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BD14010资料

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©2000 Fairchild Semiconductor InternationalRev. A, February 2000BD136/138/140

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted

Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted

* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed

hFE ClassificntionSymbolParameterValueUnits VCBO Collector-Base Voltage : BD136 : BD138 : BD140 - 45 - 60 - 80VVV

VCEO Collector-Emitter Voltage : BD136 : BD138 : BD140 - 45 - 60 - 80VVV

VEBO Emitter-Base Voltage - 5V

IC Collector Current (DC)- 1.5A

ICP Collector Current (Pulse)- 3.0A

IB Base Current- 0.5A

PC Collector Dissipation (TC=25°C)12.5W

PC Collector Dissipation (Ta=25°C)1.25W

TJ Junction Temperature 150°C

TSTG Storage Temperature- 55 ~ 150°C

SymbolParameterTest ConditionMin.Typ.Max.UnitsVCEO(sus)* Collector-Emitter Sustaining Voltage: BD136: BD138: BD140 IC = - 30mA, IB = 0- 45- 60- 80VVV

ICBO Collector Cut-off Current VCB = - 30V, IE = 0- 0.1µA

IEBO Emitter Cut-off Current VEB = - 5V, IC = 0 - 10µA

hFE1 hFE2 hFE3* DC Current Gain VCE = - 2V, IC = - 5mA VCE = - 2V, IC = - 0.5A VCE = - 2V, IC = - 150mA 25 25 40 250

VCE(sat)* Collector-Emitter Saturation Voltage IC = - 500mA, IB = - 50mA- 0.5V

VBE(on)* Base-Emitter ON Voltage VCE = - 2V, IC = - 0.5A - 1V

Classification61016

hFE340 ~ 10063 ~ 160100 ~ 250BD136/138/140

Medium Power Linear and Switching

Applications

•Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively

1TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base元器件交易网www.cecb2b.com©2000 Fairchild Semiconductor InternationalBD136/138/140

Rev. A, February 2000Typical Characteristics

Figure 1. DC current GainFigure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage

Figure 3. Base-Emitter VoltageFigure 4. Safe Operating Area

Figure 5. Power Derating-10-100-10000102030405060708090100VCE = -2V

hFE, DC CURRENT GAIN

IC[mA], COLLECTOR CURRENT-1E-3-0.01-0.1-1-10-0-50-100-150-200-250-300-350-400-450-500

IC = 10 IBIC = 20 IB

VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

IC[A], COLLECTOR CURRENT

-1E-3-0.01-0.1-1-10-0.1-0.2-0.3-0.4-0.5-0.6-0.7-0.8-0.9-1.0-1.1

VBE(on)

VCE = -5VVBE(sat)

IC = 10 IB

VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

IC[A], COLLECTOR CURRENT-1-10-100-0.01-0.1-1-10

BD140BD138BD13610us

100us1msDCIC MAX. (Pulsed)IC MAX. (Continuous)

IC[A], COLLECTOR CURRENT

VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

02550751001251501750.02.55.07.510.012.515.017.520.0

PC[W], POWER DISSIPATION

TC[oC], CASE TEMPERATURE元器件交易网www.cecb2b.comPackage Demensions

©2000 Fairchild Semiconductor InternationalRev. A, February 2000BD136/138/140

Dimensions in Millimeters3.25 ±0.208.00 ±0.30

ø3.20 ±0.10

0.75 ±0.10

#10.75 ±0.10

2.28TYP[2.28±0.20]2.28TYP[2.28±0.20]1.60 ±0.1011.00 ±0.203.90 ±0.10

14.20MAX

16.10 ±0.20

13.06 ±0.301.75 ±0.20(0.50)(1.00)

0.50+0.10–0.05TO-126元器件交易网www.cecb2b.com©2000 Fairchild Semiconductor InternationalRev. E

TRADEMARKS

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CoolFET™

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E2CMOS™

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FASTr™

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SuperSOT™-6SuperSOT™-8

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PRODUCT STATUS DEFINITIONS

Definition of Terms

Datasheet IdentificationProduct StatusDefinition

Advance InformationFormative or In DesignThis datasheet contains the design specifications forproduct development. Specifications may change inany manner without notice.

PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to makechanges at any time without notice in order to improvedesign.

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三级管参数[资料]

三级管参数[资料]

0 0 0 0 0 0 0 0 0 常用三极管型号及参数 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应 IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应 IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应 IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应 IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应 IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应 IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应 IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应 IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应 IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应 IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应 IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应 IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应 BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应 BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应 BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应 2SC4582 600V 15A 75W * * NPN 2SC4517 550V 3A 30W * * NPN 2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN 2SC4297 500V 12A 75W * * NPN 2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN 2SC4242 450V 7A 40W * * NPN 2SC4231 800V 2A 30W * * NPN 2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN 2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN 2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC4059 600V 15A 130W * * NPN 2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN 2SC4024 100V 10A 35W * * NPN 2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN 2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN 2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿) 2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN 2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN 2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN 2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN 2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN 2SC3866 900V 3A 40W * * NPN 2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN 2SC3783 900V 5A 100W * * NPN 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN 2SC3680 900V 7A 120W * * NPN 2SC3679 900V 5A 100W * * NPN 2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN 2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN 2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN 2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN 2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN 2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN 2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN 2SC3320 500V 15A 80W * * NPN 2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN 2SC3300 100V 15A 100W * * NPN 2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN 2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN 2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN 2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN 2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN 2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN 2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN 2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN 2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN 2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN 2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿） 2SB1429 180V 15A 150W * * PNP 2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿） 2SB1375 60V 3A 2W * * PNP 2SB1335 80V 4A 30W * * PNP 2SB1317 180V 15A 150W * * PNP 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿） 2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP 2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP 2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP 2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP 2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿） 2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿） 2SB834 60V 3A 30W * * PNP 2SB817 160V 12A 100W * * PNP 2SB772 40V 3A 10W * * PNP 2SB744 70V 3A 10W * * PNP 2SB734 60V 1A 1W * * PNP 2SB688 120V 8A 80W * * PNP 2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿） 2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿） 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP 2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP 2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP 2SA1943 230V 15A 150W * * PNP 2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP 2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP 2SA1302 200V 15A 150W * * PNP 2SA1301 200V 10A 100W * * PNP 2SA1295 230V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN TIP147 100V 10A 125W * * PNP TIP142 100V 10A 125W * * NPN TIP127 100V 8A 65W * * PNP TIP122 100V 8A 65W * * NPN TIP102 100V 8A 2W * * NPN TIP42C 100V 6A 65W * * PNP TIP41C 100V 6A 65W * * NPN

TDA1541 USB DAC解码器(内置耳机放大器))

TDA1541 USB DAC解码器(内置耳机放大器))

因不满意电脑声卡音质，早就想自己制作一台USBDAC解码器，解码三大经典芯片TDA1541、AD1865、PCM63中的TDA1541

是公认的人声之皇，而且采用多比特调制方式，所以我就选用的这个芯片来制作，虽然它的量化精度为16bit，低于现在

常见的24bit的芯片，但现在的音源大部分都是16bit的，因此用16bit的芯片也足够了。

我做的这个解码器内置了耳机放大器，既可能输出音频信号给音频功放，也可以直接推动耳机，我平时主要使用耳机

听音，现在使用的耳机是飞利浦的SHP8000。

使用效果比我的电脑自带的声卡好多了，主要感觉是信噪比高，声音动态范围大，全频表现比较均衡。1、电路简

介

电路架构：USB解码-PCM2706+数字滤波-SAA7220+DAC解码-TDA1541+I/V变换-1/2AD827+无源滤波+耳机

驱动-1/2AD827BD139/140

电路见下图。

PCM2706是USB声卡芯片，是一片全功能芯片，它既可以直接输出立体声音频信号推动耳机（其典型应用见下图），也可

输出同轴信号或I2S信号供其它DAC解码电路解码。输出信号的类型由9脚控制，当9脚为高电平时输出同轴信号；当9脚

为低电平时输出I2S信号。我这里是用其输出的I2S，如果用同轴信号，必需用一芯片（如CS4812）将同轴信号转换成I2S

信号。

为了使电路工作更加稳定，使用了12M的有源晶振。

SAA7220是和TDA1541配对的数字滤波电路，一开始我采用的是无数字滤波的NOS电路，发现中低频醇厚，但高频表现

稍欠佳，后来就加了SAA7220，感觉全频比较平衡。

由于TDA1541是电流型输出信号，因此输出信号要进行I/V变换，这里用运放作I/V变换电路，以左声道为例，电路

由IC4A和R8、C28组成。

为了方便音量的控制，简化电路，LPF采用了无源滤波电路，由R9、R10、C31、C32等组成，其输出信号由IC4B、BD139、

BD140放大后推动耳机或给后级功放提供音频信号。

T10B140中文资料

T10B140中文资料

55FEATURES

GGlass passivated junction

GHigh current diverting capability 250A

GLow capacitance, less than 200pF

APPLICATION

GBi-directional device for telephone and line card protection

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = +25°C)25.4 min

9.400+0.127

-0.254Ø5.080+0.127

-0.254

25.4 minØ1.016±0.050

T10B

Voltage

HoldingCurrent Option

Packaging Option

B = Bulk (500 pcs)

T = Tape and reeled (1500 pcs)ORDERING INFORMATIONGULrecognized

GAutomatic reset

GDoes not degrade

ABSOLUTE RATINGS (limiting values) (Tj = + 25°C) L = 10mm

SYMBOLPIpp

Itsmdi/dtT stgTjTIPARAMETERPower dissipation on infinite heatsinkPeak Pulse Current

Non-repetitive surge peak on-state currentCritical rate of rise of on-state currentStorage and operating junction Temperature rangeMaximum lead temperature for soldering during 10s at 4mm from caseTamb = 50°C10x1000µsec10/700 1.5KV8-20 us expotp = 20 msNon repetitiveVALUE510012525050100-40 to 150150230UNITWA

中央空调培训资料

中央空调培训资料

空调参数：

匹数 制冷量 适用面积

0.8P 2200W 7m²-11m²

0.9P 2300W 7m²-11m²

1P 2500W 8m²-13m²

1.25P 3200W 10m²-17m²

1.5P 3500W 10m²-19m²

2P（挂机）、（柜机）、（天花机） 5000W 18m²-28m²

2.5P（挂机）、（柜机）、（天花机） 6100W 20m²-35m²

3P（挂机）、（柜机）、（天花机） 7100W 28m²-40m²

5P（柜机）、（天花机） 12000W 40m²-68m²

上述机型请注意以下要点：1、噪音 2、耗电 3、制冷速度 4、使用寿命 5、使用方便，考虑周全。

压缩机吸入低温低压的制冷剂气体，经压缩后逐渐变成高温高压的制冷剂气体，经

冷凝散热后逐渐转换成低温高压的制冷剂液体，经过节流阀节流降压后，进入蒸发器，在蒸发器内吸热制冷逐渐变为低温低压制冷剂气体，不断循环，达到制冷的目的。

大金中央空调系列产品

1,、分体机（FTXP、FTXS、FTXG、FTXH为大金分体壁挂机系列）

型号 匹数 制冷量 适用面积 遥控类别 备注

25 1 2500W 8m²-13m² 无线遥控 冷暖全直流变频，环保冷媒（R410A）。高低落差10m,管道最长15m.

32 1.3 3200W 12m²-18m² 无线遥控 冷暖全直流变频，环保冷媒（R410A）。高低落差10m,管道最长20m.

35 1.5 3500W 12m²-21m² 无线遥控 冷暖全直流变频，环保冷媒（R410A）。高低落差10m,管道最长20m.

46 1.8 4600W 12m²-25m² 无线遥控 冷暖全直流变频，环保冷媒（R410A）。高低落差10m,管道最长25m.

50 2 5000W 18m²-30m² 无线遥控 冷暖全直流变频，环保冷媒（R410A）。高低落差10m,管道最长25m.