详解光耦的重要参数——CTR值
CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压 V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压：集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的 CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%(如4N35)，而pc817则为80%～160%，台湾亿光(如EL817)可达 50%～600%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
在开关电源的隔离中，以及设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，除了必须遵循普通光耦的选取原则外，还必须遵循下列原则：
1、推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整
2、光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR<50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流 (IF>5.0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR>200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。
3、若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。
以下是亿光光电耦合器EL817的一些参数：
光耦是否可以近似看做成一个带隔离功能的三级管呢？
槽型光耦也被工程技术人员称作槽型光电开关或者对射式光电开关，也是以光为媒体，由发光体与受光体间的光路遮挡或由反射光的光亮变化为信号，检测物体的位置、有无等的装置。槽型光耦也是由一个红外线发射管与一个红外线接收管组合而成。它与接近开关同样是无接触式的，受检测体的制约少，且检测距离长，应用广泛。
1 引言
光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢
有所体会。
本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR 概念；光耦的延时。本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。
1 理解光耦
光耦是隔离传输器件，原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作：原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri 上产生光耦的输入电流If，If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL 产生Ic,Ic经过RL产生Vout，达到传递信号的目的。原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足Ic≤If*CTR。
图.1。
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？
工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc （Vcc-0.4V左右），Vout 大小只受Vcc大小影响。此时Ic对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。
所以通过分析实际的电路，除去隔离因素，用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。此方法对于后续分析光耦的CTR 参数，还有延迟参数都有助于理解。
2 光耦CTR
概要：
1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；
2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量；
3)CTR受多个因素影响。
2.1 光耦能否可靠导通实际计算
举例分析，例如图.1中的光耦电路，假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%，光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。输入信号Vi 是5V的方波，
输出Vcc 是3.3V。Vout 能得到3.3V 的方波吗？
我们来算算：If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
副边的电流限制：Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA
假设副边要饱和导通，那么需要Ic’ = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到1.7mA， Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
所以副边得到的是1.7V 的方波。
为什么得不到3.3V 的方波，可以理解为图.1 光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA 的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。
解决措施：增大If；增大CTR；减小Ic。对应措施为：减小Ri 阻值；更换大CTR 光耦；增大Ro 阻值。
将上述参数稍加优化，假设增大Ri 到200欧姆，其他一切条件都不变，Vout能得到3.3V的方波吗？
重新计算：If = (Vi –1.6V)/Ri = 17mA；副边电流限制Ic’ ≤ CTR*If = 8.5mA，远大于副边饱和导通需要的电流(2.9mA)，所以实际Ic = 2.9mA。
所以，更改Ri 后，Vout 输出3.3V 的方波。
开关状态的光耦，实际计算时，一般将电路能正常工作需要的最大Ic 与原边能提供的最小If 之间Ic/If 的比值与光耦的CTR 参数做比较，如果Ic/If ≤CTR，说明光耦能可靠
导通。一般会预留一点余量（建议小于CTR 的90%）。
工作在线性状态令当别论。
2.2 CTR受那些因素影响
上一节说到设计时要保证一定CTR 余量。就是因为CTR的大小受众多因素影响，这些因素之中既有导致CTR只离散的因素（不同光耦），又有与CTR 有一致性的参数（壳温/If）。
1)光耦本身：
以8701为例，CTR 在Ta=25℃/If=16mA时，范围是(15%~35%)说明 8701 这个型号的光耦，不论何时/何地，任何批次里的一个样品，只要在Ta=25℃
/If=16mA 这个条件下，CTR 是一个确定的值，都能确定在15%~35%以内。计算导通时，要以下限进行计算，并且保证有余量。计算关断时要以上限。
2)壳温影响：
