半导体芯片上，再封装起来，便构成了 集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门 电路。 2010-9-14 16
2010-9-14 23
2. 逻辑状态赋值 在数字电路中，用逻辑0和逻辑1分别表示输入、 输出高电平和低电平的过程称为逻辑赋值。 经过逻辑赋值之后可以得到逻辑电路的真值表， 便于进行逻辑分析。
2010-9-14
24
2.2.4 非门（反相器） 非门（反相器）
1. 电路 2. 工作原理 A、B为输入信号 、 （+3.6V或0.3V） F 为输出信号
2010-9-14 3
理想开关的开关特性： (1) 静态特性： 断开时，开关两端的电压不管多大，等效电阻 ROFF = 无穷，电流IOFF = 0。 闭合时，流过其中的电流不管多大，等效电阻 RON = 0，电压UAK = 0。 (2) 动态特性：开通时间 ton = 0 关断时间 toff = 0
开启电压
图2-1 二极管的伏安特性曲线
理想化 伏安特 性曲线
2010-9-14
图2-2 二极管的开关等效电路 (a) 导通时 (b) 截止时
8
2. 动态特性： 二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需 要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。 反向恢复时间tre ：二极管从导通到截止所需的时 间。 一般为纳秒数量级（通常tre ≤5ns ）。 若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去 单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。
B 0V 3V 0V 3V
A、B有1，F就1。
可见实现了或逻辑
21
5. 逻辑符号 6. 工作波形 7. 逻辑表达式 F＝A+ B ＝
图2-7 二极管或门 （a）电路 （b）逻辑符号 （c）工作波形
2010-9-14 22
2.2.3 关于高低电平的概念及状态赋值
1. 关于高低电平的概念 电位指绝对电压的大小；电平指一定的电压范 围。 高电平和低电平：在数字电路中分别表示两段电 压范围。 例：上面二极管与门电路中规定高电平为≥3V， 低电平≤0.7V。 又如，TTL电路中，通常规定高电平的额定值为 3V，但从2V到5V都算高电平；低电平的额定值为0.3V， 但从0V到0.8V都算作低电平。
2.2.1 二极管与门电路
1. 电路 2. 工作原理 A、B为输入信号 、 （+3V或0V） F 为输出信号 VCC＝+12V
表2-1 电路输入与输出电压的关系 A 0V 0V 3V 3V
2010-9-14
B 0V 3V 0V 3V
F 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V
17
3. 逻辑赋值并规定高低电平 用逻辑1表示高电平（此例为≥+3V 1 ≥+3V） 用逻辑0表示低电平（此例为≤0.7V 0 ≤0.7V） 4. 真值表
2010-9-14
存储时间ts 下降时间tf
图2-5 三极管的开关时间
关闭时间toff 14
(1) 开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。 ton = td +tr td ：延迟时间 tr ：上升时间 (2) 关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需的时间。 toff = ts +tf ts ：存储时间（几个参数中最长的；饱和越深越长） tf ：下降时间 toff > ton 。 开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。
开关等效电路
2010-9-14 11
(2)饱和状态 条件：发射结正偏，集电结正偏 特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅
2010-9-14
12
图2-4 三极管开关等效电路 (a) 截止时 (b) 饱和时
2010-9-14 13
2. 三极管的开关时间（动态特性）
延迟时间td 上升时间tr 开启时间ton
结束 放映
第 2章
2.1
逻辑门电路
二极管及三极管的开关特性
2.1.1 2.1.2 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.2.4 2.2.5
2010-9-14
二极管的开关特性 三极管的开关特性
2.2
基本逻辑门电路
二极管与门 二极管或门 关于高低电平的概念及状态赋值 二极管非门（反相器） 二极管非门（反相器） 关于正逻辑和负逻辑的概念
A 0.3V 3.6V F +VCC 0.3V
图2-8 非门 (a) 电路 （b）逻辑符号
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3. 逻辑赋值并规定高低电平 用逻辑1表示高电平（此例为≥+3.6V 1 ≥+3.6V） 用逻辑0表示低电平（此例为≤0.3V 0 ≤0.3V） 4. 真值表
表2-4 三极管非门的真值表 A 0.3V 3.6V F +VCC 0.3V A 0 1 F 1 0
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客观世界中，没有理想开关。 乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分 接近理想开关，但动态特性很差，无法满足数字电 路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。 半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用 时，其静态特性不如机械开关，但动态特性很好。
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2.1.1 二极管的开关特性
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图2-6 二极管与门 （a）电路 （b）逻辑符号 （c）工作波形
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2.2.2 二极管或门电路
1. 电路 2. 工作原理 A、B为输入信号（+3V或0V） 、 F 为输出信号
电路输入与输出电压的关系 A B F 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V
1. 静态特性及开关等效电路 正向导通时 UD(ON)≈0.7V（硅） 0.3V（锗） RD≈ ≈几 ～几十 相当于开关闭合
图2-1 二极管的伏安特性曲线
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反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开
图2-1 二极管的伏安特性曲线
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A与F
相反
可见实现了非逻辑Y=A
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2.2.5 关于正逻辑和负逻辑的概念
1. 正负逻辑的规定 正逻辑体系：用1表示高电平，用0表示低电平。 负逻辑体系：用1表示低电平，用0表示高电平。 2. 正负逻辑的转换 对于同一个门电路，可以采用正逻辑，也可以采 用负逻辑。 本书若无特殊说明，一律采用正逻辑体制。 同一个门电路，对正、负逻辑而言，其逻辑功能 是不同的。
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3. 逻辑赋值并规定高低电平 用逻辑1表示高电平（此例为≥+2.3V 1 ≥+2.3V） 用逻辑0表示低电平（此例为≤0V 0 ≤0V） 4. 真值表
A 0V 0V 3V 3V
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表2-2 二极管或门的真值表 F 0V 2.3V 2.3V 2.3V A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F 0 1 1 1