光 敏
0
hc Eg
1240 Eg
(nm)
电
常用于可见光波段测试
阻
分
类
入射光子的能量大于或等
掺 杂
于杂质电离能时就能激发 电子空穴对
Eg
Ec
型
0
hc Eg
1240 Eg
(nm)
Ev
常用于红外波段甚至远红外测试
光敏电阻的基本结构
光敏电阻的结构:在一块光电导体两端加上电极,贴在硬质玻璃、 云母、高频瓷或其它绝缘材料基板上,两端接电极引线,封装在 带有窗口的金属或塑料外壳内。
掺Ga意义
在CuInSe2基础上,掺杂Ga元素,使Ga取代部分同族的 In原子构成CIGS。通过调节Ga/(Ga+In)可以改变CIGS的带 隙,调节范围为1.04 eV到1.72 eV。CIGS仍然是黄铜矿结 构,具有CIS所有性能上的优点,且可灵活地调整和优化禁 带宽度还可在膜厚方向调整Ga的含量,形成梯度带隙半导 体,在更大的范围内吸收太阳光,吸收效率更高。
电子光学系统
为了使光电子能过有效的在各电极收集并 通过倍增极倍增,阴极与第一倍增极,各 个倍增极间,以及末极倍增极和阳极之间
加上一定的电压。
阳极
入射窗口 光电阴极
倍增极
应用
光电倍增管不但具有极高的光电灵敏度、极快的响应速度、 极低的暗电流低和噪声,还能够在很大范围内调整内增益。 因此,它在微光探测、快速光子计数和微光时域分析等领域 得到广泛的应用。
(2)在红外光下,可选用灵敏度高且频率特 性好的硒化镉光敏电阻。
(3)对于近红外光,应选用硫化铅,硒化铅 等光敏电阻。
光生伏特效应
光线照射在半导体的p-n结上,则在p-n结两端会出现 电势差,p区为正极,n区为负极。这一电势差可以用高内 阻的电压表测量出来,这种效应称为光生伏特效应。具有 光生伏特效应的材料,成为光电动势材料。