20天89C51单片机总结

单片机实训总结（集锦10篇）单片机实训总结第1篇单片机是一门应用性和综合性很强的学科，它综合了电子技术中的模拟电路和数字电路方面的知识，特别是数字电路，因为数字电路在单片机里面的应用很多。

由于单片机涉及的知识很多，所以我们只能循序渐进的学习，逐步的积累，没有什么捷径可循。

在大二的时候，我就听学长介绍过单片机，当时感觉很神奇，从此就对单片机特别感兴趣，也感觉它特别有用。

于是经学长推荐，在大二上学期我利用学习之余在图书馆借书，学习了KILE和Proteus软件，刚开始学习的时候，对单片机没有什么认识，不知道什么是单片机，更不知道它有什么作用。

通过学习才大体知道了单片机的一些知识。

由中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、I/O接口、定时器/计数器以及串行通信接口等集成在一块芯片上，构成了一个单片微型计算机，简称为单片机。

也算给我正式学习单片机打下一个基础。

在大二下学期，我购买了一套单片机学习开发板和郭天祥主编的《新概念51单片机C语言教程》，从此正式开启我的单片机学习之路。

在刚开始学时，就完全模仿郭天祥主编的这本书再结合开发板一步一步的学，从点亮一个发光二级管，流水灯，数码管，定时器，中断，矩阵键盘，AD、DA，串口通行，I2C总线等一步一步的深入学习。

此时，我虽然能看懂程序，一些简单的程序可以自己编写，但一些比较复杂的自己编不出来。

在大二暑假，我发现了郭天祥主讲的《十天学会单片机》视屏，于是我坚持天天看视屏，然后在自己根据视屏内容结合开发板写程序，调程序，就这样学了一个暑假。

通过这个视屏，我初步了解了单片机的硬件结构，编程方法及调试方法（用KILE软件调试和用开发板调试），寄存器的使用，学会了如何看芯片资料，初步开始利用芯片时序图来编程。

可以说这个视屏对我学习单片机有巨大的帮助，更夸张的说是这个视屏将我带进了单片机的世界，让我尽情的体验单片机带给我的快乐！在大三上学期，我有幸参加了教改班的单片机课程学习。

51单片机二十天的学习心得本人在二十天内分阶段学习了中国51单片机的相关知识，包括汇编语言、C语言和单片机作为嵌入式系统的应用。

在学习过程中，我遇到了许多困难和挑战，但通过不断地努力和学习，我成功地掌握了基本的单片机编程技能，并取得了一定的成果。

首先，我们学习了51单片机的基础知识，了解了单片机的结构和工作原理，熟悉了单片机常用的外部设备接口，如按键、LED灯、蜂鸣器等，还了解了单片机与其他外设的通信方式。

随后，我开始学习单片机汇编语言，掌握了常用指令的功能和用法，如数据传送指令、算术指令、逻辑指令、跳转指令等。

通过编写实际的汇编程序，我逐渐熟悉了单片机汇编语言的编写方法和调试技巧。

接着，我们开始学习C语言在单片机编程中的应用。

对于刚刚接触C语言的我来说，这是一个非常困难的阶段，因为学习C语言需要理解其底层的运行机制和内存管理方法。

但是，通过不断的练习和思考，我逐渐掌握了C语言在单片机中的使用方法，并成功地编写出了一些实用的程序。

在学习C语言的过程中，我们还学习了很多单片机开发工具，如Keil、SDCC、STC-ISP等，这些工具大大提高了我们的程序开发效率。

最后，我们进入了单片机嵌入式系统的应用阶段，学习了单片机在实际应用中的各种技巧和问题处理方法，如中断处理、定时器编程、串口通信、电机驱动等。

通过实际的项目实践，我掌握了如何将单片机与其他传感器和设备进行联合设计和控制，实现了一些小型的智能控制系统。

总的来说，这二十天的学习对我来说是一次非常宝贵的经验。

在这个过程中，我不仅学习了单片机的基本知识，还学会了不断探索、思考和解决问题的方法。

通过这次学习，我不仅提高了自己的技能水平，也更加深入地了解了科技与人类生活的关系，这对我的未来发展有着非常重要的指导作用。

单片机89C51精确延时高手从菜鸟忽略作起之（六）一，晶振与周期：89C51晶振频率约为12MHZ。

在此基础上，计论几个与单片机相关的周期概念：时钟周期，状态周期，机器周期，指令周期。

晶振12MHZ,表示1US振动12次，此基础上计算各周期长度。

时钟周期(W sz)：Wsz=1/12=0.083us状态周期(W zt) Wzt=2*Wsz=0.167us机器周期(W jq): Wjq=6*Wzt=1us指令周期(W zl): W zl=n*Wjq(n=1,2,4)二，指令周期汇编指令有单周期指令，双周期指令，四周期指令。

指令时长分别是1US,2US,4US.指令的周期可以查询绘编指令获得，用下面方法进行记忆。

1.四周期指令：MUL,DIV2.双周期指令：与SP,PC相关（见汇编指令周期表）3.单周期指令：其他（见汇编指令周期表）三，单片机时间换算单位1.1秒（S）=1000毫秒（ms）2.1毫秒（ms）=1000微秒（us）3.1微秒（us）=1000纳秒（ns）单片机指令周期是以微秒（US）为基本单位。

四，单片机延时方式1.计时器延时方式：用C/T0,C/T1进行延时。

2.指令消耗延时方式：本篇单片机精确延时主要用第2种方式。

五，纳秒（ns）级延时：由于单片机指令同期是以微秒（US）为基本单位，因此，纳秒级延时，全部不用写延时。

六，微秒（US）级延时：1.单级循环模式：delay_us_1最小值：1+2+2+0+2+1+2+2=12（US）,运行此模式最少需12US，因此12US以下，只能在代码中用指定数目的NOP来精确延时。

最大值：256*2+12-2=522（US）,256最大循环次数，2是指令周期，12是模式耗时，-2是模式耗时中计1个时钟周期。

延时范围：值域F(X)[12,522],变量取值范围[0,255].函数关系：Y=F（x）:y=2x+12，由输入参数得出延时时间。

反函数：Y=F(x):y=1/2x-6:由延时时间，计算输入参数。

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后缀由“YYYY”四个参数组成，每个参数的表示
和意义不同。在型号与后缀部分有“-”号隔开。
后缀中的第一个参数 Y用于表示速度，后缀中的
第二个参数Y用于表示封装，后缀中第三个参数 Y用 于表示温度范围，后缀中第四个参数Y用于说明产品 的处理情况。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则
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OV(PSW.2)：溢出标志。带符号加减运算中，超出了累加器A所能 表示的符号数有效范围（－128～＋127）时，即产生溢出， OV=1，表明运算运算结果错误。如果OV=0，表明运算结果正 确。 执行加法指令ADD时，当位6向位7进位，而位7不向C进位时， OV=1；或者位6不向位7进位，而位7向C进位时，同样OV=1。 乘法指令，乘积超过255时，OV=1，乘积在AB寄存器对中。若 OV=0，则说明乘积没有超过255，乘积只在累加器A中。
2.2 89C51系列单片机的结构
（3） 21（18）个SFR（128字节） 它用于控制和管理片内算术逻辑部件、并行 I/O口、串行I/O口、定时器/计数器、中断 系统等功能模块的工作。 3. 并行I/O口 89C51单片机共有4个8位的I/O口（P0、P1 、P2和P3），每一条I/O线都能独立地用作 输入或输出。P0口为三态双向口，能带8个 TTL门电路，P1、P2和P3口为准双向口，负 载能力为4个TTL门电路。
89——表示芯片内带有非易失性的Flash程序存储器；
C——代表CMOS工艺制造；
51/52/54/58——分别表示芯片内Flash程序存储器的
容量分别为4K/8K/16K/32K。
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2.1 89C51单片机的概述