DW01 锂电池保护 中文版

一、主要特性静态电流待机电流（检测到过放之后）过充检测精度（Topt=25℃）过充检测精度（Topt=0 到50℃）过放检测精度过放检测电压过流保护过充延迟（VDD=4.4V）过放延迟（VDD=2.2V 带有内置电容）封装典型值：4.0uA典型值：0.2uA±50mV±60mV±100mV2.0V 到3.0V，每步0.005V 0.04V 到0.32V，每步0.04V 110mS22mS（最小值）SOT23-6/6-pin二、基本描述DW01 是一款单节可充电锂电池保护集成电路，具有过充、过放、过流及短路保护功能。

IC 内部包含：三个电压检测电路、一个基准电路、一个延迟电路、一个短路保护电路和一个逻辑电路。

当充电电压逐渐增大超过过充检测电路的阈值VDET1 时，Cout Pin 的输出电压即过充检测电路的输出电压VD1 会变到低电位，也就是充电器负端的电位。

在进入过充保护状态后，当VDD 电压降低到VREL1 下方或者当电池组脱离充电器而接一个负载，且VDD 介于VDET1 与VREL1 之间时VD1 可以复位，即Cout Pin 输出变为高电位。

当放电电压低于过放检测电路的阈值VDET2 时，经过一段固定的延迟时间，Dout Pin 的输出即过放检测电路的输出VD2 会变为低电位。

这时，若给电池充电，当电池电压上升到过放检测电路的阈值电压之上时，VD2 恢复，Dout 的输出电压变为高电平。

当有过流情况出现时，内部过流检测电路会检测到，经过一段固定的延迟时间后，VD3 和Dout 变为低电平，放电回路被切断。

这时，若将电池组从负载系统中分开，VD3 会恢复使Dout 变为高电平。

当有外部短路电流时，短路保护电路会立即使Dout变为低电位，当外部短路电流消失后，Dout 会转换为高电位。

在检测到过放之后，会通过关闭一些内部电路使电源电流非常低。

IC 过充检测电路的延迟时间可以通过连接外部电容进行设置。

Cout Pin 和Dout Pin的输出类型是CMOS。

封装形式为SOT23-6。

三、电路框图四、Pin 脚图DW01五、Pin 脚定义Pin 脚位12345 6VDDVss符号DoutV-CoutPin 描述过放检测电路的输出，CMOS 输出充电器的负端输入Pin过充检测电路的输出，CMOS 输出空脚位电源地六、最大绝对额定值符号V-Vcout Vdout PD Topt Tstq项目输入电压V-Cout PinDout Pin功耗工作温度范围储存温度范围额定值VDD-18 到VDD+0.3VDD-18 到VDD+0.3VDD-0.3 到VDD+0.3150-30 到85-55 到125单位VVVmW℃℃最大绝对额定值是极限值，在任何情况下都不能片刻超过。

而且，任两项不能同时达到此值。

在最大绝对额定值以上工作会引起器件特性衰退或者永久损坏。

这里仅强调额定值，并不表示在额定值下实际的工作情况。

七、电气特性符号VDD1项目输入电压条件VDD 到VSS 之间的电压检测电源电压的上升沿温度25℃0~50℃*NoteVREL1 tVDET1 VDET2 VREL2 tVDET2 VDET3 tVDET3 Vshort tshort Vol1 Voh1 Vol2 Voh2IDD Istandby过充检测恢复电压过充保护延迟时间过放阈值电压过放检测恢复电压过放保护延迟时间过流阈值电压过流保护延迟时间短路保护电压短路保护延迟时间Cout Pin N 沟道导通电压Cout Pin P 沟道导通电压Dout Pin N 沟道导通电压Dout Pin P 沟道导通电压静态电流待机电流VDD=3.6V to 2.2V检测“V-”pin 电压的上升沿VDD=3.0VVDD=3.9VVDD=3.0VVDD=4.4VIol=50uA,VDD=3.9VIol=-50uA, VDD＝2.2VIol=50uA,VDD=3.9VVDD=3.9V, V-=0VVDD=2.0V3.43.4VDD=3.6V to 4.4V检测电源电压的下降沿最小值1.54.254.244.05802.302.90220.1251.200.15101.35100.353.70.23.740.260.30.50.18151.50500.54.304.304.101102.403.00典型值最大值104.354.364.151402.503.10单位VVVDET1过充阈值电压VVmsVVmsVmsVusVVVVuAuA *注意：考虑到工艺参数的波动，我们采用trim 来补偿与温度有关的参数。

然而，此规格书是由设计而不是产品测试来保证的。

八、工作过程1．VD1/过充检测VD1监控VDD pin的电压。

当VDD电压逐渐升高超过过充检测电路的阈值VDET1时，VD1会检测到过充，同时将Cout Pin 的输出转为低电位使得承担外部充电控制的N MOS管关断。

有两种情况可以让VD1 复位，使Cout Pin的输出重新回到高电位，从而使系统重新恢复到充电过程。

第一种情况是VDD电压拉低到“VREL1” 以下；第二种情况，是将电池组与充电器断开，并连接一负载放电，使VDD值降低到介于“VDET1”和“VREL1”之间。

在检测到过充并且VDD电压高于VDET1时，电池连接到负载使负载电流流过外部充电控制MOSFET的寄生二极管。

当VDD通过负载电流的持续抽取被拉低到VDET1以下时，Cout Pin输出转为高电平。

当VDD高于VDET1后在一定的输出延迟时间内又降回到低于VDET1，VD1将不会输出一个信号来关断充电控制的MOSFET。

Cout Pin 的电平转换器与缓冲驱动器结合在一起使Cout Pin的低电平为V- Pin 的电压，而且Cout Pin的高电平为VDD电压。

2．VD2/过放检测VD2监控VDD Pin 的电压。

当VDD电压低于过放检测电路的阈值电压VDET2时，VD2会检测到过放，同时Dout Pin输出为低电平使得外部过放控制N MOS管关断。

在进入到过放保护状态后，为了使VD2复位并且Dout Pin的输出恢复到高电平，对DW01 而言，必须要给电池组充电。

如果VDD电压维持在过放检测电路的阈值电压VDET2之下，充电电流会通过外部放电控制MOSFET的寄生二极管路径。

当VDD电压重新升高到VDET2 之上时，Dout Pin转换为高电平，这时放电过程将可以通过导通的放电控制MOSFET继续进行。

将电池组连接到充电器，当VDD 电压高于VDET2 时，Dout Pin 电位立即变为高电平。

对DW01 来说，当VDD 电压等于或者高于过放恢复电压/VDET2 时，过放保护情况会被解除。

过放检测电路的延迟时间是固定的，当VDD=2.2V 时tVDET2 最小为22ms。

当VDD 电压低于VDET2 后在一定的输出延迟时间内又重新被拉高到高于VDET2，VD2 将不会输出一个信号来关断放电控制的MOSFET。

VD2 检测到过放之后，静态电流会减小到典型值0.2uA（VDD=2.0V），此时只有充电检测电路工作。

Dout Pin 的输出类型具有CMOS 特性，即输出高电平为VDD，输出低电平为Vss。

3．VD3/过流检测，短路检测过流检测电路和短路保护电路在两个控制MOSFET 同时为“ON”时才能工作。

当V- Pin 的电压值介于短路保护电压Vshort 和过流保护阈值电压VDET3之间时，过流检测电路工作并且提高V- Pin的电压高于Vshort 使短路保护电路工作，从而使Dout Pin 的输出为低电平，外部放电控制N MOS管被关断。

过流检测电路的延迟时间是固定的，在VDD=3.0V时，典型值是10ms。

在这个延迟时间内，如果V- Pin从介于Vshort和VDET3之间的一个电位快速恢复，会使放电控制MOSFET保持“H”。

当短路保护电路开始工作时，Dout Pin 将会输出低电平，其延迟时间的典型值为10us。

V- Pin有一个连接到Vss Pin的内置下拉电阻，典型值为100 kOhm。

当IC 进入过流或短路保护状态后，如果将引起过流或外部短路的因素消除，可以使外部放电控制MOSFET自动导通，同时V- Pin的电位通过内部下拉电阻拉低到Vss。

如果VDD 电压升高到VDET2 以上同时又检测到过流时，DW01 不会进入待机模式，除非VDD 电压低于VDET2，DW01 才会进入待机模式。

九、应用电路DW01R1和C1可以使得提供给DW01 的电源电压稳定。

建议R1的阻值小于1kOhm。

R1值太大将导致检测电压升高，产生错误。

R1和R2可能会导致IC功耗超过DW01 的功耗额定值，R1+R2的总值要超过1kOhm。