《模拟电子线路》题库
一、判断题（每题2分，共20分）
1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）
2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （ ）
3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。 （ ）
4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 （ ）
6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （ ）
7、运算放大电路中一般引入正反馈。 （ ）
8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 （ ）
9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （ ）
10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。 （ ）
11、晶体管的参数不随温度变化。 （ ）
12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。 （ ）
13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（ ）
14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ ）
15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（ ）
16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。 （ ）
17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。 （ ）
18、理想运放的共模抑制比为无穷大。 （ ）
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一、单项选择题
1、PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A．变窄 B．不变 C．变宽 D．不确定
2、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）。
A．温度 B．掺杂工艺的类型 C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷
3、在掺杂半导体中，少子的浓度受（ A ）的影响很大。
A．温度 B．掺杂工艺 C．杂质浓度 D．晶体缺陷
4、N型半导体（ C ）。
A．带正电 B．带负电 C．呈中性 D．不确定
5、半导体二极管的重要特性之一是（ B ）。
A．温度稳定性 B．单向导电性 C．放大作用 D．滤波特性
6、实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在（ B ）。
A．死区电压 B．击穿电压 C．门槛电压 D．正向电流
7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ C ）。
A．基本不变 B．明显减小 C．明显增加 D．不确定变化
8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（ D ）。
A．右移 B．左移 C．上移 D．下移
9、关于BJT的结构特点说法错误的是（ C ）。
A．基区很薄且掺杂浓度很低
B．发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C．基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D．集电区面积大于发射区面积
10、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（ C ）。
3.2V8V2.5VT
A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．击穿状态 —
欢迎下载 11、小信号模型分析法不适合用来求解（ A ）。
A．静态工作点 B．电压增益 C．输入电阻 D．输出电阻
12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（ B ）。
A．直流参数
C．静态工作点 B．交流参数
D．交流和直流参数
13、某单管放大器的输入信号波形为，而输出信号的波形为，则该放大器出现了（ C ）失真。
书 山 有 路
1 模拟电子线路
一、单项选择题
1、PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A．变窄 B．不变 C．变宽 D．不确定
2、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）。
A．温度 B．掺杂工艺的类型 C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷
3、在掺杂半导体中，少子的浓度受（ A ）的影响很大。
A．温度 B．掺杂工艺 C．杂质浓度 D．晶体缺陷
4、N型半导体（ C ）。
A．带正电 B．带负电 C．呈中性 D．不确定
5、半导体二极管的重要特性之一是（ B ）。
A．温度稳定性 B．单向导电性 C．放大作用 D．滤波特性
6、实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在（ B ）。
A．死区电压 B．击穿电压 C．门槛电压 D．正向电流
7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ C ）。
A．基本不变 B．明显减小 C．明显增加 D．不确定变化
8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（ D ）。
A．右移 B．左移 C．上移 D．下移
9、关于BJT的结构特点说法错误的是（ C ）。
A．基区很薄且掺杂浓度很低
B．发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C．基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D．集电区面积大于发射区面积
10、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（ C ）。
3.2V8V
2.5VT
A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．击穿状态 书 山 有 路
2 11、小信号模型分析法不适合用来求解（ A ）。
A．静态工作点 B．电压增益 C．输入电阻 D．输出电阻
12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（ B ）。
A．直流参数
C．静态工作点 B．交流参数
D．交流和直流参数
13、某单管放大器的输入信号波形
为，而输出信号的波形
为
，则该放大器出现了（ C ）失真。
A．交越 B．截止 C．饱和 D．阻塞性
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模拟电子线路中几个知识点的辨析
作者：李小珉 范越
来源：《大学教育》2015年第09期
[摘 要]模拟电子线路课程教学中存在很多容易混淆和难以理解的知识点。通过总结罗列有关直流和交流工作状态、输入和输出电阻、反馈类型的判别、集成运放线性应用电路分析等相关概念，指出这些知识点难以掌握的症结，并给出需要明确和着重强调的关键和方法。
[关键词]三极管模型 输入 / 输出电阻 反馈类型 集成运放
[中图分类号] X1710 [文献标识码] A [文章编号] 2095-3437（2015）09-0117-02
模拟电子线路课程内容具有概念方法多、头绪繁杂的特点，学生在学习过程中，经常会遇到一些困难影响其掌握和理解程度。笔者通过多年的教学发现有多个关键知识点，在教学中容易被忽视或混淆，这是导致课程难学的直接原因，这里列举几个，以期在同仁中起到抛砖引玉的效果。
一、直流、交流工作状态
从电路分析课程到模拟电子线路课程，虽然研究的都是电路，但其内涵发生了质的变化。在有源电路分析中，由于三极管的直流等效模型和交流等效模型不同，直流分析和交流分析必须严格区分、独立进行。
与直流工作状态相关的概念有：直流参数（静态工作点）、设置静态工作点的目的、三极管的直流等效模型（VBEQ=0.7V）、设置静态工作点的三种偏置电路（固定偏置、射极偏置、分压式射极偏置）分析、电路参数和温度对静态工作点的影响等。与交流工作状态相关的概念有：交流参数（AV、Ri、RO）、三极管的交流等效模型（vbe=ibrbe）、三种基本组态（共发射极、共基极、共集电极）放大器的分析、特性和应用等。
放大器的直流参数和交流参数经常被混淆，比如分析放大器放大倍数AV时，发射结电压却用直流电压VBEQ=0.7V代入，导致错误的结果。所以一定要强调三极管的直流等效模型和交流等效模型的不同。另外，偏置电路与基本组态也是经常被混淆的，所以要强调放大器的特性是由组态形式确定的，组态形式与输入端和输出端的位置有关，所以是从交流的角度命名的；而偏置电路显然是从直流的角度命名的，某一组态的放大器可以选固定偏置电路、也可以选分压式射极偏置电路，所以放大器的名称应由组态形式来确定。
