MOC3061系列光电双向可控硅驱动器

双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。

（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。

因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。

当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。

在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。

过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。

双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。

（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。

因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。

当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。

在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。

过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。

MOC3061 系列光电双向可控硅驱动器
MOC3061 系列光电双向可控硅驱动器是一种新型的光电耦合器件, 它可用直流低电压、小电流来控制交流高电压、大电流。

用该器件触发晶
闸管,具有结构简单、成本低、触发可靠等优点。

本文介绍其工作原理、性能参数及典型应用电路。

1、概述
MOC3061 系列光电双向可控硅驱动器是美国摩托罗拉公司最近推出的光电新器件。

该系列器件的特点是大大加强了静态dv/ dt 能力,保证了电感负载稳定的开关性能。

由于输入与输出采用光电隔离, 绝缘电压可达7500V 。

MOC3061 系列有MOC3061 、MOC3062 及MOC3063 。

它们的差别只是触发电流不同, MOC3061 最大触发电流为15mA , MOC3062 为10mA ,MOC3063 为5mA 。

MOC3061 系列可以用来驱动工作电压为220V (240V )的交流双向可控硅。

当交流负载电流较小时, 如200mA 以下, 也可以直接用它带负载。

MOC3061 系列产品适用于电磁阀及电磁铁控制、电机驱动、温度控制等, 也可用于固态继电器、交流电源开关等场合。

由于采用了光电隔离, 并且能用TTL 电平驱动, 它很容易与微处理器接口，进行各种自动控制设备
的实时控制。

2 、内部结构与基本特性
MOC3061 系列采用双列直插6 引脚封装形式,如图1 所示。

器件由输入、输出两部分组成。

1 、2 脚为输入端,输入级是一个砷化。

MOC3061的应用原理及其应用电路
MOC3061是镓砷化合物构成的光电双向可控硅，其截至电流几乎为零（零特性）。

采用6脚的标准封装。

MOC3061的替换型号。

物理参数图
性能参数：
1 最高隔离电压3.5kv
2 零导通压降
3 输出端反向峰值电压600v
输入端光电二级管参数：
1 反向电压6v
2 峰值工作电流50ma
3 功耗120mw
输出端可控硅参数：
1 关闭状态下所能承受最高电压600v
2 峰值工作电流1A
3 功耗150mw
总的功耗：250mw
典型值
正常工作条件：
最小IF=15MA ，典型IF=20ma.
最小VF=1.2V ,典型VF＝1.4v
典型应用电路：
1
2JP1
12
JP2
R11K R21K
R31K
R41K
R51K
R6
1K
R71K
R81K
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6Q7
Q8
Q9
Q10
1
2
3
6
5
4
MOC3061IC11
2
3
654
MOC3061IC2VCC
光电驱动电机电原理图
PCB 电路板图
光电可控硅
说明：
MOC3061在这个电路中起的是一个光电隔离的作用。

单片机IO口的信号经过电阻送给MOC3061初级的光电二极管，从而控制下一级的电路。

由于电路简单，具体电动机的电路不再分析！。

双向可控硅及其触发电路之答禄夫天创作双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

为减小驱动功率和可控硅触发时发生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采取过零触发电路。

（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采取过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。

因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。

当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，发生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。

在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。

过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 而且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。

双向晶闸管过零检测电路设计2012年05月18日 10:27 来源：本站整理作者：秩名我要评论(0) 引言双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。

过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。

由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。

1 过零检测电路电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。

当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。

在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。

过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

2 过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。

当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通，MOC3061 导通，触发BCR 导通，接通交流负载。

另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el 作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。

双向可控硅及其触发电路Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。

（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。

因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。

当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。

在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。

过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。

双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。

为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。

（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。

因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。

当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。

在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。

过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。

双向可控硅及其触发电路【1 】双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机掌握体系中,可作为功率驱动器件,因为双向可控硅没有反向耐压问题,掌握电路简略,是以特殊合适做交换无触点开关运用.双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且衔接在强电收集中,其触发电路的抗干扰问题很主要,平日都是经由过程光电耦合器将单片机掌握体系中的触发旌旗灯号加载到可控硅的掌握极.为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰,交换电路双向可控硅的触发常采取过零触发电路.（过零触发是指在电压为零或零邻近的刹时接通,因为采取过零触发,是以须要正弦交换电过零检测电路）双向可控硅分为三象限.四象限可控硅,四象限可控硅其导通前提如下图：总的来说导通的前提就是：G极与T1之间消失一个足够的电压时并可以或许供给足够的导通电流就可以使可控硅导通,这个电压可所以正.负,和T1.T2之间的电流偏向也没有关系.因为双向可控硅可以双领导通,所以没有正极负极,但是有T1.T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的,双向四象限可控硅,最大电流4A）推举电路：为了进步效力,使触发脉冲与交换电压同步,请求每隔半个交换电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V ,脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器,TPL521 - 2 为光电耦合器,起隔离感化.当正弦交换电压接近零时,光电耦合器的两个发光二极管截止,三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通,产生负脉冲旌旗灯号,T1的输出端接到单片机80C51 的外部中止0 的输入引脚,以引起中止.在中止办事子程序中运用准时器累计移相时光,然后发出双向可控硅的同步触发旌旗灯号.过零检测电路A.B 两点电压输出波形如图2 所示.过零触发电路电路如图3 所示,图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器,也属于光电耦合器的一种,用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的感化,R6 为触发限流电阻,R7 为BCR 门极电阻,防止误触发,进步抗干扰才能.当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲旌旗灯号时T2 导通,MOC3061 导通,触发BCR 导通,接通交换负载.别的,若双向可控硅接感性交换负载时,因为电源电压超前负载电流一个相位角,是以,当负载电流为零时,电源电压为反向电压,加上感性负载自感电动势el 感化,使得双向可控硅推却的电压值远远超出电源电压.固然双向可控硅反领导通,但轻易击穿,故必须使双向可控硅能推却这种反向电压.一般在双向可控硅南北极间并联一个RC阻容接收电路,实现双向可控硅过电压呵护,图3 中的C2 .R8 为RC 阻容接收电路.光耦合双向可控硅驱动器电路这种器件是一种单片机输出与双向可控硅之间较幻想的接口器件.它由输入和输出两部分构成,输入部分是一砷化镓发光二极管.该二极管在5~15mA正向电流感化下发出足够强度的红外线,触发输出部分.输出部分是一硅光敏双向可控硅,在紫外线的感化下可双领导通.该器件为六引脚双列直插式封装,其引脚设置装备摆设和内部构造见下图：有的型号的光耦合双向开关可控硅驱动器还带有过零检测器.以包管电压为零(接近于零)时才可触发可控硅导通.如MOC3030/31/32(用于115V交换),MOC3040/41(用于220V交换).下图是过零电压触发双向可控硅驱动器MOC3040系列的典范运用电路.MOC3061推举电路图的误会：我最开端疏忽了G极与T1之间的关系,将MOC3061的4.6两脚接在了G极与T1之间,电路示意图如下：（因为没有找到MOC3061,用了一个开关暗示）此时无论是打开开关.和封闭开关（驱动MOC306或者不驱动MOC3061）可控硅都是导通的,即不克不及封闭可控硅,各式纠结和检讨材料后才发明G极和T1之间的关系,安照这个电路接的话,不管J3开路时,G极的电压等于T2的电压,当交换电流过双向可控硅时,G极与T1之间总消失一个电压差,即T1与T2之间的电压差,这个电压差就导通了可控硅,所以双向可控硅固然没有正.负极的差别,却有T1.T2的差别.。