下载文档原格式
第一章思考题与习题解答1-1 名词解释半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。
解半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。
例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。
在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。
最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。
当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。
空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。
自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。
本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。
杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。
N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P)，就形成含有大量电子的N型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称N型半导体。
P型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B)，就形成含大量空穴的P型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称P型半导体。
PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为PN结。
1-3 选择填空(只填a、b…以下类同)(1)在PN结不加外部电压时，扩散电流漂移电流。
(a.大于，b.小于，c.等于)(2)当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。
(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变)(3)当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
第五章 思考题与习题解答5-1 什么是功率放大电路?对功率放大电路有哪些特殊要求?解 以输出功率为主的放大电路称功率放大电路。
对功率放大电路有四点要求：①输出功率要足够大，输出电阻越小越好。
所谓足够大的功率是指能带动负载作功的功率。
输出电阻越小，带负载能力越强。
②效率高。
也就是说，在电源电压一定的情况下，输出功率要大，而管耗要小。
③非线性失真小。
④有过载保护措施。
这是一种防止过载时由于大电流导致烧管的安全措施。
一般是设计保护电路。
5-2 什么是交越失真?它是怎么产生的?用什么方法消除它?解 交越失真是指在正弦波形的正、负半周交界处出现台阶现象的失真情况。
其原因是晶体管存在死区电压，它的特性为非线性特性，因此交越失真属于非线性失真。
克服的办法是加小偏置，使在无信号输入时，小偏置电压等于晶体管的死区电压(或开启电压)，一旦有信号加入，晶体管立刻进入线性工作区，这样就不会出现交越失真了。
5-3 功率放大电路按工作状态不同可分为哪三种?它们各有什么优缺点?解 功率放大电路按工作状态不同可分为甲类、乙类、甲乙类三种。
甲类的最大优点是在信号周期内不失真。
缺点是效率低，在不加信号时也消耗能量，而且静态管耗最大，严重抑制了效率的提高。
乙类的优点是效率高。
静态时管耗为零。
缺点是有削半波失真，只能输出半个周期。
甲乙类是介乎于甲类和乙类两种工作状态之间的一种，其效率比较高，失真情况介乎于以上二者之间，是一种经常采用的工作状态。
※※5-4 甲乙二人在讨论功率放大电路的供电问题时，甲认为从能量守恒的概念出发，当输出功率大时，电源给出的电流理应增加；乙则认为只要输出幅度不失真，电流应在静态值附近上下波动，不管输出幅度大小，其平均值应不变。
你同意哪一种观点?解 对于甲类功放，乙说得对。
因为此时V CQ1cm I I I ==。
而对于乙类功放，甲说得对。
因为此时V cm 2πI I =。
两种功放均符合能量守恒。
※※5-5 甲乙二人在讨论功率放大管的发热问题时，甲认为当输出功率最大时管子最热，因为电流消耗大；乙则认为此时最冷，因损耗在管子中的功率已经都转换成输出功率。
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤，阻容耦合放⼤电路能放⼤。
(a.直流信号，b.交流信号，c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。
(a.所放⼤的信号不同，b.交流通路不同，c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴，b1.Q 点互相影响，c1.各级Au 互不影响，d1.Au 互相影响)，所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号，c2.放⼤倍数稳定)，但是 (a3.温漂⼤，b3.不能放⼤直流信号，c3.放⼤倍数不稳定)。
⽬的复习概念。
解 (1)a 、b 、c ，b 。
(2)a 、c 。
(3)a1，a2，b3。
3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中，三极管的β均为100，be1 5.3k Ωr =，be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =，b2130k ΩR =，b2291k ΩR =，e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==，230µF C =，e 50µF C =，C C V =12 V 。
图题3-2(a)放⼤电路；(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。
⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路，并利⽤等效电路求电路的交流参数。
分析第⼀级是共集电路，第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路，1V 、2V 均为NPN 管。
解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。
注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。
第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制，⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关，i U 上正下负，因此b1I 向⾥流，输出电压o1U 与i U 极性相同；第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制，o1U 上正下负，因此b 2I 向⾥流，也与2V 的导电类型⽆关，或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。
它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。
《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。
首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。
半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。
例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。
再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。
”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。
在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。
“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。
”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。
还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。
”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。
三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。
“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。
”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。
判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。
又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的学习中，模拟电子技术无疑是一座重要的基石。
而对于学习模拟电子技术的同学来说，通过基础习题的练习和正确的解答来加深对知识的理解和掌握是至关重要的。
首先，让我们来谈谈模拟电子技术的一些基本概念。
模拟电子技术主要研究的是连续变化的电信号，例如电压和电流。
它涉及到半导体器件，如二极管、三极管等，以及由这些器件组成的各种电路，如放大器、滤波器、振荡器等。
在基础习题中，经常会出现关于二极管的问题。
二极管是一种最简单的半导体器件，但它的特性却非常重要。
例如，会让我们计算二极管在不同的电路中的导通和截止状态，或者分析其在整流电路中的作用。
就拿一个简单的二极管整流电路来说，假设输入是一个正弦交流电压，我们需要判断在正半周和负半周二极管的导通情况，从而得出输出电压的波形。
在正半周，二极管导通，电流可以通过；在负半周，二极管截止，没有电流流过。
通过这样的分析，我们就能理解二极管是如何将交流信号转换为直流信号的。
三极管也是模拟电子技术中的核心器件之一。
习题中可能会涉及三极管的放大作用、输入输出特性曲线的理解，以及三极管组成的共射、共集、共基三种基本放大电路的分析。
比如说，在共射放大电路中，我们要考虑三极管的静态工作点设置是否合适，以及输入信号在不同频率下的放大情况。
这就需要我们熟练掌握三极管的工作原理和相关的电路分析方法。
还有一类常见的习题是关于集成运算放大器的。
集成运算放大器具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点，广泛应用于各种模拟电路中。
在习题中，可能会让我们设计一个基于集成运算放大器的加法器、减法器或者积分器、微分器等。
要完成这些设计，就必须清楚集成运算放大器的“虚短”和“虚断”概念，以及各种运算电路的基本结构和工作原理。
再来说说滤波器，这也是模拟电子技术中的重要内容。
滤波器可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
习题可能会要求我们根据给定的技术指标，设计相应的滤波器电路，并计算其参数。
第1章绪论1.1 教学要求本章是模拟电子技术课程教学的开篇，旨在让学生对这门课程的发展历程、课程内容、特点和学习方法进行了解，以唤醒学生的学习兴趣，激发学生的学习欲望。
1.2 基本概念1. 信号及其分类信号是携带信息的载体，可以分为模拟信号和数字信号两大类。
模拟信号是指在时间上和幅度上均具有连续性的信号，从宏观上看，我们周围的大多数物理量都是时间连续、数值连续的变量，如压力、温度及转速等。
这些变量通过相应的传感器都可转换为模拟信号。
数字信号是指幅度随时间不连续变化的、离散的信号，如电报码和用电平的高与低表示的二值逻辑信号等。
2. 电子线路及其分类用于产生、传输和处理模拟信号的电子电路称为模拟电路，如放大电路、滤波电路、电压/电流变换电路等，典型设备有收音机、电视机、扩音机等；用于产生、传输和处理数字信号的电子电路称为数字电路，典型设备是电子计算机等。
模拟电路和数字电路统称为电子线路。
目前，模拟电路和数字电路的结合越来越广泛，在技术上正趋向于把模拟信号数字化，以获取更好的效果，如数码相机、数码电视机等。
3. 电子技术及其分类电子技术是研究电子器件、电子电路和电子系统及其应用的科学技术，可分为模拟电子技术和数字电子技术。
研究模拟电路的电子技术就是模拟电子技术，研究数字电路的电子技术就是数字电子技术。
4. 电子管电子管就是一个特殊的灯泡，不过除灯丝以外，还有几个“极”，里面的灯丝与极都有连线与各自的管脚相连。
最简单的电子管是二极管，它有两个极(阴极和阳极，有的灯丝还兼作阴极)，其中，阴极有发射电子的作用，阳极有接收电子的作用。
二极管具有单向导电的特性，可用作整流和检波。
在二极管的基础上增加一个栅极就成了电子三极管，栅极能控制电流，栅极上很小的电流变化，都会引起阳极很大的电流变化，所以，电子三极管有放大作用。
5. 晶体管和集成电路1) 晶体管通俗地说，晶体管是半导体做的固体电子元件。
像金、银、铜、铁等金属，它们导电性能好，叫做导体。
第五章 思考题与习题解答5-1 什么是功率放大电路?对功率放大电路有哪些特殊要求?解 以输出功率为主的放大电路称功率放大电路。
对功率放大电路有四点要求：①输出功率要足够大，输出电阻越小越好。
所谓足够大的功率是指能带动负载作功的功率。
输出电阻越小，带负载能力越强。
②效率高。
也就是说，在电源电压一定的情况下，输出功率要大，而管耗要小。
③非线性失真小。
④有过载保护措施。
这是一种防止过载时由于大电流导致烧管的安全措施。
一般是设计保护电路。
5-2 什么是交越失真?它是怎么产生的?用什么方法消除它?解 交越失真是指在正弦波形的正、负半周交界处出现台阶现象的失真情况。
其原因是晶体管存在死区电压，它的特性为非线性特性，因此交越失真属于非线性失真。
克服的办法是加小偏置，使在无信号输入时，小偏置电压等于晶体管的死区电压(或开启电压)，一旦有信号加入，晶体管立刻进入线性工作区，这样就不会出现交越失真了。
5-3 功率放大电路按工作状态不同可分为哪三种?它们各有什么优缺点?解 功率放大电路按工作状态不同可分为甲类、乙类、甲乙类三种。
甲类的最大优点是在信号周期内不失真。
缺点是效率低，在不加信号时也消耗能量，而且静态管耗最大，严重抑制了效率的提高。
乙类的优点是效率高。
静态时管耗为零。
缺点是有削半波失真，只能输出半个周期。
甲乙类是介乎于甲类和乙类两种工作状态之间的一种，其效率比较高，失真情况介乎于以上二者之间，是一种经常采用的工作状态。
※※5-4 甲乙二人在讨论功率放大电路的供电问题时，甲认为从能量守恒的概念出发，当输出功率大时，电源给出的电流理应增加；乙则认为只要输出幅度不失真，电流应在静态值附近上下波动，不管输出幅度大小，其平均值应不变。
你同意哪一种观点?解 对于甲类功放，乙说得对。
因为此时V CQ1cm I I I ==。
而对于乙类功放，甲说得对。
因为此时V cm 2πI I =。
两种功放均符合能量守恒。
※※5-5 甲乙二人在讨论功率放大管的发热问题时，甲认为当输出功率最大时管子最热，因为电流消耗大；乙则认为此时最冷，因损耗在管子中的功率已经都转换成输出功率。
你同意哪一观点?解 对于甲类功放，乙说得对。
因为T CC C ce cm V o 12P V I U I P P =-=- 当电源一定，即V P 一定，输出功率o P 增大时，管耗T P 减小，管子冷下来。
而对于乙类功放，甲、乙二人说得都不对。
5-7 如图题5-7(a)所示为直接耦合功率放大电路，若2V 、3V 的饱和压降CES U =3 V ，试求：(1)负载L R 所得到的最大不失真功率om P ;(2)电路的实际效率；(3)晶体管2V 、3V 的最大管耗及所承受的最大反向电压(耐压)；※(4)若输入信号波形如图题5-7(b)所示，试在该图上画出对应的c2i 、c3i 和o U 的波形。
图题5-7(a)电路；(b)答案图目的 讨论OCL 功放的工作原理，并求其性能参数。
分析 这是两级放大电路，第一级由NPN 管1V 构成工作点稳定的共射放大电路，12R R 、、45V V 、作为1V 管的集电极负载，相当于c R ；第二级由2V 与3V 构成OCL 功放电路，2R 、45V V 、串联支路两端的电压作为功放级的小偏置电压，是为了防止输出波形出现交越失真的。
由于第一级位于功放级之前，它将输入信号i U 放大并反相后再去推动功放级，因此也把它称作推动级；又因为功放级一般为末级，直接带负载，1V 级就处在它前面，所以又称末前级(或前置级)。
解 (1)用公式求om P ：()22CC CES om L (123)5W 228V U P R --==≈⨯ (2)求实际效率η实有两种方法。
法一： CC CES CC 12378.5%59%12V U V ηη--=⨯=⨯≈理实 法二：由定义式 om V100%P P η=⨯ 其中 V CC cm 2212312ππ8P V I -==⨯⨯≈8.6 W 则 η实=58.6×100%≈58.1%可见，两种方法所得到结果很近似，均有效。
(3)用公式计算管耗的最大值。
为了选管时留有充分的余地，公式中的om P 要用理想值代入22CC T1m om()L 1120.20.22528V P P R ==⨯=⨯⨯⨯理=1.8 W 耐压 RM CC 2212U V ==⨯=24 V(4)当i U 为正半周时，经1V 级放大并反相，在1V 集电极出现负半周，2V 、3V 管的基极均为负，则2V 管截止，3V 管导通，c2i =0,c3i 为正半周波形，OCL 功放不反相，因此o U 也是负半周。
当i U 为负半周时，则情况相反，2V 管导通，c2i >0，有输出，而3V 管截止，c3i =0无输出，o U 为正半周。
比较i U 与o U 波形，o U 为反相并放大了的正弦波。
c2i 、c3i 、o U 波形画在图题5-7(b)中。
图题5-8※5-8 功放电路如图题5-8所示。
试回答以下问题：(1)为使输出最大幅值正、负对称，静态时A 点电位应为多大?若不满足时，应调节哪个元件?(2)若晶体管3V 、5V 的CES U 均为3 V ，求电路的最大不失真输出功率om P 及效率η；(3)晶体管3V 、5V 的最大管耗Tm P 。
目的 分析计算准OTL 功放。
分析 图题5-8由两级构成，第一级由1V (NPN)管构成共射电路，它的c R 由1R 、0V 、W R 构成；第二级是准OTL 功放，由2V 与3V 构成NPN 型复合管，4V 与5V 构成PNP 型复合管，3V 与5V 为同类型(均为NPN)的输出管，因此称“准”。
OTL 与OCL 功放的差别：在OCL的基础上，在输出端加一个大电容C ，称输出电容，并将双电源改为单电源供电。
电容器是贮能元件，充电后可代替负电源使用。
在计算性能参数时，与计算OCL 功放的公式一样，只是把其中的VCC 处改为CC 12V 即可。
OTL 功放的局限性是不宜集成化。
图题5-9解 (1)静态下，A C CE5CC 1122U U U V ====⨯20=10 V 若不满足时，可调节1R 值使之满足。
(2) 2CC CES 2om L (103)23W 228V U P R ⎛⎫- ⎪-⎝⎭==≈⨯ V 2103103.148P -=⨯⨯≈5.6 W 因此 om V 3100%100%54%5.6P P η=⨯=⨯≈ (3) 2Tm om()100.20.228P P ==⨯⨯理=1.25 W ※5-9 电路如图题5-9所示。
设功率管12V V 、的饱和压降CES U =3 V ，用电压表测得负载L R 上的电压o U =4 V(有效值)，试求负载上得到的功率o P 、实际效率η实各为多少?目的 用有效值计算OCL 功放的性能参数。
解 输出功率o P ：22o o L 48U P R ===2 W 额定功率 CC CES V CC L 2210310π 3.148V U P V R --==⨯⨯≈5.6 W因此 o V 2100%100%36%5.6P P η=⨯=⨯≈ 5-10 如图题5-10所示电路，12V ,V 为对称管，其饱和压降CES U 均为1 V 。
试回答下列问题：(1)设最大输出功率om P =4 W ，求电源电压CC V 。
(2)W1R 、W2R 为两个可调节的电位器，当输出波形出现交越失真时，应调节 ，是增加还是减少 ；定性地画出具有交越失真的输出波形 ；产生交越失真的原因是 ；静态下，欲使A 点的电位A U =0 V ，应调节 元件。
图题5-10目的 反算OCL 功放的电路参数，并调节交越失真和中点电位。
解 这是一个典型的OCL 功放电路。
(1)已知输出功率，求电源电压的大小：CC CES V U ==(2)W2R ，增加，，晶体管的非线性特性，W1R 。
图题5-11 电路与答案5-11 OCL 互补电路如图题5-11所示。
(1)在图中标明14V V 管的导电类型；(2)将该电路改接成OTL 电路，试画出电路图。
目的 填图练习。
解 (1)答案已标在图题5-11中，1V 与3V 构成NPN 型复合管，2V 与4V 构成PNP 型复合管。
注意4V 管不能用NPN 型，因为在已知条件中指明是OCL 互补电路，而不是准OCL 。
(2)将图题5-11中的CC V -处接地，并在输出端加一个大电容C ，极性为左正右负，就改成了OTL 电路。
5-13 手册中所给出的功率管最大集电极损耗cm P 是否绝对不能超过?如果可以的话，那么在什么条件下可以超过?解 cm P 是表征管子温升的一个参数，如果在散热好的条件下c cm P P >也可以不烧管。
※5-14 功率管和散热片的接触面是光滑一些好还是粗糙一些好?是紧一些好还是松一些好?散热片是垂直放好还是水平放好?是涂成黑色好还是涂成白色好?回答时要说明理由。
解 功率管和散热片的接触面粗糙一些好，增加散热面积，有利于散热。
它们之间接触紧一些有利于散热。
散热片垂直放比水平放更有利于散热。
涂白色比涂黑色更有利于散热，因为白色是散热的，黑色是吸热的。
