❖ 界面处碳浓度差大,有利于获得奥氏体晶核形成 所需的碳浓度。
❖ 界面处原子排列不规则,铁原子有可能通过短程 扩散由母相点阵向新相点阵转移,即新相形成所 需的结构起伏小。
❖ 在相界、晶界等缺陷处具有较高的畸变能,新相形 核时可能消除部分晶体缺陷而使系统自由能降低。
❖ 新相形核时产生的应变能也较容易借助相界(晶界) 流变而释放。
❖ 四个基本过程完成外,还有先共析铁 素体(渗碳体)向奥氏体的转变。
❖ 见动画
金属热处理原理奥氏体的形成课件
1.3 奥氏体形成动力学
金属热处理原理奥氏体的形成课件
1.3.1 奥氏体等温形成动力学 [1]
(1) 形核率I
I = C exp [-(Q+W) /kT] 其中: C—常数; Q—扩散激活能; T—绝对温度;
❖ 合金元素对A形成速度的影响,也受到合金碳化物向A中 溶解难易程度的牵制。
Cr,2%,(FeCr)3C;6%,(CrFe)7C3---慢 11%, (CrFe)23C6---快
❖ 改变临界点
Ni、Mn、Cu 等↓A1, ↑奥氏体形成速度; Cr、Mo、Ti、Si、Al、W等↑ A1 , ↓奥氏体形成速度;
不均,晶界弯曲,界面能很高。 ❖ 界面能越高则界面越不稳定,必然要自发地向减
小晶界面积,降低界面能方向发展。弯曲晶界变 成平直晶界是一种自发过程。 晶粒长大的驱动力G:G = 2σ/R σ-奥氏体的比界面能;R-晶界曲率半径
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(2)晶粒长大过程
❖ 奥氏体化( austenitizing): 钢加热获得奥氏体的过程。
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1.1 奥氏体的组织、结构和性能
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