模拟电子技术期末试卷及答案5套
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《模拟电子技术》试卷 第1页（共2页） 学院 202 -202 学年第 学期
《模拟电子技术》试卷（A卷 专业 级）
考试方式： 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %
（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题
1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用 耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用 耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。由此可知：电极1是 极，电极2是 极，电极3是 极。若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向 、I3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电极电流和基极电流 晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于 失真；幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为 反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为 反馈。放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、 判断正、误题
1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）
2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。 （ ）
3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。 （ ）
4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。 （ ）
5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。 （ ）
6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。 （ ）
7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。 （ ）
8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ ）
9. 共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。 （ ） 10. 若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。 （ ）
（本题共10小题，每小题2分，共20分）三、单项选择题
1. PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于 （ ）。
A、发射结正偏、集电结反偏 B、发射结正偏、集电结正偏
C、发射结反偏、集电结正偏 D、发射结反偏、集电结反偏
2. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（ ）
A、50 B、60 C、61 D、100
3. 射极输出器的特点是 （ ）
A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小
B、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大
C、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大
D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大
4. NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现上半周削波时的失真为 （ ）失真。
A、交越 B、频率 C、饱和 D、截止
5. 集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是 （ ）
A、克服温漂 B、克服交越失真 C、稳定放大倍数 D、提高输入电阻
6. 为了抑制2kHz以下的信号，应采用（ ）电路。
A、低通 B、高通 C、带通 D、带阻
7. 双极晶体管是一种 （ ）
A、电压控制的电压源 B、电流控制的电压源
C、电流控制的电流源 D、电压控制的电流源
8. 场效应管是一种 （ ）
A、电压控制的电压源 B、电流控制的电压源
C、电流控制的电流源 D、电压控制的电流源
9. N型半导体中的多数载流子是 （ ）
A、自由电子 B、空穴 C、正离子 D、负离子
10. 在常用的正弦波振荡器中，频率稳定性最好的是（ ）振荡器。
A、RC型 B、石英晶体 C、电容三点式 D、电感三点式
（本题共2小题，每小题4分，共8分）四、简答题
1. 小信号放大电路静态分析的目的是什么？动态分析的目的又是什么？
题号 一 二 三 四 五 总分 合分人 复核人
得分
得分 评卷人
得分 评卷人
得分 评卷人
得分 评卷人
专业班级： 姓名： 学号：
…………………………密………………………………封………………………………线…………………………
专业班级： 姓名： 学号：
…………………………密………………………………封………………………………线………………………… 《模拟电子技术》试卷 第2页（共2页） ＋
－
＋
A2 ＋ －
＋ A1 100Ω Ui1 Uo
图4 30kΩ 60kΩ
20kΩ 2. 常用的甲乙类功率放大器是哪两种类型？它们各自有什么特点？
（本题共6小题，每小题7分，共42分）五、分析计算题
1.已知图1所示电路输入电压tωusin=10iV，试分析后画出ui与uo的波形。设二极管的正向导通压降可忽略不计。
2．工作在放大状态中的晶体管两个电极的电流如图2所示。分析并求出另一个电极的电流，在图上标出其实际方向，同时判断晶体管的类型和各电极，标示在图中。
3.图3放大电路中，已知RC＝3kΩ，RB1＝106kΩ，RB2＝160kΩ，RE＝1kΩ，β=50，①画出直流通道，进行静态分析（设UBE=0.7V）。
4. 运放电路如图4所示，分别指出两运放所构成的电路类型。若已知Ui1=5V，求输出电压Uo。
5. 图5所示电路中，设集成运放的最大输出电压为±12V，R1=10kΩ，RF=90kΩ，R′=R1//R2，Ui=0.5V。①求正常情况下的UO；②如果Ui=1.5V，UO又是多大？③如果R1因虚焊而断开，电路处于什么工作状态？UO又是多大？
6. 单相桥式整流电容滤波电路如图6所示。已知变压器二次侧电压有效值U2=10V，RLC≥3T/2。已知电路可能出现的情况有正常工作、电容开焊、负载开路以及一只二极管虚焊，求各种情况下输出电压的平均值为多少？
学院 202 -202 学年第 学期 得分 评卷人
图3 ＋12V
RC
C3
ui uo
RE CE RB1
+ +
-12V C1 + RB2 C2 + 图2 （b） 3.1mA 100μA
（a） 1mA 10μA
图6 图1 VD
5kΩ
ui uo 5V
图5 ∞
+ + -
R1 RF Ui Uo R′
………………………… 《模拟电子技术》试卷 第3页（共2页） 《模拟电子技术》试卷（B卷 专业 20 级）
考试方式： 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %
（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题
1.在本征硅中掺入三价杂质元素，可获得 型半导体，其多子是 载流子，少子是 载流子，不能移动的定域离子带 电。
2.
稳压二极管正常工作在 区；光电二极管正常工作在 区；变容二极管正常工作在 区；发光二极管正常工作在 区，其导通压降至少应在
V以上。
3. 双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件，所以称为 控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件，因之称为 控制型器件。
4. 放大电路静态分析的目的是找出合适的 ，以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路的 ，根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5. 文氏桥正弦波振荡器主要由
网络和集成运放构成的 构成的。电路中的正反馈环节起着 作用；电路中的负反馈环节则起到 作用。
6. 小功率并联型直流稳压电源的输出电压是由 调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作在 状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作在 状态。
（本题共11小题，每小题1分，共11分）二、 判断正、误题
1. 雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。 （ ）
2. 双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。 （ ）
3. 本征半导体中掺入五价杂质元素后，生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。 （ ）
4. OCL甲乙类功放采用了单电源供电方式，其输出大电容起负电源的作用。 （ ）
5. 功率放大器中，甲乙类功放的性能最优良，高保真较甲类强，效率较乙类高。 （ ）
6. NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最低，集电极电位最高。 （ ）
7. “虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。 （ ）
8. 无论是单门限还是双门限的电压比较器，电路中一定存在正反馈环节。 （ ）
9. 实用中，直流稳压电源的整流环节通常采用整流桥，滤波环节大多采用电容元件。 （ ）
10. 单门限电压比较器抗干扰能力强，滞回电压比较器灵敏度高。 （ ）
11. 功放电路通常不采用乙类工作状态，因为这种工作状态会在功放电路中产生交越失真。 （ ） （本题共10小题，每小题2分，共20分）三、单项选择题
1. 正常工作在反向击穿区的特殊二极管是 （ ）。
A、稳压二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、光电二极管
