光耦参数详解

光耦常用参数及光耦使用技巧正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。

正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。

反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。

输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC 为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。

从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。

入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

----------------------------------------------------------------------------------------常用的器件。

正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。

正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。

反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。

输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。

从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。

入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

----------------------------------------------------------------------------------------常用的器件。

光耦的参数的详解前言光耦做为一个隔离器件早已获得广泛运用，无所不在。

一般大伙儿在第一次触碰到光耦时通常觉得找不到方向，不知道设计方案对错，伴随着碰到愈来愈多的难题，才会渐渐地有一定的感受。

文中就三个层面对光耦做讨论：光耦原理；光耦的CTR 定义；光耦的廷时。

本讨论也是有了解上的局限，但期待能协助到第一次应用光耦的朋友。

了解光耦光耦是隔离传送器件，原边给出信号，副边回路便会輸出历经隔离的信号。

针对光耦的隔离非常容易了解，这里不做讨论。

以一个简易的图（图.1）表明光耦的工作中：原边键入信号 Vin，释放到原边的发光二极管和 Ri 上造成光耦的键入电流量 If，If 驱动器发光二极管，促使副边的光敏三极管通断，回路VCC、RL 造成 Ic,Ic 历经 R L 造成 Vout，做到传送信号的目地。

原边副边立即的驱动器关系是CTR（电流量传送比），要考虑Ic≤If*CTR。

光耦一般会有两个主要用途：线形光耦和逻辑性光耦，假如了解？工作中在电源开关情况的光耦副边三极管饱和状态通断，管压力降<0.4V，Vout 等于 Vcc（Vcc-0.4V上下），Vout 尺寸只受 Vcc 尺寸危害。

这时 Ic<If*CTR，此运行状态用以传送逻辑性电源开关信号。

工作中在线形情况的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压力降的尺寸相当于 Vcc-Ic*R L ，Vout= Ic*R L=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*R L ，Vout 尺寸立即与Vin 成占比，一般用以意见反馈环路里边(1.6V 是粗略地估算，具体要按器件材料，事后 1.6V 同) 。

针对光耦电源开关和线形情况能够对比为一般三极管的饱和状态变大2个情况。

因此根据剖析具体的电源电路，去除隔离要素，用剖析三极管的方式来剖析光耦是一个很合理的方式。

此方式针对事后剖析光耦的CTR 主要参数，也有延迟时间主要参数都有利于了解。

光耦CTR概述：1)针对工作中在线形情况的光耦要依据具体情况剖析；2)针对工作中在电源开关情况的光耦要确保光耦通断时CTR 有一定容量；3)CTR 受好几个要素危害。

光耦常用参数正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。

反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。

输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。

从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。

入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

----------------------------------------------------------------------------------------常用的器件。

光电耦合器参数一、输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。

常见的参数有：1. 正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。

常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。

2. 反向电压Vr（Reverse Voltage ）是指LED所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。

在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。

3. 反向电流Ir（Reverse Current）通常指在最大反向电压情况下，流过LED的反向电流。

4. 允许功耗Pd（Maximum Power Dissipation）LED所能承受的最大功耗值。

超过此功耗，可能会损坏LED。

5. 中心波长λp（Peak Wave Length）是指LED所发出光的中心波长值。

波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。

6. 正向工作电流If（Forward Current）If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。

不同的LED，其允许流过的最大电流也会不一样。

7. 正向脉冲工作电流Ifp（Peak Forward Current）Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。

为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp 是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。

二、输出特性光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。

常见的参数有：1. 集电极电流Ic（Collector Current）光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。

2. 集电极-发射极电压Vceo（C-E Voltage）集电极-发射极所能承受的电压。

3. 发射极-集电极电压Veco（E-C Voltage）发射极-集电极所能承受的电压4. 反向截止电流Iceo5. C-E饱和电压Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）三、传输特性：1.电流传输比CTR（Current Transfer Radio）2.上升时间Tr （Rise Time）& 下降时间Tf（Fall Time）其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。

光耦的参数一、光耦的概述光耦是一种将电信号转换为光信号或者将光信号转换为电信号的器件。

它由发光二极管（LED）和光敏晶体管（OPTO）组成，通过LED发出的光束照射到OPTO上，产生电流，从而实现电-光或者光-电转换。

二、常见的光耦参数1. 公共模式抑制比（CMRR）公共模式抑制比是指在输入信号中同时存在共模干扰和差模信号时，输出信号中差模信号与共模干扰之比。

CMRR越大，说明设备对共模噪声的抑制能力越强。

2. 隔离电压隔离电压是指在输入端和输出端之间所能承受的最大电压。

通常情况下，隔离电压越高，说明设备隔离效果越好。

3. 带宽带宽是指一个设备能够传输的最高频率范围。

通常情况下，带宽越大，说明设备传输速度越快。

4. 响应时间响应时间是指从输入信号变化到输出信号变化所需要的时间。

响应时间越短，说明设备响应速度越快。

5. 耐压耐压是指设备在工作过程中所能承受的最大电压。

通常情况下，耐压越高，说明设备的安全性能越好。

三、光耦参数的影响因素1. 温度温度对光耦的影响比较大。

当温度升高时，光耦的灵敏度会下降，同时输出信号也会有所变化。

2. 光源功率光源功率对光耦的影响也比较大。

当光源功率过低时，会导致输出信号弱化甚至消失；而当光源功率过高时，则会导致输出信号失真。

3. 工作电流工作电流对光耦的影响也比较明显。

当工作电流过低时，会导致输出信号弱化甚至消失；而当工作电流过高时，则会导致输出信号失真。

4. 入射角度入射角度也会影响光耦的性能。

通常情况下，入射角度越小，则输出信号越强；而入射角度越大，则输出信号越弱。

四、如何选择合适的光耦参数1. 根据需求确定参数范围首先需要根据实际需求，确定所需要的光耦参数范围。

比如，如果需要传输高速信号，则需要选择带宽较大的光耦；如果需要保证设备的安全性能，则需要选择隔离电压和耐压较高的光耦。

2. 选择合适的品牌和型号在确定所需参数范围后，可以根据品牌和型号进行筛选。

通常情况下，知名品牌和口碑好的型号更为可靠。

el354n光耦参数EL354N光耦参数详解光耦是一种常见的光电器件，它能够将输入信号转换为光信号，并通过光电转换将光信号转换为输出电信号。

EL354N是一种常用的光耦，具有以下参数：1. 工作电压：EL354N的工作电压范围为3V至20V。

这意味着在使用EL354N时，输入和输出电路的电压应在这个范围内，以确保正常的工作。

2. 输入电流：EL354N的输入电流为5mA。

这表示在将输入信号接入EL354N时，输入端的电流应限制在5mA以内，以避免损坏器件。

3. 输出电流：EL354N的输出电流为50mA。

这意味着当光耦接收到光信号后，输出端可以提供最大50mA的电流输出，用于驱动外部电路。

4. 隔离电压：EL354N的隔离电压为2500Vrms。

这意味着在EL354N的输入和输出之间存在一个隔离层，可以有效地隔离输入和输出电路，以提高安全性。

5. 工作温度范围：EL354N的工作温度范围为-40℃至85℃。

这表示EL354N可以在较宽的温度范围内正常工作，适用于各种环境条件。

6. 响应时间：EL354N的响应时间为3μs。

这意味着当输入信号发生变化时，EL354N能够在3微秒内完成光电转换并输出相应的电信号。

7. 封装类型：EL354N采用了DIP-8封装。

这种封装形式方便了EL354N的安装和连接，并且具有良好的散热性能。

8. 应用领域：EL354N广泛应用于电力控制、工业自动化、通信设备等领域。

其可靠性高、响应速度快的特点使其成为许多电子设备中的重要组成部分。

总结起来，EL354N光耦具有工作电压范围广、输入输出电流适中、隔离电压高、工作温度范围宽、响应时间短等特点，适用于各种应用场景。

作为一种常用的光耦器件，EL354N在电子领域中发挥着重要的作用，为各种电路的设计和实现提供了可靠的光电转换解决方案。

光耦全参数解释及设计注意事项光耦合器（Optocoupler）是将光电二极管和晶体管紧密结合并密封在一个封装中的一种电子元器件。

它通过光耦技术将输入信号和输出端电路进行电隔离，实现信号隔离和传输，避免了信号传输过程中的干扰，同时还能具备电隔离的安全性能。

光耦合器的参数解释：1.输入光功率（PCE）：光耦合器输出端的光功率，以瓦特（W）为单位。

这个参数决定了光耦合器的灵敏度和信号传输质量，光功率越高，信号传输衰减越小。

2. 输出光通量（PCTR）：光耦合器输入端产生的光通量，以流明（lm）为单位。

这个参数衡量了光电二极管的发光能力，对于需要传输长距离、低功耗的应用来说，输出光通量应该尽量大。

3.峰值波长（λp）：光电二极管和光敏三极管的最佳光收集范围。

光电二极管的输入光源应该尽量接近该波长才能获得最佳的输出效果。

4.隔离电压（VISO）：输入端和输出端之间的电压隔离能力，以伏特（V）为单位。

隔离电压越高，信号传输过程中受到的电压干扰越小，电源与负载之间的互连更加安全可靠。

5.工作温度范围（TC）：光耦合器能够正常工作的温度范围。

在选择光耦合器时，应根据实际应用环境的温度要求来选择合适的工作温度范围，以确保稳定可靠的工作性能。

设计注意事项：1.光源选择：应根据光耦合器的峰值波长要求，选择适合的发光二极管（LED）作为输入光源。

要注意光源的发光强度和工作电流，以确保输出光功率符合要求。

2.光耦合器与负载之间的电路设计：在光耦合器的输出端与负载之间，应根据负载的特性设计合适的功率放大电路或电阻衰减电路，来改变信号的驱动能力和阻抗匹配。

这样可以提高信号传输的质量和稳定性。

3.信号传输线路的设计：应注意尽量缩短信号传输路径，减少线路中的串扰、电磁干扰和功率损耗。

使用合适的屏蔽线缆可以有效地抑制干扰。

4.光耦合器的引脚连接：在布线时，应确保输入端和输出端的引脚连接正确，且不会出现引脚交叉连接或短路的情况。

这样可以避免不正确的信号传输和元器件损坏。

光耦技术参数光耦技术是一种常见的电气隔离技术，通过光学传感器和光电二极管的组合来实现电气隔离和信号传输。

在不同的应用领域中，光耦的技术参数会有所不同。

本文将从光耦的四个主要参数入手，分别是耦合系数、切断频率、响应时间和绝缘电阻。

一、耦合系数耦合系数是光耦的一个重要参数，用来描述输入端和输出端之间的光能转换效率。

耦合系数越大，表示输入端的光能更好地转换为输出端的电能，具有更高的灵敏度。

常见的耦合系数有10%、20%、30%等，一般可根据具体需求选择。

二、切断频率切断频率是指光耦在高频信号传输中能够正常工作的频率范围。

光耦的切断频率越高，表示其响应速度越快，能够传输更高频率的信号。

切断频率一般以MHz为单位，常见的数值有10MHz、20MHz等。

在选择光耦时，需要根据实际应用中信号的频率范围来确定切断频率。

三、响应时间响应时间是光耦从输入端接收到光信号后，输出端反应的时间。

响应时间越短，表示光耦的响应速度越快，适用于高速信号传输。

常见的响应时间有几十纳秒、几百纳秒等。

需要注意的是，响应时间与切断频率有一定关系，一般来说，响应时间越短，切断频率越高。

四、绝缘电阻绝缘电阻是光耦的一个重要指标，用来衡量光耦的电气隔离性能。

绝缘电阻越大，表示输入端和输出端之间的电气隔离效果越好，能够有效阻止信号干扰和电气噪声。

常见的绝缘电阻有几百兆欧姆、几千兆欧姆等。

在一些对电气隔离性能要求较高的应用中，需要选择具有较高绝缘电阻的光耦。

除了以上四个主要参数，还有一些次要参数也需要考虑，例如工作温度范围、耐压能力、功耗等。

这些参数的选择需要根据具体的应用需求来确定，以确保光耦能够在相应的环境中稳定可靠地工作。

总结一下，光耦技术参数包括耦合系数、切断频率、响应时间和绝缘电阻，这些参数决定了光耦的性能和适用范围。

在选择光耦时，需要根据实际应用需求来确定各个参数的取值，以确保光耦在特定的环境中能够正常工作。

同时，还需要注意光耦的次要参数，以满足特定应用的要求。

光耦的基本参数
图中的光耦内部结构由基本的三部分组成：发光二级管、透光绝缘层、光电三极管。

通过发光二极管发光，穿透绝缘层到光电转换三极管，实现电流的传输、隔离特性。

从图中可以看出，光耦的主要参数有：
1、电流传输比CTR：，发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。

2、绝缘耐压(透光绝缘层)：指光耦保护相关电路及自身免受高压导致的物理损坏能力。

3、LED的驱动电流IF：采用高效率的LED和高增益的接收放大器，可以降低驱动电流的IF，同时较小的IF电流可以降低系统的功耗，并且降低LED的衰减，提供系统长期的可靠性。

4、共模抑制比VCM：指在每微秒光耦能容许的最大共模电压上升、下降率。

这个参数主要在工业电机应用中至关重要。

例如电机的启动或者制动过程中都会带来极大的共模噪声。