三极管MOS管复习题

习题3客观检测题一、填空题2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。

5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。

6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。

8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。

9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。

11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极 组态的放大电路。

12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。

由此可以得出：（1）电源电压CC V = 6V ；（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ； （3）集电极电阻C R = 3kΩ ；负载电阻L R = 3kΩ ；（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。

13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。

14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻 小 。

15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。

16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。

17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。

18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用； 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用； 20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用；21. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较 小 。

第二章练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。

3.三极管是___________控制器件。

4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。

6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。

8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。

二、选择题：1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。

A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0，V BE<V CE时C、V BE>0，V BE>V CE时D、V BE<0，V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。

A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。

A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。

三极管_试题低频功率放大电路一、填空题1、以功率三极管为核心构成的放大器称功率放大器。

它不但输出一定的电压还能输出一定的电流，也就是向负载提供一定的功率。

2、功率放大器简称功放。

对它的要求与低频放大电路不同，主要是：输出功率尽可能大、_效率____尽可能高、非线性失真尽可能小，还要考虑功放管的散热问题。

3、功放管可能工作的状态有三种：甲类放大状态，它的失真小、效率低；乙类它的失真大、效率高。

4、功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大，工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区，进入截至区或饱和区，产生交越失真。

5、所谓“互补”放大器，就是利用NPN 型管和NP型管交替工作来实现放大。

6、OTL电路和OCL电路属于甲乙类工作状态的功率放大电路。

7、为了能使功率放大电路输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在极限状态。

8、当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性线性，故在两管交替工作时产生交越失真。

9、对于乙类互补称功放，当输入信号为正半周时， NPN型管导通， PNP 型管截止；当输入信号为负半周时， PNP 型管导通， NPN 型管截止；输入信号为零（Ui=0）时，两管截至，输出为 0 。

10、乙类互补对称功放的两功率管处于偏置工作状态，由于电压的在存在,当输入信号在正负半周交替过程中造成两功率管同时截至 ,引起交界处的失真，称为交越失真。

11、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放、乙类功放和甲乙类功放电路。

12、甲乙类推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路图向功放管提代少量电流，以减少交越失真。

13、乙类互补对称功放允许输出的最大功率Pom= Ucem Icm 21、。

总的管耗Pc= 0.4Pom(P E -P O ) 。

14、为了避免输出变压器给功放电路带来的不便和失真，出现了 OTL 功放电路；为了避免输出电容引出的失真，又出现了 OCL 功放电路。

1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。

三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。

A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。

A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。

A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。

答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。

答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。

（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。

（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。

答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。

当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。

9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。

五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。

答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。

六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。

已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。

解得X = 100。

因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。

三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。

它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。

三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。

在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。

下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。

1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。

一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。

2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。

其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。

3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。

当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。

当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。

4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。

在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。

5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。

截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。

6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。

它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。

例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。

通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。

同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。

当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。

一、选择题1. 下列哪个选项不属于MOS的五大类？A. 氮化物B. 氧化物C. 硅酸盐D. 碳化物2. MOS晶体管的栅极材料通常采用哪种材料？A. 铝B. 镁C. 钨D. 铂3. MOS晶体管的源极和漏极通常采用哪种材料？A. 硅B. 锗C. 铟D. 铊4. MOS晶体管的阈值电压Vth是指什么？A. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流开始显著增加的电压B. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流开始显著减少的电压C. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流保持不变的电压D. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流为零的电压5. MOS晶体管的亚阈值斜率S表示什么？A. 栅极电压每增加1V，漏极电流增加的百分比B. 栅极电压每增加1V，漏极电流减少的百分比C. 栅极电压每增加1V，源极电流增加的百分比D. 栅极电压每增加1V，源极电流减少的百分比二、填空题1. MOS晶体管的基本结构包括______、______、______、______和______。

2. MOS晶体管的栅极氧化层厚度通常在______nm到______nm之间。

3. MOS晶体管的阈值电压Vth与______、______和______有关。

4. MOS晶体管的亚阈值斜率S与______和______有关。

5. MOS晶体管的漏极电流I_D与______、______和______有关。

三、判断题1. MOS晶体管的栅极氧化层厚度越大，漏极电流越大。

（）2. MOS晶体管的阈值电压Vth越高，漏极电流越大。

（）3. MOS晶体管的亚阈值斜率S越大，漏极电流越大。

（）4. MOS晶体管的漏极电流I_D与栅极电压Vgs无关。

（）5. MOS晶体管的漏极电流I_D与漏极电压Vds无关。

（）四、简答题1. 简述MOS晶体管的基本工作原理。

2. 简述MOS晶体管的阈值电压Vth与哪些因素有关。

3. 简述MOS晶体管的亚阈值斜率S与哪些因素有关。

三极管和mos面试知识点三极管和MOS是电子学中非常重要的两种器件，它们在电路设计和集成电路中起着至关重要的作用。

以下是关于三极管和MOS的面试知识点：1. 三极管的工作原理：三极管是一种半导体器件，由发射极、基极和集电极组成。

它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。

当在基极-发射极之间施加正向偏置电压时，发射结和基结被正向偏置，电子注入基区，从而使得集电结被反向偏置，集电极电流被控制。

这种特性使得三极管可以作为放大器、开关等电路中使用。

2. MOS场效应晶体管的工作原理：MOSFET是一种主要由金属-氧化物-半导体构成的场效应晶体管。

它的工作原理是通过栅极电压控制通道中的电子或空穴浓度，从而控制漏极和源极之间的电流。

当栅极施加正向电压时，电子或空穴被吸引到通道中，形成导电通道，从而使得漏极和源极之间的电流增大。

MOSFET因其高输入阻抗和低功耗而被广泛应用于集成电路和数字电路中。

3. 三极管和MOS的区别：三极管和MOSFET虽然都是用于放大和开关的器件，但它们有一些重要的区别。

三极管是双极型器件，其控制极和输出极之间的电流由输入极控制，而MOSFET是场效应型器件，其控制极和输出极之间的电流由栅极电压控制。

此外，MOSFET的输入电阻比三极管高，功耗低，速度快，适合于集成电路的制造。

4. 应用领域：三极管在模拟电路中广泛应用，例如放大器、振荡器和开关等。

而MOSFET主要应用于数字集成电路、功率放大器、开关电源等领域。

以上是关于三极管和MOS的一些面试知识点，希望能够帮助你更好地理解这两种重要的电子器件。

三极管mos管的经典电路摘要：1.三极管和MOS 管的基本特性2.三极管和MOS 管的正确应用3.三极管和MOS 管驱动电路的正确用法正文：一、三极管和MOS 管的基本特性三极管是一种电流控制电流器件，它通过基极电流的变化来控制集电极电流的变化。

三极管有两种类型，分别是npn 型和pnp 型。

MOS 管是一种电压控制电流器件，它通过栅极电压的变化来控制漏极电流的变化。

MOS 管也有两种类型，分别是p 沟道MOS 管（简称PMOS）和n 沟道MOS 管（简称NMOS）。

二、三极管和MOS 管的正确应用三极管和MOS 管在电路中的应用非常广泛，但它们的应用有一些需要注意的地方。

对于三极管，它适合射极接GND，集电极接负载到VCC 的情况。

只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V 以上，三极管就能正常工作。

而对于MOS 管，它适合栅极接电压，漏极接负载，源极接GND 的情况。

在应用过程中，需要确保栅极电压高于源极电压一定值，这样才能使MOS 管正常工作。

三、三极管和MOS 管驱动电路的正确用法在使用三极管和MOS 管时，驱动电路也是非常重要的。

对于三极管，我们需要提供一个适当的基极电流，以保证三极管能正常工作。

而对于MOS管，我们需要提供一个适当的栅极电压，以保证MOS 管能正常工作。

在使用驱动电路时，还需要注意防止电源电压的波动对电路造成影响，因此，通常需要在驱动电路中加入稳压元件。

总的来说，三极管和MOS 管在电路中的应用非常广泛，但它们的应用有一些需要注意的地方。

在使用过程中，我们需要根据它们的特性和正确的应用方法来选择和使用它们，以保证电路的正常工作。