关于保护板IC和MOS指定使用说明
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博强锂电池保护板说明书一、锂电池保护板使用方法锂电池保护板根据使用IC,电压等不同而电路及参数有所不同,下面以DW01配MOS管8205A进行讲解:1. 锂电池保护板其正常工作过程当电芯电压在2.5V至4.3V之间时,DW01的第1脚、第3脚均输出高电平(等于供电电压),第二脚电压为0V。
此时DW01的第1脚、第3脚电压将分别加到8205A的第5、4脚,8205A内的两个电子开关因其G极接到来自DW01的电压,故均处于导通状态,即两个电子开关均处于开状态。
此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通,保护板有电压输出。
2.保护板过放电保护控制原理当电芯通过外接的负载进行放电时,电芯的电压将慢慢降低,同时DW01内部将通过R1电阻实时监测电芯电压,当电芯电压下降到约2.3V时DW01将认为电芯电压已处于过放电电压状态,便立即断开第1脚的输出电压,使第1脚电压变为0V,8205A内的开关管因第5脚无电压而关闭。
此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。
即电芯的放电回路被切断,电芯将停止放电。
保护板处于过放电状态并一直保持。
等到保护板的P与P-间接上充电电压后,DW01经B-检测到充电电压后便立即停止过放电状态,重新在第1脚输出高电压,使8205A内的过放电控制管导通,即电芯的B-与保护板的P-又重新接上,电芯经充电器直接充电。
3.锂电池保护板过充电保护控制原理当电池通过充电器正常充电时,随着充电时间的增加,电芯的电压将越来越高,当电芯电压升高到4.4V时,DW01将认为电芯电压已处于过充电电压状态,便立即断开第3脚的输出电压,使第3脚电压变为0V,8205A内的开关管因第4脚无电压而关闭。
此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。
即电芯的充电回路被切断,电芯将停止充电。
保护板处于过充电状态并一直保持。
等到保护板的P与P-间接上放电负载后,因此时虽然过充电控制开关管关闭,但其内部的二极管正方向与放电回路的方向相同,故放电回路可以进行放电,当电芯的电压被放到低于4.3V时,DW01停止过充电保护状态重新在第3脚输出高电压,使8205A内的过充电控制管导通,即电芯的B-与保护板P-又重新接上,电芯又能进行正常的充放电。
MOS管使用方法MOS管,全称金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种常用的固态电子器件。
它广泛应用于各种电子设备中,如计算机、电视、手机等。
下面将详细介绍MOS管的使用方法。
一、基本结构和特性1.结构:MOS管由金属电极、氧化物层(二氧化硅SiO2)和半导体衬底构成。
金属电极包括源极和漏极,氧化物层用于隔离和电子运动的控制。
半导体衬底则是电子运动的通道。
2.类型:MOSFET(金属-氧化层-半导体场效应管)根据衬底材料的不同,可分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET;根据控制电极的不同,又可分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。
3.特性:MOS管具有低功耗、高开关速度、线性度好和噪音低等特点。
它的输入电阻很大,输出电流与输入电压呈线性关系。
同时,MOS管的寄生电容较小,在高频应用中更具优势。
二、使用方法1.静态特性测试:在使用MOS管之前,需要进行静态特性测试。
通过对静态特性进行测试,可以了解到MOS管的工作电流、电压和功耗等参数。
静态特性测试可使用直流电压源和万用表进行测量。
2.接线方法:MOS管的接线方法包括源极、漏极和栅极的接线。
源极和漏极可以互换位置,但电路的名称和功能会有所不同。
栅极则是控制MOS管导通的电极,需要接入控制电源。
3.工作电压选择:在应用中,需要根据具体情况选择适当的工作电压。
工作电压过高会引起过热损坏,而过低则会导致无法正常工作。
根据MOS管的参数手册,选择适合的工作电压范围。
4.电源电压选择:MOS管需要接入电源电压,工作电源电压必须适应MOS管的工作电流和功耗。
在选择电源电压时,需要注意电源电压的稳定性和噪音水平。
5.控制信号:MOS管的导通与关断由控制信号控制。
通常,将控制信号接入MOS管的栅极,通过改变栅极电压来控制MOS管的导通。
控制信号可以是直流电压、脉冲信号或交流信号。
*******有限公司PZ—013保护板规范Inspection standard of PCM income2010-01-05发布 2010-01-05 实施深圳市***电子有限公司发布PZ—013 编制/修订记录ⅠPZ—0131 范围本标准规定了保护板的要求、检测方法、质量评定程序及记录。
本标准适用于保护板来料、制程、库存的检验。
2 定义2.1 PCM英文: Protection Circuit Modules2.2 作用:PCM是一个电路保护模块,具有过充、过放、过流、短路等保护功能,对电池起到安全保护功能。
3 要求3.1 包装3.1.1 保护板来料应内附规格书或检测报告,相关配件齐全。
3.1.2 包装整齐,具有防潮、绝缘功能。
3.2 外观3.2.1 关键元器件型号(IC、MOS)与规格书或样品的要求一致;3.2.2 表面无划痕,开裂,压伤折痕,杂色,油印斑点,油印清晰无误,裁边平齐,无毛刺。
3.2.3 焊盘表面清洁,无锈点。
3.3 尺寸PCM板的尺寸应符合相应的「规格书」或「保护板规格参数认可表」要求。
3.4 性能3.4.1 PCM板的过充、过放保护电压,过充、过放恢复电压,过充、过放延时,过流保护电流值,短路保护功能等均在相应的「规格书」或「保护板规格参数认可表」所要求的范围之内,自耗电,内阻在本公司「保护板规格参数认可表」要求范围之内。
3.4.2 PCM板的其他功能(通讯等)应符合要求。
4 检测方法4.1 测试条件除非另有规定,本标准中各项检测应在检测的标准大气压条件下进行:温度:10℃~35℃;相对湿度:45%~75%;大气压力:86kPa~106kPa。
4.2 测量仪表与设备要求4.2.1 测量尺寸的游标卡尺精度:0.02 mm。
4.2.2 测量电压的仪表准确度应不低于±1%。
4.2.3 测量电流的仪表准确度应不低于±1%。
4.2.4 测量内阻用的仪表准确度应不低于±0.5%FS。
版本变更记录目录1. 特性 (1)2. 描述 (1)3. 应用领域 (1)4. 引脚 (2)4.1 引脚定义 (2)4.2 引脚描述 (2)5. 结构框图 (3)6. 典型应用电路 (3)7. 电气特性 (4)7.1 极限参数 (4)7.2 典型参数 (5)7.3 开关时间特性 (6)8. 应用设计 (6)8.1 Vcc端电源电压 (6)8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 (6)8.3 自举电路 (7)9. 封装尺寸 (8)9.1 SOP8封装尺寸 (8)EG2106芯片数据手册V1.01. 特性◼高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V◼适应5V、3.3V输入电压◼最高频率支持500KHZ◼VCC和VB端电源带欠压保护◼低端VCC电压范围10V-20V◼输出电流能力I O+/- 0.3 A/0.6A◼内建死区控制电路◼HIN输入通道高电平有效,控制高端HO输出◼LIN输入通道高电平有效,控制低端LO输出◼外围器件少◼封装形式:SOP-82. 描述EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
EG2106高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。
该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I O+/- 0.3/0.6A,采用SOP8封装。
3. 应用领域◼移动电源高压快充开关电源◼无线充电驱动器变频水泵控制器◼DC-DC电源◼无刷电机驱动器4. 引脚4.1 引脚定义LIN图4-1. EG2106管脚定义4.2 引脚描述5. 结构框图LOGNDVccHOVS VB图5-1. EG2106内部电路图6. 典型应用电路+12V+600VHIN LINOUT图6-1. EG2106典型应用电路图7. 电气特性7.1 极限参数注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。
锂电池保护板常用IC、MOS场效应管,详细清单如下:S-8261AANMD-G2NT2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:单节S-8261AAJMD-G2JT2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:单节S-8261ABJMD-G3JT2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:单节S-8261ABPMD-G3PT2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:单节S-8261ABRMD-G3RT2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:单节S-8261ABMMD-G3MT2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:单节S-8261ACEMD-G4ET2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:磷酸铁锂保护板S-8261AAOMD-G2OT2G 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:单节S-8241ACLMC-GCLT2G 封装:SOT-23-5 品牌:SEIKO 备注:单节S-8242AAA-M6T2GZ 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:双节S-8242AAD-M6T2GZ 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:双节S-8242AAF-M6T2GZ 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:双节S-8242AAY-M6T2GZ 封装:SOT-23-6 品牌:SEIKO 备注:双节S-8242AAK-M6T3GZ 封装:SOT-23-7 品牌:SEIKO 备注:双节S-8232AAFT-T2-G 封装:TSSOP-8 品牌:SEIKO 备注:双节S-8232ABFT-T2-G 封装:TSSOP-8 品牌:SEIKO 备注:双节S-8232AUFT-T2-G 封装:TSSOP-8 品牌:SEIKO 备注:双节S-8253AAAFT-TB-G 封装:TSSOP-8 品牌:SEIKO 备注:2-3节S-8253AAD-T8T1GZ 封装:TSSOP-8 品牌:SEIKO 备注:2-3节S-8254AAAFT-TB-G 封装:TSSOP-16 品牌:SEIKO 备注:三-四节S-8254AABFT-TB-G 封装:TSSOP-16 品牌:SEIKO 备注:三-四节S-8254AAFFT-TB-G 封装:TSSOP-16 品牌:SEIKO 备注:三-四节S-8254AAGFT-TB-G 封装:TSSOP-16 品牌:SEIKO 备注:三-四节S-8254AAJFT-TB-G 封装:TSSOP-17 品牌:SEIKO 备注:三-四节S-8254AANFT-TB-G 封装:TSSOP-18 品牌:SEIKO 备注:三-四节S-8254AAKFT-TB-G 封装:TSSOP-19 品牌:SEIKO 备注:三-四节R5400N101FA-TR-F 封装:SOT-23-5 品牌:RICOH 备注:单节R5400N110FA-TR-F 封装:SOT-23-5 品牌:RICOH 备注:单节R5400N150FA-TR-F 封装:SOT-23-5 品牌:RICOH 备注:单节R5400N149FA-TR-F 封装:SOT-23-5 品牌:RICOH 备注:单节R5402N101KD-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:单节R5402N110KD-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:单节R5402N149KD-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:单节R5402N163KD-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:单节R5402N128EC-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:单节R5402N163KD-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:单节R5460N207AF 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:双节R5460N207AA 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:双节R5460N208AA 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:双节R5460N208AF 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:双节R5460N212AF 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:双节R5460N214AF 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:双节R5460N214AC 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:双节R1211N002D-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:DC/DC升压R1224N102H-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:DC/DC降压R1224N332F-TR-F 封装:SOT-23-6 品牌:RICOH 备注:DC/DC降压MM1414CVBE 封装:TSSOP-20 品牌:MITSUMI 备注:三-四节MM3076XNRE 封装:SOT23-6 品牌:MITSUMI 备注:单节MM3177FNRE 封装:SOT23-6 品牌:MITSUMI 备注:单节VA7021P/C 封装:SOT-23-6 品牌:中星微备注:单节,中星微代理,中国最低价格DW01+ 封装:SOT-23-6 品牌:富晶备注:单节FS312 封装:SOT-23-6 品牌:富晶备注:单节CS213 封装:SOT-23-6 品牌:新德备注:单节STC5NF20V 封装:TSSOP-8 品牌:ST 备注:配套MOS管FTD2017M 封装:TSSOP-8 品牌:三洋备注:配套MOS管ECH8601M 封装:SNT-8A 品牌:三洋备注:配套MOS管UPA1870BGR 封装:TSSOP-8 品牌:NEC 备注:配套MOS管FS8205A 封装:TSSOP-8 品牌:富晶备注:配套MOS管SM8205ACTC 封装:SOT-23-6 品牌:茂达备注:配套MOS管SM8205AOC 封装:TSSOP-8 品牌:茂达备注:配套MOS管AO8810 封装:TSSOP-8 品牌:AOS 备注:配套MOS管AO8820 封装:TSSOP-8 品牌:AOS 备注:配套MOS管AO8822 封装:TSSOP-8 品牌:AOS 备注:配套MOS管AO8830 封装:TSSOP-8 品牌:AOS 备注:配套MOS管AO9926B 封装:TSSOP-8 品牌:AOS 备注:配套MOS管SDC6073 封装:MSOP-8 品牌:SDC光大备注:单节,二合一的保护IC。
锂电池保护板的mos管极限参数锂电池保护板是一种用于保护锂电池充电和放电过程中的电路板,其中的MOS管是其关键组成部分之一。
MOS管(金属氧化物半导体场效应管)是一种常用的电子元件,具有良好的开关特性和低功耗特点。
了解和掌握MOS管的极限参数对于设计和使用锂电池保护板至关重要。
我们来了解一下MOS管的一些极限参数。
首先是最大漏极电压(Vds_max),它表示MOS管能够承受的最大电压。
超过这个电压,MOS管就会发生击穿,导致损坏。
其次是最大漏极电流(Id_max),它表示MOS管能够承受的最大电流。
超过这个电流,MOS管就会过载,导致性能下降甚至损坏。
还有一些其他的极限参数需要注意。
静态漏极电阻(Rds_on)是指在MOS管导通时,漏极与源极之间的电阻。
静态漏极电阻越小,代表MOS管导通时的功耗越低。
而门极电压(Vgs)是指在MOS管导通时,门极与源极之间的电压差。
合适的门极电压能够确保MOS管正常工作。
除了以上极限参数,还有一些其他的特性参数也需要了解。
例如,开启时间(ton)和关闭时间(toff)是指MOS管从导通到截止以及从截止到导通的时间。
这两个参数对于MOS管的开关速度和效率都有一定影响。
另外,还有一些与温度相关的参数,如温度系数(TC),用于描述MOS管在不同温度下的性能变化。
在实际应用中,我们需要根据具体的需求选择合适的MOS管。
首先要考虑的是MOS管的额定电压和额定电流是否满足要求。
其次要考虑静态漏极电阻和门极电压是否合适。
较小的静态漏极电阻和合适的门极电压能够提高MOS管的功耗和效率。
此外,还需要考虑MOS 管的开启时间和关闭时间,以及在不同温度下的性能表现。
在实际应用中,我们还需要注意一些问题。
首先是MOS管的散热问题。
由于MOS管在工作时会产生一定的热量,如果不能及时散热,就会导致温度过高,影响MOS管的性能和寿命。
因此,需要合理设计散热系统,以确保MOS管的正常工作。
另外,还需要防止过压和过流等异常情况对MOS管的损害,这需要通过合适的保护电路来实现。
保护板的正确使用方法
嘿,朋友们!今天咱来聊聊保护板的正确使用方法,这可太重要啦!
你想想看,保护板就像是电子产品的小卫士,守护着它们的安全呢!要是咱不会正确使用它,那不就好比让小卫士失职了嘛!
咱先说说安装吧,可别小瞧了这一步哦!就像给手机贴个膜,得贴得稳稳当当的。
安装保护板的时候啊,咱得细心点,把它妥妥地固定在该在的地方,可不能随随便便就对付了。
不然,它怎么能好好发挥作用呢?
然后呢,就是要了解它的参数啦!这就跟咱了解自己的喜好一样重要呢。
电压啦、电流啦这些参数,咱得心里有数。
不然,给它太大压力或者让它太轻松了,它可不乐意好好干活啦!
还有哦,日常使用中也要多留意。
好比说,咱不能让电子产品过度劳累呀,该休息的时候就让它们休息休息。
保护板也是一样,别总是让它处于极限状态,它也会累的呀!
再说说充电吧,这可是个关键环节呢!就好像人吃饭一样,得吃得恰到好处。
充电的时候不能太急,也不能太慢,要按照要求来。
要是充得不对,那保护板可就为难啦,它想保护也保护不了呀!
咱可不能把保护板不当回事儿呀!它可是在默默地为我们的电子产品保驾护航呢!要是没有它,那些电池啊什么的,说不定啥时候就出问题啦!
你说,要是因为我们不会正确使用保护板,让自己心爱的电子产品出了毛病,那多心疼呀!所以呀,咱可得好好对待它,让它发挥出最大的作用!
总之呢,保护板虽然不大,但是作用可大着呢!我们一定要认真对待它的使用,就像对待我们的宝贝一样。
只有这样,我们的电子产品才能用得长久,用得安心呀!大家可别不当回事儿哦!。
关于保护板IC和MOS指定使用说明
由于前期变化板质量不稳定导致不良品退货很严重,经过分析和多方考证,问题点主要原因因IC性能不稳定引起,为保证公司产品品质,特提出此方案请各位审阅。
一.针对IC的各项资料做比较:目前单节电池(3.6V)所使用IC一般为台湾DW01、CS213、
日本精工S8261系列、日本理光5421/110F、国产SC451,我们所要求的保护电压参数一般在4.20—4.40V,精确来讲目前的这些IC参数全部能满足我们的要求,只是在性能上的差异和价格上的区别存在很大的差距;台湾IC在市场上最受欢迎,因价格比较便宜,品质也适合大众需求,属于中低档产品的最佳选择,国产IC由于技术方面不够成熟,性能不是很稳定,在我接触过的厂家都没使用过这样的IC;高端产品一般都会选用精工或理光IC,虽说价格在台湾IC的基础上要贵出0.50元左右,但性能要更优越,品质有保证。
二.MOS也是个很重要的角色,一但使用不当也会造成无可挽回的损失:市场上常见的有
9926/5N20V/2509/2515为台湾产,2017日本,AO8810美国,像上面所说的MOS在质量方面都还比较稳定,也没遇到过MOS出现质量问题的现象,只有少数因超声时震荡脱落的现象,现只要求在搭配上讲究完美,才能事我们的品质更优越,当然MOS的价格差异在市场上也最多不超过0.20元;我建议使用美国AO8810或三洋2017,这样的元器件搭配才适合我们的产品;
三.关于电阻和电容的选用,一般无特殊要求的情况下要求供应商用品牌的就可以了,目前
在我经历过程中只有反映在贴片后因锡膏含锡量过低导致元器件脱落的现象和超声后因震荡脱落的现象,没有反映元器件质量问题的;
四.至于7.2V的保护板目前给我们供货的两家公司都是应用的日本精工S8232IC配美国的
AO8810MOS,现在没有要更改的,只是我希望我们的采购人员在订单中要注明以后的产品全部按此搭配供货。
五.统一保护板的IC和MOS后可以更好的统一保护板的检测标准:如过充保护,过放保护,自
耗电流,过流,内阻等参数,同时给成品的内阻控制有更好的依据.。