电子教案-《模拟电子技术及应用》(胡宴如)PPTch34 电子课件
- 格式：pptx
- 大小：789.53 KB
- 文档页数：14
下载文档原格式
合集下载
配套课件 《模拟电子技术应用》
宁乡职业中专学校精品系列课 程
《模拟电子技术应用》课 程《模拟电子技术应用》课程
项目一：智能小夜灯的制 作
目录
1、项目描述 2、知识准备 （1）电阻器 （2）电容器 （3）半导体二极管 （4）二极管整流及电容滤波电路 3、任务实现
项目描述
本项目介绍的智能小夜灯，是采用 阻容降压、桥式整流、电容滤波、二极 管稳压等电路将220V交流电变换成 LED工作所需要的直流电，然后采用光 敏电阻控制电子开关，实现LED灯白天 自动熄灭，夜晚自动点亮。
（2）当 v2 为负半周时，二极管 VD 加反 向电压，处于截止状态， RL 上无电流流过， 如图（c）所示。
1.2.7二极管整流及电容滤波电路
1.2.7.1半波整流电路
各波形之间的对应关系如图所示。 脉动直流电：大小波动，方向不变
的电流（或电压）称为脉动直流电。
半波整流：电路仅利用电源电压 的 半个波，故称半波整流。
R×100 R×1K 1N4148
R×100 2AP9
R×1K
用 途质 量
类型
二极管 正向电阻 反向电阻 用 途 质 量 型号
发光二极 管
稳压二极 管
光电二极 管
1.2.7二极管整流及电容滤波电路
1.2.7.1半波整流电路
1.电路组成
2.工作原理
（1）当v2 为正半周时，二极管 VD 加正向 电压，处于导通状态，RL 上产生正半周电压 vO ，如图（b）所示。
1.2.5半导体二极管
1.2.5.3二极管的单向导电特性
2.二极管的特性曲线
（1）正向特性 死区电压： 硅二极管约为0.5 V，锗二极管约为0.1～ 0.2V 正向导通电压： 硅管约0.6V～0.7V，锗管约0.2V～0.3V （2）反向特性 正常使用二极管时，是不允许出现这种现 象
《模拟电子技术应用》课 程《模拟电子技术应用》课程
项目一：智能小夜灯的制 作
目录
1、项目描述 2、知识准备 （1）电阻器 （2）电容器 （3）半导体二极管 （4）二极管整流及电容滤波电路 3、任务实现
项目描述
本项目介绍的智能小夜灯，是采用 阻容降压、桥式整流、电容滤波、二极 管稳压等电路将220V交流电变换成 LED工作所需要的直流电，然后采用光 敏电阻控制电子开关，实现LED灯白天 自动熄灭，夜晚自动点亮。
（2）当 v2 为负半周时，二极管 VD 加反 向电压，处于截止状态， RL 上无电流流过， 如图（c）所示。
1.2.7二极管整流及电容滤波电路
1.2.7.1半波整流电路
各波形之间的对应关系如图所示。 脉动直流电：大小波动，方向不变
的电流（或电压）称为脉动直流电。
半波整流：电路仅利用电源电压 的 半个波，故称半波整流。
R×100 R×1K 1N4148
R×100 2AP9
R×1K
用 途质 量
类型
二极管 正向电阻 反向电阻 用 途 质 量 型号
发光二极 管
稳压二极 管
光电二极 管
1.2.7二极管整流及电容滤波电路
1.2.7.1半波整流电路
1.电路组成
2.工作原理
（1）当v2 为正半周时，二极管 VD 加正向 电压，处于导通状态，RL 上产生正半周电压 vO ，如图（b）所示。
1.2.5半导体二极管
1.2.5.3二极管的单向导电特性
2.二极管的特性曲线
（1）正向特性 死区电压： 硅二极管约为0.5 V，锗二极管约为0.1～ 0.2V 正向导通电压： 硅管约0.6V～0.7V，锗管约0.2V～0.3V （2）反向特性 正常使用二极管时，是不允许出现这种现 象
模拟电子技术与应用教材(PPT 82张)
常州机电职业技术学院
模拟电子技术与应用
（2）质量指标 1)稳压系数S(电压调整率) 稳压系数定义为：当负载保持不变，输出电压 相对变化量与输入电压相对变化量之比， 即
△ U/ O U O S v △ U/ I U I
R 常 数 L
常州机电职业技术学院
模拟电子技术与应用
2)输出电阻RO
当输入电压UI（指稳压电路输入电压）保持不 变，由于负载变化而引起的输出电压变化量与 输出电流变化量之比， 即
常州机电职业技术学院
模拟电子技术与应用
模块二
串联直流稳压电源设计与制作
一、学习目标 终极目标： 能够按参数要求完成串联直流稳压电源的设计与制作。 促成目标： 1、理解串联稳压电源的工作原理和各元件的作用。 2、能根据电路原理图安装调试实际电路。 3、理解稳压电源的性能指标
常州机电职业技术学院
1
XSC1
1B4B42
3
+
RL 1k
C1 10uF
A + _ + B _
Ext Trig + _
10.193
-
V
U1 DC 10M
图4-1-11 单相桥式整流电容滤波电路仿真测试
常州机电职业技术学院
模拟电子技术与应用
1)观察输出电压波形，解析电路工作过程 2)保存持电容一定，改变负载电阻阻值，观察 输出电压波形与平均值的变化情况 3)保存持电阻一定，改变电容量，观察输出电 压波形与平均值的变化情况 4)测量上述不同情况下输出的纹波电压
1)观察输出电压波形，解析电路工作过程 2)改变输入交流电压值，寻找输出与输入的关 系 3)改变负载电阻阻值，观察输出电压平均值的 变化情况 4)用交流毫伏表测试输出电压（纹波电压）
电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch23 电子课件
第 2 章 半导体三极管及其基本应用
2.工作原理
◎ 输入为低电平，UIU=IL0=V0V时时，，
uuGGSSPP--S VDD
++ G A UIHL = 0VVDD
VP
D
衬导截底通止B Y
uGSN = 0V < UGS(th)N ，VN 截止，uGSP uGSuPGP uGuPSP uSP0V0VVDVDDD U UGSG(Sth(t)hP)P VP 导通， uOVVDDD,为为高高电电平平。。
uDS /V
iDu/GmSA= 2 V –2 V
0V 0V –2V 2V
G
G
N 沟道S耗尽型 P 沟道S耗尽型 – 5 O
uGS /V
5O
–5V 5V
uDS /V
D
D
iD /mA
iD /mA
iD
iD UGS(off)
IDSS
uGS = 0 V 0 V –2V 2V
G
G
N 沟道S结型 P 沟道S结型 – 5 O
2. 饱和漏极电流 IDSS
耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。
3. 直流输入电阻 RGS
指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直
流电阻。
JFET：RGS > 107 MOSFET：RGS = 109 1015
第 2 章 半导体三极管及其基本应用
4. 低频跨导 gm
gm
iD uGS
第 2 章 半导体三极管及其基本应用
例 2.3.2
ui = 20sint (mV)， IDO= 10 mA， UGS(th)= 5V， VGG= 6.5V，
VDD= 20V，d RD= 15kΩ，求静态工作点及交流输出 uo。
模拟电子技术及应用共102页
模拟电子技术及应用
•
26、我们像鹰一样，生来就是自由的 ，但是 为了生 存，我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子，然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
•
27、法律如果不讲道理，即使延续时 间再长 ，也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
•
28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
•
29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中，哪 里没有 法律， 那里就 没有自 由。— —洛克
•
30、风俗可以造就法律，也可以废除 法律。 ——塞·约翰逊
21、要知道对好事的称颂过于夸大，也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随。——韩愈
23、一切节省，归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰，决心到最后会全部推倒。——莎士比
谢谢！
•
26、我们像鹰一样，生来就是自由的 ，但是 为了生 存，我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子，然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
•
27、法律如果不讲道理，即使延续时 间再长 ，也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
•
28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
•
29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中，哪 里没有 法律， 那里就 没有自 由。— —洛克
•
30、风俗可以造就法律，也可以废除 法律。 ——塞·约翰逊
21、要知道对好事的称颂过于夸大，也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随。——韩愈
23、一切节省，归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰，决心到最后会全部推倒。——莎士比
谢谢！
模拟电子技术说课(参考课件)
扬中绿扬
常州Amicc
四、教学设计
1、基本信息
课程名称：模拟电子技术
课程性质: 专业基础课程
学
时：80（理论60 实践20）
适用专业：应用电子技术
开课学期：1年级第2学期
2. 教材选取
曾经使用教材
现在使用教材
主要特点：理论讲解细致 可作为主要参考书
主要特点：项目化导向，知 识点融入于不同项目中。提 高了学生的学习兴趣
3、具备团结协 作精神
4、创新意识 5、查找资料及 自学能力
三、授课条件
1、学生情况分析 2、师资情况 3、实训条件
1. 学情分析
学生差异
高 中 文 科 毕 业 生
高 中 理 科 毕 业 生
前 导 课 程 掌 握 程 度
学生共同点
排喜思渴自 斥动维望信 传手活成不 统不跃功足 教善但但易 学学缺缺于 模理韧耐放 式论性心弃
【重点难点】 单相桥式整流电路工作原理和波形分析
(一) 导入新课
手机师充生电一器起工观作看流以程下图图片
A
R1
R2
各式各样充电器VD1
VD2
了解手机充电器
v1
V2
VD4
输入
桥式
电卡路通充电器整 流
智能集成化快速充电器
座充充电器
C1 VD3
B 滤波
C2 VZ
稳压 输出
最常见的充电器外形图 充电器拆开后
4、实验项目
天煌模电实验台及实验配套教材
4、实验项目
实验项目
知识目标
学时分配
实验1
学习电子电路中常用电子仪器：示波器、 函数信号发生器、直流稳压电源、交流毫
2
常用电子仪器使用 伏表、频率计等的主要技术指标、性能及
模拟电子技术PPT课件
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形，都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形，都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi
模拟电子技术电子教案PPT课件
因此,+3价元素原子获得一个电子, 成为一个不能移动的负离子，而半导 体仍然呈现电中性。
➢ P型半导体的特点： • 多数载流子为空穴； • 少数载流子为自由电子。
11
1.1.1 半导体的导电特性
（2） N型半导体--掺入微量的五价元 素(如磷)
＋
＋ N型＋半导体:
4
4
4
多子自由-电自子 由电子
＋ 4
9
1.1.1 半导体的导电特性
三、杂质半导体
在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性 能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半 导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型 （P型）半导体。
（1） P型半导体--掺入微量的三价元素（如硼）
+
+
+
4
4
4
+
+
+
4
3 硼原子4
+
+
+
4
4
4
10
1.1.1 半导体的导电特性
＋ 5
少子＋ 4 -空穴
磷原子
＋
＋
＋
4
4
4
12
1.1.1 半导体的导电特性
注意：
❖杂质半导体中的多数载流子的浓度与 掺杂浓度有关；而少数载流子是因本 征激发产生，因而其浓度与掺杂无关， 只与温度等激发因素有关.
13
1.1.2 PN结
一．PN结的形成
在一块本征半导体的两边,分别形
成P型和N型半导体,在两种载流子交界
《模拟电子技术》
1
第一章 半导体二极管及其应用电路
本章主要内容： 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体二极管的应用 1.5 本章小结
➢ P型半导体的特点： • 多数载流子为空穴； • 少数载流子为自由电子。
11
1.1.1 半导体的导电特性
（2） N型半导体--掺入微量的五价元 素(如磷)
＋
＋ N型＋半导体:
4
4
4
多子自由-电自子 由电子
＋ 4
9
1.1.1 半导体的导电特性
三、杂质半导体
在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性 能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半 导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型 （P型）半导体。
（1） P型半导体--掺入微量的三价元素（如硼）
+
+
+
4
4
4
+
+
+
4
3 硼原子4
+
+
+
4
4
4
10
1.1.1 半导体的导电特性
＋ 5
少子＋ 4 -空穴
磷原子
＋
＋
＋
4
4
4
12
1.1.1 半导体的导电特性
注意：
❖杂质半导体中的多数载流子的浓度与 掺杂浓度有关；而少数载流子是因本 征激发产生，因而其浓度与掺杂无关， 只与温度等激发因素有关.
13
1.1.2 PN结
一．PN结的形成
在一块本征半导体的两边,分别形
成P型和N型半导体,在两种载流子交界
《模拟电子技术》
1
第一章 半导体二极管及其应用电路
本章主要内容： 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体二极管的应用 1.5 本章小结
模拟电子技术模拟电子技术第5版-胡宴如 第5版-胡宴如 ch43 深度负反馈放大电路的特点及增益估算
第4章 负反馈放大电路
4.3 深度负反馈放大电路的特点及增益估算
4.3.1 深度负反馈放大电路的特点 4.32 深度负反馈放大电路电压放大倍数的估算
4.3.1 深度负反馈放大电路的特点
(1 + AF)>>1称为深度负反馈放大电路
当 1 AF 1 时：
1 AF AF 即：xi xf xid 0
闭环放大倍数主要由反馈网络决定，Af=1/F。增益稳定，失真小
xf≈xi，xid≈0。即uid≈0 称虚短， iid≈0 称虚断
闭环输入电阻和输出电阻可以近似看成零或无穷大
➢ 深度串联负反馈输入电阻→∞ ➢ 深度并联负反馈输入电阻→0 ➢ 深度电流负反馈输出电阻→∞ ➢ 深度电压负反馈输出电阻→0
4.3.2深度负反馈放大电路电压放大倍数的估算
uid ube 0 虚短
ui uf io RE1
uo io RL
Auf
uo ui
RL RE1
3 // 3 0.51
2.94
)
RL
[例 4.3.3]
C1 Rif
电压串联深度负反馈
8
ui R2 uid
uo
uid 0 虚短
Rif
uf R1 Rf
Rof
Auf
uo ui
uo uf
1
RF R1
Rif , Rif R2 ,
Rof 0
ui uf
uf
uo R1 R1 Rf
R1=R2=1KΩ，RF=10KΩ Auf 11
[例 4.3.4]
[例 4.3.1]
电流串联深度负反馈
uid 0 虚短 in 0 虚断
ui uf io Rf
Auf
uo ui
4.3 深度负反馈放大电路的特点及增益估算
4.3.1 深度负反馈放大电路的特点 4.32 深度负反馈放大电路电压放大倍数的估算
4.3.1 深度负反馈放大电路的特点
(1 + AF)>>1称为深度负反馈放大电路
当 1 AF 1 时：
1 AF AF 即：xi xf xid 0
闭环放大倍数主要由反馈网络决定，Af=1/F。增益稳定，失真小
xf≈xi，xid≈0。即uid≈0 称虚短， iid≈0 称虚断
闭环输入电阻和输出电阻可以近似看成零或无穷大
➢ 深度串联负反馈输入电阻→∞ ➢ 深度并联负反馈输入电阻→0 ➢ 深度电流负反馈输出电阻→∞ ➢ 深度电压负反馈输出电阻→0
4.3.2深度负反馈放大电路电压放大倍数的估算
uid ube 0 虚短
ui uf io RE1
uo io RL
Auf
uo ui
RL RE1
3 // 3 0.51
2.94
)
RL
[例 4.3.3]
C1 Rif
电压串联深度负反馈
8
ui R2 uid
uo
uid 0 虚短
Rif
uf R1 Rf
Rof
Auf
uo ui
uo uf
1
RF R1
Rif , Rif R2 ,
Rof 0
ui uf
uf
uo R1 R1 Rf
R1=R2=1KΩ，RF=10KΩ Auf 11
[例 4.3.4]
[例 4.3.1]
电流串联深度负反馈
uid 0 虚短 in 0 虚断
ui uf io Rf
Auf
uo ui
《模拟电子技术教案》课件
《模拟电子技术教案》课件第一章：模拟电子技术概述1.1 教学目标了解模拟电子技术的基本概念掌握模拟电子技术的基本原理和应用1.2 教学内容模拟电子技术的定义和特点模拟电子技术的基本组成部分模拟电子技术的应用领域1.3 教学方法讲授法：讲解模拟电子技术的定义、特点和应用领域互动法：提问学生，让学生参与讨论模拟电子技术的基本组成部分1.4 教学资源课件：展示模拟电子技术的图片和示意图视频：播放模拟电子技术的实际应用场景1.5 教学评估课堂问答：检查学生对模拟电子技术的基本概念的理解小组讨论：评估学生在讨论中的表现和对模拟电子技术的应用领域的认识第二章：模拟电子电路的基本元件2.1 教学目标了解模拟电子电路的基本元件掌握模拟电子电路元件的工作原理和特性2.2 教学内容电阻元件：电阻的定义、单位和特性电容元件：电容的定义、单位和特性电感元件：电感的定义、单位和特性2.3 教学方法讲授法：讲解模拟电子电路元件的定义、单位和特性实验法：进行电阻、电容和电感的实验，让学生观察和分析元件的工作原理和特性2.4 教学资源课件：展示电阻、电容和电感的图片和示意图实验器材：电阻、电容和电感元件2.5 教学评估课堂问答：检查学生对模拟电子电路元件的定义和特性的理解实验报告：评估学生在实验中的观察和分析能力以及对元件工作原理和特性的掌握第三章：模拟电子电路的基本分析方法3.1 教学目标了解模拟电子电路的基本分析方法掌握模拟电子电路分析的步骤和技巧3.2 教学内容静态分析：分析电路的静态工作点动态分析：分析电路的瞬态和稳态响应频率分析：分析电路的频率特性3.3 教学方法讲授法：讲解模拟电子电路分析的步骤和技巧例题解析：分析具体的电路实例，让学生理解和掌握分析方法3.4 教学资源课件：展示模拟电子电路分析的步骤和技巧习题集：提供相关的习题供学生练习3.5 教学评估课堂问答：检查学生对模拟电子电路分析方法的掌握习题练习：评估学生在实际电路分析中的应用能力第四章：模拟电子电路的设计与仿真4.1 教学目标了解模拟电子电路的设计原则和方法掌握模拟电子电路仿真工具的使用4.2 教学内容模拟电子电路的设计原则：功能需求、性能指标和电路拓扑模拟电子电路仿真工具的使用：电路图绘制、参数设置和仿真分析4.3 教学方法讲授法：讲解模拟电子电路的设计原则和方法实践操作：使用仿真工具进行电路设计和仿真分析4.4 教学资源课件：展示模拟电子电路设计原则和仿真工具的使用方法仿真软件：提供模拟电子电路仿真软件供学生实践操作4.5 教学评估课堂问答：检查学生对模拟电子电路设计原则的理解实践报告：评估学生在仿真工具使用中的操作能力和电路设计能力第五章：模拟电子电路的实际应用5.1 教学目标了解模拟电子电路的实际应用场景掌握模拟电子电路在不同领域的应用案例5.2 教学内容音频处理：模拟电子电路在音频放大器和滤波器中的应用信号处理：模拟电子电路在信号处理器和模拟计算机中的应用传感器接口：模拟电子电路在传感器接口和信号调理中的应用5.3 教学方法讲授法：讲解模拟电子电路在不同领域的应用案例实例分析：分析具体的应用实例，让学生理解和掌握模拟电子电路的实际应用5.4 教学资源课件：展示模拟电子电路在不同领域的应用场景和实例实际设备：展示实际的音频放大器、信号处理器等设备供学生观察和理解5.5 教学评估课堂问答：检查学生对模拟电子电路实际应用场景的理解实例分析报告第六章：放大电路分析6.1 教学目标理解放大电路的基本原理学会分析放大电路的性能指标6.2 教学内容放大电路的类型：电压放大器、电流放大器和功率放大器放大电路的基本组成：输入级、输出级和反馈网络放大电路的性能指标：增益、带宽、输入输出阻抗、效率等6.3 教学方法讲授法：讲解放大电路的类型、组成和性能指标实验法：进行放大电路的实验，观察和分析电路的性能6.4 教学资源课件：展示放大电路的原理图和性能曲线实验器材：放大电路实验装置6.5 教学评估课堂问答：检查学生对放大电路原理的理解实验报告：评估学生在实验中的观察和分析能力以及对放大电路性能的掌握第七章：滤波电路分析7.1 教学目标理解滤波电路的基本原理学会分析滤波电路的性能指标7.2 教学内容滤波电路的类型：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器滤波电路的基本组成：电阻、电容和电感元件滤波电路的性能指标：截止频率、通带宽度、阻带宽度等7.3 教学方法讲授法：讲解滤波电路的类型、组成和性能指标实验法：进行滤波电路的实验，观察和分析电路的性能7.4 教学资源课件：展示滤波电路的原理图和性能曲线实验器材：滤波电路实验装置7.5 教学评估课堂问答：检查学生对滤波电路原理的理解实验报告：评估学生在实验中的观察和分析能力以及对滤波电路性能的掌握第八章：振荡电路分析8.1 教学目标理解振荡电路的基本原理学会分析振荡电路的性能指标8.2 教学内容振荡电路的类型：正弦波振荡器和方波振荡器振荡电路的基本组成：放大器、反馈网络和调制元件振荡电路的性能指标：振荡频率、稳定性和幅度等8.3 教学方法讲授法：讲解振荡电路的类型、组成和性能指标实验法：进行振荡电路的实验，观察和分析电路的性能8.4 教学资源课件：展示振荡电路的原理图和性能曲线实验器材：振荡电路实验装置8.5 教学评估课堂问答：检查学生对振荡电路原理的理解实验报告：评估学生在实验中的观察和分析能力以及对振荡电路性能的掌握第九章：模拟集成电路设计9.1 教学目标理解模拟集成电路的基本原理学会分析模拟集成电路的性能指标9.2 教学内容模拟集成电路的类型：放大器、滤波器、振荡器等模拟集成电路的基本组成：晶体管、电阻、电容等元件模拟集成电路的性能指标：增益、带宽、输入输出阻抗、效率等9.3 教学方法讲授法：讲解模拟集成电路的类型、组成和性能指标实例分析：分析具体的模拟集成电路实例9.4 教学资源课件：展示模拟集成电路的原理图和性能曲线实际设备：展示实际的模拟集成电路设备供学生观察和理解9.5 教学评估课堂问答：检查学生对模拟集成电路原理的理解实例分析报告：评估学生在实例分析中的分析能力以及对模拟集成电路性能的掌握第十章：模拟电子技术在现代工业中的应用10.1 教学目标了解模拟电子技术在现代工业中的应用掌握模拟电子技术在不同领域中的应用案例10.2 教学内容模拟电子技术在通信领域的应用：放大器、滤波器、振荡器等模拟电子技术在信号处理领域的应用：模拟计算机、信号处理器等模拟电子技术在传感器领域的应用：传感器接口、信号调理等10.3 教学方法讲授法：讲解模拟电子技术在不同领域的应用案例实例分析：分析具体的应用实例重点和难点解析1. 第一章至第五章的基础理论知识。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
给 VT1、VT2 提 供静态电压
VD1 VD2
VT1 + RL uo
当 ui = 0 时，VT1、VT2 微导通。 当 ui < 0 ( 至 )，
+ ui
VT3
VT2 VEE
VT1 微导通 充分导通 微导通； VT2 微导通 截止 微导通。
当 ui > 0 ( 至 )，
VT2 微导通 充分导通 微导通； VT1 微导通 截止 微导通。
=
162 28
= 16 (W)
+
+
ui
RL uo
V2
VEE
uo ≈ui
3.4.3 甲乙类双电源互补对称功率放大电路
一、乙类功放的交越失真
当输入电压小于死区电压时， 三极管截止，引起 交越失真。
iC
ICQ1
ICQ20
克服交越失真方法
t
交越失真
R
+VCC
输入信号幅度越小失真越明显。
二、甲乙类互补对称功放电路
管子复合而成
差分对管，构成前置放大级
3.4.4 单电源互补对称功率放大电路
RB1 ++
ui RB2
RB
+VCC
V1
V4 + C
V5 E V2
RL
+
uo
+
RE CE
电容 C 的作用：
1)充当 VCC / 2 电源 2)耦合交流信号
当 ui = 0 时， UE = VCC / 2
UC = VCC / 2
io = iE2 = iC2, uO = -iC2RL
二、输出功率和效率
1. 输出功率
Po最=大Uo输Ic出=功12率Uom
1 2
Icm
=1 2U Nhomakorabeaom
Icm
最3最2η.最最.PP大=效I=大实电oDC大mU大IPm输C112率不a际源PcoDx=mU输=输moC出=失m约供miI2出C出C(o=功真41V=m为给=1功V=功4C输U=V率/功CCV6C2率Ro率7C出10CCm82率L+UC%P时Um时.电R05o=II2CmLU%Ic/：oC压：mEmR12c2Cm(RV=Ps、ILEasLoPED(2(tsim)VE电)CaDn=2VtCR)==流=CC4Lt2C22V幅Ud12VV2I/UC(oCVRR度C2mR2C1CLCCLV2ELtC：CC)(Cs//a=Ct)RRI)=2cLLm2VC12CU(VoRCmCL/)R2 L
3.4.2乙类双电源互补对称功率放大电路(OCL)
一、电路组成及工作原理
NPN +VCC VT1 iC1
+
+
ui
RL
uo
VT2 iC2
PNP
VEE
ui = 0 VT1 、 VT2 截止 ui > 0 VT1 导通 VT2 截止 io = iE1 = iC1, uO = iC1RL ui < 0 VT2 导通 VT1 截止
OCL 双电源 交、直流
好 较简单
OTL 单电源
交流 fL 取决于输出耦合电容 C
较复杂
Pomax
1
U
2 om
1
V
2 CC
2 RL 2 RL
1
U om 2
1
V
2 CC
2 RL 8 RL
Po
=
1 2
U
2 om
/
RL ,
PD = 2VCCIcm /
例 3.4.1 已知：VCC = VEE = 24 V，RL = 8 ， 忽略 UCE(sat) 求 Pom ；当uim =16V时，求Po。
[解]
V1 +VCC
Pom
=
V
2 CC
2RL
=
242 28
= 36 (W)
Po
=
U
2 om
2RL
+VCC VT1、VT3 — NPN
RP
UB3 VT3 VT1
V5
R3
RE1
VT2、VT4 — PNP R3 、R5 — 穿透电流泄放电阻
V6
RB1
V7
++ ui RB2
UB8
V8 R2
R4 + E
+
VT4
RL VT2
R5 RE2
RE1 、RE2 — 稳定 “Q”、过流保护
+ uo
取值 0.1 0.5
工作状态分类
iC
ICQ
Icm
O 2 t 甲类( = 2 )
iC ICQ
O
Icm 2
乙类( = )
iC
ICQ
Icm
t O 2 t
甲乙类( < < 2 )
甲类工作状态失真小，静态电流大，管耗大，效率低。
乙类工作状态失真大，静态电流为零 ，管耗小，效率高。
甲乙类工作状态失真大， 静态电流小 ，管耗小，效率较高。
当 ui > 0 时： V2 导通，C 放电， V2 的等效电源电压 0.5VCC。
当 ui < 0 时： V1导通，C 充电，V1 的等效电源电压 + 0.5VCC。
应用 OCL 电路有关公式时，要用 VCC / 2 取代 VCC 。
OCL 电路和 OTL 电路的比较
电源 信号 频率响应 电路结构
克服交越失真的电路
VD1 VD2
VT1 VT2
实际 电路 R
VD1 VD2
+ ui
VT3
+VCC
VT1
+
RL VT2
uo
VEE
R1
VT1
R2
VT3
VT2
UCE3
=
UBE3 R2
( R1
R2 )
R3
+VCC
VT3
R*1
VT1
R2
VT4 VTR2 L
+ uo
R4
VEE
二、复合管互补对称功率放大电路
1. 复合管(达林顿管) 目的：实现管子参数的配对
PNP
V2 V1
V1 V2
NPN + PNP NPN PNP + NPN 构成复合管的规则：
1) 应保证发射结正偏，集电结反偏； 2) 复合管类型与第一只管子相同。
PNP
练习
V1
V2
*接有泄放电阻的复合管：
V1
R 泄放 电阻
ICEO1 2 ICEO1 减小
V2
2. 复合管互补对称电路举例
R1 IC8
第3章 晶体管常用放大电路
• 3.4 互补对称功率放大电路
3.4.1 功率放大电路的特点与分类 3.4.2 乙类双电源互补对称功率放大电路 3.4.3 甲乙类双电源互补对称功率放大电路 3.4.4 单电源互补对称功率放大电路
3.4.1 功率放大电路的特点与分类
特点
向负载高效率提供大功率的放大电路，输出电压和输出电流 都比较大，工作在大信号状态，失真较大。
(1 + 2 + 12) ib1
1 ib1
ib1 V1
2(1+1) ib1
V2
(1 + 1) ib1
ic ib
ie
1 2
(1 + 1) (1 + 2) ib1 = (1 + 1 + 2+ 12) ib1
rbe= rbe1+ (1 + 1) rbe2
V1 V2
NPN + NPN
NPN
V1 V2
PNP + PNP
V5 V7、RP — 克服交越失真
R4 — 使 V3、V4 输入电阻平衡
准互补对称电路 VEE V8 — 构成前置电压放大
RB1 —引入负反馈，提高稳定性。
UE UB8
IB8
IC8
UE
UB3
镜像恒流源， 差分放大电 路的有源负载
克服 交越 失真
NPN
因 PNP 管 PNP 小，采用三只